Category Archives: Uncategorized

Featured, Technology, Uncategorized

Toshiba เปิดตัว MOSFET กำลังไฟฟ้า N-Channel 100V พร้อมเทคโนโลยีกระบวนการผลิตรุ่นล่าสุด เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพในแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งโหมดสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม

Logo

คาวาซากิ, ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–25 กันยายน 2025

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “TPH2R70AR5” ซึ่งเป็น MOSFET กำลังไฟ 100V N-channel ที่ผลิตด้วย U-MOS11-H ซึ่งเป็นกระบวนการผลิตรุ่นล่าสุดของ Toshiba[1] โดย MOSFET ได้รับการออกแบบมาเพื่อการใช้งานที่หลากหลาย เช่น แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งโหมดสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร ซึ่งเริ่มจัดส่งได้แล้ววันนี้

Toshiba: TPH2R70AR5, a 100V N-channel power MOSFET with the latest generation process technology.

Toshiba: TPH2R70AR5, MOSFET กำลังไฟฟ้า N-channel 100V พร้อมเทคโนโลยีกระบวนการผลิตรุ่นล่าสุด

ซีรีส์ 100V U-MOS11-H ได้ปรับปรุงความต้านทานในการเปิดเดรน-ซอร์ส (RDS(ON)) ประจุเกตรวม (Qg) และการแลกเปลี่ยนระหว่างประจุทั้งสอง (RDS(ON) × Qg) ที่ได้รับจากกระบวนการผลิตที่มีอยู่ของ Toshiba โดยซีรีส์ U-MOSX-H จะช่วยลดการสูญเสียพลังงานทั้งจากการนำไฟฟ้าและการสวิตชิ่งไฟฟ้า

TPH2R70AR5 ให้ค่า RDS(ON) ต่ำกว่าประมาณ 8% และ Qg ต่ำกว่า 37% เมื่อเทียบกับ TPH3R10AQM ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์ซีรีส์ U-MOSX-H รวมถึงการปรับปรุงค่า RDS(ON) × Qg ขึ้น 42% นอกจากนี้ยังมีประสิทธิภาพไดโอดแบบบอดี้ความเร็วสูงผ่านการใช้เทคโนโลยีการควบคุมตลอดอายุการใช้งาน[2] ซึ่งช่วยลดประจุไฟฟ้ากู้คืนแบบย้อนกลับ (Qrr) และลดแรงดันไฟฟ้าสไปค์ ค่า Qrr ได้รับการปรับปรุงประมาณ 38% และค่า RDS(ON) × Qrr ก็ได้รับการปรับปรุงประมาณ 43% เช่นกัน[3] คุณสมบัติการแลกเปลี่ยนที่เป็นผู้นำในอุตสาหกรรม[4] ทั้ง RDS(ON) × Qg และ RDS(ON) × Qrr จะช่วยลดการสูญเสียพลังงาน และทำให้มีประสิทธิภาพและความหนาแน่นของพลังงานที่สูงขึ้นในระบบจ่ายไฟ นอกจากนี้ยังใช้แพ็กเกจ SOP Advance (N) และให้ความเข้ากันได้ดีเยี่ยมกับการติดตั้งตามมาตรฐานอุตสาหกรรม

Toshiba ยังมีเครื่องมือสนับสนุนการออกแบบวงจร ได้แก่ รุ่น G0 SPICE ซึ่งตรวจสอบการทำงานของวงจรได้ภายในระยะเวลาอันสั้น และรุ่น G2 SPICE ที่มีความแม่นยำสูงซึ่งจำลองลักษณะชั่วคราวได้อย่างแม่นยำ ขณะนี้มีวางจำหน่ายแล้วทั้งหมด

Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ MOSFET ที่มีการสูญเสียต่ำ ซึ่งช่วยให้แหล่งจ่ายไฟมีประสิทธิภาพมากขึ้น และช่วยลดการใช้พลังงานของอุปกรณ์

 หมายเหตุ:
 [1] ณ เดือนกันยายน 2025 ในบรรดาเทคโนโลยีกระบวนการผลิตของ Toshiba สำหรับ MOSFET กำลังไฟฟ้าแรงดันต่ำ จากข้อมูลผลสำรวจของ Toshiba
 [2] เทคโนโลยีการควบคุมตลอดอายุการใช้งาน: การลดอายุการใช้งานของพาหะโดยเจตนาโดยใช้ลำแสงไอออนเพื่อนำข้อบกพร่องเข้าสู่สารกึ่งตัวนำ ช่วยเพิ่มความเร็วในการสลับ ซึ่งช่วยเพิ่มความเร็วในการกู้คืนของไดโอดและลดสัญญาณรบกวน
 [3] ณ เดือนกันยายน 2025 การเปรียบเทียบกับมอสเฟตกำลังไฟฟ้า 100V N-channel อื่นๆ สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม จากข้อมูลผลสำรวจของ Toshiba
 [4] RDS(ON) ×Qg : 120mΩ・nC (ทั่วไป), RDS(ON) ・Qrr : 127mΩ×nC (ทั่วไป)

 การใช้งาน

  • แหล่งจ่ายไฟสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร
  • แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์โหมด (ตัวแปลง DC-DC ประสิทธิภาพสูง ฯลฯ)

 คุณสมบัติ

  •  ความต้านทานต่อกระแสไฟเข้าที่ต่ำ: RDS(ON) ＝2.7mΩ (สูงสุด) (VGS =10V, ID =50A, Ta ＝25°C)
  •  ประจุเกตรวมต่ำ:: Qg =52nC (ทั่วไป) (VDD =50V, VGS =10V, ID =50A, Ta ＝25°C)
  •  ประจุกู้คืนย้อนกลับต่ำ: Qrr =55nC (ทั่วไป) (IDR ＝50A, VGS =0V, -dIDR /dt=100A/μs, Ta ＝25°C)

 ข้อมูลจำเพาะหลัก

 เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น, Ta =25°C)

หมายเลขชิ้นส่วน

 TPH2R70AR5

พิกัด
สูงสุด
จริง

แรงดันไฟฟ้าเดรน-ซอร์ส VDSS (V)

100

กระแสไฟฟ้าเดรน (DC) ID (A)

 Tc =25°C

190

 อุณหภูมิช่องสัญญาณ Tch (°C)

175

ลักษณะ
ทางไฟฟ้า

 ความต้านทาน
 ต่อกระแสไหลย้อน
 RDS(ON) (mΩ)

 VGS =10V, ID =50A

สูงสุด

2.7

 VGS =8V, ID ＝50A

สูงสุด

3.6

ประจุเกตรวม
 Qg (nC)

 VDD =50V, VGS =10V,
 ID =50A

ทั่วไป

52

 ประจุ
 สวิตช์เกต Qsw (nC)

ทั่วไป

17

 ประจุไฟฟ้าเอาต์พุต Q oss
 (nC)

 VDD =50V, VGS =0V,
 f=1MHz

ทั่วไป

106

 ความจุอินพุต
 Ciss (pF)

 VDS =50V, VGS =0V,
 f=1MHz

ทั่วไป

4105

 ประจุไฟฟ้า
 แบบกู้คืนย้อนกลับ Qrr (nC)

 IDR ＝50A, VGS =0V,

 -dIDR /dt=100A/μs

ทั่วไป

55

แพ็กเกจ

ชื่อ

SOP Advance(N)

ขนาด (มม.)

ทั่วไป

5.15×6.1

การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน

 ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TPH2R70AR5

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFET

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล SPICE ที่มีความแม่นยำสูง (โมเดล G2)
โมเดล G2

ตรวจสอบความพร้อมจำหน่ายผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ได้ที่:
TPH2R70AR5
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมมากกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจต่างๆ

โดยมีพนักงานกว่า 19,400 คนทั่วโลกที่มีความมุ่งมั่นร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน บริษัทมุ่งหวังที่จะสร้างและมีส่วนสนับสนุนเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนโดยทั่วไป

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html  

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย 

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250924029500/en 

Contacts

การสอบถามจากลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์กำลังและสัญญาณขนาดเล็ก
โทร.: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

การสอบถามจากสื่อ:
C. Nagasawa
ฝ่ายสื่อสารและข่าวกรองการตลาด
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology, Uncategorized

Toshiba เปิดตัว Power MOSFET แบบ N-channel 150V พร้อมความต้านทานต่อไฟฟ้าต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม และคุณลักษณะการฟืนตัวย้อนกลับที่ได้รับการปรับปรุงซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้กับแหล่งจ่ายไฟ

Logo

คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–30 มีนาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว Power MOSFET แบบ N-channel 150V “TPH9R00CQ5” ซึ่งใช้กระบวนการ U-MOSX-H เจนเนอเรชันล่าสุด[2] สำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งของอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร โดยเริ่มจัดส่งวันนี้

Toshiba: TPH9R00CQ5, a 150V N-channel power MOSFET that helps increase the efficiency of power supplies. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: TPH9R00CQ5 ที่เป็น Power MOSFET แบบ N-channel 150V ที่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้กับแหล่งจ่ายไฟ (กราฟิก: Business Wire)

TPH9R00CQ5 นำเสนอความต้านทานต่อไฟฟ้าเดรนต่ำของแหล่งที่มาชั้นนำในอุตสาหกรรม[1] ที่ 9.0mΩ (สูงสุด) ซึ่งลดลงประมาณ 42% จากผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่ของ Toshiba “TPH1500CNH1[3]” เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่ของ Toshiba “TPH9R00CQH[4]” ค่าการฟืนตัวย้อนกลับจะลดลงประมาณ 74% และช่วงเวลาฟืนตัวย้อนกลับ[5] ประมาณ 44% ซึ่งทั้งสองคุณลักษณะการฟืนตัวย้อนกลับมีความสำคัญกับแอปพลิเคชันการแก้ไขแบบซิงโครนัส ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ที่ใช้ในแอปพลิเคชันการแก้ไขแบบซิงโครนัส[6] ช่วยลดการสูญเสียพลังงานของแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งและช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพ นอกจากนี้ เมื่อเทียบกับ TPH9R00CQH ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ช่วยลดแรงดันสไปค์ที่เกิดขึ้นระหว่างสวิตชิ่ง ซึ่งช่วยลด EMI ของแหล่งจ่ายไฟ

ผลิตภัณฑ์นี้ใช้แพ็คเกจยอดนิยม SOP Advance(N) ชนิดติดตั้งบนพื้นผิว

Toshiba ยังมีเครื่องมือที่สนับสนุนการออกแบบวงจรสำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง นอกเหนือจากรุ่น G0 SPICE ซึ่งตรวจสอบการทำงานของวงจรในเวลาอันสั้นแล้ว รุ่น G2 SPICE ที่มีความแม่นยำสูงซึ่งสร้างลักษณะเฉพาะชั่วคราวได้อย่างแม่นยำก็มีวางจำหน่ายแล้วเช่นกัน

Toshiba ยังได้พัฒนาการออกแบบอ้างอิง “ตัวแปลง DC-DC แบบไม่มีแยก Buck-Boost ขนาด 1 กิโลวัตต์สำหรับอุปกรณ์โทรคมนาคม” และ “อินเวอร์เตอร์สามเฟสหลายระดับโดยใช้ MOSFET” ที่ใช้ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ ซึ่งมีอยู่ในเว็บไซต์ของ Toshiba ตั้งแต่วันนี้ ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้สามารถใช้กับการออกแบบอ้างอิง “ตัวแปลง DC-DC แบบฟูลบริดจ์ขนาด 1 กิโลวัตต์” ที่เผยแพร่แล้วได้

Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ Power MOSFET ที่ช่วยลดการสูญเสียพลังงาน เพิ่มประสิทธิภาพของแหล่งจ่ายไฟ และช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์ต่อไป

การใช้งาน

  • แหล่งจ่ายไฟของอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น ที่ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร
  • แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง (ตัวแปลง DC-DC ประสิทธิภาพสูง และอื่น ๆ)

คุณสมบัติ

  • ความต้านทานไฟฟ้าต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม[1]: RDS(ON)=9.0mΩ (สูงสุด) (VGS=10V)
  • ค่าการฟื้นตัวย้อนกลับชั้นนำในอุตสาหกรรม[1]: Qrr=34nC (typ.) (-dIDR/dt=100A/μs)
  • ช่วงเวลาฟื้นตัวย้อนกลับอย่างรวดเร็วชั้นนำในอุตสาหกรรม[1]: trr=40ns (typ.) (-dIDR/dt=100A/μs)
  • ระดับอุณหภูมิช่องสูง: Tch (สูงสุด)=175°C

หมายเหตุ:
[1] ณ เดือนมีนาคม 2023 เปรียบเทียบกับผลิตภัณฑ์ 150V อื่น ๆ ผลสำรวจของ Toshiba

[2] ณ เดือนมีนาคม 2023

[3] ผลิตภัณฑ์ 150V ที่ใช้กระบวนการสร้างที่มีอยู่ U-MOSVIII-H

[4] ผลิตภัณฑ์ที่ใช้กระบวนการสร้างรุ่นเดียวกับ TPH9R00CQ5 และมีแรงดันไฟฟ้าและความต้านทานไฟฟ้าแบบเดียวกัน

[5] การดำเนินการสวิตชิ่งที่ไดโอดตัว MOSFET เปลี่ยนจากไปข้างหน้าเป็นย้อนกลับ

[6] หากใช้ผลิตภัณฑ์ใหม่ในวงจรที่ไม่ได้ดำเนินการฟื้นตัวย้อนกลับ การสูญเสียพลังงานจะเทียบเท่ากับ TPH9R00CQH

ข้อกำหนดหลัก 

(Ta=25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

หมายเลขชิ้นส่วน

TPH9R00CQ5

การจัดอันดับ

สูงสุด

แบบสัมบูรณ์

แรงดันจากเดรน VDSS (V)

150

กระแสเดรน (DC) ID (A)

Tc=25°C

64

อุณหภูมิช่อง Tch (°C)

175

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

ความต้านทานต่อไฟฟ้าจากเดรน

RDS(ON) max (mΩ)

VGS=10V

9.0

VGS=8V

11.0

ค่าเกตทั้งหมด Qg typ. (nC)

44

ค่าการสลับเกต QSW typ. (nC)

11.7

ค่าเอาต์พุต Qoss typ. (nC)

87

ค่าตัวเก็บประจุระหว่างอินพุต Ciss typ. (pF)

3500

ช่วงเวลาฟืนตัวย้อนกลับ trr typ. (ns)

-dIDR/dt=100A/μs

40

ค่าการฟืนตัวย้อนกลับ Qrr typ. (nC)

34

แพ็กเกจ

ชื่อ

SOP Advance(N)

ขนาด typ. (มม.)

4.9 x 6.1 x 1.0

การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน

ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TPH9R00CQ5

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับรายละเอียดที่เกี่ยวข้องกับผลิตภัณฑ์ใหม่

U-MOSX-H ซีรีส์ 150V MOSFET เหมาะอย่างยิ่งสำหรับแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งที่มีประสิทธิภาพ

การปรับปรุงประสิทธิภาพโดยอินเวอร์เตอร์หลายระดับพร้อม 150V MOSFET

ตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFETs

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่

TPH9R00CQ5
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และคลังข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ
พนักงานของบริษัทจำนวน 23,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ปัจจุบัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ที่มียอดขายต่อปีทะลุ 8.5 แสนล้านเยน (7.5 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง
ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: www.businesswire.com/news/home/53370162/en

ติดต่อ

ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
อีเมล: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology, Uncategorized

โฟโตรีเลย์ขับเคลื่อนด้วยแรงดันไฟฟ้า 4-Form-A รุ่นใหม่ของโตชิบามีพื้นที่ติดตั้งที่เล็กที่สุดในอุตสาหกรรม จะช่วยลดขนาดเครื่องทดสอบอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์

Logo

คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–16 ธันวาคม 2564

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“โตชิบา”) ได้เปิดตัวโฟโตรีเลย์ขับเคลื่อนด้วยแรงดันไฟฟ้า 4-Form-A จำนวนสามรุ่น ได้แก่ “TLP3407SRA4” “TLP3412SRHA4” และ “TLP3475SRHA4” ที่มีพื้นที่ติดตั้งที่เล็กที่สุด[1] ในอุตสาหกรรม โดยเริ่มจัดส่งได้แล้ววันนี้

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีเนื้อหามัลติมีเดีย อ่านฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20211215005331/en/

Toshiba: four circuit, 4-Form-A, voltage driven photorelays housed in a newly-developed small S-VSON16T package. (Graphic: Business Wire)

โตชิบา: โฟโต้รีเลย์แบบขับเคลื่อนด้วยแรงดันไฟ 4-Form-A แบบ 4 วงจร อยู่ในแพ็คเกจ S-VSON16T ขนาดเล็กที่พัฒนาขึ้นใหม่ (กราฟิก: Business Wire)

ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้เป็นรีเลย์ 4-Form-A แบบสี่วงจรรุ่นแรกของโตชิบา ซึ่งอยู่ในแพ็คเกจ S-VSON16T ขนาดเล็กที่พัฒนาขึ้นมาใหม่ โดยมีพื้นที่ติดตั้งทั่วไปขนาด 12.5 ตร.มม. ซึ่งเป็นหนึ่งในอุปกรณ์ที่เล็กที่สุดในอุตสาหกรรม[1] ด้วยการผสมผสานตัวต้านทานที่ด้านอินพุต ผลิตภัณฑ์ถูกสร้างขึ้นเพื่อขับเคลื่อนด้วยแรงดันไฟฟ้าโดยไม่ต้องใช้ตัวต้านทานภายนอกใด ๆ คุณสมบัติเหล่านี้ช่วยลดความต้องการพื้นที่บนแผงวงจร ทำให้สามารถติดตั้งโฟโตรีเลย์ได้มากขึ้น

โฟโตรีเลย์แบบใหม่นี้เหมาะสำหรับการใช้งานต่าง ๆ อย่างเช่น เครื่องทดสอบอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งจำเป็นต้องติดตั้งรีเลย์จำนวนมากบนแผงวงจรที่มีขนาดจำกัด

พิกัดอุณหภูมิในการทำงานสูงสุดของผลิตภัณฑ์ใหม่คือ 125°C ทำให้ใช้งานได้ในสภาวะที่มีอุณหภูมิสูงและรักษาระยะขอบของการออกแบบการระบายความร้อนได้อย่างง่ายดาย

การใช้งาน

  • เครื่องทดสอบอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ (อุปกรณ์ probe cards และ test heads สำหรับหน่วยความจำ SoC และ LSI เป็นต้น)
  • อุปกรณ์ Burn-in
  • เครื่องมือวัด (ออสซิลโลสโคป เครื่องบันทึกข้อมูล เป็นต้น)

คุณสมบัติ

  • แพ็คเกจ S-VSON16T ที่มีพื้นที่ติดตั้งที่เล็กที่สุด[1] ในอุตสาหกรรมสำหรับหน้าสัมผัสแบบ 4-Form-A
  • ชนิดขับเคลื่อนด้วยแรงดันไฟฟ้าที่มีตัวต้านทานอินพุต ที่ไม่ต้องการตัวต้านทานภายนอก (แรงดันอินพุต: ระบบ 3.3V หรือระบบ 5V)
  • พิกัดอุณหภูมิในการทำงานสูง: Topr max=125°C

หมายเหตุ:
[1] ในบรรดาโฟโตรีเลย์ที่ขับเคลื่อนด้วยแรงดันไฟฟ้า ผลสำรวจของโตชิบา ณ เดือนธันวาคม 2564

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(@Ta=25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

หมายเลขส่วน

TLP3407SRA4

TLP3412SRHA4

TLP3475SRHA4

แพคเกจ

ชื่อ

S-VSON16T

ประเภทพื้นที่ติดตั้ง (ตร.มม.)

12.5

ผิวสัมผัส

4-Form-A

พิกัดสูงสุดสัมบูรณ์

กระแสเอาต์พุตสถานะปิดVOFF (V)

60

กระแสสถานะเปิด

ION (A)

0.6

0.25

กระแสสถานะเปิด

(pulsed)

IONP (A)

at t=100ms,

Duty=1/10

1.8

0.75

0.75

อุณหภูมิในการทำงาน

Topr (°C)

-40 to 125

สภาวะการใช้งานที่แนะนำ

อินพุตที่ใช้

แรงดันไปข้างหน้า

VIN typ./max (V)

at Topr

3.3/6

ลักษณะทางไฟฟ้า

กระแสสถานะปิด

IOFF max (nA)

at VOFF＝50V

1

1

1

ความจุเอาต์พุต    COFF typ. (pF)

80

max 20

max 20

ลักษณะทางไฟฟ้าคู่

กระแสไฟ LED ที่จำกัด

ILIM(LED) typ. (mA)

at Ta=110°C,

VIN=5V

0.7

(@3.3 V)

6.3

6.3

แรงดันไฟในการใช้งาน

VFON max (V)

3

แรงต้านทานสถานะเปิด

RON max (Ω)

0.3

1.5

1.5

ลักษณะการสลับ

เวลาเปิด

tON max (ms)

20

0.5

0.5

เวลาปิด

tOFF max (ms)

1

0.2

0.2

ลักษณะการแยก

การแยกแรงดันไฟฟ้า

BVS min (Vrms)

300

ตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมจัดส่ง

Buy Online

Buy Online

Buy Online

สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่ติดตามลิงก์ด้านล่าง
TLP3407SRA4
TLP3412SRHA4
TLP3475SRHA4

สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับตัวแยก/โซลิดสเตตรีเลย์ของโตชิบาติดตามลิงก์ด้านล่าง
ตัวแยก/โซลิดสเตตรีเลย์
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/isolators-solid-state-relays.html

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ กรุณาเยี่ยมชมได้ที่:
TLP3407SRA4
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TLP3407SRA4.html

TLP3412SRHA4
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TLP3412SRHA4.html

TLP3475SRHA4
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TLP3475SRHA4.html

สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า
Optoelectronic Device Sales & Marketing Dept.
Tel: +81-44-548-2218
ติดต่อเรา

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อเป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และสตอเรจขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจในเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกระบบ LSIs และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่น

พนักงานของบริษัท 22,000 คนทั่วโลกร่วมกันมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุดและเน้นการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ ด้วยยอดขายประจำปีที่สูงกว่า 710 พันล้านเยน (6.5 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

อ่านเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20211215005331/en/

สอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Department
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Tel: +81- 44-549-8361
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Featured, Technology, Uncategorized

โฟโตรีเลย์ 1-Form-B ของโตชิบาขยายการใช้งานด้วยค่าพิกัดกระแส ON-State ที่สูงที่สุด ของอุตสาหกรรม

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–11 พฤษภาคม 2564

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “TLP4590A” โฟโตรีเลย์ 1-Form-B (หน้าสัมผัสปกติปิด) ในแพคเกจ DIP6 ที่มีผลิตภัณฑ์ชั้นนำในอุตสาหกรรม[1] ที่ 1.2A เพิ่มค่าพิกัดกระแส ON-state และค่าพิกัดแรงดันไฟฟ้าของเทอร์มินัลเอาท์พุท OFF-state ระดับ 60V โดยเริ่มจัดส่งในจำนวนมากตั้งแต่วันนี้

ข่าวประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยมัลติมีเดีย รับชมฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20210510005347/en/

Toshiba: TLP4590A, a 1-Form-B (normally closed) photorelay in a DIP6 package featuring an industry-leading 1.2A increased ON-state current rating. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: TLP4590A ซึ่งเป็นโฟโตรีเลย์ 1-Form-B (หน้าสัมผัสปกติปิด) ในแพคเกจ DIP6 ที่มีผลิตภัณฑ์ชั้นนำในอุตสาหกรรมที่ 1.2A เพิ่มค่าพิกัดกระแส ON-state และค่าพิกัดแรงดันไฟฟ้าของเทอร์มินัลเอาท์พุท OFF-state (กราฟิก: Business Wire)

ค่าพิกัดกระแส ON-state ที่ 1.2A สูงที่สุดในอุตสาหกรรม[1] ซึ่งสูงกว่าผลิตภัณฑ์ปัจจุบันของโตชิบาถึง 140% TLP4176A[2] ค่าพิกัดอุณหภูมิในการทำงานสูงสุด 110 ℃ ช่วยให้การออกแบบสำเร็จได้ง่ายด้วยระยะขอบอุณหภูมิที่จำเป็นสำหรับการใช้งานในระบบทำความร้อน การระบายอากาศ และการปรับอากาศ (HVAC) ระบบรักษาความปลอดภัย และอุปกรณ์ระบบอัตโนมัติในอาคาร ซึ่งรีเลย์ 1-Form-B จำนวนมากได้ถูกใช้แล้ว TLP4590A ยังมีแรงดันไฟฟ้าแยกตัว (ขั้นต่ำ) ที่ 5,000Vrms ทำให้สามารถใช้ในอุปกรณ์ที่ต้องการประสิทธิภาพของฉนวนสูง

[1] สำหรับโฟโตรีเลย์ (1-Form-B) ที่ค่าพิกัดแรงดันไฟฟ้าของเทอร์มินัลเอาท์พุท OFF-state อยู่ที่ 60V ตามการทำสำรวจของโตชิบา (ณ วันที่ 11 พฤษภาคม 2564)

[2] แพคเกจ 2.54SOP4

การใช้งาน

  • HVAC
  • ระบบรักษาความปลอดภัย
  • การสร้างระบบอัตโนมัติ
  • อุปกรณ์อุตสาหกรรม (คอนโทรลเลอร์ลอจิกที่ตั้งโปรแกรม อินเตอร์เฟส I / O และการควบคุมเซ็นเซอร์ต่างๆ ฯลฯ )
  • การแทนที่ของรีเลย์เชิงกล

คุณสมบัติ

  • 1-Form-B
  • ค่าพิกัดกระแส ON-state สูงที่สุดในอุตสาหกรรม[1]: ION=1.2A
  • แพคเกจขนาดเล็ก: DIP6
  • ค่าพิกัดอุณหภูมิในการทำงานสูง: Topr(max)=110℃

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(@Ta=25℃)

หมายเลขส่วน

TLP4590A

สัมผัส

1-Form-B

แพคเกจ

DIP6

ค่าพิกัดสูงสุด

ค่าพิกัดแรงดันไฟฟ้าของเทอร์มินัลเอาท์พุท OFF-state

VOFF (V)

60

กระแส ON-state ION (A)

1.2

อุณหภูมิในการทำงาน Topr (℃)

-40 to 110

กระแส Trigger LED IFC max (mA)

2

การต้านทาน ON-state RON max (Ω)

0.6

กระแส OFF-state IOFF max (μA)

10

ความจุไฟฟ้าเอาท์พุท COFF typ. (pF)

550

แรงดันไฟฟ้าแยกตัว BVS min (Vrms)

5000

เวลาเปิดเครื่อง tON max (ms)

2

เวลาปิดเครื่อง tOFF max (ms)

3

ตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมสินค้า

Buy Online

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TLP4590A

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับอุปกรณ์ออพติคอลของโตชิบา
Photorelays (MOSFET Output)

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์โปรดไปที่:
TLP4590A

สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า
Optoelectronic Device Sales & Marketing Dept.
Tel: +81-3-3457-3431
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อเป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ผสมผสานความกระตือรือร้นของบริษัทใหม่เข้ากับปัญญาจากประสบการณ์ นับตั้งแต่กลายเป็นบริษัทอิสระในเดือนกรกฎาคม 2560 บริษัทได้เข้าร่วมเป็นหนึ่งในบริษัทชั้นนำด้านอุปกรณ์ทั่วไปและนำเสนอโซลูชั่นที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจในเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกระบบ LSIs และ HDD

พนักงาน 22,000 คนทั่วโลกร่วมกันมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุดและเน้นการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างมูลค่าและตลาดใหม่  บริษัทมีความตื่นเต้นที่จะสร้างยอดขายต่อปีได้ทะลุ 710 พันล้านเยน (6.5 พันล้านเหรียญสหรัฐ) และมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

รับชมเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210510005347/en/

สอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Department
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Tel: +81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย