Tag Archives: toshiba

Toshiba เปิดตัวโมดูล MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ที่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและการย่อขนาดของอุปกรณ์อุตสาหกรรม

Logo

โตเกียว–(บิสิเนสไวร์)–25 ก.พ. 2564

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“โตชิบา”) ได้เปิดตัว “MG800FXF2YMS3” โมดูล MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ที่รวมชิป SiC MOSFET แบบสองช่องที่พัฒนาขึ้นใหม่ โดยมีค่า 3300V และ 800A สำหรับงานอุตสาหกรรม  ปริมาณการผลิตจะเริ่มต้นพฤษภาคม 2021

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีมัลติมีเดีย อ่านฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20210224006218/en/

Toshiba: MG800FXF2YMS3, a silicon carbide (SiC) MOSFET module for industrial applications including railways vehicle and renewable energy power generation systems. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: MG800FXF2YMS3 โมดูล MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม รวมถึงยานพาหนะทางรถไฟและระบบผลิตไฟฟ้าพลังงานหมุนเวียน (กราฟฟิค: บิสิเนสไวร์)

เพื่อให้ได้อุณหภูมิของช่องที่ 175°C ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้แพ็คเกจ iXPLV (Intelligent fleXible Package Low Voltage) พร้อมด้วยเทคโนโลยีการเชื่อมภายในด้วยการหลอมด้วยเงินเพื่อสนับสนุนการติดตั้งอย่างกว้างขวาง  โมดูลใหม่นี้ตอบสนองความต้องการอุปกรณ์ขนาดกะทัดรัดที่มีประสิทธิภาพสูงสำหรับงานอุตสาหกรรม เช่นตัวแปลงและอินเวอร์เตอร์สำหรับยานพาหนะทางรถไฟและระบบผลิตไฟฟ้าพลังงานหมุนเวียน

การใช้งาน

  • อินเวอร์เตอร์และตัวแปลงสำหรับยานพาหนะรถไฟ
  • ระบบผลิตไฟฟ้าพลังงานทดแทน
  • อุปกรณ์ควบคุมมอเตอร์อุตสาหกรรม

คุณสมบัติ

  • พิกัดแรงดันไฟฟ้าจากแหล่งระบาย: VDSS=3300V
  • กระแสระบาย: ID= 800Aคู่
  • ช่วงอุณหภูมิ: Tch=175°C
  • การสูญเสียต่ำ:
    Eon=250mJ (typ.)
    Eoff=240mJ (typ.)
    VDS(on)sense=1.6V (typ.)
  • Stray inductance ต่ำ: Ls= 12nH (typ.)
  • แพคเกจพลังงานสูง iXPLV ขนาดเล็ก

ข้อมูลจำเพาะหลัก

( ยกเว้นที่ระบุไว้เป็นอย่างอื่น @Tc=25°C)

หมายเลขชิ้น

MG800FXF2YMS3

แพคเกจ

iXPLV

ค่าสูงสุด

แรงดัน Drain-source VDSS (V)

3300

แรงดัน Gate-source VGSS (V)

+25/-10

กระแสระบาย (DC) ID (A)

800

กระแสร (pulsed) IDP (A)

1600

อุณหภูมิช่อง Tch (°C)

175

แรงดันแยกตัว VISOL (Vrms)

6000

คุณลักษณะไฟฟ้า

กระแส Drain-source แบบ on-voltage (sense)

VDS(on)sense typ. (V)

@VGS= +20V,

ID=800A

1.6

กระแส Source-drain แบบ on-voltage (sense)

VSD(on)sense typ. (V)

@VGS= +20V,

IS=800A

1.5

กระแส Source-drain แบบ off-voltage (sense)

VSD(off)sense typ. (V)

@VGS= -6V,

IS=800A

2.3

โมดูล Stray inductance LSPN typ. (nH)

12

การสูญเสียเมื่อเปิดเครื่อง Eon typ. (mJ)

@VDD=1800V,

ID=800A,

Tch=150°C

250

การสูญเสียเมื่อปิดเครื่อง Eoff typ. (mJ)

@VDD=1800V,

ID=800A,

Tch=150°C

240

ตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่

MG800FXF2YMS3 https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=MG800FXF2YMS3

ตามลิงค์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับกลุ่มผลิตภัณฑ์พลังงาน SiC ของ Toshiba

SiC Power Devices https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/sic-power-devices.html

สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า
Small Signal Device Sales & Marketing Dept. (ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์สัญญาณขนาดเล็ก)
โทร: + 81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์เนื้อหาของบริการและข้อมูลการติดต่อเป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation รวมความกระตือรือร้นของบริษัทใหม่เข้ากับประสบการณ์ที่ยาวนาน  ตั้งแต่ได้แยกจาก Toshiba Corporation ในเดือนกรกฎาคมปี 2560 เราได้เข้าเป็นบริษัทชั้นนำด้านอุปกรณ์ทั่วไปและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจในเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSI และ HDD

พนักงานของเราจำนวน 24,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเราและให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆ  เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะต่อยอดจากยอดขายรายปีที่ในขณะนี้สูงกว่า 750 พันล้านเยน (6.8 พันล้านเหรียญสหรัฐ) และเพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

อ่านต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210224006218/en/

สอบถามข้อมูลสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Department  (แผนกการตลาดดิจิทัล) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โทร: + 81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Toshiba เปิดตัวฮาร์ดดิสก์ซีรีส์ MG09 ขนาดความจุ 18TB

Logo

ดีไซน์แบบ 9 ดิสก์เจเนอเรชันที่ 3 ที่ใช้ฮีเลียมปิดผนึกและนวัตกรรมการบันทึกที่นำพลังงานเข้ามาช่วยให้ลูกค้าสามารถใช้ประโยชน์จากความหนาแน่นของการจัดเก็บข้อมูลและประสิทธิภาพด้านพลังงานในระดับใหม่

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–18 กุมภาพันธ์ 2564

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba) เปิดตัวฮาร์ดดิสก์ ซีรีส์ MG09 ขนาดความจุ 18TB[1]  ซึ่งเป็นฮาร์ดดิสก์รุ่นแรกของ Toshiba ที่มาพร้อมเทคโนโลยีการบันทึกที่นำพลังงานเข้ามาช่วย (EAMR) ฮาร์ดดิสก์ซีรีส์ MG09 ยังมาพร้อมดีไซน์แบบ 9 ดิสก์ที่ใช้ฮีเลียมปิดผนึกซึ่งเป็นเจเนอเรชันที่ 3 ของ Toshiba รวมถึงเทคโนโลยีบันทึกข้อมูลบนแผ่นจานแม่เหล็กด้วยคลื่นไมโครเวฟแบบ Flux Control (FC-MAMR) ที่ล้ำสมัยของ Toshiba เพื่อเพิ่มความหนาแน่นของการบันทึกข้อมูลบนแผ่นจากแม่เหล็ก (CMR) เป็น 2TB ต่อดิสก์ และทำให้ความจุรวมของฮาร์ดดิสก์สูงถึง 18TB

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยเนื้อหาในรูปแบบมัลติมีเดีย ดูเนื้อหาแบบเต็มรูปแบบที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20210217006068/en/

Toshiba: 18TB MG09 Series hard disk drives (Photo: Business Wire)

Toshiba: ฮาร์ดดิสก์ซีรีส์ MG09 ความจุ 18TB (รูปภาพ: Business Wire)

การจัดส่งตัวอย่างฮาร์ดดิสก์ซีรีส์ MG09 ความจุ 18TB ให้กับลูกค้าคาดว่าจะสามารถเริ่มได้ในช่วงปลายเดือนมีนาคมของปี 2564 นี้

ฮาร์ดดิสก์ MG09 แบบ CMR ความจุ 18TB นี้มีขนาดความจุเพิ่มขึ้น 12.5% จากรุ่นก่อนหน้าที่มีความจุ 16TB และสามารถใช้ได้กับอุปกรณ์และระบบปฏิบัตการรุ่นต่าง ๆ ที่ครอบคลุมมากที่สุด ฮาร์ดดิสก์ MG09 ได้รับการปรับเปลี่ยนให้สามารถอ่านและเขียนข้อมูลทั้งแบบสุ่มและเรียงลำดับและรองรับการทำงานในดาต้าเซ็นเตอร์ทั้งแบบปกติและบนคลาวด์ ประสิทธิภาพของฮารด์ดิสก์รุ่น MG09 อยู่ที่ 7,200rpm อัตราการรองรับภาระงานต่อปี[2] อยู่ที่ 550TB และใช้อินเทอร์เฟส SATA และ SAS ทั้งหมดนี้บรรจุอยู่ในฟอร์มแฟกเตอร์ขนาด 3.5 นิ้ว[3 ที่ได้มาตรฐานอุตสาหกรรม ปิดผนึกด้วยฮีเลียม และมีประสิทธิภาพทางพลังงาน

ฮาร์ดดิสก์ซีรีส์ MG09 ตอกย้ำถึงความมุ่งมั่นของ Toshiba ที่ต้องการยกระดับการออกแบบฮาร์ดดิส์ตามความต้องการที่เพิ่มขึ้นต่ออุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลที่ใช้กับเซิร์ฟเวอร์บนคลาวด์รวมถึงโครงสร้างพื้นฐานของระบบจัดเก็บทั้งแบบวัตถุและไฟล์ ด้วยประสิทธิภาพด้านพลังงานที่มากขึ้นและความจุที่ 18TB ฮาร์ดดิสก์ซีรีส์ MG09 จึงช่วยให้โครงสร้างพื้นฐานของระบบจัดเก็บบนคลาวด์พัฒนาความหนาแน่นของหน่วยจัดเก็บให้สามารถลดค่าใช้จ่ายด้านการลงทุนและปรับปรุงต้นทุนรวมในการเป็นเจ้าของหรือ TCO ให้ดีขึ้น ขณะที่การเติบโตข้องข้อมูลยังคงเกิดขึ้นอย่างรวดเร็ว ฮาร์ดดิสก์ MG09 ความจุ 18TB ที่มาพร้อมเทคโนโลยี FC-MAMR จะช่วยผู้ให้บริการจัดเก็บข้อมูลบนคลาวด์และนักออกแบบโซลูชันการจัดเก็บข้อมูลสามารถใช้ประโยชน์จากระบบจัดเก็บข้อมูลที่มีความหนาแน่นสูงขึ้นได้ในทั้งระบบคลาวด์ ไฮบริดคลาวด์ และแบบ rack-scale ที่ติดตั้งอยู่ ณ สถานที่

“ฮารด์ดิสก์ซีรีส์ MG09 ความจุ 18TB ใหม่จาก Toshiba มาพร้อมกับระดับความหนาแน่นของการจัดเก็บข้อมูลและประสิทธิภาพด้านพลังงานที่พัฒนาขึ้นเพื่อสำหรับลูกค้าโซลูชันระบบคลาวด์และสตอเรจของเราที่ให้ความสำคัญกับเรื่องต้นทุน เทคโนโลยี HDD ความหนาแน่นสูงของเราสามารถตอบโจทย์ทางด้าน TCO ซึ่งมีความสำคัญของลูกค้าได้ในราคาที่แสนประหยัด” Shuji Takaoka ผู้จัดการทั่วไปฝ่ายขายและการตลาดผลิตภัณฑ์จัดเก็บข้อมูลของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation กล่าว “ดีไซน์แบบ 9 ดิสก์ที่ใช้ฮีเลียมปิดผนึกซึ่งเป็นเจเนอเรชันที่ 3 ของเรามีพื้นฐานที่ผ่านการทดสอบภาคสนามเพื่อพัฒนาความจุให้ได้ถึง 18TB การเสริมเทคโนโลยี FC-MAMR ที่ล้ำสมัยของ Toshiba เข้ามาช่วยให้ความจุของฮารด์ดิสก์แบบ CMR เพิ่มสูงขึ้นถึง 18TB สามารถใช้งานได้กับอุปกรณ์และสภาพแวดล้อมการทำงานได้มากที่สุด”

สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่ โปรดดูที่:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/storage/product/data-center-enterprise/cloud-scale-capacity/articles/mg09-series.html

สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์กลุ่มฮาร์ดดิสก์ของ Toshiba ทั้งหมด โปรดดูที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

[1] คำจำกัดความของความจุ: 1 เทราไบต์ (TB) = 1 ล้านล้านไบต์ อย่างไรก็ตามความจุหน่วยเก็บข้อมูลอาจแตกต่างกันออกไปตามสภาพแวดล้อมการทำงานและการจัดรูปแบบ ความจุในการจัดเก็บ (รวมถึงตัวอย่างของไฟล์สื่อต่าง ๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่ฟอร์แมตจริงอาจแตกต่างกันไป
[2] อัตราการรองรับงานต่อปีคือมาตรวัดข้อมูลตลอดทั้งปี และกำหนดโดยปริมาณของข้อมูลที่เขียน อ่าน หรือตรวจสอบตามคำสั่งของระบบโฮสต์
[3] “3.5 นิ้ว” หมายถึงลักษณะทางกายภาพหรือฟอร์มแฟกเตอร์ของฮาร์ดดิสก์ ซึ่งไม่ได้ระบุขนาดทางกายภาพของไดรฟ์

* ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูล ณ ปัจจุบันในวันที่ประกาศ และอาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
* ชื่อบริษัท สินค้าและบริการทั้งหมดที่กล่าวถึงในที่นี้อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ นั้น

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นบริษัทใหม่ที่เต็มไปด้วยพลังและประสบการณ์ นับตั้งแต่แยกตัวออกจากบริษัทเมื่อเดือนกรกฎาคม ปี 2560 เราได้ก้าวสู่การเป็นหนึ่งในบริษัทผู้นำด้านอุปกรณ์ทั่วไป และได้นำเสนอโซลูชันเกี่ยวกับเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ ระบบ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจของเรา
เรามีพนักงานจำนวน 24,000 คนทั่วโลก ซึ่งมีความตั้งใจร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะเพิ่มยอดขายต่อปีซึ่งปัจจุบันมีมูลค่ากว่า 7.5 แสนล้านเยน (ราว 6.8 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ให้สูงขึ้น เพื่อสร้างอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.comhttps://www.businesswire.com/news/home/20210217006068/en/

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ
Motohiro Ajioka
ฝ่ายวางแผนธุรกิจ
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โทร: +81-3-3457-3576
อีเมล: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Toshiba เปิดตัวโฟโต้รีเลย์กระแสไฟสูง 100V สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม

Logo

โตเกียว–(บิสิเนสไวร์)–05 ก.พ. 2564

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“โตชิบา”) ได้เปิดตัว “TLP241B” โฟโตเรย์กระแสสูงในแพ็คเกจ DIP4 สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่นคอนโทรลเลอร์ลอจิกที่ตั้งโปรแกรมได้และอินเทอร์เฟซไอโอ  มีตัวอย่างสินค้าและปริมาณการผลิตแล้ว

ข่าวประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยมัลติมีเดีย อ่านฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20210204005495/en/

Toshiba: TLP241B, a 100V high-current photorelay for industrial equipment (Graphic: Business Wire)

Toshiba: TLP241B โฟโตรีเลย์กระแสสูง 100V สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม (กราฟฟิค: บิสิเนสไวร์)

TLP241B ได้รวม MOSFET ตามกระบวนการ U-MOS รุ่นล่าสุดของโตชิบา  ด้วย TLP241B แรงดันไฟฟ้าของขั้วเอาท์พุทในสถานะปิดจะขยายเป็น 100V ซึ่งเป็นการเพิ่มขึ้น 150% จาก 40V ของ TLP241A ปัจจุบัน TLP241B นั้นบรรจุอยู่ในแพ็คเกจ DIP4 อเนกประสงค์และเป็นผลิตภัณฑ์ บรรจุ DIP4 ชิ้นแรกของอุตสาหกรรม[1] ที่ให้แรงดันไฟฟ้าขั้วเอาท์พุท 100V ในสถาะปิด กระแส 2A ในสถานะเปิดและแรงดันไฟฟ้าแยกเดี่ยว 5kV  การขยายช่วงแรงดันไฟฟ้านี้ครอบคลุมการใช้งานที่หลากหลาย

TLP241B สามารถใช้แทนรีเลย์เชิงกลแบบสัมผัสแบบ 1-Form-A ได้  TLP241B ซึ่งแตกต่างจากรีเลย์เชิงกลตรงที่ไม่มีหน้าสัมผัสที่เคลื่อนที่จึงไม่เกิดการเสื่อมเสีย  คุณลักษณะของไดรฟ์ที่มีกระแสไฟต่ำยังช่วยยืดอายุผลิตภัณฑ์  ประโยชน์อื่นๆ ได้แก่เวลาตอบสนองที่รวดเร็วและการประหยัดพื้นที่ PCB เนื่องจากขนาดบรรจุภัณฑ์ที่เล็กลง

เนื่องจากอุณหภูมิในการทำงานสูงสุดคือ 110℃ จึงหาขอบเขตอุณหภูมิของอุปกรณ์ได้ง่ายกว่า

การใช้งาน

– อุปกรณ์อุตสาหกรรม (คอนโทรลเลอร์ลอจิกที่ตั้งโปรแกรมได้ อินเทอร์เฟซไอโอ และการควบคุมเซ็นเซอร์ต่างๆ ฯลฯ)

– ระบบอัตโนมัติในอาคาร (การทำความร้อน การระบายอากาศ และการปรับอากาศ (HVAC) และเทอร์โมสตัท ฯลฯ)

– แทนที่รีเลย์เชิงกล (ระบบ AC 24 ถึง 48V, ระบบ DC 24 ถึง 100V)

คุณสมบัติ

– ค่ากระแสสูงสถานะเปิดสูง: ION=2A, IONP=6A (Pulsed) 

– กระแสไฟเอาท์พุทสถานะปิด: VOFF=100V

-อุณหภูมิในการทำงานสูง: Topr max=110℃

– แพ็คเกจ DIP4 สำหรับใช้งานทั่วไปพร้อมตัวเลือก gull wing (SMT)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(@Ta=25℃ เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

หมายเลขส่วน

TLP241B

แพคเกจ

DIP4

พิกัดสูงสุดสัมบูรณ์

กระแสสถานะปิด VOFF (V)

100

กระแสสถานะเปิด ION(A)

2.0

กระแสไฟสถานะเปิด (pulsed) IONP (A)

6.0

อุณหภูมิในการทำงาน Topr (℃)

-40 ถึง

110

ลักษณะทางไฟฟ้าคู่

ทริกเกอร์กระแส LED IFT max (mA)

3

แรงต้านทานสถานะเปิด RON typ. (mΩ)

110

แรงต้านทานสถานะเปิด RON max (mΩ)

200

ลักษณะทางไฟฟ้า

ความจุเอาต์พุต COFF typ. (pF)

300

ลักษณะการสลับ

เวลาเปิดเครื่อง tON max (ms)

3

เวลาปิดเครื่อง tOFF max (ms)

0.5

ตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมจัดส่ง

ซื้อทางออนไลน์

หมายเหตุ:

[1] ในบรรดาโฟโตเรย์แบบบรรจุ DIP4 ณ วันที่ 4 กุมภาพันธ์ 2564 จากการสำรวจของโตชิบา

ตามลิงค์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติม

TLP241B

https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TLP241B

ไปที่ลิงค์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับอุปกรณ์ออปติคัลของ Toshiba

โฟโต้รีเลย์ (MOSFET Output)

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/optoelectronics/photorelay-mosfet-output.html

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์โปรดไปที่:

TLP241B

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TLP241B.html

สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า:

ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ Optoelectronic
โทร: +81-3-3457-3431 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศแต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation รวมความกระตือรือร้นของบริษัทใหม่เข้ากับประสบการณ์ที่ยาวนาน  ตั้งแต่ได้แยกจาก Toshiba Corporation ในเดือนกรกฎาคมปี 2560 เราได้เข้าเป็นบริษัทชั้นนำด้านอุปกรณ์ทั่วไปและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจในเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSI และ HDD

พนักงานของเราจำนวน 24,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเราและให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆ  เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะต่อยอดจากยอดขายรายปีที่ในขณะนี้สูงกว่า 750 พันล้านเยน (6.5 พันล้านเหรียญสหรัฐ) และเพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

อ่านเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210204005495/en/

สอบถามข้อมูลสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Department (แผนกการตลาดดิจิทัล )
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โทร: +81-3-3457-4963 semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Toshiba เพิ่ม eFuse IC ใหม่เป็นฟิวส์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับการใช้งานซ้ำ ๆ ซึ่งนำเสนอการป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกินแบบที่ปรับได้และมาพร้อมกับฟังก์ชันการเตือนแบบเอาต์พุตสัญญาณ FLAG

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–2 ก.พ. 2564

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") ได้เพิ่มผลิตภัณฑ์ eFuse IC ใหม่ “TCKE712BNL” ในกลุ่มผลิตภัณฑ์ eFuse ICs สำหรับการใช้งานซ้ำ ๆ ซึ่งรองรับฟังก์ชันในการป้องกันวงจรสายไฟ

ข่าวประชาสัมพันธ์นี้เป็นแบบมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20210201005991/en/

Toshiba: TCKE712BNL, a new eFuse IC for repeated use that support functions to protect power line circuits. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: TCKE712BNLe ซึ่งเป็น Fuse IC ใหม่สำหรับการใช้งานซ้ำ ๆ ที่รองรับฟังก์ชันเพื่อป้องกันวงจรสายไฟ (กราฟิก: Business Wire)

ฟิวส์แบบตัวเครื่องโดยทั่วไป ซึ่งได้แก่ ฟิวส์หลอดแก้วและฟิวส์ชิป จะป้องกันวงจรสายไฟโดยการปิดตัวเองลงเมื่ออยู่ในสถานะกระแสเกินและเมื่อฟิวส์แบบนี้ถูกใช้ไปแล้วและเสีย จะต้องได้รับการเปลี่ยนใหม่ แต่ eFuse ICs ได้รับการออกแบบมาเพื่อเข้ามาแทนที่ฟิวส์ดังกล่าวข้างต้นในการป้องกันวงจรสายไฟและให้ความปลอดภัย และเพื่อมอบฟังก์ชันการป้องกันในตัวที่หลากหลายนอกเหนือไปจากการป้องกันกระแสเกินแบบที่มีความแม่นยำสูง

TCKE712BNL จะปกป้องสายไฟด้วยฟังก์ชั่นป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกิน โดยที่ตัวของมันสามารถปรับได้ตามความต้องการของผู้ใช้ด้วยการใช้ตัวต้านทานภายนอก นอกจากนี้ยังมีฟังก์ชั่นการปิดการย้อนกลับในตัวที่ Off state ทำให้สามารถใช้งานในแอพพลิเคชั่นเพาเวอร์มัลติเพล็กเซอร์ได้ นอกจากนี้ฟังก์ชั่นการป้องกันในตัวยังครอบคลุมถึงเรื่องกระแสไฟฟ้าลัดวงจรและอุณหภูมิที่สูงเกินไป นอกจากนี้ยังมีฟังก์ชัน FLAG ที่ส่งสัญญาณภายนอกหากมีความผิดปกติเกิดขึ้นในวงจร ทำให้การตรวจจับข้อบกพร่องที่เกิดขึ้น เป็นที่สังเกตเห็นได้ง่ายกว่าของผลิตภัณฑ์ที่วางจำหน่ายอยู่ก่อนหน้านี้ของ Toshiba

Toshiba จะยังคงเพิ่มความแข็งแกร่งให้กับชุดผลิตภัณฑ์ eFuse ICs เพื่อปกป้องวงจรสายไฟสำหรับการใช้งานที่หลากหลาย

การใช้งาน

– การป้องกันวงจรสายจ่ายไฟ

(พีซี แล็ปท็อป คอนโซลเกม อุปกรณ์เสริมความเป็นจริงและเสมือนจริงลำโพงอัจฉริยะ หุ่นยนต์ทำความสะอาด เซิร์ฟเวอร์เครือข่าย ฯลฯ )

คุณสมบัติ

– ฟังก์ชันการรีเวอร์สการปิดกระแสในสถานะปิด OFF state

– ฟังก์ชันที่ให้ผู้ใช้กำหนดการป้องกันกระแส / แรงดันไฟฟ้าเกินได้เอง

– ฟังก์ชันเอาต์พุตสัญญาณ FLAG

– แพ็คเกจ WSON10 ที่บางและกะทัดรัด: 3.00 × 3.00 มม. (ทั่วไป), t = 0.75 มม. (สูงสุด)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(@Ta=25°C นอกจากที่ระบุไว้)

หมายเลขชิ้นส่วน

TCKE712BNL

แพ็คเกจ

ชื่อ

WSON10

ขนาดปกติ typ. (มม)

3.00×3.00, t=0.75 max

ช่วงการทำงาน

แรงดันไฟฟ้าขาเข้า VIN (V)

4.4 to 13.2

ลักษณะกระแสตรง

กระแสเกิน

IOUT_CL typ. (A)

@VIN=12V

2.00

@VIN=9V

2.58

@VIN=5V

3.65

ออนรีซิสแตนซ์ RON typ. (mΩ)

53

ลักษณะกระแสสลับ

Fast trip time

tFASTTRIP typ.

(ns)

@Ta= -40 to 85°C

320

ฟังก์ชั่นป้องกันกระแสเกิน

ปรับได้

ฟังก์ชั่นป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกิน

ปรับได้

ฟังก์ชันเอาต์พุตสัญญาณ FLAG

อยู่ในผลิตภัณฑ์

ฟังก์ชันรีเวิร์สการบล็อคกระแสไฟ

อยู่ในผลิตภัณฑ์

ตรวจสอบตัวอย่างและการวางจำหน่าย

ซื้อออนไลน์

ตามลิงค์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่

TCKE712BNL

https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TCKE712BNL

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมของผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:

TCKE712BNL

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TCKE712BNL.html

ไปที่ลิงก์เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ eFuse IC line-up ของ Toshiba

eFuse ICs

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/power-management-ics/efuse-ics.html

สอบถามสำหรับลูกค้า:

Small Signal Device Sales & Marketing Dept.

โทร: +81-3-3457-3411

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

*ข้อมูลในเอกสารนี้รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการและข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลล่าสุดในวันที่ประกาศ อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation รวมความแข็งแกร่งของบริษัทใหม่เข้ากับภูมิปัญญาและประสบการณ์ โดยนับตั้งแต่ได้รับการเปิดตัวจากบริษัทโตชิบาในเดือนกรกฎาคม 2560 เราได้ก้าวเข้ามาเป็นหนึ่งในบริษัทอุปกรณ์ทั่วไปชั้นนำและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้แก่ลูกค้า และหุ้นส่วนทางธุรกิจในธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกตัวระบบ LSI และ HDD

พนักงานของเราจำนวน 24,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเรา และให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆ เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะสานต่อยอดขายรายปีที่ปัจจุบันอยู่ที่เจ็ดแสนห้าหมื่นล้านเยน (6.8 พันล้านเหรียญสหรัฐ) เพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคนทุกที่

ดูข้อมูลเพิ่มเติมของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210201005991/en/

สอบถามสำหรับสื่อ:

Chiaki Nagasawa

ฝ่ายการตลาดดิจิตอล หรือ Digital Marketing Department

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

โทร: +81-3-3457-4963

semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Toshiba เปิดตัวฮาร์ดไดร์ฟความจุ 6TB สำหรับระบบ DVR และ NVR

Logo

ฮาร์ดไดร์ฟรุ่น DT02-V ที่มีความจุมากถึง 6TB มอบความน่าเชื่อถือได้มากขึ้น

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–03 ธันวาคม 2562

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) เปิดตัวฮาร์ดไดร์ฟรุ่น DT02-V ซึ่งเป็นรุ่นใหม่ที่สร้างขึ้นเพื่อใช้กับระบบบันทึกสัญญาณภาพที่ใช้กับกล้องวงจรปิดระบบ analog (DVR) และระบบบันทึกสัญญาณภาพที่ใช้กับกล้องแบบ IP (NVR)

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยเนื้อหาในรูปแบบมัลติมีเดีย ดูเนื้อหาแบบเต็มรูปแบบที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20191202005302/en/

Toshiba: The DT02-V Surveillance HDD Series, high areal density Surveillance 6TB HDD. (Photo: Business Wire)

Toshiba: ฮาร์ดไดร์ฟบันทึกภาพรุ่น DT02-V มีพื้นที่ความจุมากถึง 6TB (รูปภาพ: Business Wire)

ฮาร์ดไดร์ฟรุ่นใหม่นี้ทำงานด้วยเทคโนโลยีการบันทึกภาพแบบแม่เหล็กเพื่อความหนาแน่นและเพิ่มความน่าเชื่อถือมากขึ้นเมื่อเปรียบเทียบกับรุ่นก่อนหน้านี้อย่าง MD04ABA-V ด้วยความจุ1ที่มากถึง 6TB ซีรีส์ DT02-V จะรองรับความละเอียดในการประมวลภาพ2สูงสุดถึง 32 และยังเหมาะกับการใช้งานบนแพลตฟอร์ม DVR และ NVR มากพอ ๆ กับพื้นที่เก็บไดร์ฟถึง 8 ช่อง

Shuji Takaoka ผู้จัดการทั่วไป แผนกการตลาดและการขายผลิตภัณฑ์อุปกรณ์บันทึกภาพแห่ง Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation กล่าวว่า “ผลิตภัณฑ์ตัวใหม่ในตระกูล HDD อย่าง DT02-V สามารถมอบความจุได้ถึง 6TB และออกแบบสำหรับใช้กับกล้องบันทึกภาพบนแพลตฟอร์ม DVR และ NVR นอกจากนี้ยังมีความจุหลากหลายขนาดให้เลือกพร้อมปรับปรุงการประมวลผลวิดีโอด้วยความละเอียดสูง”

DT02-V ออกแบบมาเพื่อการใช้งานแบบข้ามวันข้ามคืนที่อุณหภูมิของฮาร์ดไดร์ฟหรือ 40 องศาเซลเซียสสำหรับฟีเจอร์ load/unload ประมาณ 600,000 รอบ ในอัตราการทำงาน3ด้วยความจุ 180TB ต่อปี คุณสมบัติอื่น ๆ เช่น อินเทอร์เฟส4 SATA 6Gbit/s พร้อมแคช 128MiB ที่ช่วยลดการย่นของเฟรม พร้อมแพลตฟอร์มอัตโนมัติที่ออกแบบให้ทำงานระยะเวลาเฉลี่ยก่อนการเสียหายแต่ละครั้ง5 1 ล้านชั่วโมง

สินค้าตัวอย่างฮาร์ดไดร์ฟ DT02-V ขนาดความจุ 4TB วางจำหน่ายแล้ววันนี้ ส่วนขนาดความจุ 6TB มีแผนวางจำหน่ายในเดือนมกราคม 2563 และขนาดความจุ 2TB จะวางจำหน่ายในเดือนมีนาคม 2563

สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่ โปรดดูที่:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/storage-products/client-hdd.html

1 คำจำกัดความของความจุ: Toshiba Memory Corporation กำหนด 1 กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ และ 1 เทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตามระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์รายงานความจุหน่วยเก็บข้อมูลโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2 = 1,073,741,824 ไบต์ ดังนั้นจึงมีความจุน้อยกว่า ทั้งนี้ความจุในการจัดเก็บ (รวมถึงตัวอย่างของไฟล์สื่อต่าง ๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่ฟอร์แมตจริงอาจแตกต่างกันไป

2 ประสิทธิภาพการรองรับของจำนวนกล้องบันทึกภาพกำหนดโดยการจำลองประสิทธิภาพกับกล้องความละเอียดสูงที่อัตรา 4Mbit/s ผลที่แท้จริงอาจเปลี่ยนตามปัจจัยต่าง ๆ ไม่ว่าจะเป็นชนิดของกล้องที่ติดตั้ง ประสิทธิภาพของระบบฮาร์ดแวร์และซอฟท์แวร์ และเทคโนโลยีการอัดวิดีโอ รวมทั้งตัวแปรระบบ เช่น ความละเอียด เฟรมต่อวินาที และการตั้งค่าอื่น ๆ

3 การทำงานคือมาตรวัดข้อมูลตลอดทั้งปี และกำหนดโดยปริมาณของข้อมูลที่เขียน อ่าน หรือตรวจสอบตามคำสั่งของระบบโฮสต์

4 ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจต่างกัน ทั้งนี้ขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ของโฮสต์ เงื่อนไขการอ่านและเขียน และขนาดของไฟล์

5 MTTF หรือระยะเวลาเฉลี่ยก่อนการเสียหายแต่ละครั้ง ไม่ได้เป็นตัวการันตีหรือประมาณจำนวนอายุการใช้งานสินค้า เป็นค่าทางสถิติที่เกี่ยวข้องกับอัตราความล้มเหลวของสินค้าจำนวนมาก ซึ่งอาจส่งผลถึงการดำเนินงานได้ไม่ถูกต้อง อายุการใช้งานที่แท้จริงของสินค้าอาจต่างจาก MTTF

* ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูล ณ ปัจจุบันในวันที่ประกาศ และอาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

* ชื่อบริษัท สินค้าและบริการทั้งหมดที่กล่าวถึงในที่นี้อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ นั้น

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

เป็นบริษัทใหม่ที่เต็มไปด้วยพลังและประสบการณ์ นับตั้งแต่แยกตัวออกจากบริษัทเมื่อเดือนกรกฎาคม ปี 2560 เราได้ก้าวสู่การเป็นหนึ่งในบริษัทผู้นำด้านอุปกรณ์ทั่วไป และได้นำเสนอโซลูชันเกี่ยวกับเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ ระบบ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจของเรา

เรามีพนักงานจำนวน 22,000 คนทั่วโลก ซึ่งมีความตั้งใจร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะเพิ่มยอดขายต่อปีซึ่งปัจจุบันมีมูลค่ากว่า 8 แสนล้านเยน (7 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ให้สูงขึ้น เพื่อสร้างอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน
เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับเราที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.comhttps://www.businesswire.com/news/home/20191202005302/en/

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

ฝ่ายการตลาดดิจิทัล

Chiaki Nagasawa

โทร: +81-3-3457-4963

semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba เปิดตัวฟิวส์อิเล็กทรอนิกส์หรือ eFuse ที่สามารถนำมาใช้ซ้ำได้เป็นครั้งแรก

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–20 พฤศจิกายน 2562

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") ได้เปิดตัววงจรรวม (IC) ที่มาพร้อมฟิวส์อิเล็กทรอนิกส์ (eFuse) เป็นครั้งแรกในซีรีส์ “TCKE8xx” ประกอบด้วยผลิตภัณฑ์หกรุ่นสำหรับป้องกันวงจรเมื่อกระแสไฟฟ้าเกิน ซึ่งรองรับการใช้งานที่แตกต่างกันออกไป โดยวันนี้จะเริ่มมีการจัดส่งผลิตภัณฑ์สองรุ่น

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยเนื้อหามัลติมีเดีย ดูเนื้อหาแบบเต็มรูปแบบที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20191119005455/en/

Toshiba's first-ever eFuse ICs "TCKE8xx series" (Photo: Business Wire)

"TCKE8xx series" วงจรรวมรุ่นแรกของ Toshiba ที่มาพร้อมฟิวส์อิเล็กทรอนิกส์ (รูปภาพ: Business Wire)

คุณสมบัติที่โดดเด่นที่สุดของวงจรรวมแบบ eFuse คือการที่สามารถนำมาใช้ซ้ำได้ ฟิวส์ที่ใช้กันโดยทั่วไปซึ่งมีลักษณะเป็นหลอดแก้วและฟิวส์ที่มีแผ่นวงจรหรือชิพ จะป้องกันวงจรด้วยการตัดไฟเมื่อมีการใช้ไฟเกิน และจำเป็นต้องเปลี่ยนใหม่เมื่อเสียหาย ขณะที่วงจรแบบ eFuse จะใช้วงจรในตัวของมันเองตัดการจำหน่ายไฟเมื่อเกิดความผิดปกติ และสามารถทำการรีเซ็ตและนำกลับมาใช้ใหม่ได้

ข้อดีอีกอย่างคือ วงจรแบบ eFuse สามารถลดความซับซ้อนของการออกแบบวงจรและจำนวนส่วนประกอบที่ใช้ ทำให้การออกแบบวงจรมีความง่ายมากขึ้น ใช้วัสดุน้อยลง และใช้พื้นที่น้อยกว่าอุปกรณ์ที่ผลิตจากวัสดุแบบแยกส่วนจากกัน

ผลิตภัณฑ์ซีรีส์ TCKE8xx ใหม่ มีวงจรที่มีความทนทานสูงจากการที่เพิ่มความแม่นยำในการตรวจกระแสไฟฟ้าเกินสู่ระดับที่สูงกว่าในฟิวส์แบบทั่วไป เนื่องจากวงจรแบบ eFuse มีแคลมป์วัดกระแสไฟและแคลมป์วัดแรงดันไฟเพื่อป้องกันกระแสไฟและแรงดันไฟเกิน จึงสามารถป้องกันวงจรและรักษาระดับการจ่ายไฟด้วยการใช้แคลมป์วัดกระแสไฟและแคลมป์วัดแรงดันไฟ แม้เมื่อมีกระแสไฟหรือแรงดันเกินก็ตาม ฟังก์ชันป้องกันเมื่ออุณหภูมิสูงเกินและเมื่อเกิดไฟฟ้าลัดวงจร จะป้องกันวงจรด้วยการตัดกระแสไฟแบบทันทีเมื่อความร้อนสูงเกินหรือเมื่อเกิดไฟฟ้าลัดลวงจร

คุณสมบัติเหล่านี้ทำให้ผลิตภัณฑ์สามารถปกป้องอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ เช่น เซิร์ฟเวอร์และคอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊ก ซึ่งอุปกรณ์เหล่านี้ที่มีความทนทานต่อกระแสไฟและแรงดันไฟได้มากขึ้นมีความต้องการสูงขึ้นเรื่อย ๆ ในช่วงหลายปีที่ผ่านมา โดย Toshiba ตั้งเป้าให้ผลิตภัณฑ์ได้รับการรับรอง IEC 62368-1 ซึ่งเป็นมาตรฐานความปลอดภัยสากลเพื่อความปลอดภัยระดับสูง รวมถึงทำให้การทดสอบที่จำเป็นสำหรับการรับรองอุปกรณ์ของลูกค้าง่ายขึ้นด้วย

ไลน์อัปนี้ประกอบด้วยผลิตภัณฑ์สองประเภท ได้แก่ ประเภท auto-retry ซึ่ง eFuse สามารถกู้คืนวงจรได้เองโดยอัตโนมัติ และประเภท latch ซึ่งสามารถกู้คืนวงจรได้จากสัญญาณจากภายนอก ลูกค้าสามารถเลือกวงจรแบบ eFuse IC ที่เหมาะสมกับความต้องการและขนาดของอุปกรณ์

การใช้งาน

  • ปกป้องวงจรจากการจำหน่ายกระแสไฟเกิน

(เซิร์ฟเวอร์ หน่วยความจำ SSDs คอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊ก คอนโซลเกม อุปกรณ์ AR และ VR และอื่น ๆ)

คุณสมบัติ

  • วัดกระแสไฟฟ้าเกินได้อย่างแม่นยำ : ±11% @Ta=-40 ถึง +85℃, ILIM=4.38A
  • ป้องกันไฟลัดวงจรด้วยความเร็วสูง : tFastOffDly=150ns (typ.) @Ta=-40 to +85℃
  • จ่ายไฟได้สูง : IOUT=0 ถึง 5.0A
  • ขนาดบางกะทัดรัด : 3.00×3.00มม. (typ.), t=0.75มม. (สูงสุด)

คุณสมบัติจำเพาะหลัก

(@Ta=25℃ นอกจากว่ามีการระบุไว้)

หมายเลขชิ้นส่วน

TCKE800NA

[1]

TCKE800NL

[1]

TCKE805NA

TCKE805NL

TCKE812NA

[1]

TCKE812NL

[1]

แพ็คเกจ

ชื่อ

WSON10B

ประเภทขนาด (มม.)

3.00×3.00, t=0.75 สูงสุด

ช่วงกระแสไฟขณะใช้งาน

แรงดันไฟขาเข้า VIN (V)

4.4 ถึง 18

กระแสไฟขาออก IOUT (A)

0 ถึง 5.0

ความต้านทานขณะใช้งาน RON typ. (mΩ)

28

ความแม่นยำในการตัดไฟเมื่อกระแสไฟฟ้าเกิน (%)

±11[2]

แคลมป์วัดแรงดันไฟเกิน VOVC typ. (V)

6.04

15.1

ความหน่วงอุปกรณ์เปรียบเทียบวงจร

tFastOffDly typ. (ns)

@Ta=-40 ถึง +85℃

150

ประเภทการกู้คืนวงจร

Auto-retry

Latched

Auto-retry

Latched

Auto-retry

Latched

ปรับตัวควบคุมอัตราสลูวได้

ตรวจสอบสต็อก & ซื้อ

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

หมายเหตุ :
[1] อยู่ระหว่างการพัฒนา
[2] @Ta=-40 ถึง +85℃, ILIM=4.38A

ดูเพิ่มเติมเกี่ยวกับไลน์ผลิตภัณฑ์วงจรรวมที่มาพร้อมฟิวส์อิเล็กทรอนิกส์ ได้จากลิงก์ด้านล่างนี้
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/linear/power-supply/efuse-ics.html

ดูแผนภาพอ้างอิงของวงจรแบบ eFuse IC ได้ที่:
Application Circuits of eFuse IC TCKE805 Series
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/design-support/referencedesign/efuse-ic_PowerManagement_RD164.html

ตรวจสอบจำนวนผลิตภัณฑ์ใหม่ที่มีจำหน่ายทางออนไลน์ผ่านตัวแทน ได้ที่:
TCKE805NA
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/buy/stockcheck.TCKE805NA.html
TCKE805NL
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/buy/stockcheck.TCKE805NL.html

*ชื่อบริษัท สินค้าและบริการทั้งหมด อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ ที่กล่าวถึง

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์สัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูล ณ ปัจจุบันในวันที่ประกาศ และอาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นบริษัทใหม่ที่เต็มไปด้วยพลังและประสบการณ์ นับตั้งแต่แยกตัวออกจากบริษัทเมื่อเดือนกรกฎาคม ปี 2017 เราได้ก้าวสู่การเป็นหนึ่งในบริษัทผู้นำด้านอุปกรณ์ทั่วไป และได้นำเสนอโซลูชันเกี่ยวกับเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ ระบบ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจของเรา

เรามีพนักงานจำนวน 22,000 คนทั่วโลก ซึ่งมีความตั้งใจร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะเพิ่มยอดขายต่อปีซึ่งปัจจุบันมีมูลค่ากว่า 8 แสนล้านเยน (7 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ให้สูงขึ้น เพื่อสร้างอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน
เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับเราที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.comhttps://www.businesswire.com/news/home/20191119005455/en/

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Chiaki Nagasawa
โทร: +81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba เปิดตัว IC ไดรเวอร์ PWM Sine-Wave แบบ 600V สำหรับมอเตอร์ไร้แปรงสามเฟส

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–30 ก.ย. 2562

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") ประกาศเปิดตัว“ TB67B000AHG” ไดรเวอร์มอเตอร์แบบไร้แปรงแบบสามเฟสรุ่นใหม่สำหรับเครื่องใช้ในบ้าน เช่น เครื่องปรับอากาศ เครื่องฟอกอากาศ เครื่องลดความชื้น และพัดลมติดเพดาน โดยไดรเวอร์รุ่นใหม่นี้เป็นการเพิ่มแรงดันไฟฟ้าสูงให้กับผลิตภัณฑ์ชุด“ TB67B000 ซีรีส์” ซึ่งทำให้ไดรเวอร์มอเตอร์แบบไร้แปรงที่มีประสิทธิภาพสูงและลดสัญญาณรบกวนรวมกันเอาไว้ภายในแพ็คเกจเดียว

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีคุณสมบัติเป็นมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20190930005261/en/

Toshiba: 600V sine-wave PWM driver IC "TB67B000AHG" for three-phase brushless motors (Photo: Business Wire)

โตชิบา: ไดรเวอร์ PWM คลื่นไซน์ 600V IC "TB67B000AHG" สำหรับมอเตอร์แบบไร้แปรงสามเฟส (ภาพ: Business Wire)

ขณะนี้กำลังมีความต้องการมอเตอร์แบบไร้แปรงถ่านสามเฟสประสิทธิภาพสูงที่สามารถลดการใช้พลังงานและสามารถจัดการกับความผันผวนของแรงดันไฟฟ้าเพิ่มขึ้น โดยเฉพาะอย่างยิ่งในหมู่ประเทศเศรษฐกิจเกิดใหม่ มอเตอร์ดังกล่าวต้องการไอซีของไดร์เวอร์ PWM แรงดันสูงเพื่อรักษาประสิทธิภาพที่สูงของผลิตภัณฑ์เอาไว้

ไดรเวอร์ TB67B000AHG ขนาด 600V  ที่พัฒนาขึ้นใหม่ของโตชิบาสามารถใช้งานร่วม (pin- compatible)กับ  TB67B000HG ขนาด 500V ที่ใช้อยู่ในปัจจุบันและสามารถใช้แทนที่รุ่น 500V ได้อย่างง่ายดาย ทั้งนี้โตชิบากำลังพัฒนารุ่น“ TB67B000AFG” แบบที่มีขนาดกะทัดรัดยิ่งขึ้นในแพ็คเกจ HSSOP 34 พินขนาดเล็ก[1] ซึ่งจะวางจำหน่ายในเดือนพฤศจิกายน 2562

คุณสมบัติหลัก

  • อัตรากำลัง 600V ช่วยเพิ่มความสามารถของผลิตภัณฑ์
    ช่วยทำให้มั่นใจได้ว่าผลิตภัณฑ์มีภูมิต้านทานต่อความผันผวนของแรงดันไฟฟ้าได้ดีกว่ารุ่น TBVB67B000HG 500V ที่ใช้อยู่ในปัจจุบัน ความเข้ากันได้ของพินทำให้สามารถมาทดแทน IC ที่ใช้งานกันอยู่ได้อย่างง่ายดาย
  • สามารถใช้งานไดรฟ์ PWM sine-wave ที่ระดับ 600V / 2A ได้ในแพ็คเกจเดียว
    การควบคุมมอเตอร์ IC Sine-wave และ IGBT (พิกัด 600V / 2A) ถูกรวมอยู่ในแพ็คเกจเดียว สิ่งนี้จะช่วยลดขนาดของพื้นที่ติดตั้งและเลย์เอาต์ของบอร์ดและช่วยลดต้นทุนโดยรวมของระบบ
  • เสียงรบกวนต่ำและการสั่นสะเทือนต่ำ
    การใช้ระบบไดรฟ์ sine-wave ที่มีรูปคลื่นที่ราบรื่นช่วยลดเสียงรบกวนและทำให้เกิดการสั่นสะเทือนน้อยกว่ามอเตอร์ที่มีระบบไดรฟ์รูปคลื่นสี่เหลี่ยม

การใช้งาน

เครื่องใช้ในบ้าน เช่น เครื่องปรับอากาศ และเครื่องฟอกอากาศ เครื่องลดความชื้น พัดลมเพดาน และอุปกรณ์อุตสาหกรรมอื่น ๆ

คุณสมบัติหลัก

ชื่อผลิตภัณฑ์

ผลิตภัณฑ์ใหม่

TB67B000AHG

อยู่ระหว่างการพัฒนา

TB67B000AFG

ผลิตภัณฑ์ ณ ปัจจุบัน

TB67B000HG

ผลิตภัณฑ์ ณ ปัจจุบัน

TB67B000FG

แรงดันไฟฟ้า

(อัตราสูงสุด absolute maximum rating)

สำหรับการทำงานของมอเตอร์: 600V

สำหรับการทำงานของมอเตอร์: 500V

สำหรับตัวควบคุม: 18V

บรรจุภัณฑ์

HDIP30

(พื้นที่ติดตั้ง:

32.8 × 13.5 มม.)

HSSOP34

(พื้นที่ติดตั้ง:

17.5 × 11.93 มม.)

HDIP30

(พื้นที่ติดตั้ง:

32.8 × 13.5 มม.)

HSSOP34

(พื้นที่ติดตั้ง:

17.5 × 11.93 มม.)

แรงดันไฟฟ้า

(ช่วงเรนจ์ของการปฏิบัติงาน)

สำหรับการทำงานของมอเตอร์: 50 ถึง 450V

สำหรับตัวควบคุม: 13.5 ถึง 16.5V

กระแสเอาต์พุต

(ช่วงเรนจ์ของการปฏิบัติงาน)

2A

วิธีการไดรฟ์

Sine-wave PWM drive / การเปลี่ยนรูปสี่เหลี่ยมคางหมู

ความถี่ PWM

14kHz ถึง 23kHz

Lead angle control

ไดรฟ์ PWM แบบ Sine-wave: 0 ถึง 58 ° / 32 ขั้นตอน

การเปลี่ยนรูปทรงสี่เหลี่ยมคางหมู: 0 ถึง 28 ° / 16 ขั้นตอน

แรงดันไฟฟ้าขาเข้าสำหรับ

คำสั่งความเร็วในการหมุน

การทำงานของมอเตอร์: 2.1Vถึง 5.4V

คุณสมบัติ

• IGBT ในตัวสะพานสามเฟสในตัว

•วงจรออสซิลเลชันในตัว (ตัวต้านทานเชื่อมต่อภายนอก)

•bootstrap ไดโอดในตัว

•ฟังก์ชั่นตรวจจับข้อผิดพลาดในตัว: ตัวจำกั กระแสไฟ, การปิดระบบระบายความร้อน, การล็อคกระแสไฟฟ้าที่ต่ำไป และการตรวจจับล็อคมอเตอร์

• วงจรควบคุมในตัว

(5V/35mA , 5V/30mA)

• วงจรควบคุมในตัว

(5V/35mA , 7V/30mA)

ตรวจสอบสต็อกและซื้อ

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

[1]: แพ็คเกจหดโครงสร้างขนาดเล็กพร้อมชุดระบายความร้อน

สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่และรายการอื่น ๆ กรุณาเยี่ยมชม:

TB67B000AHG

https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TB67B000AHG&lang=en

TB67B000HG

https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TB67B000HG&lang=en

TB67B000FG

https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TB67B000FG&lang=en

เพื่อตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่กับผู้จัดจำหน่ายออนไลน์กรุณาเยี่ยมชม:

TB67B000AHG

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/buy/stockcheck.TB67B000AHG.html

TB67B000HG

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/buy/stockcheck.TB67B000HG.html

TB67B000FG

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/buy/stockcheck.TB67B000FG.html

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัท นั้น ๆ

ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:

System Devices Marketing Dept.II

โทร: +81-3-3457-3332

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคา และข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหา บริการและข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลล่าสุดในวันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

โตชิบาอิเลคทรอนิกส์แอนด์สตอเรจคอร์ปอเรชั่นรวมความแข็งแกร่งของบริษัทใหม่เข้ากับภูมิปัญญาและประสบการณ์ โดยนับตั้งแต่ได้รับการเปิดตัวจากบริษัทโตชิบาในเดือนกรกฎาคม 2560เราได้ก้าวเข้ามาเป็นหนึ่งในบริษัทอุปกรณ์ทั่วไปชั้นนำและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้แก่ลูกค้า และหุ้นส่วนทางธุรกิจในธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกตัวระบบ LSI และ HDD

พนักงานของเราจำนวน 22,000 คน ทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเราและให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆเราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะสร้างยอดขายรายปีให้สูงกว่าในปัจจุบัน หรือ 8 แสนล้านเยน(7พันล้านเหรียญสหรัฐ) เพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคนทุกที่

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20190930005261/en/

ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

ฝ่ายการตลาดดิจิตัล

Chiaki Nagasawa

โทร: +81-3-3457-4963

semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Memory Corporation เปิดตัวผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลช NAND ใหม่สำหรับอุปกรณ์แบบฝังตัว รองรับการถ่ายโอนข้อมูลด้วยความเร็วสูง

Logo

เจเนอเรชันที่สองของผลิตภัณฑ์ NAND แบบซีเรียลอินเทอร์เฟสมาพร้อมประสิทธิภาพและความจุที่มากขึ้น

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–26 กันยายน 2562

Toshiba Memory Corporation ผู้นำด้านโซลูชันหน่วยความจำระดับโลก ประกาศในวันนี้ว่าบริษัทได้เปิดตัวผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลช NAND เจเนอเรชันที่สอง สำหรับสำหรับอุปกรณ์แบบฝังตัว มาพร้อมประสิทธิภาพและความจุที่มากขึ้น[1] เพื่อรองรับการถ่ายโอนข้อมูลด้วยความเร็วสูง ผลิตภัณฑ์ NAND แบบซีเรียลอินเทอร์เฟสใหม่สามารถใช้ได้กับพอร์ตสื่อสาร SPI ที่มีการใช้งานอย่างกว้างขวาง และเหมาะกับการใช้งานกับอุปกรณ์ทั่วไปสำหรับผู้บริโภค อุปกรณ์อุตสาหกรรม และอุปกรณ์สื่อสารมากมายหลายประเภท บริษัทจะเริ่มจัดส่งผลิตภัณฑ์ตัวอย่างวันนี้ ขณะที่การผลิตเพื่อจำหน่ายมีกำหนดเริ่มต้นตั้งแต่เดือนตุลาคมเป็นต้นไป

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยเนื้อหามัลติมีเดีย ดูแบบเต็มรูปแบบได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20190925006002/en/

Toshiba Memory Corporation: Second-generation Serial Interface NAND Products (Photo: Business Wire)

Toshiba Memory Corporation: เจเนอเรชันที่สองของผลิตภัณฑ์ NAND แบบซีเรียลอินเทอร์เฟส (รูปภาพ: Business Wire)

ขณะที่อุปกรณ์สื่อสารและอุปกรณ์ IoT มีขนาดเล็กลง ความต้องการหน่วยความจำแฟลชที่มีขนาดความจุสูง ในแพ็คเกจขนาดเล็ก และสามารถโอนข้อมูลด้วยความเร็วสูงแต่มีจำนวนขาน้อยกลับสูงขึ้น และด้วยการที่ผลิตภัณฑ์ NAND แบบซีเรียลอินเทอร์เฟสสามารถใช้ได้กับพอร์ต SPI ซึ่งใช้กันอย่างแพร่หลาย จึงสามารถทำหน้าที่เป็นผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชแบบ SLC NAND ที่มีจำนวนขาน้อย มีขนาดเล็ก และมีความจุสูงได้ในตัว

เพื่อรองรับการโอนข้อมูลด้วยความเร็วสูง ผลิตภัณฑ์ NAND แบบซีเรียลอินเทอร์เฟสเจเนอเรชันที่สองจึงมาพร้อมกับประสิทธิภาพที่สูงขึ้นเมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ในเจเนอเรชันที่หนึ่ง[1] รวมถึงย่านความถี่ใช้งานที่ 133 เมกะเฮิรตซ์ (MHz) และโหมดการทำงานแบบ program x4 นอกจากนี้ยังมีการเพิ่มอุปกรณ์ขนาด 8 gigabit (1 gigabyte) [2] เข้ามาในไลน์อัพของผลิตภันฑ์ด้วย เพื่อตอบสนองความต้องการของขนาดความจุหน่วยความจำที่ใหญ่ขึ้น

สรุปเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่

หมายเลขชิ้นส่วน

ความจุ

I/O

แรงดันไฟฟ้า

แพ็คเกจ

เริ่มผลิตเพื่อจำหน่าย

TC58CVG0S3HRAIJ

1Gb

x1, x2, x4

3.3V

8ขา

WSON[3]

(6มม. x 8มม.)

ตุลาคม 2562

TC58CYG0S3HRAIJ

1.8V

ตุลาคม 2562

TC58CVG1S3HRAIJ

2Gb

3.3V

ตุลาคม 2562

TC58CYG1S3HRAIJ

1.8V

ตุลาคม 2562

TC58CVG2S0HRAIJ

4Gb

3.3V

ตุลาคม 2562

TC58CYG2S0HRAIJ

1.8V

ตุลาคม 2562

TH58CVG3S0HRAIJ

8Gb

3.3V

ธันวาคม 2562

TH58CYG3S0HRAIJ

1.8V

ธันวาคม 2562

คุณสมบัติที่สำคัญ

ความจุ

1Gb, 2Gb, 4Gb, 8Gb

ขนาดเพจ

2KByte (1Gb, 2Gb), 4KByte (4Gb, 8Gb)

อินเทอร์เฟส

Serial Peripheral Interface Mode 0, Mode 3

แรงดันแหล่งจ่ายไฟ

2.7 ถึง 3.6V, 1.7 ถึง 1.95V

ช่วงอุณหภูมิขณะใช้งาน

-40 oC ถึง 85 oC

คุณสมบัติ

• ย่านความถี่ใช้งาน 133MHz

• โหมด Program / Read x4

• ฟังก์ชันอ่านข้อมูลตามลำดับด้วยความเร็วสูง

• ฟังก์ชัน ECC (ON/OFF, bit flip count report)

• ฟังก์ชันป้องกันข้อมูล (สามารถเลือกป้องกันข้อมูลเฉพาะบางบล็อกได้)

• ฟังก์ชัน Parameter Page (สามารถแสดงข้อมูลแบบรายละเอียดบนอุปกรณ์ได้)

หมายเหตุ
[1] เปรียบเทียบกับผลิตภัณฑ์ NAND แบบซีเรียลอินเทอร์เฟสเจเนอเรชันหนึ่งของ Toshiba Memory Corporation ทำการสำรวจโดย Toshiba Memory
[2] ความจุของผลิตภัณฑ์ระบุตามขนาดหน่วยความจำของชิปภายในผลิตภัณฑ์​ ไม่​ได้​บ่งบอก​ถึงจำนวน​หน่วย​ความ​จำ​ที่​ว่าง​สำห​รับ​จัดเก็บ​ข้อมูล​ของ​ผู้​ใช้​ปลายทาง​ ขนาด​ความจุ​ที่​ผู้​บริโภค​สามารถ​ใช้ได้จะลดลงตาม​พื้นที่​ข้อมูล​ที่​ที่​ใช้​ การ​ฟอร์แมต​ บล็อก​ที่​ไม่​ดี​ และข้อ​จำกัด​อื่น​ ๆ​ และ​อาจ​แตกต่าง​กัน​ออก​ไป​ขึ้น​อยู่​กับอุปกรณ์​ที่​เป็น​โฮสต์​และ​การ​ใช้​งาน​ สำห​รับ​รายละเอียด​เพิ่มเติม​ โปรด​ดู​จาก​ข้อมูล​จำเพาะ​ของ​ผลิตภัณฑ์​
[3] WSON: คือแพ็คเก็จขนาดที่เล็กมาก และไม่มีตะกั่วเป็นส่วนประกอบ

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการที่กล่าวถึงในที่นี้อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทเหล่านั้น

ข้อมูลติดต่อสำหรับลูกค้า:
Toshiba Memory Corporation
ฝ่ายขายและการตลาดหน่วยความจำ
โทร: +81-3-6478-2412
https://business.toshiba-memory.com/en-jp/contact.html

ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูล ณ ปัจจุบันในวันที่ประกาศ และอาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่นี่ businesswire.comhttps://www.businesswire.com/news/home/20190925006002/en/

ข้อมูลติดต่อสำหรับสื่อ:
Toshiba Memory Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404

Toshiba เปิดตัวโฟโตรีเลย์ขับเคลื่อนแรงดันไฟฟ้า หรือ Voltage Driven Photorelay ในแพ็คเกจที่เล็กที่สุดในอุตสาหกรรม ที่มาพร้อมกับการกระจายกำลังไฟที่ลดลง

Logo

ช่วยลดขนาดอุปกรณ์และการใช้พลังงานในการใช้งานอุปกรณ์ทดสอบ

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–25 ก.ย. 2562

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“ โตชิบา”) ได้เริ่มจัดส่ง“ TLP3407SR” โฟโตรีเลย์ที่ขับเคลื่อนด้วยแรงดันไฟฟ้าใหม่ที่ให้การกระจายพลังงานที่ต่ำกว่าเดิม และใช้พื้นที่ติดตั้งขนาดเล็กที่สุด[1] ในอุตสาหกรรม

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีคุณสมบัติเป็นมัลติมีเดีย ดูข่าวฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20190925005297/en/

Toshiba: a new voltage driven photorelay “TLP3407SR” that delivers lower power dissipation and the industry's smallest mounting area. (Photo: Business Wire)

Toshiba: โฟโตเรเลย์ขับเคลื่อนด้วยแรงดันไฟฟ้าใหม่“ TLP3407SR” ที่ให้การกระจายพลังงานที่ต่ำกว่าและพื้นที่ติดตั้งที่เล็กที่สุดในอุตสาหกรรม (ภาพ: Business Wire)

ทั้งนี้ รุ่น TLP3407SR มีกระแสไฟ LED จำกัดที่สูงที่สุดที่ 1mA ที่อินพุตแรงดันไฟฟ้า ซึ่งเป็นแรงดันไฟฟ้าที่ลดลงมาประมาณหนึ่งในสามของรุ่น "TLP3407SRH" ก่อนหน้านี้ ด้วยโฟโตรีเลย์ใหม่นี้จะลดการกระจายกำลังไฟฟ้าอินพุตสูงสุดถึง 3.3mW [2]  เพื่อสนับสนุนการใช้พลังงานที่ต่ำกว่า โดยการใช้อุปกรณ์ เช่น การ์ดโพรบ (probe cards) อุปกรณ์ทดสอบเซมิคอนดักเตอร์อัตโนมัติ (ATE), เซมิคอนดักเตอร์ทดสอบและบอร์ดของการใช้งานที่เกี่ยวข้อง

เมื่ออินพุตเป็นไฟฟ้าแรงสูง 5V หรือมากกว่านั้น โฟโตรีเลย์ใหม่สามารถขับเคลื่อนได้โดยการเพิ่มตัวต้านทานภายนอกแบบเป็นชุด ซึ่งช่วยให้สามารถใช้กระแสไฟ LED ทริกเกอร์อ้างอิงสูงสุด 0.2mA วิธีการนี้ทำให้การออกแบบกระแสไฟฟ้าอินพุตต่ำลงในวงจรทดสอบ

แพ็คเกจแบบ S-VSON4T[3]  ขนาดเล็กของรุ่น TLP3407SR มีพื้นที่ติดตั้งขนาด 2.9 ตาราง มม.  ซึ่งเล็กกว่าแพคเกจ VSONR4[4] ปัจจุบันประมาณ 27% และเล็กที่สุดในอุตสาหกรรม[1] รองรับการลดขนาดอุปกรณ์ เช่น โพรบการ์ด หรือการติดตั้งโฟโตรีเลย์เพิ่มเติม

การใช้งาน

  • โพรบการ์ด
  • อุปกรณ์ทดสอบเซมิคอนดักเตอร์อัตโนมัติ (ATE)
  • เครื่องทดสอบลอจิกและหน่วยความจำ ฯลฯ
  • เครื่องมือวัด (Oscilloscope, Data logger, ฯลฯ )

คุณสมบัติ

  • กำลังไฟเข้าต่ำ: 3.3mW (สูงสุด) @3.3V, ILIM(LED)=1mA (max)
  • พื้นที่ติดตั้งที่เล็กที่สุดในอุตสาหกรรม[1]: 2.9 ตร.มม.(typ.)
  • แรงดันไฟฟ้าอินพุตสองตัวที่นำมาใช้สำหรับสัญญาณควบคุม: DC 3.3V (typ.) และ DC5V (typ.)

คุณสมบัติหลัก

(@Ta=25 ℃)

หมายเลขชิ้นส่วน

TLP3407SR

TLP3406SRH

[5]

TLP3406SRL

[5]

TLP3407SRH

[5]

TLP3407SRL

[5]

TLP3412SRH

[5]

แพคเกจ

S-VSON4T

Absolute

maximum

ratings

เทอร์มินัลเอาต์พุต OFF-state

โวลต์ VOFF (V)

60

30

30

60

60

60

กระแส On-state ION (A)

1

1.5

1.5

1

1

0.4

กระแส On-state  (pulsed)

IONP (A)

3

4.5

4.5

3

3

1.2

เงื่อนไขการดำเนินงานที่แนะนำ

Applied input forward voltage

VIN (typ.) (V)

3.3

3.3

1.8

3.3

1.8

3.3

ลักษณะด้านไฟฟ้า

Limited LED current

ILIM(LED) max (mA)

@VIN

1

(@3.3 V)

กระแส Trigger LED

IFT max (mA)

0.2

แรงดันไฟฟ้าขณะทำงาน

VFON max (V)

3

3

1.6

3

1.6

3

แรงต้าไฟฟ้า ON-state

RON max (Ω)

0.3

0.2

0.2

0.3

0.3

1.5

ความจุเอาท์พุท

COFF typ. (pF)

80

120

120

80

80

max 20

กระแส OFF-stat e

IOFF max (nA)

@VOFF

1

(@50V)

1

(@20V)

1

(@20V)

1

(@50V)

1

(@50V)

1

(@50V)

คุณสมบัติการเปิดปิด

ระยะเวลาการเปิด tON max (ms)

20

2

2

2

1

0.5

ระยะเวลาการปิด tOFF max (ms)

1

0.2

0.2

0.2

0.2

0.2

คุณสมบัติไอโซเลชั่น

แรงดันไอโซเลชั่น

BVS min (Vrms)

500

500

500

500

500

500

การตรวจสอบสต็อกและซื้อ

Buy Online

Buy Online

Buy Online

Buy Online

Buy Online

Buy Online

หมายเหตุ:

[1] สำหรับผลิตภัณฑ์โฟโตรีเลย์ จากแบบสำรวจของโตชิบา ณ วันที่ 24 กันยายน 2563

[2] @ เวลาพร้อมอินพุต 3.3V

[3] S-VSON4T: 2.0×1.45mm (typ.)

[4] VSONR4: 2.75×1.45mm (typ.)

[5] ผลิตภัณฑ์ปัจจุบัน

คลิกที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์โฟโตรีเลย์ของโตชิบา

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/opto/photorelay.html

สำหรับการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่กับผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ กรุณาเยี่ยมชมที่

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/buy/stockcheck.TLP3407SR.html

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของ บริษัทนั้น ๆ

สำหรับการสอบถามของลูกค้า:

ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ Optoelectronic

โทร +81-3-3457-3431

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคา และข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหา บริการและข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลล่าสุดในวันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

โตชิบาอิเลคทรอนิกส์แอนด์สตอเรจคอร์ปอเรชั่นรวมความแข็งแกร่งของบริษัทใหม่เข้ากับภูมิปัญญาและประสบการณ์ โดยนับตั้งแต่ได้รับการเปิดตัวจากบริษัทโตชิบาในเดือนกรกฎาคม 2560เราได้ก้าวเข้ามาเป็นหนึ่งในบริษัทอุปกรณ์ทั่วไปชั้นนำและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้แก่ลูกค้า และหุ้นส่วนทางธุรกิจในธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกตัวระบบ LSI และ HDD

พนักงานของเราจำนวน 22,000 คน ทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเราและให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆเราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะสร้างยอดขายรายปีให้สูงกว่าในปัจจุบัน หรือ 8 แสนล้านเยน(7พันล้านเหรียญสหรัฐ) เพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคนทุกที่

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20190925005297/en/

ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

ฝ่ายการตลาดดิจิตัล

Chiaki Nagasawa

โทร +81-3-3457-4963

semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Memory Corporation เตรียมจัดแสดงไดร์ฟ SSD สำหรับองค์กรประเภท PCIe® 4.0 NVMe™ ซึ่งเร็วที่สุดในอุตสาหกรรม ในงาน Flash Memory Summit

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–07 สิงหาคม 2562

Toshiba Memory Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยจัดเก็บข้อมูล ประกาศถึงการพัฒนาไดร์ฟจัดเก็บข้อมูลแบบ SSD สำหรับอุปกรณ์ที่ใช้ในองค์กร ประเภท PCIe® 4.0 NVMe™ ซึ่งเป็นประเภทที่เร็วที่สุดของอุตสาหกรรม[1] มาพร้อมประสิทธิภาพการอ่านข้อมูลแบบทิศทางเดียว (sequential) กว่า 6.4GB/s โดยจะมีการจัดแสดงตัวอย่างและต้นแบบของไดร์ฟ SSD ตระกูล CM6 ที่บูธ Toshiba Memory America (หมายเลขบูธ 307 ห้อง A) ในงาน Flash Memory Summit ณ เมืองซานตาคลารา ประเทศสหรัฐอเมริกา ซึ่งจะจัดขึ้นจนถึงวันที่ 8 สิงหาคมนี้

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้มีเนื้อหาในรูปแบบมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20190806006034/en/

Toshiba Memory Corporation: Industry’s Fastest-class PCIe(R) 4.0 SSDs for Enterprise Applications “CM6 Series” (Photo: Business Wire)

Toshiba Memory Corporation: ไดร์ฟตระกูล CM6 ประเภท PCIe(R) 4.0 ซึ่งเร็วที่สุดในอุตสาหกรรม สำหรับอุปกรณ์ที่ใช้ในองค์กร (รูปภาพ: Business Wire)

ไดร์ฟ SSD ตระกูล CM6 นี้รองรับมาตรฐาน PCIe® Gen4 x4 lanes แบบพอร์ตคู่ และ NVMe™ 1.4 โดยไดร์ฟ SSD แบบ NVMe สำหรับองค์กรนี้จะวางจำหน่ายพร้อมฟอร์มแฟคเตอร์ขนาด 2.5 นิ้ว และมีความจุตั้งแต่ 800GB ไปจนถึง 30TB รวมถึงตัวเลือกด้านอายุการใช้งาน (Drive Write Per Day) ให้เลือก 1 หรือ 3 แบบ

ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับบูธของ Toshiba Memory America ในงาน Flash Memory Summit ได้จากลิงก์ด้านล่างนี้

https://business.toshiba-memory.com/en-us/company/tma/news/2019/08/ssd-20190806-2.html

หมายเหตุ 

[1] ข้อมูลเมื่อ 7 สิงหาคม 2562 จากการสำรวจข้อมูลไดรฟ์ SSD สำหรับองค์กรโดย Toshiba Memory Corporation

[2] คำจำกัดความของความจุ: Toshiba Memory Corporation กำหนด 1 กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ และ 1 เทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตามระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์รายงานความจุหน่วยเก็บข้อมูลโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2 ^ 30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์, 1TB = 2 ^ 40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงมีความจุน้อยกว่า ทั้งนี้ความจุในการจัดเก็บ (รวมถึงตัวอย่างของไฟล์สื่อต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ เช่นระบบปฏิบัติการ Microsoft® และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่ฟอร์แมตจริงอาจแตกต่างกันไป

*NVMe เป็นเครื่องหมายการค้าของ NVM Express, Inc. 

*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าของ PCI-SIG. 

*ชื่อบริษัท ผลิตภัณฑ์ และบริการทั้งหมดที่กล่าวถึงอาจเป็นเครื่องหมายทางการค้าของบริษัทนั้น ๆ

ข้อมูลติดต่อสำหรับลูกค้า: 
ฝ่ายส่งเสริมการขาย 
โทร: +81-3-6478-2421 
https://business.toshiba-memory.com/en-apac/contact.html

ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาผลิตภัณฑ์และข้อมูลจำเพาะ เนื้อหาด้านการบริการและข้อมูลในการติดต่อเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ ซึ่งอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.comhttps://www.businesswire.com/news/home/20190806006034/en/

ข้อมูลติดต่อสำหรับสื่อ: 
Toshiba Memory Corporation 
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย 
Koji Takahata 
โทร: +81-3-6478-2404