Tag Archives: 1700v

โมดูล MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ 1200V และ 1700V ที่เพิ่งเปิดตัวใหม่ของโตชิบาจะมีส่วนช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมขนาดเล็กมีประสิทธิภาพมากขึ้น

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–26 ม.ค. 2565

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัวโมดูล MOSFET ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) สองโมดูล ได้แก่ “MG600Q2YMS3” ที่มีพิกัดแรงดันไฟฟ้า 1200V และอัตรากระแสไฟ drain current rating ที่ 600A ส่วนรุ่น “MG400V2YMS3” ที่มีระดับแรงดันไฟฟ้า 1700V มีกระแสไฟ drain current rating ที่ 400A ซึ่งถือเป็นผลิตภัณฑ์ของโตชิบารุ่นแรกที่มีพิกัดแรงดันไฟฟ้า เหมือนกับของรุ่น MG800FXF2YMS3 ที่วางจำหน่ายไปก่อนหน้านี้ในอุปกรณ์ขนาด 1200V, 1700V และ 3300V ตามลำดับ

ข่าวประชาสัมพันธ์นี้มีเนื้อหาเป็นมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20220125005489/en/

Toshiba: 1200V and 1700V silicon carbide (SiC) MOSFET modules that contribute to smaller, more efficient industrial equipment. (Graphic: Business Wire)

โตชิบา: โมดูล MOSFET ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) 1200V และ 1700V ที่ช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีขนาดเล็กลงและมีประสิทธิภาพมากขึ้น (กราฟิก: Business Wire)

โมดูลใหม่นี้มีความเข้ากันได้ในการติดตั้งกับโมดูล IGBT ซิลิคอน (Si) ที่ใช้กันอย่างแพร่หลาย ลักษณะการสูญเสียพลังงานต่ำตอบสนองความต้องการสำหรับประสิทธิภาพที่สูงขึ้นและการลดขนาดในอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น คอนเวอร์เตอร์และอินเวอร์เตอร์สำหรับยานพาหนะทางรถไฟ และระบบผลิตพลังงานทดแทน

 การใช้งาน

  • อินเวอร์เตอร์และคอนเวอร์เตอร์สำหรับยานพาหนะรถไฟ
  • ระบบผลิตไฟฟ้าพลังงานหมุนเวียน
  • อุปกรณ์ควบคุมมอเตอร์
  • ตัวแปลง DC-DC ความถี่สูง

ฟีเจอร์

  • การติดตั้งเข้ากันได้กับโมดูล Si IGBT
  • การสูญเสียต่ำกว่าโมดูล Si IGBT

MG600Q2YMS3

VDS(on)sense =0.9V (typ.) @ID=600A, Tch=25°C

Eon=25mJ (typ.), Eoff=28mJ (typ.) @VDS=600V, ID=600A, Tch=150°C

MG400V2YMS3

VDS(on)sense=0.8V (typ.) @ID=400A, Tch=25°C

Eon=28mJ (typ.), Eoff=27mJ (typ.) @VDS=900V, ID=400A, Tch=150°C

  • เทอร์มิสเตอร์ NTC ในตัว

ข้อมูลจำเพาะหลัก

( @Tc=25°C นอกจากที่ระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

หมายเลขชิ้นส่วน

MG600Q2YMS3

MG400V2YMS3

บรรจุภัณฑ์

2-153A1A

อัตรากระแสสูงสุด

กระแส Drain-source voltage VDSS (V)

1200

1700

กระแส Gate-source voltage VGSS (V)

+25/-10

+25/-10

กระแส Drain current (DC) ID (A)

600

400

กระแส Drain current (pulsed) IDP (A)

1200

800

กระแส Channel temperature Tch (°C)

150

150

กระแส Isolation voltage Visol (Vrms)

4000

4000

คุณลักษณะไฟฟ้า

Drain-source on-voltage (sense)

VDS(on)sense typ. (V)

@VGS =+20V,

Tch=25°C

0.9

@ID=600A

0.8

@ID=400A

Source-drain on-voltage (sense)

VSD(on)sense typ. (V)

@VGS =+20V,

Tch=25°C

0.8

@IS=600A

0.8

@IS=400A

Source-drain off-voltage (sense)

VSD(off)sense typ. (V)

@VGS =-6V,

Tch=25°C

1.6

@IS=600A

1.6

@IS=400A

Turn-on switching loss Eon typ. (mJ)

Eon typ. (mJ)

@Tch=150°C

25

@ VDS=600V,

ID=600A

28

@VDS=900V,

ID=400A

Turn-off switching loss Eoff typ. (mJ)

Eoff typ. (mJ)

@Tch=150°C

28

@ VDS=600V,

ID=600A

27

@VDS=900V,

ID=400A

คุณลักษณะเทอร์มิสเตอร์

Rated NTC resistance R typ. (kΩ)

5.0

5.0

NTC B value B typ. (K)

@TNTC=25 – 150°C

3375

3375

ติดตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่

MG600Q2YMS3

MG400V2YMS3

ตามลิงค์สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ SiC Power Devices ของโตชิบา

SiC Power Devices

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และสตอเรจขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน LSIs และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัท 22,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการร่วมสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ ด้วยยอดขายประจำปีที่สูงกว่า 710,000 ล้านเยน (6.5 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่

ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20220125005489/en/

ติดต่อ:

สอบถามสำหรับลูกค้า

Power Device Sales & Marketing Dept.

โทร: +81-44-548-2216

ติดต่อเรา

ติดต่อสำหรับสื่อ:

Chiaki Nagasawa

ฝ่ายการตลาดดิจิทัล

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

โทร: +81-44-549-8361

semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย