Tag Archives: toshiba

Toshiba เปิดตัวฮาร์ดไดร์ฟความจุ 6TB สำหรับระบบ DVR และ NVR

Logo

ฮาร์ดไดร์ฟรุ่น DT02-V ที่มีความจุมากถึง 6TB มอบความน่าเชื่อถือได้มากขึ้น

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–03 ธันวาคม 2562

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) เปิดตัวฮาร์ดไดร์ฟรุ่น DT02-V ซึ่งเป็นรุ่นใหม่ที่สร้างขึ้นเพื่อใช้กับระบบบันทึกสัญญาณภาพที่ใช้กับกล้องวงจรปิดระบบ analog (DVR) และระบบบันทึกสัญญาณภาพที่ใช้กับกล้องแบบ IP (NVR)

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยเนื้อหาในรูปแบบมัลติมีเดีย ดูเนื้อหาแบบเต็มรูปแบบที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20191202005302/en/

Toshiba: The DT02-V Surveillance HDD Series, high areal density Surveillance 6TB HDD. (Photo: Business Wire)

Toshiba: ฮาร์ดไดร์ฟบันทึกภาพรุ่น DT02-V มีพื้นที่ความจุมากถึง 6TB (รูปภาพ: Business Wire)

ฮาร์ดไดร์ฟรุ่นใหม่นี้ทำงานด้วยเทคโนโลยีการบันทึกภาพแบบแม่เหล็กเพื่อความหนาแน่นและเพิ่มความน่าเชื่อถือมากขึ้นเมื่อเปรียบเทียบกับรุ่นก่อนหน้านี้อย่าง MD04ABA-V ด้วยความจุ1ที่มากถึง 6TB ซีรีส์ DT02-V จะรองรับความละเอียดในการประมวลภาพ2สูงสุดถึง 32 และยังเหมาะกับการใช้งานบนแพลตฟอร์ม DVR และ NVR มากพอ ๆ กับพื้นที่เก็บไดร์ฟถึง 8 ช่อง

Shuji Takaoka ผู้จัดการทั่วไป แผนกการตลาดและการขายผลิตภัณฑ์อุปกรณ์บันทึกภาพแห่ง Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation กล่าวว่า “ผลิตภัณฑ์ตัวใหม่ในตระกูล HDD อย่าง DT02-V สามารถมอบความจุได้ถึง 6TB และออกแบบสำหรับใช้กับกล้องบันทึกภาพบนแพลตฟอร์ม DVR และ NVR นอกจากนี้ยังมีความจุหลากหลายขนาดให้เลือกพร้อมปรับปรุงการประมวลผลวิดีโอด้วยความละเอียดสูง”

DT02-V ออกแบบมาเพื่อการใช้งานแบบข้ามวันข้ามคืนที่อุณหภูมิของฮาร์ดไดร์ฟหรือ 40 องศาเซลเซียสสำหรับฟีเจอร์ load/unload ประมาณ 600,000 รอบ ในอัตราการทำงาน3ด้วยความจุ 180TB ต่อปี คุณสมบัติอื่น ๆ เช่น อินเทอร์เฟส4 SATA 6Gbit/s พร้อมแคช 128MiB ที่ช่วยลดการย่นของเฟรม พร้อมแพลตฟอร์มอัตโนมัติที่ออกแบบให้ทำงานระยะเวลาเฉลี่ยก่อนการเสียหายแต่ละครั้ง5 1 ล้านชั่วโมง

สินค้าตัวอย่างฮาร์ดไดร์ฟ DT02-V ขนาดความจุ 4TB วางจำหน่ายแล้ววันนี้ ส่วนขนาดความจุ 6TB มีแผนวางจำหน่ายในเดือนมกราคม 2563 และขนาดความจุ 2TB จะวางจำหน่ายในเดือนมีนาคม 2563

สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่ โปรดดูที่:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/storage-products/client-hdd.html

1 คำจำกัดความของความจุ: Toshiba Memory Corporation กำหนด 1 กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ และ 1 เทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตามระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์รายงานความจุหน่วยเก็บข้อมูลโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2 = 1,073,741,824 ไบต์ ดังนั้นจึงมีความจุน้อยกว่า ทั้งนี้ความจุในการจัดเก็บ (รวมถึงตัวอย่างของไฟล์สื่อต่าง ๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่ฟอร์แมตจริงอาจแตกต่างกันไป

2 ประสิทธิภาพการรองรับของจำนวนกล้องบันทึกภาพกำหนดโดยการจำลองประสิทธิภาพกับกล้องความละเอียดสูงที่อัตรา 4Mbit/s ผลที่แท้จริงอาจเปลี่ยนตามปัจจัยต่าง ๆ ไม่ว่าจะเป็นชนิดของกล้องที่ติดตั้ง ประสิทธิภาพของระบบฮาร์ดแวร์และซอฟท์แวร์ และเทคโนโลยีการอัดวิดีโอ รวมทั้งตัวแปรระบบ เช่น ความละเอียด เฟรมต่อวินาที และการตั้งค่าอื่น ๆ

3 การทำงานคือมาตรวัดข้อมูลตลอดทั้งปี และกำหนดโดยปริมาณของข้อมูลที่เขียน อ่าน หรือตรวจสอบตามคำสั่งของระบบโฮสต์

4 ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจต่างกัน ทั้งนี้ขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ของโฮสต์ เงื่อนไขการอ่านและเขียน และขนาดของไฟล์

5 MTTF หรือระยะเวลาเฉลี่ยก่อนการเสียหายแต่ละครั้ง ไม่ได้เป็นตัวการันตีหรือประมาณจำนวนอายุการใช้งานสินค้า เป็นค่าทางสถิติที่เกี่ยวข้องกับอัตราความล้มเหลวของสินค้าจำนวนมาก ซึ่งอาจส่งผลถึงการดำเนินงานได้ไม่ถูกต้อง อายุการใช้งานที่แท้จริงของสินค้าอาจต่างจาก MTTF

* ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูล ณ ปัจจุบันในวันที่ประกาศ และอาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

* ชื่อบริษัท สินค้าและบริการทั้งหมดที่กล่าวถึงในที่นี้อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ นั้น

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

เป็นบริษัทใหม่ที่เต็มไปด้วยพลังและประสบการณ์ นับตั้งแต่แยกตัวออกจากบริษัทเมื่อเดือนกรกฎาคม ปี 2560 เราได้ก้าวสู่การเป็นหนึ่งในบริษัทผู้นำด้านอุปกรณ์ทั่วไป และได้นำเสนอโซลูชันเกี่ยวกับเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ ระบบ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจของเรา

เรามีพนักงานจำนวน 22,000 คนทั่วโลก ซึ่งมีความตั้งใจร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะเพิ่มยอดขายต่อปีซึ่งปัจจุบันมีมูลค่ากว่า 8 แสนล้านเยน (7 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ให้สูงขึ้น เพื่อสร้างอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน
เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับเราที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.comhttps://www.businesswire.com/news/home/20191202005302/en/

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

ฝ่ายการตลาดดิจิทัล

Chiaki Nagasawa

โทร: +81-3-3457-4963

semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba เปิดตัวฟิวส์อิเล็กทรอนิกส์หรือ eFuse ที่สามารถนำมาใช้ซ้ำได้เป็นครั้งแรก

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–20 พฤศจิกายน 2562

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") ได้เปิดตัววงจรรวม (IC) ที่มาพร้อมฟิวส์อิเล็กทรอนิกส์ (eFuse) เป็นครั้งแรกในซีรีส์ “TCKE8xx” ประกอบด้วยผลิตภัณฑ์หกรุ่นสำหรับป้องกันวงจรเมื่อกระแสไฟฟ้าเกิน ซึ่งรองรับการใช้งานที่แตกต่างกันออกไป โดยวันนี้จะเริ่มมีการจัดส่งผลิตภัณฑ์สองรุ่น

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยเนื้อหามัลติมีเดีย ดูเนื้อหาแบบเต็มรูปแบบที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20191119005455/en/

Toshiba's first-ever eFuse ICs "TCKE8xx series" (Photo: Business Wire)

"TCKE8xx series" วงจรรวมรุ่นแรกของ Toshiba ที่มาพร้อมฟิวส์อิเล็กทรอนิกส์ (รูปภาพ: Business Wire)

คุณสมบัติที่โดดเด่นที่สุดของวงจรรวมแบบ eFuse คือการที่สามารถนำมาใช้ซ้ำได้ ฟิวส์ที่ใช้กันโดยทั่วไปซึ่งมีลักษณะเป็นหลอดแก้วและฟิวส์ที่มีแผ่นวงจรหรือชิพ จะป้องกันวงจรด้วยการตัดไฟเมื่อมีการใช้ไฟเกิน และจำเป็นต้องเปลี่ยนใหม่เมื่อเสียหาย ขณะที่วงจรแบบ eFuse จะใช้วงจรในตัวของมันเองตัดการจำหน่ายไฟเมื่อเกิดความผิดปกติ และสามารถทำการรีเซ็ตและนำกลับมาใช้ใหม่ได้

ข้อดีอีกอย่างคือ วงจรแบบ eFuse สามารถลดความซับซ้อนของการออกแบบวงจรและจำนวนส่วนประกอบที่ใช้ ทำให้การออกแบบวงจรมีความง่ายมากขึ้น ใช้วัสดุน้อยลง และใช้พื้นที่น้อยกว่าอุปกรณ์ที่ผลิตจากวัสดุแบบแยกส่วนจากกัน

ผลิตภัณฑ์ซีรีส์ TCKE8xx ใหม่ มีวงจรที่มีความทนทานสูงจากการที่เพิ่มความแม่นยำในการตรวจกระแสไฟฟ้าเกินสู่ระดับที่สูงกว่าในฟิวส์แบบทั่วไป เนื่องจากวงจรแบบ eFuse มีแคลมป์วัดกระแสไฟและแคลมป์วัดแรงดันไฟเพื่อป้องกันกระแสไฟและแรงดันไฟเกิน จึงสามารถป้องกันวงจรและรักษาระดับการจ่ายไฟด้วยการใช้แคลมป์วัดกระแสไฟและแคลมป์วัดแรงดันไฟ แม้เมื่อมีกระแสไฟหรือแรงดันเกินก็ตาม ฟังก์ชันป้องกันเมื่ออุณหภูมิสูงเกินและเมื่อเกิดไฟฟ้าลัดวงจร จะป้องกันวงจรด้วยการตัดกระแสไฟแบบทันทีเมื่อความร้อนสูงเกินหรือเมื่อเกิดไฟฟ้าลัดลวงจร

คุณสมบัติเหล่านี้ทำให้ผลิตภัณฑ์สามารถปกป้องอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ เช่น เซิร์ฟเวอร์และคอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊ก ซึ่งอุปกรณ์เหล่านี้ที่มีความทนทานต่อกระแสไฟและแรงดันไฟได้มากขึ้นมีความต้องการสูงขึ้นเรื่อย ๆ ในช่วงหลายปีที่ผ่านมา โดย Toshiba ตั้งเป้าให้ผลิตภัณฑ์ได้รับการรับรอง IEC 62368-1 ซึ่งเป็นมาตรฐานความปลอดภัยสากลเพื่อความปลอดภัยระดับสูง รวมถึงทำให้การทดสอบที่จำเป็นสำหรับการรับรองอุปกรณ์ของลูกค้าง่ายขึ้นด้วย

ไลน์อัปนี้ประกอบด้วยผลิตภัณฑ์สองประเภท ได้แก่ ประเภท auto-retry ซึ่ง eFuse สามารถกู้คืนวงจรได้เองโดยอัตโนมัติ และประเภท latch ซึ่งสามารถกู้คืนวงจรได้จากสัญญาณจากภายนอก ลูกค้าสามารถเลือกวงจรแบบ eFuse IC ที่เหมาะสมกับความต้องการและขนาดของอุปกรณ์

การใช้งาน

  • ปกป้องวงจรจากการจำหน่ายกระแสไฟเกิน

(เซิร์ฟเวอร์ หน่วยความจำ SSDs คอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊ก คอนโซลเกม อุปกรณ์ AR และ VR และอื่น ๆ)

คุณสมบัติ

  • วัดกระแสไฟฟ้าเกินได้อย่างแม่นยำ : ±11% @Ta=-40 ถึง +85℃, ILIM=4.38A
  • ป้องกันไฟลัดวงจรด้วยความเร็วสูง : tFastOffDly=150ns (typ.) @Ta=-40 to +85℃
  • จ่ายไฟได้สูง : IOUT=0 ถึง 5.0A
  • ขนาดบางกะทัดรัด : 3.00×3.00มม. (typ.), t=0.75มม. (สูงสุด)

คุณสมบัติจำเพาะหลัก

(@Ta=25℃ นอกจากว่ามีการระบุไว้)

หมายเลขชิ้นส่วน

TCKE800NA

[1]

TCKE800NL

[1]

TCKE805NA

TCKE805NL

TCKE812NA

[1]

TCKE812NL

[1]

แพ็คเกจ

ชื่อ

WSON10B

ประเภทขนาด (มม.)

3.00×3.00, t=0.75 สูงสุด

ช่วงกระแสไฟขณะใช้งาน

แรงดันไฟขาเข้า VIN (V)

4.4 ถึง 18

กระแสไฟขาออก IOUT (A)

0 ถึง 5.0

ความต้านทานขณะใช้งาน RON typ. (mΩ)

28

ความแม่นยำในการตัดไฟเมื่อกระแสไฟฟ้าเกิน (%)

±11[2]

แคลมป์วัดแรงดันไฟเกิน VOVC typ. (V)

6.04

15.1

ความหน่วงอุปกรณ์เปรียบเทียบวงจร

tFastOffDly typ. (ns)

@Ta=-40 ถึง +85℃

150

ประเภทการกู้คืนวงจร

Auto-retry

Latched

Auto-retry

Latched

Auto-retry

Latched

ปรับตัวควบคุมอัตราสลูวได้

ตรวจสอบสต็อก & ซื้อ

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

หมายเหตุ :
[1] อยู่ระหว่างการพัฒนา
[2] @Ta=-40 ถึง +85℃, ILIM=4.38A

ดูเพิ่มเติมเกี่ยวกับไลน์ผลิตภัณฑ์วงจรรวมที่มาพร้อมฟิวส์อิเล็กทรอนิกส์ ได้จากลิงก์ด้านล่างนี้
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/linear/power-supply/efuse-ics.html

ดูแผนภาพอ้างอิงของวงจรแบบ eFuse IC ได้ที่:
Application Circuits of eFuse IC TCKE805 Series
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/design-support/referencedesign/efuse-ic_PowerManagement_RD164.html

ตรวจสอบจำนวนผลิตภัณฑ์ใหม่ที่มีจำหน่ายทางออนไลน์ผ่านตัวแทน ได้ที่:
TCKE805NA
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/buy/stockcheck.TCKE805NA.html
TCKE805NL
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/buy/stockcheck.TCKE805NL.html

*ชื่อบริษัท สินค้าและบริการทั้งหมด อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ ที่กล่าวถึง

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์สัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูล ณ ปัจจุบันในวันที่ประกาศ และอาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นบริษัทใหม่ที่เต็มไปด้วยพลังและประสบการณ์ นับตั้งแต่แยกตัวออกจากบริษัทเมื่อเดือนกรกฎาคม ปี 2017 เราได้ก้าวสู่การเป็นหนึ่งในบริษัทผู้นำด้านอุปกรณ์ทั่วไป และได้นำเสนอโซลูชันเกี่ยวกับเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ ระบบ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจของเรา

เรามีพนักงานจำนวน 22,000 คนทั่วโลก ซึ่งมีความตั้งใจร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะเพิ่มยอดขายต่อปีซึ่งปัจจุบันมีมูลค่ากว่า 8 แสนล้านเยน (7 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ให้สูงขึ้น เพื่อสร้างอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน
เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับเราที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.comhttps://www.businesswire.com/news/home/20191119005455/en/

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Chiaki Nagasawa
โทร: +81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba เปิดตัว IC ไดรเวอร์ PWM Sine-Wave แบบ 600V สำหรับมอเตอร์ไร้แปรงสามเฟส

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–30 ก.ย. 2562

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") ประกาศเปิดตัว“ TB67B000AHG” ไดรเวอร์มอเตอร์แบบไร้แปรงแบบสามเฟสรุ่นใหม่สำหรับเครื่องใช้ในบ้าน เช่น เครื่องปรับอากาศ เครื่องฟอกอากาศ เครื่องลดความชื้น และพัดลมติดเพดาน โดยไดรเวอร์รุ่นใหม่นี้เป็นการเพิ่มแรงดันไฟฟ้าสูงให้กับผลิตภัณฑ์ชุด“ TB67B000 ซีรีส์” ซึ่งทำให้ไดรเวอร์มอเตอร์แบบไร้แปรงที่มีประสิทธิภาพสูงและลดสัญญาณรบกวนรวมกันเอาไว้ภายในแพ็คเกจเดียว

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีคุณสมบัติเป็นมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20190930005261/en/

Toshiba: 600V sine-wave PWM driver IC "TB67B000AHG" for three-phase brushless motors (Photo: Business Wire)

โตชิบา: ไดรเวอร์ PWM คลื่นไซน์ 600V IC "TB67B000AHG" สำหรับมอเตอร์แบบไร้แปรงสามเฟส (ภาพ: Business Wire)

ขณะนี้กำลังมีความต้องการมอเตอร์แบบไร้แปรงถ่านสามเฟสประสิทธิภาพสูงที่สามารถลดการใช้พลังงานและสามารถจัดการกับความผันผวนของแรงดันไฟฟ้าเพิ่มขึ้น โดยเฉพาะอย่างยิ่งในหมู่ประเทศเศรษฐกิจเกิดใหม่ มอเตอร์ดังกล่าวต้องการไอซีของไดร์เวอร์ PWM แรงดันสูงเพื่อรักษาประสิทธิภาพที่สูงของผลิตภัณฑ์เอาไว้

ไดรเวอร์ TB67B000AHG ขนาด 600V  ที่พัฒนาขึ้นใหม่ของโตชิบาสามารถใช้งานร่วม (pin- compatible)กับ  TB67B000HG ขนาด 500V ที่ใช้อยู่ในปัจจุบันและสามารถใช้แทนที่รุ่น 500V ได้อย่างง่ายดาย ทั้งนี้โตชิบากำลังพัฒนารุ่น“ TB67B000AFG” แบบที่มีขนาดกะทัดรัดยิ่งขึ้นในแพ็คเกจ HSSOP 34 พินขนาดเล็ก[1] ซึ่งจะวางจำหน่ายในเดือนพฤศจิกายน 2562

คุณสมบัติหลัก

  • อัตรากำลัง 600V ช่วยเพิ่มความสามารถของผลิตภัณฑ์
    ช่วยทำให้มั่นใจได้ว่าผลิตภัณฑ์มีภูมิต้านทานต่อความผันผวนของแรงดันไฟฟ้าได้ดีกว่ารุ่น TBVB67B000HG 500V ที่ใช้อยู่ในปัจจุบัน ความเข้ากันได้ของพินทำให้สามารถมาทดแทน IC ที่ใช้งานกันอยู่ได้อย่างง่ายดาย
  • สามารถใช้งานไดรฟ์ PWM sine-wave ที่ระดับ 600V / 2A ได้ในแพ็คเกจเดียว
    การควบคุมมอเตอร์ IC Sine-wave และ IGBT (พิกัด 600V / 2A) ถูกรวมอยู่ในแพ็คเกจเดียว สิ่งนี้จะช่วยลดขนาดของพื้นที่ติดตั้งและเลย์เอาต์ของบอร์ดและช่วยลดต้นทุนโดยรวมของระบบ
  • เสียงรบกวนต่ำและการสั่นสะเทือนต่ำ
    การใช้ระบบไดรฟ์ sine-wave ที่มีรูปคลื่นที่ราบรื่นช่วยลดเสียงรบกวนและทำให้เกิดการสั่นสะเทือนน้อยกว่ามอเตอร์ที่มีระบบไดรฟ์รูปคลื่นสี่เหลี่ยม

การใช้งาน

เครื่องใช้ในบ้าน เช่น เครื่องปรับอากาศ และเครื่องฟอกอากาศ เครื่องลดความชื้น พัดลมเพดาน และอุปกรณ์อุตสาหกรรมอื่น ๆ

คุณสมบัติหลัก

ชื่อผลิตภัณฑ์

ผลิตภัณฑ์ใหม่

TB67B000AHG

อยู่ระหว่างการพัฒนา

TB67B000AFG

ผลิตภัณฑ์ ณ ปัจจุบัน

TB67B000HG

ผลิตภัณฑ์ ณ ปัจจุบัน

TB67B000FG

แรงดันไฟฟ้า

(อัตราสูงสุด absolute maximum rating)

สำหรับการทำงานของมอเตอร์: 600V

สำหรับการทำงานของมอเตอร์: 500V

สำหรับตัวควบคุม: 18V

บรรจุภัณฑ์

HDIP30

(พื้นที่ติดตั้ง:

32.8 × 13.5 มม.)

HSSOP34

(พื้นที่ติดตั้ง:

17.5 × 11.93 มม.)

HDIP30

(พื้นที่ติดตั้ง:

32.8 × 13.5 มม.)

HSSOP34

(พื้นที่ติดตั้ง:

17.5 × 11.93 มม.)

แรงดันไฟฟ้า

(ช่วงเรนจ์ของการปฏิบัติงาน)

สำหรับการทำงานของมอเตอร์: 50 ถึง 450V

สำหรับตัวควบคุม: 13.5 ถึง 16.5V

กระแสเอาต์พุต

(ช่วงเรนจ์ของการปฏิบัติงาน)

2A

วิธีการไดรฟ์

Sine-wave PWM drive / การเปลี่ยนรูปสี่เหลี่ยมคางหมู

ความถี่ PWM

14kHz ถึง 23kHz

Lead angle control

ไดรฟ์ PWM แบบ Sine-wave: 0 ถึง 58 ° / 32 ขั้นตอน

การเปลี่ยนรูปทรงสี่เหลี่ยมคางหมู: 0 ถึง 28 ° / 16 ขั้นตอน

แรงดันไฟฟ้าขาเข้าสำหรับ

คำสั่งความเร็วในการหมุน

การทำงานของมอเตอร์: 2.1Vถึง 5.4V

คุณสมบัติ

• IGBT ในตัวสะพานสามเฟสในตัว

•วงจรออสซิลเลชันในตัว (ตัวต้านทานเชื่อมต่อภายนอก)

•bootstrap ไดโอดในตัว

•ฟังก์ชั่นตรวจจับข้อผิดพลาดในตัว: ตัวจำกั กระแสไฟ, การปิดระบบระบายความร้อน, การล็อคกระแสไฟฟ้าที่ต่ำไป และการตรวจจับล็อคมอเตอร์

• วงจรควบคุมในตัว

(5V/35mA , 5V/30mA)

• วงจรควบคุมในตัว

(5V/35mA , 7V/30mA)

ตรวจสอบสต็อกและซื้อ

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

[1]: แพ็คเกจหดโครงสร้างขนาดเล็กพร้อมชุดระบายความร้อน

สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่และรายการอื่น ๆ กรุณาเยี่ยมชม:

TB67B000AHG

https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TB67B000AHG&lang=en

TB67B000HG

https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TB67B000HG&lang=en

TB67B000FG

https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TB67B000FG&lang=en

เพื่อตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่กับผู้จัดจำหน่ายออนไลน์กรุณาเยี่ยมชม:

TB67B000AHG

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/buy/stockcheck.TB67B000AHG.html

TB67B000HG

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/buy/stockcheck.TB67B000HG.html

TB67B000FG

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/buy/stockcheck.TB67B000FG.html

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัท นั้น ๆ

ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:

System Devices Marketing Dept.II

โทร: +81-3-3457-3332

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคา และข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหา บริการและข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลล่าสุดในวันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

โตชิบาอิเลคทรอนิกส์แอนด์สตอเรจคอร์ปอเรชั่นรวมความแข็งแกร่งของบริษัทใหม่เข้ากับภูมิปัญญาและประสบการณ์ โดยนับตั้งแต่ได้รับการเปิดตัวจากบริษัทโตชิบาในเดือนกรกฎาคม 2560เราได้ก้าวเข้ามาเป็นหนึ่งในบริษัทอุปกรณ์ทั่วไปชั้นนำและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้แก่ลูกค้า และหุ้นส่วนทางธุรกิจในธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกตัวระบบ LSI และ HDD

พนักงานของเราจำนวน 22,000 คน ทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเราและให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆเราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะสร้างยอดขายรายปีให้สูงกว่าในปัจจุบัน หรือ 8 แสนล้านเยน(7พันล้านเหรียญสหรัฐ) เพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคนทุกที่

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20190930005261/en/

ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

ฝ่ายการตลาดดิจิตัล

Chiaki Nagasawa

โทร: +81-3-3457-4963

semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Memory Corporation เปิดตัวผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลช NAND ใหม่สำหรับอุปกรณ์แบบฝังตัว รองรับการถ่ายโอนข้อมูลด้วยความเร็วสูง

Logo

เจเนอเรชันที่สองของผลิตภัณฑ์ NAND แบบซีเรียลอินเทอร์เฟสมาพร้อมประสิทธิภาพและความจุที่มากขึ้น

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–26 กันยายน 2562

Toshiba Memory Corporation ผู้นำด้านโซลูชันหน่วยความจำระดับโลก ประกาศในวันนี้ว่าบริษัทได้เปิดตัวผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลช NAND เจเนอเรชันที่สอง สำหรับสำหรับอุปกรณ์แบบฝังตัว มาพร้อมประสิทธิภาพและความจุที่มากขึ้น[1] เพื่อรองรับการถ่ายโอนข้อมูลด้วยความเร็วสูง ผลิตภัณฑ์ NAND แบบซีเรียลอินเทอร์เฟสใหม่สามารถใช้ได้กับพอร์ตสื่อสาร SPI ที่มีการใช้งานอย่างกว้างขวาง และเหมาะกับการใช้งานกับอุปกรณ์ทั่วไปสำหรับผู้บริโภค อุปกรณ์อุตสาหกรรม และอุปกรณ์สื่อสารมากมายหลายประเภท บริษัทจะเริ่มจัดส่งผลิตภัณฑ์ตัวอย่างวันนี้ ขณะที่การผลิตเพื่อจำหน่ายมีกำหนดเริ่มต้นตั้งแต่เดือนตุลาคมเป็นต้นไป

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยเนื้อหามัลติมีเดีย ดูแบบเต็มรูปแบบได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20190925006002/en/

Toshiba Memory Corporation: Second-generation Serial Interface NAND Products (Photo: Business Wire)

Toshiba Memory Corporation: เจเนอเรชันที่สองของผลิตภัณฑ์ NAND แบบซีเรียลอินเทอร์เฟส (รูปภาพ: Business Wire)

ขณะที่อุปกรณ์สื่อสารและอุปกรณ์ IoT มีขนาดเล็กลง ความต้องการหน่วยความจำแฟลชที่มีขนาดความจุสูง ในแพ็คเกจขนาดเล็ก และสามารถโอนข้อมูลด้วยความเร็วสูงแต่มีจำนวนขาน้อยกลับสูงขึ้น และด้วยการที่ผลิตภัณฑ์ NAND แบบซีเรียลอินเทอร์เฟสสามารถใช้ได้กับพอร์ต SPI ซึ่งใช้กันอย่างแพร่หลาย จึงสามารถทำหน้าที่เป็นผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชแบบ SLC NAND ที่มีจำนวนขาน้อย มีขนาดเล็ก และมีความจุสูงได้ในตัว

เพื่อรองรับการโอนข้อมูลด้วยความเร็วสูง ผลิตภัณฑ์ NAND แบบซีเรียลอินเทอร์เฟสเจเนอเรชันที่สองจึงมาพร้อมกับประสิทธิภาพที่สูงขึ้นเมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ในเจเนอเรชันที่หนึ่ง[1] รวมถึงย่านความถี่ใช้งานที่ 133 เมกะเฮิรตซ์ (MHz) และโหมดการทำงานแบบ program x4 นอกจากนี้ยังมีการเพิ่มอุปกรณ์ขนาด 8 gigabit (1 gigabyte) [2] เข้ามาในไลน์อัพของผลิตภันฑ์ด้วย เพื่อตอบสนองความต้องการของขนาดความจุหน่วยความจำที่ใหญ่ขึ้น

สรุปเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่

หมายเลขชิ้นส่วน

ความจุ

I/O

แรงดันไฟฟ้า

แพ็คเกจ

เริ่มผลิตเพื่อจำหน่าย

TC58CVG0S3HRAIJ

1Gb

x1, x2, x4

3.3V

8ขา

WSON[3]

(6มม. x 8มม.)

ตุลาคม 2562

TC58CYG0S3HRAIJ

1.8V

ตุลาคม 2562

TC58CVG1S3HRAIJ

2Gb

3.3V

ตุลาคม 2562

TC58CYG1S3HRAIJ

1.8V

ตุลาคม 2562

TC58CVG2S0HRAIJ

4Gb

3.3V

ตุลาคม 2562

TC58CYG2S0HRAIJ

1.8V

ตุลาคม 2562

TH58CVG3S0HRAIJ

8Gb

3.3V

ธันวาคม 2562

TH58CYG3S0HRAIJ

1.8V

ธันวาคม 2562

คุณสมบัติที่สำคัญ

ความจุ

1Gb, 2Gb, 4Gb, 8Gb

ขนาดเพจ

2KByte (1Gb, 2Gb), 4KByte (4Gb, 8Gb)

อินเทอร์เฟส

Serial Peripheral Interface Mode 0, Mode 3

แรงดันแหล่งจ่ายไฟ

2.7 ถึง 3.6V, 1.7 ถึง 1.95V

ช่วงอุณหภูมิขณะใช้งาน

-40 oC ถึง 85 oC

คุณสมบัติ

• ย่านความถี่ใช้งาน 133MHz

• โหมด Program / Read x4

• ฟังก์ชันอ่านข้อมูลตามลำดับด้วยความเร็วสูง

• ฟังก์ชัน ECC (ON/OFF, bit flip count report)

• ฟังก์ชันป้องกันข้อมูล (สามารถเลือกป้องกันข้อมูลเฉพาะบางบล็อกได้)

• ฟังก์ชัน Parameter Page (สามารถแสดงข้อมูลแบบรายละเอียดบนอุปกรณ์ได้)

หมายเหตุ
[1] เปรียบเทียบกับผลิตภัณฑ์ NAND แบบซีเรียลอินเทอร์เฟสเจเนอเรชันหนึ่งของ Toshiba Memory Corporation ทำการสำรวจโดย Toshiba Memory
[2] ความจุของผลิตภัณฑ์ระบุตามขนาดหน่วยความจำของชิปภายในผลิตภัณฑ์​ ไม่​ได้​บ่งบอก​ถึงจำนวน​หน่วย​ความ​จำ​ที่​ว่าง​สำห​รับ​จัดเก็บ​ข้อมูล​ของ​ผู้​ใช้​ปลายทาง​ ขนาด​ความจุ​ที่​ผู้​บริโภค​สามารถ​ใช้ได้จะลดลงตาม​พื้นที่​ข้อมูล​ที่​ที่​ใช้​ การ​ฟอร์แมต​ บล็อก​ที่​ไม่​ดี​ และข้อ​จำกัด​อื่น​ ๆ​ และ​อาจ​แตกต่าง​กัน​ออก​ไป​ขึ้น​อยู่​กับอุปกรณ์​ที่​เป็น​โฮสต์​และ​การ​ใช้​งาน​ สำห​รับ​รายละเอียด​เพิ่มเติม​ โปรด​ดู​จาก​ข้อมูล​จำเพาะ​ของ​ผลิตภัณฑ์​
[3] WSON: คือแพ็คเก็จขนาดที่เล็กมาก และไม่มีตะกั่วเป็นส่วนประกอบ

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการที่กล่าวถึงในที่นี้อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทเหล่านั้น

ข้อมูลติดต่อสำหรับลูกค้า:
Toshiba Memory Corporation
ฝ่ายขายและการตลาดหน่วยความจำ
โทร: +81-3-6478-2412
https://business.toshiba-memory.com/en-jp/contact.html

ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูล ณ ปัจจุบันในวันที่ประกาศ และอาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่นี่ businesswire.comhttps://www.businesswire.com/news/home/20190925006002/en/

ข้อมูลติดต่อสำหรับสื่อ:
Toshiba Memory Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404

Toshiba เปิดตัวโฟโตรีเลย์ขับเคลื่อนแรงดันไฟฟ้า หรือ Voltage Driven Photorelay ในแพ็คเกจที่เล็กที่สุดในอุตสาหกรรม ที่มาพร้อมกับการกระจายกำลังไฟที่ลดลง

Logo

ช่วยลดขนาดอุปกรณ์และการใช้พลังงานในการใช้งานอุปกรณ์ทดสอบ

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–25 ก.ย. 2562

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“ โตชิบา”) ได้เริ่มจัดส่ง“ TLP3407SR” โฟโตรีเลย์ที่ขับเคลื่อนด้วยแรงดันไฟฟ้าใหม่ที่ให้การกระจายพลังงานที่ต่ำกว่าเดิม และใช้พื้นที่ติดตั้งขนาดเล็กที่สุด[1] ในอุตสาหกรรม

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีคุณสมบัติเป็นมัลติมีเดีย ดูข่าวฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20190925005297/en/

Toshiba: a new voltage driven photorelay “TLP3407SR” that delivers lower power dissipation and the industry's smallest mounting area. (Photo: Business Wire)

Toshiba: โฟโตเรเลย์ขับเคลื่อนด้วยแรงดันไฟฟ้าใหม่“ TLP3407SR” ที่ให้การกระจายพลังงานที่ต่ำกว่าและพื้นที่ติดตั้งที่เล็กที่สุดในอุตสาหกรรม (ภาพ: Business Wire)

ทั้งนี้ รุ่น TLP3407SR มีกระแสไฟ LED จำกัดที่สูงที่สุดที่ 1mA ที่อินพุตแรงดันไฟฟ้า ซึ่งเป็นแรงดันไฟฟ้าที่ลดลงมาประมาณหนึ่งในสามของรุ่น "TLP3407SRH" ก่อนหน้านี้ ด้วยโฟโตรีเลย์ใหม่นี้จะลดการกระจายกำลังไฟฟ้าอินพุตสูงสุดถึง 3.3mW [2]  เพื่อสนับสนุนการใช้พลังงานที่ต่ำกว่า โดยการใช้อุปกรณ์ เช่น การ์ดโพรบ (probe cards) อุปกรณ์ทดสอบเซมิคอนดักเตอร์อัตโนมัติ (ATE), เซมิคอนดักเตอร์ทดสอบและบอร์ดของการใช้งานที่เกี่ยวข้อง

เมื่ออินพุตเป็นไฟฟ้าแรงสูง 5V หรือมากกว่านั้น โฟโตรีเลย์ใหม่สามารถขับเคลื่อนได้โดยการเพิ่มตัวต้านทานภายนอกแบบเป็นชุด ซึ่งช่วยให้สามารถใช้กระแสไฟ LED ทริกเกอร์อ้างอิงสูงสุด 0.2mA วิธีการนี้ทำให้การออกแบบกระแสไฟฟ้าอินพุตต่ำลงในวงจรทดสอบ

แพ็คเกจแบบ S-VSON4T[3]  ขนาดเล็กของรุ่น TLP3407SR มีพื้นที่ติดตั้งขนาด 2.9 ตาราง มม.  ซึ่งเล็กกว่าแพคเกจ VSONR4[4] ปัจจุบันประมาณ 27% และเล็กที่สุดในอุตสาหกรรม[1] รองรับการลดขนาดอุปกรณ์ เช่น โพรบการ์ด หรือการติดตั้งโฟโตรีเลย์เพิ่มเติม

การใช้งาน

  • โพรบการ์ด
  • อุปกรณ์ทดสอบเซมิคอนดักเตอร์อัตโนมัติ (ATE)
  • เครื่องทดสอบลอจิกและหน่วยความจำ ฯลฯ
  • เครื่องมือวัด (Oscilloscope, Data logger, ฯลฯ )

คุณสมบัติ

  • กำลังไฟเข้าต่ำ: 3.3mW (สูงสุด) @3.3V, ILIM(LED)=1mA (max)
  • พื้นที่ติดตั้งที่เล็กที่สุดในอุตสาหกรรม[1]: 2.9 ตร.มม.(typ.)
  • แรงดันไฟฟ้าอินพุตสองตัวที่นำมาใช้สำหรับสัญญาณควบคุม: DC 3.3V (typ.) และ DC5V (typ.)

คุณสมบัติหลัก

(@Ta=25 ℃)

หมายเลขชิ้นส่วน

TLP3407SR

TLP3406SRH

[5]

TLP3406SRL

[5]

TLP3407SRH

[5]

TLP3407SRL

[5]

TLP3412SRH

[5]

แพคเกจ

S-VSON4T

Absolute

maximum

ratings

เทอร์มินัลเอาต์พุต OFF-state

โวลต์ VOFF (V)

60

30

30

60

60

60

กระแส On-state ION (A)

1

1.5

1.5

1

1

0.4

กระแส On-state  (pulsed)

IONP (A)

3

4.5

4.5

3

3

1.2

เงื่อนไขการดำเนินงานที่แนะนำ

Applied input forward voltage

VIN (typ.) (V)

3.3

3.3

1.8

3.3

1.8

3.3

ลักษณะด้านไฟฟ้า

Limited LED current

ILIM(LED) max (mA)

@VIN

1

(@3.3 V)

กระแส Trigger LED

IFT max (mA)

0.2

แรงดันไฟฟ้าขณะทำงาน

VFON max (V)

3

3

1.6

3

1.6

3

แรงต้าไฟฟ้า ON-state

RON max (Ω)

0.3

0.2

0.2

0.3

0.3

1.5

ความจุเอาท์พุท

COFF typ. (pF)

80

120

120

80

80

max 20

กระแส OFF-stat e

IOFF max (nA)

@VOFF

1

(@50V)

1

(@20V)

1

(@20V)

1

(@50V)

1

(@50V)

1

(@50V)

คุณสมบัติการเปิดปิด

ระยะเวลาการเปิด tON max (ms)

20

2

2

2

1

0.5

ระยะเวลาการปิด tOFF max (ms)

1

0.2

0.2

0.2

0.2

0.2

คุณสมบัติไอโซเลชั่น

แรงดันไอโซเลชั่น

BVS min (Vrms)

500

500

500

500

500

500

การตรวจสอบสต็อกและซื้อ

Buy Online

Buy Online

Buy Online

Buy Online

Buy Online

Buy Online

หมายเหตุ:

[1] สำหรับผลิตภัณฑ์โฟโตรีเลย์ จากแบบสำรวจของโตชิบา ณ วันที่ 24 กันยายน 2563

[2] @ เวลาพร้อมอินพุต 3.3V

[3] S-VSON4T: 2.0×1.45mm (typ.)

[4] VSONR4: 2.75×1.45mm (typ.)

[5] ผลิตภัณฑ์ปัจจุบัน

คลิกที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์โฟโตรีเลย์ของโตชิบา

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/opto/photorelay.html

สำหรับการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่กับผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ กรุณาเยี่ยมชมที่

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/buy/stockcheck.TLP3407SR.html

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของ บริษัทนั้น ๆ

สำหรับการสอบถามของลูกค้า:

ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ Optoelectronic

โทร +81-3-3457-3431

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคา และข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหา บริการและข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลล่าสุดในวันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

โตชิบาอิเลคทรอนิกส์แอนด์สตอเรจคอร์ปอเรชั่นรวมความแข็งแกร่งของบริษัทใหม่เข้ากับภูมิปัญญาและประสบการณ์ โดยนับตั้งแต่ได้รับการเปิดตัวจากบริษัทโตชิบาในเดือนกรกฎาคม 2560เราได้ก้าวเข้ามาเป็นหนึ่งในบริษัทอุปกรณ์ทั่วไปชั้นนำและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้แก่ลูกค้า และหุ้นส่วนทางธุรกิจในธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกตัวระบบ LSI และ HDD

พนักงานของเราจำนวน 22,000 คน ทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเราและให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆเราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะสร้างยอดขายรายปีให้สูงกว่าในปัจจุบัน หรือ 8 แสนล้านเยน(7พันล้านเหรียญสหรัฐ) เพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคนทุกที่

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20190925005297/en/

ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

ฝ่ายการตลาดดิจิตัล

Chiaki Nagasawa

โทร +81-3-3457-4963

semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Memory Corporation เตรียมจัดแสดงไดร์ฟ SSD สำหรับองค์กรประเภท PCIe® 4.0 NVMe™ ซึ่งเร็วที่สุดในอุตสาหกรรม ในงาน Flash Memory Summit

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–07 สิงหาคม 2562

Toshiba Memory Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยจัดเก็บข้อมูล ประกาศถึงการพัฒนาไดร์ฟจัดเก็บข้อมูลแบบ SSD สำหรับอุปกรณ์ที่ใช้ในองค์กร ประเภท PCIe® 4.0 NVMe™ ซึ่งเป็นประเภทที่เร็วที่สุดของอุตสาหกรรม[1] มาพร้อมประสิทธิภาพการอ่านข้อมูลแบบทิศทางเดียว (sequential) กว่า 6.4GB/s โดยจะมีการจัดแสดงตัวอย่างและต้นแบบของไดร์ฟ SSD ตระกูล CM6 ที่บูธ Toshiba Memory America (หมายเลขบูธ 307 ห้อง A) ในงาน Flash Memory Summit ณ เมืองซานตาคลารา ประเทศสหรัฐอเมริกา ซึ่งจะจัดขึ้นจนถึงวันที่ 8 สิงหาคมนี้

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้มีเนื้อหาในรูปแบบมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20190806006034/en/

Toshiba Memory Corporation: Industry’s Fastest-class PCIe(R) 4.0 SSDs for Enterprise Applications “CM6 Series” (Photo: Business Wire)

Toshiba Memory Corporation: ไดร์ฟตระกูล CM6 ประเภท PCIe(R) 4.0 ซึ่งเร็วที่สุดในอุตสาหกรรม สำหรับอุปกรณ์ที่ใช้ในองค์กร (รูปภาพ: Business Wire)

ไดร์ฟ SSD ตระกูล CM6 นี้รองรับมาตรฐาน PCIe® Gen4 x4 lanes แบบพอร์ตคู่ และ NVMe™ 1.4 โดยไดร์ฟ SSD แบบ NVMe สำหรับองค์กรนี้จะวางจำหน่ายพร้อมฟอร์มแฟคเตอร์ขนาด 2.5 นิ้ว และมีความจุตั้งแต่ 800GB ไปจนถึง 30TB รวมถึงตัวเลือกด้านอายุการใช้งาน (Drive Write Per Day) ให้เลือก 1 หรือ 3 แบบ

ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับบูธของ Toshiba Memory America ในงาน Flash Memory Summit ได้จากลิงก์ด้านล่างนี้

https://business.toshiba-memory.com/en-us/company/tma/news/2019/08/ssd-20190806-2.html

หมายเหตุ 

[1] ข้อมูลเมื่อ 7 สิงหาคม 2562 จากการสำรวจข้อมูลไดรฟ์ SSD สำหรับองค์กรโดย Toshiba Memory Corporation

[2] คำจำกัดความของความจุ: Toshiba Memory Corporation กำหนด 1 กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ และ 1 เทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตามระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์รายงานความจุหน่วยเก็บข้อมูลโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2 ^ 30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์, 1TB = 2 ^ 40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงมีความจุน้อยกว่า ทั้งนี้ความจุในการจัดเก็บ (รวมถึงตัวอย่างของไฟล์สื่อต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ เช่นระบบปฏิบัติการ Microsoft® และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่ฟอร์แมตจริงอาจแตกต่างกันไป

*NVMe เป็นเครื่องหมายการค้าของ NVM Express, Inc. 

*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าของ PCI-SIG. 

*ชื่อบริษัท ผลิตภัณฑ์ และบริการทั้งหมดที่กล่าวถึงอาจเป็นเครื่องหมายทางการค้าของบริษัทนั้น ๆ

ข้อมูลติดต่อสำหรับลูกค้า: 
ฝ่ายส่งเสริมการขาย 
โทร: +81-3-6478-2421 
https://business.toshiba-memory.com/en-apac/contact.html

ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาผลิตภัณฑ์และข้อมูลจำเพาะ เนื้อหาด้านการบริการและข้อมูลในการติดต่อเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ ซึ่งอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.comhttps://www.businesswire.com/news/home/20190806006034/en/

ข้อมูลติดต่อสำหรับสื่อ: 
Toshiba Memory Corporation 
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย 
Koji Takahata 
โทร: +81-3-6478-2404

Toyota Alphard/Vellfire และ Toshiba คว้ารางวัลด้านความปลอดภัยสูงสุดในประเทศญีปุ่นจากเทคโนโลยี Advanced Image Recognition Processor

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–11 มิถุนายน 2019

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ประกาศว่าเทคโนโลยีประมวลรู้จำภาพ ViscontiTM4 ซึ่งเป็นหัวใจสำคัญในระบบผู้ช่วยคนขับของรถยนต์จากค่าย Toyota Motor Corporation (“Toyota”) ได้รับคะแนนด้านความปลอดภัยสูงที่สุดเป็นประวัติการณ์จากสถาบันทดสอบคุณภาพความปลอดภัยของยานยนต์แห่งประเทศญี่ปุ่น หรือ Japan New Car Assessment Program (JNCAP) ซึ่งเป็นโครงการของรัฐบาลที่ทำหน้าที่ทดสอบคุณภาพความปลอดภัยของยานยนต์ โดยรถยนต์รุ่น Toyota Alphard/Vellfire ได้รับรางวัลชนะเลิศ Grand Prix Award ด้านความปลอดภัยเพื่อป้องกันการเกิดอุบัติเหตุ ขณะที่รถยนต์รุ่น Toyota Crown และ Corolla Sport ได้รับคะแนนระดับ ASV[1]+++ จากการทดสอบ ซึ่งเป็นระดับสูงสุดในการทดสอบความปลอดภัยของรถยนต์

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยเนื้อหามัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20190611005369/en/

Toshiba: Visconti(TM)4 image recognition processor (Photo: Business Wire)

Toshiba: เทคโนโลยีประมวลผลรู้จำภาพ Visconti(TM)4 (รูปภาพ: Business Wire)

ความก้าวหน้าในระบบผู้ช่วยคนขับทำให้ยานยนต์ไร้คนขับเป็นเรื่องใกล้ตัวมากขึ้น อย่างไรก็ตาม ได้เพิ่มความกังวลทางด้านความปลอดภัยบนท้องถนนและการลดอุบัติเหตุบนท้องถนนด้วยเช่นกัน Toshiba จึงได้คิดค้นพัฒนาเพื่อความปลอดภัยบนท้องถนนในอนาคต ด้วยการนำองค์ความรู้เชิงลึกของบริษัทในด้านโครงข่ายประสาทและเซนเซอร์ และเทคโนโลยีทางภาพมาถ่ายทอดไว้ในระบบประมวลภาพ LSIs สำหรับระบบผู้ช่วยคนขับขั้นสูง (ADAS) ซีรีส์ ViscontiTM

JNCAP เป็นโครงการที่ริเริ่มขึ้นโดยรัฐบาลญี่ปุ่นในปี 1995 เพื่อส่งเสริมความปลอดภัยของรถยนต์ที่จำหน่ายในประเทศญี่ปุ่น ทั้งจากค่ายรถยนต์ในประเทศและต่างประเทศ โครงการดังกล่าวจะนำผลทดสอบความปลอดภัยรถยนต์จาก Ministry of Land, Infrastructure, Transport and Tourism (MLIT) และ National Agency for Automotive Safety and Victims' Aid (NASVA) มาประเมิน โดยดูจากประสิทธิภาพในการป้องกันการเกิดอุบัติเหตุ ประสิทธิภาพในการป้องกันการชน และประสิทธิภาพในการป้องกันผู้ใช้ถนน ขณะที่การประเมินประสิทธิภาพในการป้องกันอันตรายจะวัดจากเทคโนโลยีด้านความปลอดภัยขั้นสูง เช่น ระบบช่วยเบรกเพื่อลดความเสียหาย

Toshiba เป็นผู้ผลิตและจำหน่าย ViscontiTM4 สำหรับใช้กับรถยนต์ Toyota หลายรุ่น ซึ่งเป็นองค์ประกอบสำคัญในระบบกล้องหน้าที่อยู่ในระบบความปลอดภัยก่อนเกิดอุบัติเหตุของ DENSO Corporation ความสามารถของ LSI ในการประมวลค่าความต่างความสว่างระหว่างวัตถุและพื้นหลัง และความสามารถในการตรวจจับผู้ใช้ถนนในยามค่ำคืนและในที่ที่มีแสงน้อยได้ดีขึ้น ช่วยให้รถยนต์ของ Toyota ได้รับคะแนนสูงในการทดสอบระบบเบรกเพื่อป้องกันการชนผู้ใช้ถนน รถยนต์รุ่น Alphard/Vellfire ที่ใช้ระบบดังกล่าวได้รับคะแนนถึง 126 คะแนน พร้อมกับคว้ารางวัล Grand Prix Award ทางด้านการทดสอบความสามารถในการป้องกันการเกิดอุบัติเหตุ และรถยนต์ Toyota ทุกรุ่นที่ติดตั้งเทคโนโลยี ViscontiTM4 ได้รับคะแนน ASV+++

Toshiba ยังคงเดินหน้านำทรัพยากรที่มีมาใช้กับ ViscontiTM และนวัตกรรมยานยนต์อื่น ๆ ซึ่งจะทำให้รถยนต์เป็นไปตามมาตรฐานการทดสอบความปลอดภัย ADAS บริษัทอยู่ระหว่างพัฒนา ViscontiTM5 ที่จะมาพร้อมเทคโนโลยี Deep Neural Network IP ขั้นสูง และคาดว่าจะสามารถแจกจ่ายเวอร์ชันทดสอบได้ในเดือนกันยายนปีนี้

หมายเหตุ
[1] ASV: ระบบความปลอดภัยขั้นสูงในรถยนต์

* ViscontiTM คือเครื่องหมายการค้าของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นบริษัทใหม่ที่เต็มไปด้วยพลังและประสบการณ์ นับตั้งแต่แยกตัวออกจากบริษัทเมื่อเดือนกรกฎาคม ปี 2017 เราได้ก้าวสู่การเป็นหนึ่งในบริษัทผู้นำด้านอุปกรณ์ทั่วไป และได้นำเสนอโซลูชันเกี่ยวกับเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ ระบบ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจของเรา

เรามีพนักงานจำนวน 22,000 คนทั่วโลก ซึ่งมีความตั้งใจร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะเพิ่มยอดขายต่อปีซึ่งปัจจุบันมีมูลค่ากว่า 800 พันล้านเยน (7 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ให้สูงขึ้น เพื่อสร้างอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน
ดูเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่นี่ businesswire.comhttps://www.businesswire.com/news/home/20190611005369/en/

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Business Planning Div. Public Relations & Investor Relations Group
Motohiro Ajioka
โทร: +81-3-3457-3576
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba เปิดตัวโฟโต้รีเลย์ชุดใหม่ที่ใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำลง

Logo

–โฟโต้รีเลย์ในแพ็คเกจขนาดเล็กสามารถสร้างพลังความหนาแน่นสูงให้กับแอปพลิเคชันอุปกรณ์ทดสอบต่าง ๆ–

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–11 มิถุนายน 2019

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ผู้ผลิตนวัตกรรมโฟโต้รีเลย์ขนาดเล็กชั้นนำของอุตสาหกรรม เปิดตัวโฟโต้รีเลย์ใหม่ห้ารุ่น บรรจุในแพ็คเกจ S-VSONR4 (2.0มม. x 1.45มม.) ซึ่งเป็นขนาดเล็กที่สุดในอุตสาหกรรม[1] อุปกรณ์ชนิดใหม่เหล่านี้เหมาะสำหรับใช้กับอุปกรณ์ทดสอบอัตโนมัติ เครื่องทดสอบหน่วยความจำ เครื่องทดสอบ SoC/LSI และ Probe Card ซึ่งสินค้าได้ออกวางจำหน่ายเป็นที่เรียบร้อยแล้ว

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้ประกอบด้วยเนื้อหามัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20190610005013/en/

Toshiba: TLP34xxSRL series and TLP34xxSRH series, housed in the industry's smallest package S-VSONR4 ...

Toshiba: ซีรีส์ TLP34xxSRL และซีรีส์ TLP34xxSRH บรรจุไว้กับชุดแพ็คเกจขนาดเล็กที่สุดในอุตสาหกรรม S-VSONR4. (ภาพ: Business Wire)

ทั้งซีรีส์ TLP34xxSRL(2 รุ่น) และ ซีรีส์ TLP34xxSRH (3 รุ่น) มีคุณลักษณะเฉพาะของแรงดันไฟฟ้านำเข้า โดย TLP3406SRL และ TLP3407SRL นั้นจะรองรับแรงดันไฟฟ้ากระแสตรงตั้งแต่ 1.8V (typ) ถึง 3.3V (typ) ในขณะที่รุ่น TLP3406SRH, TLP3407SRH และ TLP3412SRH จะรองรับแรงดันไฟฟ้ากระแสตรงตั้งแต่ 3.3V (typ) ถึง 5V (typ) ซึ่งเป็นคุณลักษณะเฉพาะที่เพิ่มความสามารถการใช้งานร่วมกันของอุปกรณ์โลจิกแบบโปรแกรมได้  (FPGA) ซึ่งมีขนาดแรงดันไฟฟ้าต่ำกว่าเดิมในปัจจุบัน 

โฟโต้รีเลย์รุ่นใหม่เหล่านี้จะบรรจุในแพ็คเกจชุดเล็ก S-VSONR4 ที่ใช้พื้นที่ติดตั้งขนาด 2.9 ตารางมิลลิเมตร ซึ่งเป็นพื้นที่ฐานเครื่องที่เล็กกว่าแพ็คเกจรุ่นก่อนหน้าของ Toshiba อย่าง VSONR4 ถึงราว 27% โดย VSONR4 มีขนาด 2.75 มิลลิเมตร x 1.45 มิลลิเมตร นอกจากนี้อุปกรณ์ทั้งหมดยังต้านทานกระแสไฟฟ้านำเข้า ไม่จำเป็นต้องพึ่งพาตัวต้านทานภายนอก ซึ่งช่วยประหยัดพื้นที่ได้มากขึ้น แพ็คเกจชุดเล็กและความต้องการพื้นที่จะให้วิศวกรออกแบบแผงทดลองได้เล็กลง โดยเฉพาะ Probe Card และยังช่วยเพิ่มจำนวนโฟโต้รีเลย์บนแผงเพื่อแก้ปัญหาความหนาแน่นที่เพิ่มขึ้น

ถึงแม้แพ็คเกจจะมีขนาดเล็ก แต่โฟโต้รีเลย์รุ่นใหม่นี้สามารถขับเคลื่อนกระแสไฟฟ้าได้มากถึง 1.5A สำหรับรุ่น TLP3406SRx พร้อมแรงดันไฟฟ้า 30V เมื่อแรงดันไฟฟ้าตกและแรงต้านทานไฟฟ้า 0.2Ω (สูงสุด) นอกจากนี้ยังสามารถขับเคลื่อนกระแสไฟฟ้าจำนวนมากถึง 1A สำหรับรุ่น TLP3407SRx พร้อมแรงดันไฟฟ้า 60V เมื่อแรงดันไฟฟ้าตก และแรงต้านทานไฟฟ้า 0.3Ω (สูงสุด) ส่วนรุ่น TLP3412SRH สามารถขับเคลื่อนกระแสไฟฟ้าได้มากถึง 0.4A (แรงดันไฟฟ้าตก=60V/แรงต้านทานไฟฟ้า 1.5Ω) ทำให้อุปกรณ์ชุดนี้เหมาะสำหรับแอปพลิเคชันมอบพลังงานแก่อุปกรณ์ผ่านอุปกรณ์ทดสอบ อุปกรณ์ใหม่ทุกชิ้นรับรองว่าสามารถทำงานในอุณภูมิ 110 องศาได้ (สูงสุด)

คุณสมบัติ

· แพ็คเกจขนาดเล็กที่สุดของโฟโต้รีเลย์ที่ควบคุมกระแสไฟฟ้านำเข้ามีขนาดพื้นที่ 2.9 ตารางมิลลิเมตร (typ) (อ้างอิงเมื่อวันที่ 4 มิถุนายน 2019)

· แรงดันไฟฟ้านำเข้า 2 ขนาดสำหรับสัญญาณควบคุม: ไฟฟ้ากระแสตรง 1.8V (typ.) และ 3.3V (typ.)

. แรงดันไฟฟ้าตกรองรับ 30V/60V และแรงขับเคลื่อนกระแสไฟฟ้า 0.4A ถึง1.5A

การใช้งาน

· อุปกรณ์ทดสอบอัตโนมัติ (ATE) ตัวทดสอบหน่วยความจำ ตัวทดสอบ SoC และ Probe Card

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(@Ta=25℃)

หมายเลขชิ้นส่วน

TLP3406SRH

TLP3406SRL

TLP3407SRH

TLP3407SRL

TLP3412SRH

แรงดันไฟฟ้ากระแสตรง (V)

3.3/5

1.8

3.3/5

1.8

3.3/5

แพ็คเกจ

S-VSONR4

ค่าสูงสุด

OFF-state output terminal voltage VOFF (V)

30

30

60

60

60

กระแส ON-state ION (A)

1.5

1.5

1.0

1.0

0.4

กระแส ON-state (pulsed) IONP (A)

4.5

4.5

3.0

3.0

1.2

คุณสมบัติเฉพาะทางไฟฟ้า

แรงดันไฟฟ้าขณะทำงาน VFON mสูงสุด (V)

3

1.8

3

1.6

3

แรงต้าน ON-state RON สูงสุด (Ω)

0.2

0.2

0.3

0.3

1.5

Output capacitance COFF typ. (pF)

120

80

120

80

20

กระแส OFF-state IOFF สูงสุด (nA)

@VOFF

1

(@20V)

1

(@20V)

1

(@50V)

1

(@50V)

1

(@60V)

คุณสมบัติเฉพาะที่สับเปลี่ยน

Turn-on time tON max (ms)

2

2

2

2

0.5

Turn-off time tOFF max (ms)

1

1

1

1

0.5

คุณสมบัติเฉพาะต่างหาก

Isolation voltage BVS min (Vrms)

500

500

500

500

500

ตรวจสอบและซื้อสินค้า

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

หมายเหตุ:

[1] ขนาดพื้นที่เท่ากับ 2.0 ตารางมิลลิเมตร สำหรับผลิตภัณฑ์โฟโต้รีเลย์ สำรวจโดย Toshiba เมื่อวันที่ 4 มิถุนายน 2019

ดูเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์โฟโต้รีเลย์ของ Toshiba ได้จากลิงก์ด้านล่างนี้
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/opto/photocoupler/photorelay.html

ดูจำนวนผลิตภัณฑ์ใหม่ที่วางจำหน่ายทางออนไลน์ผ่านตัวแทนจำหน่ายได้ที่นี่:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/buy/stockcheck.html

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์
โทร: +81-3-3457-3431
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูล ณ ปัจจุบันในวันที่ประกาศ และอาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
เป็นบริษัทใหม่ที่เต็มไปด้วยพลังและประสบการณ์ นับตั้งแต่แยกตัวออกจากบริษัทเมื่อเดือนกรกฎาคม ปี 2017 เราได้ก้าวสู่การเป็นหนึ่งในบริษัทผู้นำด้านอุปกรณ์ทั่วไป และได้นำเสนอโซลูชันเกี่ยวกับเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ ระบบ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจของเรา

เรามีพนักงานจำนวน 22,000 คนทั่วโลก ซึ่งมีความตั้งใจร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะเพิ่มยอดขายต่อปีซึ่งปัจจุบันมีมูลค่ากว่า 800 พันล้านเยน (7 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ให้สูงขึ้น เพื่อสร้างอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน

ดูเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.comhttps://www.businesswire.com/news/home/20190610005013/en/

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Chiaki Nagasawa
โทร: +81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Memory Corporation เพิ่มความจุสำหรับปริมาณงานที่ต้องการประสิทธิภาพด้วย XG6-P SSD Series

Logo

NVMe SSD ใหม่มีสูงสุดถึง 2TB[1] สำหรับแอพพลิเคชั่นระดับสูงและการปรับใช้กับศูนย์ข้อมูล

โตเกียว–(บิสิเนสไวร์)–28 พฤษภาคม 2019

Toshiba Memory Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชั่นหน่วยความจำประกาศ XG6-P solid state drive (SSD) Series รุ่นอนุพันธ์ของ XG6 XG6 Series  ด้วยความจุสูงสุดถึง 2,048GB[2] และแบนด์วิดท์การเขียนต่อเนื่องที่สูง 30 เปอร์เซ็นต์กว่ารุ่นก่อน[3 ]XG6-P เหมาะสำหรับพีซีและระบบเกมระดับสูงเช่นเดียวกับศูนย์ข้อมูลที่ประหยัดต้นทุนและโครงสร้างพื้นฐานแบบผสม  XG6-P จะเริ่มสุ่มตัวอย่างลูกค้า OEM ในปริมาณที่จำกัดตั้งแต่กลางเดือนมิถุนายน

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีคุณสมบัติด้านมัลติมีเดีย ดูการเปิดตัวเต็มรูปแบบได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20190527005304/en/

Toshiba Memory Corporation: NVMe XG6-P SSD Series offers up to 2TB for high-end client applications  ...

Toshiba Memory Corporation: NVMe XG6-P SSD Series มีสูงถึง 2TB สำหรับแอปพลิเคชันระดับสูงและการปรับใช้ในศูนย์ข้อมูล (ภาพถ่าย: บิสิเนสไวร์)

โดยใช้ประโยชน์จาก 96-layer BiCS FLASH™ 3D TLC (3-bit-per-cell) ของ Toshiba Memory, XG6-P SSD ให้ความจุในการจัดเก็บสูง ขณะที่ยังคงรักษาสัญญาประสิทธิภาพการใช้พลังงาน  XG6-P Series มีอินเตอร์เฟส PCIe® Gen 3 x4 lane (rev. 3.1a) / NVMe™ (rev. 1.3a) และมอบ sequential read ถึง 3,180MB/s และ sequential write ถึง 2,920MB/s[4]  และ random read ถึง 355,000 และ random write IOPS ถึง 365,000[5]  นอกจากนี้ XG6-P SSD ใช้งานน้อยกว่า 5 วัตต์ โดยให้อัตราส่วนประสิทธิภาพต่อการใช้พลังงานที่ยอดเยี่ยมในขนาดที่กะทัดรัด  ด้วยความจุของ XG6 เป็นสองเท่า ความเร็วในการเขียนที่เร็วกว่า XG5-P และซองพลังงานที่ต่ำกว่าและฟอร์มแฟคเตอร์ที่เล็กกว่าคลาส XD5 ทำให้ XG6-P ซีรี่ส์ใหม่มีตัวเลือกการจัดเก็บ M.2 NVMe เพิ่มเติมเพื่อปรับแต่งโซลูชันและสภาพแวดล้อมของศูนย์ข้อมูล

2,048GB XG6-P SSD มีอยู่ในฟอร์มแฟคเตอร์ single-sided M.2 2280 (22 x 80mm) และมีตัวเลือกความปลอดภัยรวมถึง TCG Pyrite เวอร์ชัน 1.0 รองรับการกำหนดค่า Non-SED (Self-Encrypting Drive) และ TCG Opal Version 2.01 สำหรับ SED  XG6-P ซีรี่ส์ SSD จะแสดงที่งาน Interop Tokyo 2019 ใน Makuhari Messe ประเทศญี่ปุ่นตั้งแต่วันที่ 12 ถึง 14 มิถุนายนในบูธ 5P16 ของ Toshiba Memory

หมายเหตุ

[1] ความจุจริงคือ 2,048GB โปรดอ้างอิง [2] สำหรับคำจำกัดความของความจุ

[2] คำจำกัดความของความจุ: Toshiba Memory Corporation กำหนดเมกะไบต์ (MB) เป็น 1,000,000 ไบต์, กิกะไบต์ (GB) เป็น 1,000,000,000 ไบต์และหนึ่งเทราไบต์ (TB) เป็น 1,000,000,000,000 ไบต์  อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์รายงานความจุหน่วยเก็บข้อมูลโดยใช้กำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์, 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์  ดังนั้นจึงมีความจุน้อยกว่าพื้นที่จัดเก็บที่ใช้ได้ (รวมถึงตัวอย่างของไฟล์สื่อต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์การจัดรูปแบบการตั้งค่าซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ เช่นระบบปฏิบัติการ Microsoft® และ/หรือแอพพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้าหรือเนื้อหาสื่อ ความจุ  ฟอร์แมตจริงอาจแตกต่างกันไป

[3] การทดสอบหน่วยความจำของ Toshiba ภายในบริษัทเมื่อเทียบกับความเร็ว write sequential speed ของ XG5-P 2TB SSD, XG6-P นั้นเร็วกว่า 32.7%

[4] การสำรวจของ Toshiba Memory Corporation อ้างอิงจากความเร็วในการอ่านและเขียนของหน่วย 128KiB ตามลำดับโดยใช้รุ่น XG6-P 2048GB ภายใต้เงื่อนไขการทดสอบของ Toshiba Memory Corporation  ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ เงื่อนไขการอ่านและเขียน และขนาดไฟล์  Toshiba Memory Corporation กำหนดเมกะไบต์ (MB) เป็น 1,000,000 ไบต์และ kibibyte (KiB) เป็น 2^10 ไบต์หรือ 1,024 ไบต์

[5] การสำรวจของ Toshiba Memory Corporation จากการสุ่มอ่านและเขียนความเร็วของหน่วย 4KiB โดยใช้รุ่น XG6-P 2048GB ภายใต้เงื่อนไขการทดสอบของ Toshiba Memory Corporation  ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ เงื่อนไขการอ่านและเขียน และขนาดไฟล์  IOPS คืออินพุตเอาต์พุตต่อวินาที (หรือจำนวนการดำเนินการ I/O ต่อวินาที)

* NVMe เป็นเครื่องหมายการค้าของ NVM Express, Inc.

* PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG

* ชื่อบริษัทอื่นๆ ชื่อผลิตภัณฑ์และชื่อบริการที่กล่าวถึงในที่นี้อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้นๆ

สอบถามข้อมูลลูกค้า:

ฝ่ายส่งเสริมการขายโทร

: + 81-3-6478-2424

https://business.toshiba-memory.com/en-apac/contact.html

ข้อมูลในเอกสารนี้รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์เนื้อหาของบริการและ ข้อมูลติดต่อถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

ดูเวอร์ชั่นต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20190527005304/en/

สอบถามสำหรับสื่อ:

Toshiba Memory Corporation

ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย

Koji Takahata

โทร: + 81-3-6478-2404

Toshiba เปิดตัวเลนส์ย่อภาพความคมชัด 5340 พิกเซล พร้อมเซ็นเซอร์ด้านหลัง 3 เส้นสำหรับใช้ในสำนักงานอัตโนมัติและอุปกรณ์ทางอุตสาหกรรม

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–09 พฤษภาคม 2019

วันนี้ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") เปิดตัวเลนส์ย่อภาพรุ่น "TCD2569BFG" มีความคมชัดขนาด 5340 พิกเซล พร้อมเซ็นเซอร์พิกเซลตอบสนอง (CCD) ด้านหลัง 3 เส้นสำหรับใช้ในสำนักงานอัตโนมัติและอุปกรณ์ทางอุตสาหกรรม โดยให้ความละเอียด 24 เส้นคู่ต่อมิลลิเมตรสำหรับเอกสารขนาด A4 โดยจะเริ่มจัดส่งผลิตภัณฑ์เพื่อจำหน่ายตั้งแต่วันนี้

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยเนื้อหามัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20190508005323/en/

Toshiba: a lens reduction type, 5340-pixel by 3-line color CCD linear image sensor "TCD2569BFG" (Pho ...

Toshiba: เลนส์ย่อภาพรุ่น "TCD2569BFG" มีความคมชัดขนาด 5340 พิกเซล พร้อมเซ็นเซอร์พิกเซลตอบสนอง (CCD) ด้านหลัง 3 เส้น (ภาพ: Business Wire)

ผู้คนจำนวนมากต่างมองหาเครื่องพิมพ์ขนาด A4 ที่มีฟังก์ชันการทำงานหลากหลายและให้ภาพความละเอียดสูง รวมถึงการทำงานที่รวดเร็วเท่ากับรุ่น A3 โดยเฉพาะการสแกนวัตถุที่นอกจากเอกสารได้ เช่น วัตถุ 3 มิติที่มีแรงสะท้อนสูงและความมันวาว การสแกนวัตถุเหล่านี้ด้วยเลนส์ย่อภาพที่มีเซ็นเซอร์พิกเซลตอบสนอง (CCD) แบบปกติมักส่งผลให้เซ็นเซอร์แตกกระจายและภาพเป็นริ้วไม่สวย นอกจากนั้นกระแสไฟฟ้าขาออกบริเวณที่เซ็นเซอร์แตกกระจายมักสูงกว่าจุดสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าขาเข้าของส่วนควบคุมการทำงานของภาครับ-ส่งสัญญาณวงจรรวม

“ผลิตภัณฑ์รุ่น TCD2569BFG” ให้ภาพคุณภาพสูงพร้อมการพิมพ์สอดสีที่น้อยจากการเข้าไปลดความห่างระหว่างชั้นของสี (แดง-เขียว, เขียว-น้ำเงิน) พร้อมทั้งติดตั้งวงจรสุ่มและคงค่ามาในตัวสำหรับยืดระยะเวลาการส่งสัญญาณภาพออกของเซ็นเซอร์ และช่วยให้การออกแบบการทำงานของเครื่องสแกนที่ใช้กับอุปกรณ์อัตโนมัติสำหรับสำนักงานและอุปกรณ์ที่ใช้ในงานอุตสาหกรรมทำได้ง่ายและรวดเร็วขึ้น นอกจากนี้ แรงดันไฟฟ้าขาออกชนิดอิ่มตัวขนาด 4 โวลต์ในชิพรีจิสเตอร์ของเซ็นเซอร์พิกเซลตอบสนอง (CCD) จะเข้าไปลดการแตกกระจายของเซ็นเซอร์ และยังมีการติดตั้งฟังก์ชันคลิปปิ้งเพื่อควบคุมแรงดันไฟฟ้าขาออกให้อยู่ที่ 1.8 โวลต์ ซึ่งจะป้องกันแรงดันไฟฟ้าขาออกไม่ให้สูงกว่าจุดสูงสุดของแรงดันไฟฟ้าขาเข้าของส่วนควบคุมการทำงานของภาครับ-ส่งสัญญาณวงจรรวม

คุณสมบัติหลัก

  • ระยะห่างระหว่างชั้นของพิกเซล 2 เส้น (แดง-เขียว, เขียว-น้ำเงิน)
  • ระยะสัญญาณวิดีโอเอาต์พุตนานขึ้น มีวงจรสุ่มและคงค่า (Sample and Hold) ในตัว
  • แรงดันไฟฟ้าขาออกสูงสุดควบคุมไว้ที่ 1.8 โวลต์พร้อมฟังก์ชันคลิปปิ้ง

ตัวอย่างการใช้งาน
เครื่องพิมพ์ขนาด A4 ที่มีฟังก์ชันการทำงานหลายแบบ เครื่องสแกนภาพ อุปกรณ์รับข้อมูลเข้าสำหรับเครื่องวัดไฟฟ้า และเครื่องแยกสี

ข้อมูลจำเพาะหลัก

หมายเลขชิ้นส่วน

TCD2569BFG

ขนาดพิกเซล

5.25μm by 5.25μm

ระยะห่างเส้น

2 line spacing (10.5μm)

จำนวนพิกเซลประสิทธิผล

5340 pixels by 3 lines

ความไว
(A light source + CM500S)

Red: 13.2 V/lx∙s; Green: 15.0 V/lx∙s;

Blue: 5.9 V/lx∙s

ความถี่สูงสุดของวงจรนับ (Clock Pulse)

35MHz

แรงดันการจ่ายไฟฟ้า

(ระยะการทำงาน)

9.5V to 10.5V

แรงดันไฟฟ้าส่งออกสูงสุด

1.8V

แรงดันไฟฟ้าขาออกชนิดอิ่มตัว

ของอุปกรณ์ถ่ายเทประจุในชิพรีจิสเตอร์

4.0V (ต่ำสุด)

อื่น ๆ / คุณสมบัติเพิ่มเติม

วงจรสุ่มและคงค่า

วงจรปรับระดับแรงดันไฟฟ้า

การลดแรงกระเพื่อมขึ้นลงของไฟฟ้าขาออกเมื่อเปิดเครื่อง

สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ที่เปิดตัวใหม่นี้ โปรดดูที่:
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TCD2569BFG&lang=en

* ชื่อบริษัท ผลิตภัณฑ์ และบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทเหล่านั้น

ข้อมูลติดต่อสำหรับลูกค้า:
แผนกการตลาดอุปกรณ์ระบบ II
โทร: +81-3-3457-3332
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูล ณ ปัจจุบันในวันที่ประกาศ และอาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
เป็นบริษัทใหม่ที่เต็มไปด้วยพลังและประสบการณ์ นับตั้งแต่แยกตัวออกจากบริษัทเมื่อเดือนกรกฎาคม ปี 2017 เราได้ก้าวสู่การเป็นหนึ่งในบริษัทผู้นำด้านอุปกรณ์ทั่วไป และได้นำเสนอโซลูชันเกี่ยวกับเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ ระบบ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจของเรา

เรามีพนักงานจำนวน 22,000 คนทั่วโลก ซึ่งมีความตั้งใจร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะเพิ่มยอดขายต่อปีซึ่งปัจจุบันมีมูลค่ากว่า 800 พันล้านเยน (7 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ให้สูงขึ้น เพื่อสร้างอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน

ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.comhttps://www.businesswire.com/news/home/20190508005323/en/

ข้อมูลติดต่อสำหรับสื่อ:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
แผนกการตลาดดิจิทัล
Chiaki Nagasawa
โทร: +81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp