Tag Archives: toshiba

Toshiba เปิดตัว Power MOSFET แบบ N-channel 150V พร้อมความต้านทานต่อไฟฟ้าต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม และคุณลักษณะการฟืนตัวย้อนกลับที่ได้รับการปรับปรุงซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้กับแหล่งจ่ายไฟ

March 31, 2023 Jasmine

Logo

คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–30 มีนาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว Power MOSFET แบบ N-channel 150V “TPH9R00CQ5” ซึ่งใช้กระบวนการ U-MOSX-H เจนเนอเรชันล่าสุด^[2] สำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งของอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร โดยเริ่มจัดส่งวันนี้

Toshiba: TPH9R00CQ5, a 150V N-channel power MOSFET that helps increase the efficiency of power supplies. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: TPH9R00CQ5 ที่เป็น Power MOSFET แบบ N-channel 150V ที่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้กับแหล่งจ่ายไฟ (กราฟิก: Business Wire)

TPH9R00CQ5 นำเสนอความต้านทานต่อไฟฟ้าเดรนต่ำของแหล่งที่มาชั้นนำในอุตสาหกรรม^[1] ที่ 9.0mΩ (สูงสุด) ซึ่งลดลงประมาณ 42% จากผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่ของ Toshiba “TPH1500CNH1^[3]” เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่ของ Toshiba “TPH9R00CQH^[4]” ค่าการฟืนตัวย้อนกลับจะลดลงประมาณ 74% และช่วงเวลาฟืนตัวย้อนกลับ^[5] ประมาณ 44% ซึ่งทั้งสองคุณลักษณะการฟืนตัวย้อนกลับมีความสำคัญกับแอปพลิเคชันการแก้ไขแบบซิงโครนัส ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ที่ใช้ในแอปพลิเคชันการแก้ไขแบบซิงโครนัส^[6] ช่วยลดการสูญเสียพลังงานของแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งและช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพ นอกจากนี้ เมื่อเทียบกับ TPH9R00CQH ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ช่วยลดแรงดันสไปค์ที่เกิดขึ้นระหว่างสวิตชิ่ง ซึ่งช่วยลด EMI ของแหล่งจ่ายไฟ

ผลิตภัณฑ์นี้ใช้แพ็คเกจยอดนิยม SOP Advance(N) ชนิดติดตั้งบนพื้นผิว

Toshiba ยังมีเครื่องมือที่สนับสนุนการออกแบบวงจรสำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง นอกเหนือจากรุ่น G0 SPICE ซึ่งตรวจสอบการทำงานของวงจรในเวลาอันสั้นแล้ว รุ่น G2 SPICE ที่มีความแม่นยำสูงซึ่งสร้างลักษณะเฉพาะชั่วคราวได้อย่างแม่นยำก็มีวางจำหน่ายแล้วเช่นกัน

Toshiba ยังได้พัฒนาการออกแบบอ้างอิง “ตัวแปลง DC-DC แบบไม่มีแยก Buck-Boost ขนาด 1 กิโลวัตต์สำหรับอุปกรณ์โทรคมนาคม” และ “อินเวอร์เตอร์สามเฟสหลายระดับโดยใช้ MOSFET” ที่ใช้ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ ซึ่งมีอยู่ในเว็บไซต์ของ Toshiba ตั้งแต่วันนี้ ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้สามารถใช้กับการออกแบบอ้างอิง “ตัวแปลง DC-DC แบบฟูลบริดจ์ขนาด 1 กิโลวัตต์” ที่เผยแพร่แล้วได้

Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ Power MOSFET ที่ช่วยลดการสูญเสียพลังงาน เพิ่มประสิทธิภาพของแหล่งจ่ายไฟ และช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์ต่อไป

การใช้งาน

แหล่งจ่ายไฟของอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น ที่ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร
แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง (ตัวแปลง DC-DC ประสิทธิภาพสูง และอื่น ๆ)

คุณสมบัติ

ความต้านทานไฟฟ้าต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม^[1]: R_DS(ON)=9.0mΩ (สูงสุด) (V_GS=10V)
ค่าการฟื้นตัวย้อนกลับชั้นนำในอุตสาหกรรม^[1]: Q_rr=34nC (typ.) (-dI_DR/dt=100A/μs)
ช่วงเวลาฟื้นตัวย้อนกลับอย่างรวดเร็วชั้นนำในอุตสาหกรรม^[1]: t_rr=40ns (typ.) (-dI_DR/dt=100A/μs)
ระดับอุณหภูมิช่องสูง: T_ch (สูงสุด)=175°C

หมายเหตุ:
[1] ณ เดือนมีนาคม 2023 เปรียบเทียบกับผลิตภัณฑ์ 150V อื่น ๆ ผลสำรวจของ Toshiba

[2] ณ เดือนมีนาคม 2023

[3] ผลิตภัณฑ์ 150V ที่ใช้กระบวนการสร้างที่มีอยู่ U-MOSVIII-H

[4] ผลิตภัณฑ์ที่ใช้กระบวนการสร้างรุ่นเดียวกับ TPH9R00CQ5 และมีแรงดันไฟฟ้าและความต้านทานไฟฟ้าแบบเดียวกัน

[5] การดำเนินการสวิตชิ่งที่ไดโอดตัว MOSFET เปลี่ยนจากไปข้างหน้าเป็นย้อนกลับ

[6] หากใช้ผลิตภัณฑ์ใหม่ในวงจรที่ไม่ได้ดำเนินการฟื้นตัวย้อนกลับ การสูญเสียพลังงานจะเทียบเท่ากับ TPH9R00CQH

ข้อกำหนดหลัก
(T_a=25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
หมายเลขชิ้นส่วน			TPH9R00CQ5
การจัดอันดับ สูงสุด แบบสัมบูรณ์	แรงดันจากเดรน V_DSS (V)		150
	กระแสเดรน (DC) I_D (A)	T_c=25°C	64
	อุณหภูมิช่อง T_ch (°C)		175
คุณสมบัติทางไฟฟ้า	ความต้านทานต่อไฟฟ้าจากเดรน R_DS(ON) max (mΩ)	V_GS=10V	9.0
		V_GS=8V	11.0
	ค่าเกตทั้งหมด Q_g typ. (nC)		44
	ค่าการสลับเกต Q_SW typ. (nC)		11.7
	ค่าเอาต์พุต Q_oss typ. (nC)		87
	ค่าตัวเก็บประจุระหว่างอินพุต C_iss typ. (pF)		3500
	ช่วงเวลาฟืนตัวย้อนกลับ t_rrtyp. (ns)	-dI_DR/dt=100A/μs	40
	ค่าการฟืนตัวย้อนกลับ Q_rr typ. (nC)		34
แพ็กเกจ	ชื่อ		SOP Advance(N)
	ขนาด typ. (มม.)		4.9 x 6.1 x 1.0
การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน			ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TPH9R00CQ5

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับรายละเอียดที่เกี่ยวข้องกับผลิตภัณฑ์ใหม่

U-MOSX-H ซีรีส์ 150V MOSFET เหมาะอย่างยิ่งสำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งที่มีประสิทธิภาพ

การปรับปรุงประสิทธิภาพโดยอินเวอร์เตอร์หลายระดับพร้อม 150V MOSFET

ตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFETs

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่

TPH9R00CQ5
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และคลังข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ
พนักงานของบริษัทจำนวน 23,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ปัจจุบัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ที่มียอดขายต่อปีทะลุ 8.5 แสนล้านเยน (7.5 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง
ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: www.businesswire.com/news/home/53370162/en

ติดต่อ

ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
อีเมล: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba จัดเตรียมตัวอย่าง IC ไดรเวอร์/ตัวรับสัญญาณสำหรับอินเทอร์เฟซต่อพ่วงส่วนขยายนาฬิกาที่มีส่วนช่วยในการลดชุดสายไฟ

March 17, 2023 Jasmine

Logo

คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–16 มีนาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) จะเริ่มให้บริการตัวอย่างทดสอบ “TB9032FNG” ในเดือนนี้ ซึ่งเป็น IC ไดรเวอร์/ตัวรับสัญญาณยานยนต์สำหรับอินเทอร์เฟซชั้นกายภาพที่กำหนดไว้ใน Clock Extension Peripheral Interface (CXPI) ^[1] ซึ่งเป็นมาตรฐานโปรโตคอลการสื่อสารยานยนต์

Toshiba: TB9032FNG, an automotive driver/receiver IC for Clock Extension Peripheral Interface(CXPI) (Graphic: Business Wire)

Toshiba: TB9032FNG, IC ไดรเวอร์/ตัวรับสัญญาณในรถยนต์สำหรับอินเทอร์เฟซต่อพ่วงส่วนขยายนาฬิกา (CXPI) (กราฟิก: Business Wire)

การใช้พลังงานไฟฟ้าของรถยนต์กำลังเพิ่มจำนวนชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ในระบบยานยนต์ เพิ่มความซับซ้อนและน้ำหนักของยานพาหนะ เนื่องจากต้องใช้ชุดสายไฟมากขึ้น วิธีแก้ไขปัญหานี้อยู่ที่การเปลี่ยนระบบปัจจุบัน โดยที่อินเทอร์เฟซสำหรับมนุษย์ (HMI) ^[2]จะเชื่อมต่อสวิตช์และเซ็นเซอร์ในลักษณะแบบหนึ่งต่อหนึ่ง สำหรับระบบที่ใช้การสื่อสารในรถยนต์แบบส่งสัญญาณมัลติเพล็กซ์เพื่อชุดสายไฟ

HMI รวมเครือข่ายพื้นที่ (CAN) ^[3] และเครือข่ายเชื่อมต่อภายใน (LIN) ^[4] แบบแรกมีราคาแพง ส่วนแบบหลังขาดการตอบสนอง CXPI คือโปรโตคอลการสื่อสารในรถยนต์ที่พัฒนาขึ้นในญี่ปุ่น และตอนนี้นำมาใช้เป็นมาตรฐานสากล รวมถึงเครือข่ายย่อยในรถยนต์ที่มีราคาต่ำกว่า CAN และตอบสนองได้ดีกว่า LIN

TB9032FNG รวมการสื่อสารของ Motor Driver IC และ CXPI และเป็นอินเทอร์เฟซเครือข่ายสำหรับการใช้งานภายในรถยนต์ หรือเป็นอินเทอร์เฟซสำหรับชุดควบคุมโซนอิเล็กทรอนิกส์ (ECU) ^[5] สามารถควบคุมการทำงานต่างๆ เช่น การล็อกประตูและการควบคุมกระจกมองข้าง

ผลิตภัณฑ์ใหม่สามารถสลับระหว่างโหนดคำสั่งและโหนดตอบกลับผ่านเทอร์มินัลภายนอก นอกจากนี้ยังมีคุณสมบัติการใช้กระแสไฟ (Sleep) (I_{BAT_SLP}) ของ 5μA (typ.)^[6] โดยใช้กระแสไฟในโหมดสแตนด์บายต่ำ นอกจากนี้ยังมีฟังก์ชันการตรวจจับข้อบกพร่องที่รวมถึงการตรวจจับความร้อนสูงเกินไปและการตรวจจับแรงดันไฟฟ้าต่ำ และอยู่ในแพ็คเกจ P-SOP8-0405-1.27-002

ด้วยช่วงอุณหภูมิการทำงานที่ -40 ถึง 125°C ผลิตภัณฑ์ได้รับการออกแบบให้สอดคล้องกับ AEC-Q100 (เกรด 1) ซึ่งเป็นมาตรฐานคุณสมบัติสำหรับชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ในยานยนต์

Toshiba วางแผนที่จะใช้สินทรัพย์ทางเทคนิคของเลเยอร์กายภาพ CXPI ที่ได้รับการปลูกฝังเพื่อพัฒนาอินเตอร์เฟส IC ที่รวมคอนโทรลเลอร์ CXPI และฮาร์ดแวร์ควบคุมโปรโตคอลไว้ด้วย

หมายเหตุ:

[1] CXPI (Clock Extension Peripheral Interface): มาตรฐานการสื่อสารที่พัฒนาขึ้นในประเทศญี่ปุ่น สำหรับเครือข่ายย่อยในรถยนต์ที่ได้รับมาจาก LIN

[2] HMI (Human Machine Interface): กลไกที่เปิดใช้งานการโต้ตอบระหว่างมนุษย์และเครื่องจักร

[3] CAN (Controller Area Network): มาตรฐานการสื่อสารแบบอนุกรม ซึ่งส่วนใหญ่ใช้สำหรับเครือข่ายการสื่อสารในรถยนต์

[4] LIN (Local Interconnect Network): มาตรฐานการสื่อสารสำหรับเครือข่ายย่อยแบบออนบอร์ดที่มีต้นทุนต่ำกว่าและความเร็วต่ำกว่าที่ CAN จัดหาให้

[5] ECU (หน่วยควบคุมอิเล็กทรอนิกส์): หน่วยควบคุมอิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งส่วนใหญ่ติดตั้งในยานยนต์

[6] เงื่อนไขการวัด: V_VIO=4.5 ถึง 5.5V, V_BAT=7 to 18V, Ta=- 40 to 125°C, NSLP=L, TXD=H, BUS=V_BAT

การใช้งาน

อุปกรณ์ยานยนต์

การใช้งานระบบควบคุมตัวถัง (สวิตช์พวงมาลัย สวิตช์แผงหน้าปัด สวิตช์ไฟ ล็อกประตู กระจกมองข้าง ฯลฯ)
ECU โซน

คุณสมบัติ

อินเทอร์เฟซเลเยอร์กายภาพที่สอดคล้องกับ CXPI ซึ่งเป็นมาตรฐานสำหรับโปรโตคอลการสื่อสารในรถยนต์
การตอบสนองความเร็วสูงเหมาะสำหรับการใช้งานระบบตัวถังรถยนต์ (เทียบกับ LIN^[3])
สลับระหว่างโหนดคำสั่งและโหนดตอบกลับได้ผ่านเทอร์มินัลภายนอก
โหมดสลีปในตัว
การใช้กระแสไฟฟ้าต่ำ (สลีป) : I_{BAT_SLP}=5μA (typ.)
ฟังก์ชันการตรวจจับข้อผิดพลาดต่างๆ: การตรวจจับความร้อนสูงเกินไป การตรวจจับแรงดันไฟฟ้าต่ำ และการหมดเวลาที่โดดเด่น
พัสดุ P-SOP8-0405-1.27-002
มีคุณสมบัติ AEC-Q100 (เกรด 1)

ข้อมูลกำหนดหลัก

				(Ta=-40 to 125°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
หมายเลขชิ้นส่วน				TB9032FNG
มาตรฐาน				ISO 20794-4 (เลเยอร์กายภาพของโปรโตคอลการสื่อสารยานยนต์มาตรฐาน CXPI)
ฟังก์ชัน				ส่วนต่อประสานเลเยอร์ทางกายภาพ
การเลือกโหนด				เป็นไปได้ (สลับระหว่างโหนดคำสั่งและโหนดตอบกลับผ่านเทอร์มินัลภายนอก)
การจัดอันดับ สูงสุด แบบสัมบูรณ์	แรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟ 1 V_BAT (V)		Ta=25°C	-0.3 ถึง 40
ช่วงการทำงาน	BAT ช่วงการทำงานปกติ V_BAT (V)			7 ถึง 18
	VIO ช่วงการทำงานปกติ V_VIO (V)			4.5 ถึง 5.5
	ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน T_a(°C)			-40 ถึง 125
ปริมาณการใช้ปัจจุบัน (สลีป) I_{BAT_SLP} (μA)			Typ.	5
ความเร็วในการสื่อสาร (kbps)			สูงสุด	20
ฟังก์ชันการตรวจจับข้อผิดพลาด				การตรวจจับความร้อนสูงเกินไป การตรวจจับแรงดันไฟฟ้าต่ำ และการหมดเวลาที่โดดเด่น
แพ็กเกจ		ชื่อ		P-SOP8-0405-1.27-002
		ขนาด (มม.)	Typ.	6.0×4.9
การทดสอบความเชื่อถือได้				มีคุณสมบัติ AEC-Q100 (เกรด 1)
การผลิตสินค้าจำนวนมาก				มีนาคม 2024

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TB9032FNG

ตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ของ Toshiba สำหรับการสื่อสารเครือข่ายยานยนต์
Automotive Network Communications

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และอุปกรณ์จัดเก็บขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัทจำนวน 23,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ปัจจุบัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation มียอดขายต่อปีทะลุ 8.5 แสนล้านเยน (7.5 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง
ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53361738/en

ติดต่อ

ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายยานยนต์
ติดต่อเรา

ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อมวลชน:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
อีเมล: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

ทรานซิสเตอร์สองขั้วเกทแบบแยกฉนวนของ Toshiba ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพเครื่องปรับอากาศและอุปกรณ์อุตสาหกรรม

March 10, 2023 Jasmine

Logo

คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–9 มีนาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัวทรานซิสเตอร์สองขั้วเกทแบบแยกฉนวน (IGBT) “GT30J65MRB” 650V สำหรับการปรับปรุงค่าตัวประกอบกําลังไฟฟ้า (PFC)^[1] ของเครื่องปรับอากาศและแหล่งจ่ายไฟขนาดใหญ่สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม การจัดส่งตามปริมาณเริ่มวันนี้

Toshiba: GT30J65MRB, a discrete insulated gate bipolar transistor that boosts efficiency of air conditioners and industrial equipment. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: ทรานซิสเตอร์สองขั้วเกทแบบแยกฉนวนของ Toshiba ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพเครื่องปรับอากาศและอุปกรณ์อุตสาหกรรม (กราฟิก: Business Wire)

เซมิคอนดักเตอร์ไฟฟ้าได้รับการยอมรับว่าเป็นอุปกรณ์สำคัญในการอนุรักษ์พลังงาน รวมถึงการมุ่งสู่ความเป็นกลางทางคาร์บอน ในอุปกรณ์อุตสาหกรรมและเครื่องใช้ภายในบ้านที่ใช้พลังงานไฟฟ้ามาก ความต้องการอุปกรณ์สวิตชิ่งที่มีประสิทธิภาพสูงกำลังเพิ่มขึ้นเนื่องจากเครื่องปรับอากาศใช้อินเวอร์เตอร์เพิ่มขึ้น และความต้องการในการลดการใช้พลังงานในอุปกรณ์จ่ายไฟขนาดใหญ่สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม สิ่งนี้ได้กระตุ้นความต้องการที่เพิ่มขึ้นสำหรับอุปกรณ์สวิตชิ่งที่มีการสูญเสียต่ำและความถี่สวิตชิ่งที่สูงขึ้นในวงจร PFC

Toshiba นำกระบวนการล่าสุดมาสู่ IGBT ใหม่ โครงสร้างร่องลึกที่ปรับให้เหมาะสมช่วยรักษาระดับชั้นนำของอุตสาหกรรม^[2] การสูญเสียที่เกิดจากการเปลี่ยนสถานะ (การสูญเสียที่เกิดจากการเปลี่ยนสถานะปิด) ที่ 0.35mJ (ทั่วไป)^[3] ซึ่งต่ำกว่า GT50JR22 ในผลิตภัณฑ์ก่อนหน้าของ Toshiba ประมาณ 42%^[4] IGBT ใหม่ยังมีไดโอดในตัวที่มีแรงดันไปข้างหน้า 1.20V (ทั่วไป)^[5] ซึ่งต่ำกว่า GT50JR22 ประมาณ 43%^[5] การปรับปรุงเหล่านี้ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของอุปกรณ์

สำหรับวงจร PFC ของเครื่องปรับอากาศ GT50JR22 ผลิตภัณฑ์ก่อนหน้าของ Toshiba ใช้กับความถี่ในการทำงานต่ำกว่า 40kHz^[6] GT30J65MRB เป็น IGBT ตัวแรกของ Toshiba สำหรับ PFC ที่ใช้งานต่ำกว่า 60kHz^[6] ซึ่งทำได้โดยการลดการสูญเสียที่เกิดจากการเปลี่ยนสถานะ (การสูญเสียที่เกิดจากการเปลี่ยนสถานะปิด) เพื่อความปลอดภัยในการทำงานความถี่ที่สูงขึ้น

Toshiba จะยังคงขยายสายผลิตภัณฑ์เพื่อให้สอดคล้องกับแนวโน้มของตลาดและปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์

หมายเหตุ:
[1] วงจรปรับปรุงค่าตัวประกอบกําลังไฟฟ้า (PFC): วงจรที่ลดความแตกต่างของเฟสระหว่างแรงดันและกระแสไฟฟ้าเพื่อให้ตัวประกอบกำลังเข้าใกล้ความเป็นหนึ่ง เพื่อยับยั้งส่วนประกอบฮาร์มอนิกที่สร้างขึ้นในการจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง

[2] การสำรวจของ Toshiba ณ เดือนมีนาคม 2023

[3] เงื่อนไขการทดสอบ: โหลดประเภทเหนี่ยวนำ, V_CE=400V, I_C=15A, V_GE=15V, R_G=56Ω, T_c=175°C

[4] ณ เดือนมีนาคม 2023 ค่าที่วัดโดย Toshiba (เงื่อนไขการทดสอบ: V_CC=400V, I_C=15A, V_GG=+15V/0, R_G=56Ω, T_c=175°C)

[5] เงื่อนไขการทดสอบ: I_F=15A, V_GE=0V, T_c=25°C

[6] ณ เดือนมีนาคม 2023 ค่าที่วัดโดย Toshiba โดยใช้บอร์ดประเมิน PFC

การใช้งาน

เครื่องใช้ในบ้าน (เครื่องปรับอากาศ ฯลฯ)
อุปกรณ์อุตสาหกรรม (อุปกรณ์อัตโนมัติในโรงงาน เครื่องพิมพ์มัลติฟังก์ชัน ฯลฯ)

คุณสมบัติ

ชั้นนำในอุตสาหกรรม^[2] การสูญเสียที่เกิดจากการเปลี่ยนสถานะ (การสูญเสียที่เกิดจากการเปลี่ยนสถานะปิด): E_off=0.35mJ^[3] (typ.) รับรู้โดยกระบวนการล่าสุด
ไดโอดอิสระในตัว (FWD) โดยโครงสร้างการนำไฟฟ้าย้อนกลับ (RC)
เวลาการเปลี่ยนสถานะรวดเร็ว (เวลาตก): t_f=40ns (typ.) (T_c=25°C, I_C=15A, R_G=56Ω)
แรงดันตกคร่อมไดโอดต่ำ: V_F=1.20V (typ.) (T_c=25°C, I_F=15A, V_GE=0V)

ข้อกำหนดหลัก

(Ta=25°C, เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
หมายเลขชิ้นส่วน			GT30J65MRB
แพ็กเกจ			TO-3P(N)
การจัดอันดับ สูงสุด แบบสัมบูรณ์	แรงดันคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์ VCES (V)		650
	กระแสคอลเลคเตอร์ (DC) IＣ (A)	T_c=25°C	60
		T_c=100°C	30
	อุณหภูมิทางแยก Tj (°C)		175
แรงดันอิ่มตัวของคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ VCE(sat) typ. (V)V_CE(sat) typ. (V)		I_C＝30A, V_GE=15V, T_c=25°C	1.40
เวลาการเปลี่ยนสถานะ (เวลาตก) tf typ. (ns)		โหลดประเภทเหนี่ยวนำ, VCE=400V, IC=15A, VGE=15V, RG=56Ω, Tc=25°C	40
การสูญเสียที่เกิดจากการเปลี่ยนสถานะ (การสูญเสียที่เกิดจากการเปลี่ยนสถานะปิด) Eoff typ. (mJ)E_off typ. (mJ)		โหลดประเภทเหนี่ยวนำ, VCE=400V, IC=15A, VGE=15V, RG=56Ω, Tc=175°C	0.35
แรงดันตกคร่อมของไดโอด VF typ. (V)		I_F=15A, V_GE=0V, T_c=25°C	1.20
ความต้านทานความร้อนระหว่างรอยต่อกับเคส Rth(j-c) สูงสุด (°C/W)			0.75
การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน			ซื้อออน์ไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
GT30J65MRB

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ IGBT ของ Toshiba
IGBTs

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่
GT30J65MRB
ซื้อออนไลน์

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

พนักงานของบริษัทจำนวน 23,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ปัจจุบัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ที่มียอดขายต่อปีทะลุ 8.5 แสนล้านเยน (7.5 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง

ดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: www.businesswire.com/news/home/53357547/en

ติดต่อ

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

IC ตัวขับเกตที่ Toshiba เพิ่งเปิดตัวไปสำหรับมอเตอร์รถยนต์ DC ไร้แปรงถ่านช่วยยกระดับความปลอดภัยให้กับส่วนประกอบไฟฟ้า

March 1, 2023 Jasmine

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–28 กุมภาพันธ์ 2023

บริษัท Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว IC ตัวขับเกตรุ่น “TB9083FTG”^[1] สำหรับมอเตอร์รถยนต์ DC ไร้แปรงถ่านที่มีการใช้งานในรูปแบบต่าง ๆ เช่น พวงมาลัยเพาเวอร์ไฟฟ้า (EPS), เบรกไฟฟ้า และระบบเกียร์แบบ Shift-by-wire โดยจะมีการจัดส่งปริมาณมากในวันนี้

Toshiba: TB9083FTG, a gate-driver IC for automotive brushless DC motors that helps improve safety of electrical components. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: IC ตัวขับเกตรุ่น TB9083FTG สำหรับมอเตอร์รถยนต์ DC ไร้แปรงถ่าน ซึ่งช่วยยกระดับความปลอดภัยให้กับส่วนประกอบไฟฟ้า (กราฟิก: Business Wire)

อุปกรณ์รถยนต์ต้องมีสมรรถนะตรงตามข้อกำหนดของมาตรฐาน ISO 26262 ซึ่งเป็นมาตรฐานความปลอดภัยในการทำงานสำหรับรถยนต์บนท้องถนน โดยชิปเซมิคอนดักเตอร์และส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ต่าง ๆ ที่ติดตั้งในอุปกรณ์รถยนต์ก็ไม่ได้รับการยกเว้น
ผลิตภัณฑ์รุ่น TB9083FTG โฉมใหม่นี้จะควบคุมและขับเคลื่อนมอสเฟตกำลังแบบ N-channel ภายนอกในการขับมอเตอร์ DC ไร้แปรงถ่านแบบสามเฟส ผลิตภัณฑ์นี้มีคุณสมบัติที่เหนือชั้นเมื่อเทียบกับความปลอดภัยในการทำงานฉบับปรับปรุงครั้งที่ 2 ของมาตรฐาน ISO 26262^[2] ทั้งยังรองรับ ASIL-D^[3]สำหรับใช้ในระบบรถยนต์ที่สำคัญอย่างยิ่งต่อความปลอดภัย ด้วยเหตุนี้ ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้จึงเหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรมยานยนต์ที่ใช้มอเตอร์ DC ไร้แปรงถ่าน เช่น EPS, เบรกไฟฟ้า และระบบเกียร์แบบ Shift-by-wire

สำหรับระบบที่ต้องใช้รีเลย์นิรภัย เช่น EPS นั้น รุ่น TB9083FTG ก็มาพร้อมตัวขับเกตแบบ 3 ช่องทางในตัวสำหรับรีเลย์นิรภัยที่คอยควบคุมและขับเคลื่อนรีเลย์สำหรับมอเตอร์และแหล่งจ่ายไฟ ทำให้ไม่จำเป็นต้องใช้ส่วนประกอบภายนอกและช่วยลดจำนวนชิ้นส่วนอีกด้วย

TB9083FTG จะอยู่ในแพ็กเกจ P-VQFN48-0707-0.50-005 พร้อมโครงสร้างแบบ Wettable Flank^[4] ซึ่งช่วยให้สามารถตรวจสอบข้อต่อบัดกรีด้วยตาเปล่าได้โดยใช้ระบบตรวจสอบแบบออปติคัลอัตโนมัติ (AOI) และช่วยให้ข้อต่อบัดกรีเป็นที่น่าเชื่อถือมากยิ่งขึ้น
นอกจากนี้ Toshiba ได้ตรวจสอบแล้วว่าสามารถทำงานได้ 3,000 รอบในการทดสอบอุณหภูมิการติดตั้งเป็นรอบ และได้รับข้อมูลที่จะช่วยให้ลูกค้าสามารถใช้แพ็กเกจ QFN นี้ได้อย่างมั่นใจเต็มที่

เมื่อใช้แพ็กเกจขนาดเล็ก ((7.0 มม. x 7.0 มม. (ทั่วไป)) พื้นที่ติดตั้งจะลดลงประมาณ 66% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ปัจจุบัน^[5] ซึ่งช่วยควบคุมการเพิ่มพื้นที่ติดตั้งได้เนื่องจากจำนวนส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์บนแผง ECU มีแนวโน้มจะเพิ่มขึ้นเนื่องจากการดีไซน์ที่ซ้ำซ้อนซึ่งช่วยรับรองถึงความปลอดภัยที่เพิ่มมากขึ้นได้อย่างมีประสิทธิภาพ

Toshiba จะไม่หยุดพัฒนา IC ตัวขับเกตสำหรับมอเตอร์รถยนต์ DC ไร้แปรงถ่านแบบสามเฟสให้มีฟังก์ชันที่ดียิ่งขึ้นและเป็นไปตามข้อกำหนดในมาตรฐาน ISO 26262 ฉบับปรับปรุงครั้งที่ 2 และจะช่วยยกระดับความปลอดภัยและการใช้พลังงานไฟฟ้าให้กับอุปกรณ์รถยนต์

การใช้งาน

อุปกรณ์รถยนต์

พวงมาลัยเพาเวอร์ไฟฟ้า (EPS), ระบบเบรกไฟฟ้า, ระบบเกียร์แบบ Shift-by-wire, ปั๊มหลากหลายประเภท และอื่น ๆ

คุณสมบัติ

มี 3 ช่องทางสำหรับตัวขับรีเลย์นิรภัย
การนำแพ็กเกจขนาดเล็กมาใช้จะช่วยลดพื้นที่ติดตั้งลงประมาณ 66%^[5]
วงจรวิเคราะห์ตนเองในตัวสำหรับมอสเฟตภายนอก

หมายเหตุ:
[1]	ตัวขับในการขับมอสเฟต
[2]	มาตรฐานความปลอดภัยในการทำงานต้องการที่จะลดความเสี่ยงอันเกิดจากความล้มเหลวของระบบ ซึ่งเป็นเรื่องสำคัญในการรับรองว่าฝ่ายต่าง ๆ ที่มีส่วนได้ส่วนเสียจะได้รับคำอธิบายที่สมเหตุสมผลเกี่ยวกับความปลอดภัยของระบบ มาตรฐาน ISO 26262 ซึ่งเป็นมาตรฐานสำหรับความปลอดภัยในการทำงานของการใช้งานด้านรถยนต์จะช่วยยกระดับกระบวนการพัฒนาเพื่อรับรองว่าจะมีความปลอดภัยในการทำงานตามที่กำหนดไว้
[3]	ASIL: ระดับความสมบูรณ์สำหรับความปลอดภัยเกี่ยวกับรถยนต์, D: เกรด D (ระดับสูงสุดจาก A ถึง D)
[4]	รูปทรงลีดภายนอก (Outer lead) ของแพ็กเกจ
[5]	เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์รุ่น TB9081FG ที่มีอยู่แล้วจาก Toshiba (12.0 มม.×12.0 มม. (ปกติ))

ข้อมูลจำเพาะหลัก ๆ

หมายเลขชิ้นส่วน		TB9083FTG
มอเตอร์ที่รองรับ		มอเตอร์ DC ไร้แปรงถ่านแบบสามเฟส
ฟังก์ชันหลัก ๆ		การสื่อสารแบบ SPI, แอมพลิฟายเออร์ตรวจสอบกระแสไฟฟ้าแบบสามช่องทาง, ตัวขับเกตแบบสาม ช่องทางสำหรับรีเลย์นิรภัย, ฟังก์ชันการแคลมป์แบบ VGS สำหรับมอสเฟตภายนอก
ฟังก์ชันการวิเคราะห์ตนเอง		ABIST, LBIST
การตรวจจับข้อผิดพลาด		การตรวจจับแรงดันไฟฟ้าต่ำเกินไป, การตรวจจับแรงดันไฟฟ้าสูงเกินไป, การตรวจจับอุณหภูมิสูงเกินไป
ช่วงแรงดันไฟฟ้าในการทำงาน		VB=4.5V ถึง 28V, VCC=3.0V ถึง 5.5V
แหล่งจ่ายไฟภายนอก		แหล่งจ่ายไฟ 2 ตัว (VB, VCC)
ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน		Ta=-40°C ถึง 150°C, Tj=-40°C ถึง 175°C
แพ็กเกจ	ชื่อ	P-VQFN48-0707-0.50-005
	ขนาดโดยทั่วไป (มม.)	7.0 × 7.0
ความน่าเชื่อถือ		มีคุณสมบัติตาม AEC-Q100/006
การตรวจสอบตัวอย่าง		ซื้อทางออนไลน์

เข้าไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่นี้
TB9083FTG

เข้าไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเนื้อหาที่เกี่ยวข้องกับผลิตภัณฑ์ใหม่นี้
สำหรับความปลอดภัยระดับสูงในระบบรถยนต์ที่มี TB9083FTG (วิดีโอ)
IC ตัวขับเกตสำหรับมอเตอร์รถยนต์ไร้แปรงถ่านแบบสามเฟส: TB9083FTG

เข้าไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ IC ตัวขับมอเตอร์รถยนต์ไร้แปรงถ่านของ Toshiba
IC ตัวขับมอเตอร์รถยนต์ไร้แปรงถ่าน

โปรดตรวจสอบความพร้อมจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่นี้จากผู้จัดจำหน่ายทางออนไลน์ที่:
TB9083FTG
ซื้อทางออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ
* ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาของผลิตภัณฑ์และข้อมูลจำเพาะ เนื้อหาของบริการและข้อมูลติดต่อ ถือเป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับบริษัท Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

บริษัท Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นผู้จัดจำหน่ายชั้นนำสำหรับโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และอุปกรณ์เก็บข้อมูลระดับสูง โดยได้สั่งสมประสบการณ์และการคิดค้นนวัตกรรมต่าง ๆ มากว่าครึ่งศตวรรษเพื่อมอบเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกชิ้น, LSI ของระบบ และผลิตภัณฑ์ HDD อันเหนือชั้นให้กับลูกค้าและพาร์ทเนอร์ทางธุรกิจ
พนักงานของบริษัทจำนวน 23,000 คนทั่วโลกต่างมุ่งมั่นที่จะยกระดับคุณค่าของผลิตภัณฑ์ถึงขีดสุด รวมถึงส่งเสริมความร่วมมือกับลูกค้าอย่างใกล้ชิดเพื่อร่วมกันสร้างคุณค่าและตลาดใหม่ ๆ ในตอนนี้ ยอดขายรายปีได้เกิน 850,000 ล้านเยน (หรือ 7,500 ล้านดอลลาร์สหรัฐ) แล้วและ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ก็มุ่งมั่นที่จะสร้างและมีส่วนช่วยพัฒนาอนาคตให้ดียิ่งขึ้นสำหรับทุกคนในทุก ๆ ที่
โปรดดูข้อมูลเพิ่มเติมที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53335963/en

ผู้ติดต่อ

คำถามจากลูกค้า:
ฝ่ายขายรถยนต์
ติดต่อเรา

คำถามจากสื่อ:
คุณ Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
บริษัท Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
อีเมล: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัวอุปกรณ์ไฟฟ้าอัจฉริยะที่ช่วยลดพื้นที่ติดตั้ง

February 8, 2023 Jasmine

Logo

– สวิตช์ด้านสูงและด้านต่ำขนาดเล็ก (8 ช่อง) –

คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–7 กุมภาพันธ์ 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัวอุปกรณ์ไฟฟ้าอัจฉริยะสองตัวที่ควบคุมไดรฟ์ของโหลดไฟฟ้าแบบเหนี่ยวนำของมอเตอร์ โซลินอยด์ หลอดไฟ และอุปกรณ์อื่น ๆ ที่นำไปประยุกต์ใช้ เช่น ตัวควบคุมลอจิกที่ตั้งโปรแกรมได้ของอุปกรณ์อุตสาหกรรม โดยการจัดส่งสวิตช์ด้านสูง (8 ช่อง) “TPD2015FN” และสวิตช์ด้านต่ำ (8 ช่อง) “TPD2017FN” เริ่มตั้งแต่วันนี้

Toshiba: TPD2015FN and TPD2017FN, intelligent power devices that help reduce mounting areas. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: TPD2015FN และ TPD2017FN อุปกรณ์ไฟฟ้าอัจฉริยะที่ช่วยลดพื้นที่ติดตั้ง (กราฟิก: Business Wire)

ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้กระบวนการรวมอุปกรณ์อะนาล็อก (BiCD)^[1] ของ Toshiba เพื่อให้มีค่าความต้านทานต่อไฟฟ้าที่ 0.4Ω (typ.) ในขั้นตอนเอาต์พุต ซึ่งต่ำกว่าผลิตภัณฑ์ปัจจุบันของ Toshiba^[2] มากกว่า 50% ทั้ง TPD2015FN และ TPD2017FN อยู่ในแพ็คเกจ SSOP30^[3] ซึ่งมีพื้นที่ติดตั้งประมาณ 71% ของแพ็คเกจ SSOP24^[4] ที่ใช้สำหรับผลิตภัณฑ์ปัจจุบัน^[2], ความสูง 80% ของแพ็คเกจ SSOP24 และระยะพิน 0.65 มม. ที่แคบลง การปรับปรุงเหล่านี้จะช่วยลดขนาดอุปกรณ์

อุณหภูมิในการทำงานสูงสุดของผลิตภัณฑ์ใหม่คือ 110°C ซึ่งสูงกว่า 85°C ของผลิตภัณฑ์ปัจจุบัน^[2] ซึ่งเหมาะสำหรับการทำงานในอุณหภูมิที่สูงขึ้น นอกจากนี้ ทั้งสองยังมีวงจรป้องกันกระแสเกินในตัวและวงจรป้องกันอุณหภูมิเกิน ซึ่งช่วยทำให้อุปกรณ์มีความน่าเชื่อถือมากขึ้น

หมายเหตุ:

[1] ไบโพลาร์ CMOS DMOS

[2] ผลิตภัณฑ์ปัจจุบันของ Toshiba ได้แก่ TPD2005F และ TPD2007F

[3] แพ็คเกจ SSOP30: 9.7 × 7.6 × 1.2 มม. (typ.)

[4] แพ็คเกจ SSOP24: 13.0 × 8.0 × 1.5 มม. (typ.)

การประยุกต์ใช้

ตัวควบคุมลอจิกที่ตั้งโปรแกรมได้สำหรับใช้ในอุตสาหกรรม
เครื่องมือเครื่องจักรที่ควบคุมด้วยตัวเลข
อินเวอร์เตอร์/เซอร์โว
อุปกรณ์ควบคุมพร้อม IO-Link

คุณสมบัติ

IC พลังงานเสาหินพร้อมมอสเฟต N-channel ในตัว (8 ช่อง) และวงจรควบคุม

(สวิตช์ด้านสูง TPD2015FN มีปั๊มชาร์จในตัว)

ตั้งอยู่ในแพ็คเกจ SSOP30 ขนาดเล็ก โดยมีพื้นที่ติดตั้งประมาณ 71% ของแพ็คเกจ SSOP24
ฟังก์ชันป้องกันในตัว (อุณหภูมิเกิน กระแสเกิน)
อุณหภูมิในการทำงานสูง: T_opr (สูงสุด)=110°C
ความต้านทานไฟฟ้าต่ำ: R_DS(ON)=0.4Ω (typ.) @V_IN=5V, T_j=25°C, I_OUT=0.5A

ข้อกำหนดหลัก

(เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น, T_a=25°C)
หมายเลขชิ้นส่วน			TPD2015FN	TPD2017FN
แพ็คเกจ			SSOP30
การประเมินค่าสูงสุดสุทธิ	แรงดันไฟฟ้า V_DD (V)		-0.3 to 40.0	-0.3 to 6.0
	แรงดันไฟฟ้าขาเข้า V_IN (V)		-0.3 to 6.0
	VDDx – OUTx ค่าทนต่อแรงดันไฟฟ้า V_DSS (V)		50.0	–
	ค่าทนต่อแรงดันไฟฟ้าขาออก V_OUT (V)		–	50.0
	กระแสไฟขาออก I_OUT (A)		จำกัดภายใน
	กำลังไฟฟ้าสูญเสีย P_D (W)		1.8
	อุณหภูมิในการทำงาน T_opr (°C)		-40 to 110
	อุณหภูมิทางแยก T_j (°C)		150
	อุณหภูมิในการจัดเก็บ T_stg (°C)		-55 to 150
ช่วงการทำงาน	แรงดันไฟฟ้าในการทำงาน V_DD(opr)(V)	@T_j=25°C	8 to 40	2.7 to 5.5
ลักษณะทางไฟฟ้า	ความต้านทาน R_DS(ON) typ. (Ω)	@V_DD=12V(TPD2015FN) / 5V (TPD2017FN), , V_IN=5V, I_OUT=0.5A, T_j=25°C	0.40
จำนวนเอาต์พุต			8
ฟังก์ชันการป้องกัน			การปิดระบบความร้อน
			การปิดกระแสเกิน
การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน			ซื้อออนไลน์	ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่

TPD2015FN
TPD2017FN

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับการประยุกต์ใช้ TPD2017FN

หมายเหตุการประยุกต์ใช้สำหรับ TPD2017FN

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่

TPD2015FN
ซื้อออนไลน์

TPD2017FN
ซื้อออนไลน์

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และสตอเรจขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัทจำนวน 23,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ปัจจุบัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ที่มียอดขายต่อปีทะลุ 8.5 แสนล้านเยน (7.5 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง

ดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53302193/en

ติดต่อ

สำหรับตอบคำถามลูกค้า:

ฝ่ายการตลาดและขายอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

สำหรับตอบคำถามสื่อมวลชน:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
อีเมล: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัวมอสเฟตกำลังแบบ 40V N-channel สำหรับยานยนต์ที่มาพร้อมแพ็กเกจกระจายความร้อนสูงรูปแบบใหม่เพื่อรองรับอุปกรณ์ยานยนต์ที่ใช้กระแสไฟฟ้ามากขึ้น

February 1, 2023 Jasmine

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(จากสำนักข่าว BUSINESS WIRE)–31 มกราคม 2023

บริษัท Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (หรือ “Toshiba”) ได้เปิดตัวมอสเฟตกำลังแบบ 40V N-channel สำหรับยานยนต์รุ่น “XPQR3004PB” และ “XPQ1R004PB” โดยมอสเฟตทั้ง 2 รุ่นนี้ใช้แพ็กเกจ L-TOGL™ (Large Transistor Outline Gull-wing Leads) รูปแบบใหม่ ทั้งยังมีอัตรากระแสเดรน (Drain current) สูงในขณะที่มีค่า On-resistance ต่ำ โดยบริษัทเริ่มการจัดส่งแล้ววันนี้

Toshiba: Automotive 40V N-channel power MOSFETs with new high heat dissipation package that supports larger currents for automotive equipment. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: มอสเฟตกำลังแบบ 40V N-channel สำหรับยานยนต์ที่มาพร้อมแพ็กเกจกระจายความร้อนสูงรูปแบบใหม่เพื่อรองรับอุปกรณ์ยานยนต์ที่ใช้กระแสไฟฟ้ามากขึ้น (กราฟิก: Business Wire)

ในช่วงไม่กี่ปีมานี้ผู้คนได้หันมาใช้รถยนต์ไฟฟ้าเพิ่มขึ้น ส่งผลให้ส่วนประกอบซึ่งเข้าได้กับอุปกรณ์ยานยนต์ที่ใช้พลังงานเพิ่มขึ้นนั้นยิ่งเป็นที่ต้องการ ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้แพ็กเกจ L-TOGL™ รูปแบบใหม่ของ Toshiba ที่รองรับกระแสไฟฟ้าสูง ความต้านทานต่ำ และมีการกระจายความร้อนสูง ผลิตภัณฑ์นี้ยังใช้โครงสร้างแบบไร้เสาภายใน^[1^] ซึ่งเกิดจากรวมส่วนเชื่อมต่อซอร์สเข้ากับลีดภายนอก (Outer lead) ด้วยคลิปทองแดง โครงสร้างแบบหลายขาสำหรับลีดซอร์ส (Source lead) จะลดความต้านทานของแพ็กเกจลงเหลือประมาณ 30% ของแพ็กเกจ TO-220SM(W) ที่มีอยู่เดิม และเพิ่มอัตรากระแสเดรน (Drain current หรือ DC) ของรุ่น XPQR3004PB เป็น 400A ซึ่งสูงกว่าผลิตภัณฑ์ในปัจจุบัน^[2] 1.6 เท่า การใช้เฟรมทองแดงหนาช่วยลดความต้านทานความร้อนจากช่องทางถึงตัวอุปกรณ์ (Channel-to-case) ในรุ่น XPQR3004PB ลงเหลือ 50% ของผลิตภัณฑ์ในปัจจุบัน^[2] คุณสมบัติเหล่านี้ช่วยให้ได้กระแสไฟฟ้าเพิ่มมากขึ้นและลดการสูญเสียอุปกรณ์ยานยนต์

ผลิตภัณฑ์ใหม่ที่มาพร้อมเทคโนโลยีแพ็กเกจแบบใหม่นี้จะช่วยลดความซับซ้อนในการออกแบบระบบกระจายความร้อน และลดจำนวนมอสเฟตที่ต้องใช้ในการใช้งานแบบต่าง ๆ เช่น รีเลย์เซมิคอนดักเตอร์และอินเวอร์เตอร์สำหรับมอเตอร์ไฟฟ้าแบบ Integrated Starter Generator ซึ่งต้องใช้กระแสไฟมาก ทั้งยังช่วยลดขนาดอุปกรณ์อีกด้วย ในกรณีที่จะเชื่อมต่ออุปกรณ์หลายชิ้นควบคู่กันสำหรับการใช้งานต่าง ๆ ที่ต้องใช้กระแสไฟสูงขึ้น ทาง Toshiba เองก็มาพร้อมการจัดส่งผลิตภัณฑ์ใหม่ ๆ แบบจัดกลุ่ม^[3] โดยการจัดกลุ่มจะใช้ค่าแรงดันขีดเริ่ม (Threshold voltage) ของเกตในการจัดกลุ่ม วิธีนี้ช่วยให้สามารถออกแบบโดยใช้กลุ่มผลิตภัณฑ์ได้โดยมีคุณลักษณะแตกต่างกันเพียงเล็กน้อยเท่านั้น

เนื่องจากอุปกรณ์ยานยนต์มีการใช้งานในสภาพอุณหภูมิหลากหลายแบบ ความน่าเชื่อถือของข้อต่อบัดกรีในการติดตั้งบนพื้นผิวจึงเป็นอีกข้อหนึ่งที่จำเป็นต้องพิจารณาอย่างยิ่ง ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้ลีดแบบกัลวิง (Gull-wing lead) ที่ลดความเครียดในการติดตั้ง ช่วยให้ข้อต่อบัดกรีมีความน่าเชื่อถือยิ่งขึ้น

หมายเหตุ:
[1] การเชื่อมต่อแบบบัดกรี
[2] ผลิตภัณฑ์ในปัจจุบัน: “TKR74F04PB” ที่มาพร้อมแพ็กเกจ TO-220SM(W)
[3] Toshiba สามารถให้บริการจัดส่งแบบจัดกลุ่มได้ ซึ่งช่วงค่าแรงดันขีดเริ่มของเกตจะอยู่ที่ 0.4V สำหรับแต่ละรีล แต่คุณจะไม่สามารถระบุกลุ่มแบบเฉพาะเจาะจงได้ โปรดติดต่อตัวแทนฝ่ายขายของ Toshiba เพื่อรับรายละเอียดเพิ่มเติม

การใช้งาน

อุปกรณ์ยานยนต์: อินเวอร์เตอร์ รีเลย์เซมิคอนดักเตอร์ สวิตช์โหลด ตัวขับมอเตอร์ และอื่น ๆ

คุณสมบัติ

แพ็กเกจใหม่ L-TOGL^TM
อัตรากระแสเดรนสูง:
XPQR3004PB : I_D=400A
XPQ1R004PB : I_D=200A
มีคุณสมบัติครบตามมาตรฐาน AEC-Q101
ค่า On-resistance ต่ำ:
XPQR3004PB : R_DS(ON)=0.23mΩ (typ.) ที่ V_GS=10V
XPQ1R004PB : R_DS(ON)=0.8mΩ (typ.) ที่ V_GS=10V

ข้อมูลจำเพาะหลัก

								(T_a=25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
หมายเลขชิ้นส่วน	ขั้ว	อัตราสูงสุดสัมบูรณ์				Drain-source On-resistance R_DS(ON)max (mΩ)		ความต้านทานความร้อนจากช่องทางถึงตัวอุปกรณ์ (Channel-to-case) Z_th(ch-c) สูงสุดที่ T_c=25°C (℃/W)	แพ็กเกจ	ซีรีส์	ตัวอย่างการตรวจสอบและความพร้อมจำหน่าย
หมายเลขชิ้นส่วน	ขั้ว	แรงดันไฟฟ้าระหว่างเดรนกับซอร์ส V_DSS (V)	กระแสเดรน (DC) I_D (A)	กระแสเดรน (พัลส์) I_DP (A)	อุณหภูมิช่องทาง T_ch (°C)	ที่ V_GS=6V	ที่ V_GS=10V		แพ็กเกจ	ซีรีส์	ตัวอย่างการตรวจสอบและความพร้อมจำหน่าย
XPQR3004PB	N-channel	40	400	1200	175	0.47	0.30	0.2	L-TOGL^TM	U-MOSIX-H	ซื้อทางออนไลน์
XPQ1R004PB	N-channel	40	200	600	175	1.8	1.0	0.65	L-TOGL^TM	U-MOSIX-H	ซื้อทางออนไลน์

ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่ ๆ
XPQR3004PB
XPQ1R004PB

ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเนื้อหาที่เกี่ยวข้องกับผลิตภัณฑ์ใหม่ ๆ

ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับมอสเฟตสำหรับยานยนต์ของ Toshiba
มอสเฟตสำหรับยานยนต์

ตรวจสอบความพร้อมจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ ๆ จากตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ได้ที่:
XPQR3004PB
ซื้อทางออนไลน์

XPQ1R004PB
ซื้อทางออนไลน์

* L-TOGL™ เป็นเครื่องหมายการค้าของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลที่ปรากฏในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาเกี่ยวกับบริการและข้อมูลติดต่อ จะเป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

ข้อมูลเกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นผู้จัดจำหน่ายชั้นนำที่ให้บริการโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และอุปกรณ์เก็บข้อมูลขั้นสูง เรารวบรวมประสบการณ์และรังสรรค์สิ่งใหม่ ๆ มากว่าครึ่งศตวรรษ เพื่อมอบเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกชิ้น, LSI ของระบบ และผลิตภัณฑ์ HDD ที่เหนือชั้นให้แก่ลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจของเรา

พนักงาน 23,000 คนทั่วโลกของเราต่างมุ่งมั่นที่จะยกระดับคุณค่าของผลิตภัณฑ์ถึงขีดสุด รวมถึงส่งเสริมความร่วมมือกับลูกค้าอย่างใกล้ชิดเพื่อร่วมกันสร้างคุณค่าและตลาดใหม่ ๆ ในตอนนี้ ยอดขายรายปีได้เกิน 850,000 ล้านเยน (หรือ 7,500 ล้านดอลลาร์สหรัฐ) แล้วและ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ก็มุ่งมั่นที่จะสร้างและมีส่วนช่วยพัฒนาอนาคตให้ดียิ่งขึ้นสำหรับทุกคนในทุก ๆ ที่
โปรดดูข้อมูลเพิ่มเติมที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53293103/en

ติดต่อ

คำถามจากลูกค้า:
ฝ่ายขายและฝ่ายการตลาดสำหรับอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทรศัพท์: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

คำถามจากสื่อ:
คุณ Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
อีเมล: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba พัฒนา SiC MOSFET พร้อมไดโอดกั้น Schottky ในตัวที่ให้ความต้านทานต่ำและมีความน่าเชื่อถือสูง

December 12, 2022 Jasmine

Logo

คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–9 ธันวาคม 2022

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation และ Toshiba Corporation (เรียกรวมกันว่า “Toshiba”) ได้พัฒนาทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์สนามสารกึ่งตัวนำ SiC ของโลหะออกไซด์ (MOSFET) ที่จัดเรียงไดโอดกั้น Schottky (SBD) ในตัวในรูปแบบการตรวจสอบ (รูปแบบการตรวจสอบแบบฝัง SBD) เพื่อให้เกิดทั้งความต้านทานต่ำและความน่าเชื่อถือสูง Toshiba ยืนยันว่าการออกแบบนี้ช่วยลดความต้านทาน^[1] (R_onA) ประมาณ 20% เมื่อเทียบกับ SiC MOSFET ในปัจจุบัน โดยไม่สูญเสียความน่าเชื่อถือ^[2]

Toshiba: Schematic diagram of MOSFETs with newly developed check pattern embedded SBD-SiC MOSFET (Graphic: Business Wire)

Toshiba: แผนผังไดอะแกรมของ MOSFET พร้อมรูปแบบการตรวจสอบที่พัฒนาขึ้นใหม่ที่ฝัง SBD-SiC MOSFET (กราฟิก: Business Wire)

อุปกรณ์ไฟฟ้าเป็นส่วนประกอบที่จำเป็นสำหรับการจัดการพลังงานไฟฟ้าและลดการสูญเสียพลังงานในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทุกชนิด และเพื่อให้เกิดสังคมที่มีความเป็นกลางทางคาร์บอน SiC ถูกมองว่าเป็นวัสดุรุ่นต่อไปสำหรับอุปกรณ์ เนื่องจากให้แรงดันไฟฟ้าที่สูงกว่าและสูญเสียน้อยกว่าซิลิกอน ในขณะที่การใช้ SiC ในปัจจุบันจำกัดอยู่ที่อินเวอร์เตอร์สำหรับรถไฟเป็นหลัก แต่การใช้งานที่กว้างขึ้นนั้นอยู่บนขอบฟ้า ในด้านต่าง ๆ รวมถึงการใช้พลังงานไฟฟ้าของยานพาหนะและการย่อขนาดอุปกรณ์อุตสาหกรรม อย่างไรก็ตาม มีปัญหาที่ต้องจัดการก่อน เพราะการนำไฟฟ้าแบบสองขั้วในไดโอดของตัวเครื่องระหว่างการทำงานแบบย้อนกลับของ SiC MOSFET นั้นเป็นอันตรายเนื่องจากลดความต้านทานลง

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation พัฒนาโครงสร้างอุปกรณ์ที่ฝัง SBD ไว้ใน MOSFET เพื่อปิดการทำงานของไดโอดในตัวเครื่อง แต่พบว่าการแทนที่ช่องสัญญาณ MOSFET ด้วย SBD แบบฝังทำให้ความหนาแน่นของช่องสัญญาณลดลงและเพิ่ม R_onA การแลกเปลี่ยนนี้ได้รับการแก้ไขด้วยโครงสร้าง SBD แบบฝังใหม่ และ Toshiba ยืนยันว่าได้ปรับปรุงคุณสมบัติด้านประสิทธิภาพแล้ว

Toshiba ได้ปรับปรุงทั้งการสูญเสียการนำไฟฟ้าใน SiC MOSFET ที่ฝัง SBD และประสบความสำเร็จในการนำไดโอดที่ดี โดยใช้การกระจาย SBD แบบตรวจสอบรูปแบบ การประเมินลักษณะกระแสด้านข้างของ MOSFET ที่ฝังตัวในคลาส SBD ขนาด 1.2kV ด้วยการออกแบบที่เหมาะสมที่สุดยืนยันว่าการใช้การออกแบบตรวจสอบเพื่อวางตำแหน่ง SBD ที่ฝังไว้ใกล้กับไดโอดของตัวเครื่องจะจำกัดการนำไฟฟ้าแบบสองขั้วของไดโอดแบบฝังได้อย่างมีประสิทธิภาพ ในขณะที่ ขีดจำกัดกระแสยูนิโพลาร์ของการนำไฟฟ้าย้อนกลับเป็นสองเท่าที่เกิดขึ้นจากการออกแบบรูปแบบ SBD แบบสไทรพ์ในปัจจุบันสำหรับการใช้พื้นที่ SBD เดียวกัน
พบว่า R_onA ลดลงประมาณ 20% ที่ 2.7mΩ・cm2

การปรับปรุงที่ได้รับการยืนยันนี้ในการแลกเปลี่ยนเป็นสิ่งจำเป็นหาก SiC MOSFET จะถูกใช้ในอินเวอร์เตอร์สำหรับการใช้งานมอเตอร์ไดรฟ์ Toshiba ดำเนินการประเมินอย่างต่อเนื่องเพื่อพัฒนาคุณลักษณะด้านไดนามิกและความน่าเชื่อถือ และพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์พลังงานประสิทธิภาพสูงที่น่าดึงดูดซึ่งมีส่วนทำให้เกิดความเป็นกลางทางคาร์บอน

รายละเอียดของความสำเร็จได้รับการรายงานในการประชุมประจำปี IEEE International Electron Devices ครั้งที่ 68 ซึ่งเป็นการประชุมเซมิคอนดักเตอร์ไฟฟ้าระหว่างประเทศที่จัดขึ้นในซานฟรานซิสโก สหรัฐอเมริกา เมื่อวันที่ 3 ถึง 7 ธันวาคม

หมายเหตุ:

[1] On-resistance คือค่าความต้านทานระหว่างเดรนและซอร์สของ MOSFET ระหว่างการทำงาน (ON)

[2] การวิจัยของโตชิบา เมื่อเดือนพฤศจิกายน 2022

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่แจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และสตอเรจขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัทจำนวน 23,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ปัจจุบัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ที่มียอดขายต่อปีทะลุ 8.5 แสนล้านเยน (7.5 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง
ดูข้อมูลเพิ่มเติมที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53035265/en

ติดต่อ

สอบถามข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับลูกค้า:
ติดต่อเรา

สอบถามข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:
K.Tanaka, S.Mihashi
กลุ่มงานสื่อสารองค์กรและข่าวกรองการตลาด
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โทร: +81-44-548-2122
อีเมล: tdsc-publicrelations@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เป็นผู้ชนะรางวัล World Electronics Achievement Awards ของ AspenCore

November 25, 2022 Jasmine

Logo

KAWASAKI, Japan–(BUSINESS WIRE)–24 พฤศจิกายน 2022

Toshiba Devices & Storage (Shanghai) Co., Ltd. บริษัทสาขาในเซี่ยงไฮ้ของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) เป็นผู้ชนะเลิศประเภท “Power Semiconductor/Driver of the Year” ในงาน World Electronics Achievement Awards (WEAA) 2022 โดย Toshiba Devices & Storage (Shanghai) Co., Ltd. ได้เข้ารับรางวัลในพิธีซึ่งจัดขึ้นที่เมืองเซินเจิ้น ประเทศจีน เมื่อวันที่ 10 พฤศจิกายน 2022

Toshiba is a Winner at AspenCore World Electronics Achievement Awards (Photo: Business Wire)

Toshiba เป็นผู้ชนะรางวัล World Electronics Achievement Awards ของ AspenCore (ภาพ: Business Wire)

AspenCore ซึ่งตั้งอยู่ในสหรัฐอเมริกาเป็นหนึ่งในกลุ่มสื่อเทคโนโลยีชั้นนำของโลก และทุก ๆ ปี WEAA ที่ได้รับการยอมรับอย่างกว้างขวางจะมีการยกย่องบริษัทและบุคคลที่มีส่วนร่วมอย่างโดดเด่นในด้านนวัตกรรมและการพัฒนาอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ ในปีนี้ XPQR3004PB MOSFET ของ Toshiba ซึ่งเป็นทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้าของสารกึ่งตัวนำโลหะออกไซด์แรงดันต่ำเชิงกลยุทธ์ ได้รับรางวัล “Power Semiconductor/Driver of the Year”

Tsutomu Nomura ประธานบริษัท Toshiba Devices & Storage (Shanghai) Co., Ltd. กล่าวว่า “เรามีความยินดีที่ได้รับการยกย่องจาก WEAA อันทรงเกียรติ โดยเป็นปีที่ห้าติดต่อกันที่ผลิตภัณฑ์ของเราได้รับรางวัล Toshiba มุ่งมั่นที่จะเป็นผู้นำในการจัดหาอุตสาหกรรมยานยนต์และภาคส่วนอื่น ๆ ด้วยอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังที่ปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงานของอุปกรณ์และเพิ่มความเป็นกลางทางคาร์บอน”

XPQR3004PB ที่เปิดตัวในปีงบประมาณนี้ เป็น MOSFET แรงดันต่ำ 40V ที่มี N-channel สำหรับการใช้งานในยานยนต์ เหมาะสำหรับสวิตช์แบตเตอรี่ในรถยนต์ที่เป็นมิตรกับสิ่งแวดล้อมและมอเตอร์ช่วยขับขี่ในรถยนต์ไฮบริด ทั้งยังเป็นแม่พิมพ์ UMOS IX ที่ก้าวหน้าที่สุดของ Toshiba และรวมอยู่ในแพ็คเกจ L-TOGL™ ซึ่ง AspenCore รับรองว่า มีกระแสไฟฟ้าสูง ความสามารถในการกระจายความร้อนสูง และความน่าเชื่อถือสูง

จากนี้ Toshiba จะเพิ่มขีดความสามารถในการแข่งขันในธุรกิจสารกึ่งตัวนำกำลัง (power semiconductor) ด้วยการนำเสนอผลิตภัณฑ์ที่มีความสามารถในการประหยัดพลังงานสูง และนำไปสู่สังคมที่ใช้พลังงานต่ำและความเป็นกลางทางคาร์บอน

* TOGL™ เป็นเครื่องหมายการค้าของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ระดมประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัทจำนวน 23,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและการเปิดตลาดใหม่ ปัจจุบัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ที่มียอดขายต่อปีทะลุ 8.5 แสนล้านเยน (7.5 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง

ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/52977612/en

ติดต่อ

Customer Inquiries:
ติดต่อเรา

รายชื่อติดต่อหากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมด้านสื่อ:
K.Tanaka, S.Mihashi
กลุ่มงานสื่อสารองค์กรและข่าวกรองการตลาด
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โทร: +81-44-548-2122
อีเมล: tdsc-publicrelations@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัวโฟโตคัปเปลอร์ตัวขับเกตอัจฉริยะที่ช่วยให้การออกแบบวงจรต่อพ่วงสำหรับอุปกรณ์ไฟฟ้าง่ายขึ้น

August 31, 2022 Jasmine

Logo

คาวาซากิ, ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–31 สิงหาคม 2565

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้ขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์โฟโตคัปเปลอร์ของตัวขับเกตอัจฉริยะ ซึ่งเป็นตัวขับเกตแยกที่สามารถป้องกันกระแสไฟฟ้าที่สูงเกินสำหรับอุปกรณ์ต่าง ๆ ไม่ว่าจะเป็น MOSFET หรือ IGBT อุปกรณ์ใหม่อย่าง “TLP5222” ซึ่งเป็นโฟโตคัปเปลอร์สำหรับตัวขับเกตอัจฉริยะ เอาท์พุตขนาด 2.5A มาพร้อมกับฟังก์ชันการกู้คืนอัตโนมัติในตัวจากระบบการป้องกัน โดยสินค้าเริ่มส่งออกสู่ตลาดแล้ววันนี้

เอกสารประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีเนื้อหามัลติมีเดีย ดูอย่างเต็มรูปแบบได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20220830005390/en/

Toshiba: a 2.5A output smart gate driver photocoupler

Toshiba: โฟโตคัปเปลอร์สำหรับตัวขับเกตอัจฉริยะเอาท์พุตขนาด 2.5A รุ่น “TLP5222” ที่มีฟังก์ชันการกู้คืนอัตโนมัติในตัวจากระบบการป้องกัน (กราฟิก: Business Wire)

TLP5222 จะตรวจสอบแรงดันไฟฟ้าขาเดรนและขาซอร์ส (V_DS)^[1] หรือแรงดันสูงสุดที่ทนได้ (V_CE)^[2] ของอุปกรณ์จ่ายไฟที่ใช้งาน การตรวจจับกระแสไฟที่สูงเกินในตัวและฟังก์ชันป้องกันจะตรวจจับการเพิ่มขึ้นของ V_DS หรือ V_CE อันเป็นผลมาจากกระแสไฟเกินที่เกิดขึ้นในอุปกรณ์จ่ายไฟ และช่วยปิดเครื่องอย่างนุ่มนวล

โฟโตคัปเปลอร์ใหม่ยังมีฟังก์ชันการกู้คืนอัตโนมัติในตัว ซึ่งจะรีเซ็ตอุปกรณ์ให้กลับมาทำงานปกติ 25.5μs (ทั่วไป) หลังจากเปิดใช้งานระบบป้องกัน ซึ่งช่วยลดความยุ่งยากในการตั้งค่าลำดับในคอนโทรลเลอร์ นอกจากนี้ยังรวมเอาฟังก์ชันรายงานสถานะ FAULT แบบแยกออกมา ซึ่งจะส่งสัญญาณความผิดปกติไปยังตัวควบคุมเมื่อตรวจพบกระแสไฟเกิน และฟังก์ชัน active Miller clamp ซึ่งป้องกันไม่ให้อุปกรณ์ไฟฟ้าบนและล่างลัดวงจร^[3] ช่วยลดความซับซ้อนในการออกแบบและลดวงจรจากภายนอก

TLP5222 บรรจุอยู่ในแพ็คเกจ SO16L ที่รับประกันระยะห่างระหว่างผิวฉนวนและระยะปล่อยผ่าน 8 มม. (นาที) ผลิตภัณฑ์นี้ยังสามารถใช้ในอุปกรณ์ที่ต้องการประสิทธิภาพของฉนวนสูงอีกด้วย นอกจากนี้ ด้วยช่วงอุณหภูมิการทำงานที่กว้างระหว่าง -40 องศา ถึง 110 องศา จึงเหมาะสำหรับการใช้งานที่หลากหลายในสภาพแวดล้อมที่ร้อนจัด เช่น ระบบผลิตไฟฟ้าจากเซลล์แสงอาทิตย์และแหล่งจ่ายไฟสำรอง (UPS)　

กลุ่มผลิตภัณฑ์ยังประกอบด้วย TLP5212, TLP5214A และ TLP5214 ซึ่งไม่มีฟังก์ชันการกู้คืนอัตโนมัติในตัว แต่จะรีเซ็ตให้กลับมาทำงานปกติโดยอินพุตสัญญาณไปยัง LED ทำให้ผู้ใช้สามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่เหมาะสมกับสภาพการใช้งานได้

หมายเหตุ:
[1] สำหรับ MOSFET กำลัง
[2] สำหรับ IGBT
[3] หากเกิดเหตุการณ์ที่กระแสไฟฟ้ามิลเลอร์ไม่ทำงานระหว่างการสลับจะทำให้เกิดเสียงรบกวนหรือความผิดปกติของอุปกรณ์จ่ายไฟที่จ่ายให้อุปกรณ์ไฟฟ้าบนหรือล่าง

การใช้งาน

ตัวขับเกต MOSFET/IGBT
อินเวอร์เตอร์อุตสาหกรรมและ AC Servos
อินเวอร์เตอร์สำหรับพลังงานหมุนเวียน (อินเวอร์เตอร์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ (PV) และอื่น ๆ)
อุปกรณ์จ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง (UPS เป็นต้น)

คุณสมบัติ

ฟังก์ชันการกู้คืนอัตโนมัติในตัวจากระบบการป้องกัน
อัตรากระแสไฟขาออกสูงสุด: I_OPH/I_OPL=±2.5A
ฟังก์ชันการป้องกันในตัว เช่น การตรวจจับกระแสไฟฟ้าเกิน การตอบกลับสถานะความผิดปกติแบบแยกส่วน และ active Miller clamp
แพ็คเกจ SO16L ที่มีระยะห่างระหว่างผิวฉนวนและระยะปล่อยผ่าน 8 มม. (นาที)

คุณสมบัติหลักจำเพาะ

(@T_a=-40°C to 110°C เว้นแต่ระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
หมายเลขชิ้นส่วน			TLP5222
แพ็คเกจ	ชื่อสินค้า		SO16L
	ขนาด (มม.)		10.3 x 10 (ทั่วไป) t: 2.3 (สูงสุด)
ระดับสูงสุด	อุณหภูมิการทำงาน T_opr (°C)		-40 ถึง 110
	กระแสเอ้าท์พุตสูงสุด I_OPH/I_OPL (A)		±2.5
การตั้งค่าใช้งานที่แนะนำ	แรงดันฝั่งเอ้าท์พุตทั้งหมด　(V_CC2−V_EE) (V)		15 ถึง 30
	แรงดันจ่ายไฟฟ้าไอซีรายงานข้อผิดพลาด V_CC1 (V)		2.7 ถึง 5.5
ลักษณะจำเพาะทางไฟฟ้า	กระแสไฟฟ้าจากแหล่งจ่าย I_CC2H, I_CC2L max (mA)		5
	กระแสไฟฟ้าอินพุตเทรชโฮลด์ (L/H) I_FLH max (mA)		6.0
	แรงดันเทรชโฮลด์ DESAT V_DESAT typ. (V)		6.6
ลักษณะจำเพาะสวิตชิ่ง	เวลาในการหน่วง t_pHL, t_pLH max (ns)		250
	เวลาปิดเสียงอินพุต DESAT t_DESAT(MUTE) typ. (μs)		25.5
	ภูมิคุ้มกันชั่วคราวในโหมดธรรมดา CM_H, CM_L min (kV/μs)	@T_a=25°C, C_F=Open	±25
		@T_a=25°C, C_F=1nF	±50
ลักษณะจำเพาะ Isolation	แรงดัน Isolation BV_S min (Vrms)	@T_a=25°C	5000
ดูตัวอย่างและความพร้อมในการจำหน่าย			ซื้อออนไลน์

คลิกลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TLP5222

คลิกลิงก์ด้านล่างสำหรับการใช้งานโฟโตคัปเปลอร์ตัวขับเกตอัจฉริยะของ Toshiba
Smart Gate Driver Photocoupler TLP5214A/TLP5214/TLP5212/TLP5222 Application Note -Introduction–
Smart Gate Driver Photocoupler TLP5214A/TLP5214/TLP5212/TLP5222 Application Note -Advanced edition-

คลิกลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับตัวแยก/โซลิดสเตตรีเลย์ของ Toshiba
Isolators/Solid State Relays

ตรวจสอบความพร้อมของการวางจำหน่ายผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ได้ที่:
TLP5222
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์เนื้อหาของบริการและข้อมูลการติดต่อเป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ระดับแถวหน้าผู้จัดหาโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บที่มีความก้าวล้ำ รวบรวมประสบการณ์และนวัตกรรมที่สะสมมากว่าครึ่งศตวรรษ เพื่อส่งมอบผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจของเรา
พนักงานทั้ง 23,000 คนจากทั่วโลกของ TDSC มุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ ๆ ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีที่สูงกว่า 8.5 แสนล้านเยน (7.5 พันล้านดอลลาร์สหรัฐฯ) ในขณะนี้ TDSC หวังที่จะได้มีส่วนสร้างอนาคตที่ดีกว่าให้กับผู้คนทั่วโลก
ดูเพิ่มเติมที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20220830005390/en/

ติดต่อ:

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์
โทร: +81-44-548-2218
ติดต่อเรา

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
เมล: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว Stepping Motor Driver IC ที่ช่วยประหยัดพื้นที่บนแผงวงจร

August 25, 2022 Jasmine

Logo

คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–25 ส.ค. 2565

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“โตชิบา”) ได้ขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์stepping motor driver IC ด้วยการเปิดตัว “TB67S549FTG” ซึ่งเป็น stepping motor driver IC ที่อยู่ในแพ็คเกจขนาดเล็กพร้อมการควบคุมกระแสคงที่ในตัวที่ไม่จำเป็นต้องใช้ส่วนประกอบวงจรภายนอก ไดรเวอร์ใหม่ช่วยประหยัดพื้นที่บนแผงวงจรและเหมาะสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น ระบบอัตโนมัติในสำนักงานและอุปกรณ์ทางการเงิน เริ่มจัดส่งได้แล้ววันนี้

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้ประกอบด้วยมัลติมีเดีย อ่านฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20220824005284/en/

โตชิบา: “TB67S549FTG” stepping motor driver IC ที่อยู่ในแพ็คเกจ QFN24 ขนาดเล็ก (กราฟิก: Business Wire)

TB67S549FTG ใช้ DMOS FET ของโตชิบา^[1] สำหรับทรานซิสเตอร์กำลังเอาท์พุต และมีอัตราแรงดันไฟฟ้าเอาท์พุตของมอเตอร์ที่ 40V และอัตรากระแสไฟเอาท์พุตของมอเตอร์ที่ 1.5A^[2] การใช้แพ็คเกจ QFN24 จะลดพื้นที่การติดตั้งลงเหลือประมาณ 64% ของแพ็คเกจ QFN32 ที่ใช้สำหรับผลิตภัณฑ์ปัจจุบันของโตชิบา TB67S539FTG ช่วยประหยัดพื้นที่บนแผงวงจร

นอกจากนี้ ไดรเวอร์ใหม่ยังรวมส่วนตรวจจับกระแสไฟสำหรับการควบคุมมอเตอร์กระแสไฟคงที่ และไม่ต้องมีตัวเก็บประจุภายนอกสำหรับวงจรปั๊มประจุ ซึ่งจะช่วยลดส่วนประกอบวงจรภายนอกและจะช่วยประหยัดพื้นที่บนแผงวงจร

TB67S549FTG รองรับแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟมอเตอร์ตั้งแต่ 4.5V ถึง 33V และมีการใช้กระแสไฟสูงถึง 1μA ใน sleep mode ทำให้ใช้งานได้อย่างกว้างขวางสำหรับแหล่งจ่ายไฟ 12V/24V

โตชิบาจะยังคงพัฒนาผลิตภัณฑ์เพื่อการใช้งานที่หลากหลาย และนำเสนอโซลูชั่นแบบครบวงจรที่ช่วยให้การออกแบบของผู้ใช้ง่ายขึ้น ลดพื้นที่บอร์ด และลดต้นทุนโดยรวม

หมายเหตุ:

[1] MOSFET แบบกระจายสองเท่า

[2] กระแสจริงที่สามารถขับเคลื่อนมอเตอร์ได้นั้นถูกจำกัดด้วยอุณหภูมิแวดล้อม แรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟ และสภาวะการทำงานอื่นๆ

การใช้งาน

เครื่องพิมพ์
เครื่องพิมพ์มัลติฟังก์ชั่น (MFP)
ATM อัตโนมัติ
เครื่องแลกเงิน
กล้องวงจรปิด
โปรเจ็กเตอร์

คุณสมบัติ

แพ็คเกจ QFN24 ขนาดเล็ก: 4.0 มม. × 4.0 มม. (ทั่วไป)
ไม่จำเป็นต้องใช้ตัวต้านทานการตรวจจับกระแสภายนอกสำหรับการควบคุมมอเตอร์กระแสไฟคงที่
ไม่ต้องการตัวเก็บประจุภายนอกสำหรับวงจรปั๊มชาร์จ
ใช้พลังงานต่ำใน sleep mode: I_M1=1μA (สูงสุด)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

			(เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น @T_a=25°C)
หมายเลขชิ้นส่วน			TB67S549FTG
ช่วงการทำงาน	แหล่งจ่ายไฟของมอเตอร์ V_M (V)	@T_a=-20 ถึง 85°C	4.5 ถึง 33
ค่าสูงสุด	แรงดันไฟขาออกของมอเตอร์ V_OUT (V)		40
	กระแสไฟขาออกของมอเตอร์ I_OUT (A)		1.5
รองรับมอเตอร์			สเต็ปปิ้งแบบไบโพลา
เอาท์พุตทรานซิสเตอร์ระหว่าง drain และ source On resistance (บน + ล่าง) R_ON(D-S) typ. (Ω)		M₌, j₌25°C, I_OUT=2.0A	1.2
การใช้งาน I_M1 max (μA)		@Sleep mode	1
ฟังก์ชันความปลอดภัย			การตรวจจับกระแสไฟเกิน การปิดเครื่องตามอุณหภูมิ การล็อกเอาท์กระแสไฟ
แพคเกจ	ชื่อ		QFN24
	ขนาด (มม.)		4.0×4.0
เช็คตัวอย่างและการจัดจำหน่าย			ซื้อออนไลน์

ตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TB67S549FTG

ตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ IC สเต็ปปิ้งมอเตอร์ของโตชิบา
Stepping Motor Driver ICs

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมใช้งานของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่: TB67S549FTG

ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมทั้งราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลระดับสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกอิสระ ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัท 23,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการร่วมสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ ด้วยยอดขายประจำปีที่สูงกว่า 850,000 ล้านเยน (7.5 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่

อ่านข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

อ่านเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20220824005284/en/

ติดต่อ:

Customer สอบถามข้อมูล
Analog & Automotive Device Sales & Marketing Dept. (ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์อนาล็อกและยานยนต์)
โทรศัพท์: +81-44-548-2219

ติดต่อเรา

สอบถามข้อมูลสำหรับ:
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Department (ฝ่ายการตลาดดิจิทัล)
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Thai Herald

Tag Archives: toshiba

ติดต่อ

ทรานซิสเตอร์สองขั้วเกทแบบแยกฉนวนของ Toshiba ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพเครื่องปรับอากาศและอุปกรณ์อุตสาหกรรม

Toshiba เปิดตัวอุปกรณ์ไฟฟ้าอัจฉริยะที่ช่วยลดพื้นที่ติดตั้ง

Toshiba พัฒนา SiC MOSFET พร้อมไดโอดกั้น Schottky ในตัวที่ให้ความต้านทานต่ำและมีความน่าเชื่อถือสูง

Toshiba เป็นผู้ชนะรางวัล World Electronics Achievement Awards ของ AspenCore

Toshiba เปิดตัวโฟโตคัปเปลอร์ตัวขับเกตอัจฉริยะที่ช่วยให้การออกแบบวงจรต่อพ่วงสำหรับอุปกรณ์ไฟฟ้าง่ายขึ้น

Toshiba เปิดตัว Stepping Motor Driver IC ที่ช่วยประหยัดพื้นที่บนแผงวงจร

Thai Herald