Tag Archives: 100v

Featured, Technology, Uncategorized

Toshiba เปิดตัว MOSFET กำลังไฟฟ้า N-Channel 100V พร้อมเทคโนโลยีกระบวนการผลิตรุ่นล่าสุด เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพในแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งโหมดสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม

Logo

คาวาซากิ, ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–25 กันยายน 2025

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “TPH2R70AR5” ซึ่งเป็น MOSFET กำลังไฟ 100V N-channel ที่ผลิตด้วย U-MOS11-H ซึ่งเป็นกระบวนการผลิตรุ่นล่าสุดของ Toshiba[1] โดย MOSFET ได้รับการออกแบบมาเพื่อการใช้งานที่หลากหลาย เช่น แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งโหมดสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร ซึ่งเริ่มจัดส่งได้แล้ววันนี้

Toshiba: TPH2R70AR5, a 100V N-channel power MOSFET with the latest generation process technology.

Toshiba: TPH2R70AR5, MOSFET กำลังไฟฟ้า N-channel 100V พร้อมเทคโนโลยีกระบวนการผลิตรุ่นล่าสุด

ซีรีส์ 100V U-MOS11-H ได้ปรับปรุงความต้านทานในการเปิดเดรน-ซอร์ส (RDS(ON)) ประจุเกตรวม (Qg) และการแลกเปลี่ยนระหว่างประจุทั้งสอง (RDS(ON) × Qg) ที่ได้รับจากกระบวนการผลิตที่มีอยู่ของ Toshiba โดยซีรีส์ U-MOSX-H จะช่วยลดการสูญเสียพลังงานทั้งจากการนำไฟฟ้าและการสวิตชิ่งไฟฟ้า

TPH2R70AR5 ให้ค่า RDS(ON) ต่ำกว่าประมาณ 8% และ Qg ต่ำกว่า 37% เมื่อเทียบกับ TPH3R10AQM ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์ซีรีส์ U-MOSX-H รวมถึงการปรับปรุงค่า RDS(ON) × Qg ขึ้น 42% นอกจากนี้ยังมีประสิทธิภาพไดโอดแบบบอดี้ความเร็วสูงผ่านการใช้เทคโนโลยีการควบคุมตลอดอายุการใช้งาน[2] ซึ่งช่วยลดประจุไฟฟ้ากู้คืนแบบย้อนกลับ (Qrr) และลดแรงดันไฟฟ้าสไปค์ ค่า Qrr ได้รับการปรับปรุงประมาณ 38% และค่า RDS(ON) × Qrr ก็ได้รับการปรับปรุงประมาณ 43% เช่นกัน[3] คุณสมบัติการแลกเปลี่ยนที่เป็นผู้นำในอุตสาหกรรม[4] ทั้ง RDS(ON) × Qg และ RDS(ON) × Qrr จะช่วยลดการสูญเสียพลังงาน และทำให้มีประสิทธิภาพและความหนาแน่นของพลังงานที่สูงขึ้นในระบบจ่ายไฟ นอกจากนี้ยังใช้แพ็กเกจ SOP Advance (N) และให้ความเข้ากันได้ดีเยี่ยมกับการติดตั้งตามมาตรฐานอุตสาหกรรม

Toshiba ยังมีเครื่องมือสนับสนุนการออกแบบวงจร ได้แก่ รุ่น G0 SPICE ซึ่งตรวจสอบการทำงานของวงจรได้ภายในระยะเวลาอันสั้น และรุ่น G2 SPICE ที่มีความแม่นยำสูงซึ่งจำลองลักษณะชั่วคราวได้อย่างแม่นยำ ขณะนี้มีวางจำหน่ายแล้วทั้งหมด

Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ MOSFET ที่มีการสูญเสียต่ำ ซึ่งช่วยให้แหล่งจ่ายไฟมีประสิทธิภาพมากขึ้น และช่วยลดการใช้พลังงานของอุปกรณ์

 หมายเหตุ:
 [1] ณ เดือนกันยายน 2025 ในบรรดาเทคโนโลยีกระบวนการผลิตของ Toshiba สำหรับ MOSFET กำลังไฟฟ้าแรงดันต่ำ จากข้อมูลผลสำรวจของ Toshiba
 [2] เทคโนโลยีการควบคุมตลอดอายุการใช้งาน: การลดอายุการใช้งานของพาหะโดยเจตนาโดยใช้ลำแสงไอออนเพื่อนำข้อบกพร่องเข้าสู่สารกึ่งตัวนำ ช่วยเพิ่มความเร็วในการสลับ ซึ่งช่วยเพิ่มความเร็วในการกู้คืนของไดโอดและลดสัญญาณรบกวน
 [3] ณ เดือนกันยายน 2025 การเปรียบเทียบกับมอสเฟตกำลังไฟฟ้า 100V N-channel อื่นๆ สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม จากข้อมูลผลสำรวจของ Toshiba
 [4] RDS(ON) ×Qg : 120mΩ・nC (ทั่วไป), RDS(ON) ・Qrr : 127mΩ×nC (ทั่วไป)

 การใช้งาน

  • แหล่งจ่ายไฟสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร
  • แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์โหมด (ตัวแปลง DC-DC ประสิทธิภาพสูง ฯลฯ)

 คุณสมบัติ

  •  ความต้านทานต่อกระแสไฟเข้าที่ต่ำ: RDS(ON) ＝2.7mΩ (สูงสุด) (VGS =10V, ID =50A, Ta ＝25°C)
  •  ประจุเกตรวมต่ำ:: Qg =52nC (ทั่วไป) (VDD =50V, VGS =10V, ID =50A, Ta ＝25°C)
  •  ประจุกู้คืนย้อนกลับต่ำ: Qrr =55nC (ทั่วไป) (IDR ＝50A, VGS =0V, -dIDR /dt=100A/μs, Ta ＝25°C)

 ข้อมูลจำเพาะหลัก

 เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น, Ta =25°C)

หมายเลขชิ้นส่วน

 TPH2R70AR5

พิกัด
สูงสุด
จริง

แรงดันไฟฟ้าเดรน-ซอร์ส VDSS (V)

100

กระแสไฟฟ้าเดรน (DC) ID (A)

 Tc =25°C

190

 อุณหภูมิช่องสัญญาณ Tch (°C)

175

ลักษณะ
ทางไฟฟ้า

 ความต้านทาน
 ต่อกระแสไหลย้อน
 RDS(ON) (mΩ)

 VGS =10V, ID =50A

สูงสุด

2.7

 VGS =8V, ID ＝50A

สูงสุด

3.6

ประจุเกตรวม
 Qg (nC)

 VDD =50V, VGS =10V,
 ID =50A

ทั่วไป

52

 ประจุ
 สวิตช์เกต Qsw (nC)

ทั่วไป

17

 ประจุไฟฟ้าเอาต์พุต Q oss
 (nC)

 VDD =50V, VGS =0V,
 f=1MHz

ทั่วไป

106

 ความจุอินพุต
 Ciss (pF)

 VDS =50V, VGS =0V,
 f=1MHz

ทั่วไป

4105

 ประจุไฟฟ้า
 แบบกู้คืนย้อนกลับ Qrr (nC)

 IDR ＝50A, VGS =0V,

 -dIDR /dt=100A/μs

ทั่วไป

55

แพ็กเกจ

ชื่อ

SOP Advance(N)

ขนาด (มม.)

ทั่วไป

5.15×6.1

การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน

 ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TPH2R70AR5

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFET

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล SPICE ที่มีความแม่นยำสูง (โมเดล G2)
โมเดล G2

ตรวจสอบความพร้อมจำหน่ายผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ได้ที่:
TPH2R70AR5
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมมากกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจต่างๆ

โดยมีพนักงานกว่า 19,400 คนทั่วโลกที่มีความมุ่งมั่นร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน บริษัทมุ่งหวังที่จะสร้างและมีส่วนสนับสนุนเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนโดยทั่วไป

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html  

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย 

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250924029500/en 

Contacts

การสอบถามจากลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์กำลังและสัญญาณขนาดเล็ก
โทร.: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

การสอบถามจากสื่อ:
C. Nagasawa
ฝ่ายสื่อสารและข่าวกรองการตลาด
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว MOSFET พลังงาน N-channel 100V ที่รองรับการย่อขนาดของวงจรพาวเวอร์ซัพพลาย

Logo

– มี On-resistance ต่ำและมีพื้นที่ปฏิบัติการที่ปลอดภัยที่กว้างขึ้น โดยใช้กระบวนการรุ่นล่าสุด –

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–29 มิถุนายน 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “TPH3R10AQM” ซึ่งเป็น MOSFET พลังงาน N-channel 100V ที่ประดิษฐ์ขึ้นด้วยกระบวนการรุ่นล่าสุดของ Toshiba นั่นคือ U-MOS X-H ผลิตภัณฑ์มุ่งเป้าไปที่การใช้งาน เช่น วงจรสวิตชิ่งและวงจร Hot swap[1] บนสายไฟของอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ใช้สำหรับศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร เริ่มจัดส่งแล้ววันนี้

Toshiba: a 100V N-channel power MOSFET

Toshiba: MOSFET พลังงาน N-channel 100V “TPH3R10AQM” ประดิษฐ์ขึ้นด้วย U-MOS X-H ซึ่งเป็นกระบวนการรุ่นล่าสุดของ Toshiba (กราฟิก: Business Wire)

TPH3R10AQM เป็นผู้นำในอุตสาหกรรม[2] 3.1mΩ ความต้านทานต่อแหล่งเดรนสูงสุด 16%[2] ต่ำกว่าผลิตภัณฑ์ 100V ของ Toshiba “TPH3R70APL” ซึ่งใช้กระบวนการรุ่นก่อนหน้า จากการเปรียบเทียบแบบเดียวกัน TPH3R10AQM ได้ขยายพื้นที่การทำงานที่ปลอดภัยถึง 76%[3] ทำให้เหมาะสำหรับการทำงานในโหมดเชิงเส้น การลด On-resistance และการขยายช่วงการทำงานเชิงเส้นในพื้นที่การทำงานที่ปลอดภัยจะลดจำนวนการเชื่อมต่อแบบขนาน นอกจากนี้ ช่วงแรงดันธรณีประตูที่ 2.5V ถึง 3.5V ทำให้มีโอกาสน้อยที่จะทำงานผิดพลาดเนื่องจากสัญญาณรบกวนของแรงดันเกต

ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้แพ็คเกจ SOP Advance(N) ที่เข้ากันได้สูง

Toshiba จะยังคงขยายไลน์อัพพาวเวอร์ MOSFET ที่สามารถเพิ่มประสิทธิภาพของพาวเวอร์ซัพพลายโดยการลดการสูญเสีย และช่วยลดการใช้พลังงานของอุปกรณ์

การใช้งาน

  • พาวเวอร์ซัพพลายสำหรับอุปกรณ์สื่อสาร เช่น สำหรับศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร
  • แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง (ตัวแปลง DC-DC ประสิทธิภาพสูง ฯลฯ)

คุณสมบัติ

  • นำเสนอค่าความต้านทาน On-resistance ต่ำที่ยอดเยี่ยมในอุตสาหกรรม[2] : RDS(ON)=3.1mΩ (สูงสุด) (VGS=10V)
  • พื้นที่ปฏิบัติการที่ปลอดภัยกว้าง
  • ระดับอุณหภูมิช่องสูง: Tch (สูงสุด)=175°C

หมายเหตุ:
[1] วงจรสำหรับเชื่อมต่อและถอดชิ้นส่วนต่าง ๆ ในระบบโดยไม่ต้องปิดระบบในขณะที่อุปกรณ์ทำงาน
[2] ผลสำรวจของ Toshiba ณ เดือนมิถุนายน 2023
[3] ความกว้างของพัลส์: tw=10ms, VDS=48V

ข้อมูลจำเพาะหลัก 

(นอกจากที่ระบุไว้, Ta=25°C)

หมายเลขชิ้นส่วน

TPH3R10AQM

การจัดอันดับสูงสุดแบบสัมบูรณ์

แรงดันจากเดรน VDSS (V)

100

กระแสเดรน (DC) ID (A)

Tc=25°C

อุณหภูมิช่อง Tch (°C)

175

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

ความต้านทานต่อไฟฟ้าจากเดรน RDS(ON)

max (mΩ)

VGS=10V

3.1

VGS=6V

6.0

ค่าเกตทั้งหมด (gate-source plus gate-drain) Qg typ. (nC)

83

ค่าการสลับเกต Qsw typ. (nC)

32

ค่าเอาต์พุต Qoss typ. (nC)

88

ค่าตัวเก็บประจุระหว่างอินพุต Ciss typ. (pF)

5180

แพ็กเกจ

ชื่อ

SOP Advance(N)

ขนาด typ. (มม.)

4.9×6.1

การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน

ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TPH3R10AQM

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFETs

To check availability of the new products at online distributors, visit:

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่
TPH3R10AQM
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และคลังข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัทจำนวน 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ปัจจุบัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ที่มียอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง

ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53435647/en

ติดต่อ

ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า

ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:

Chiaki Nagasawa

ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัวโฟโต้รีเลย์กระแสไฟสูง 100V สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม

Logo

โตเกียว–(บิสิเนสไวร์)–05 ก.พ. 2564

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“โตชิบา”) ได้เปิดตัว “TLP241B” โฟโตเรย์กระแสสูงในแพ็คเกจ DIP4 สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่นคอนโทรลเลอร์ลอจิกที่ตั้งโปรแกรมได้และอินเทอร์เฟซไอโอ  มีตัวอย่างสินค้าและปริมาณการผลิตแล้ว

ข่าวประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยมัลติมีเดีย อ่านฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20210204005495/en/

Toshiba: TLP241B, a 100V high-current photorelay for industrial equipment (Graphic: Business Wire)

Toshiba: TLP241B โฟโตรีเลย์กระแสสูง 100V สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม (กราฟฟิค: บิสิเนสไวร์)

TLP241B ได้รวม MOSFET ตามกระบวนการ U-MOS รุ่นล่าสุดของโตชิบา  ด้วย TLP241B แรงดันไฟฟ้าของขั้วเอาท์พุทในสถานะปิดจะขยายเป็น 100V ซึ่งเป็นการเพิ่มขึ้น 150% จาก 40V ของ TLP241A ปัจจุบัน TLP241B นั้นบรรจุอยู่ในแพ็คเกจ DIP4 อเนกประสงค์และเป็นผลิตภัณฑ์ บรรจุ DIP4 ชิ้นแรกของอุตสาหกรรม[1] ที่ให้แรงดันไฟฟ้าขั้วเอาท์พุท 100V ในสถาะปิด กระแส 2A ในสถานะเปิดและแรงดันไฟฟ้าแยกเดี่ยว 5kV  การขยายช่วงแรงดันไฟฟ้านี้ครอบคลุมการใช้งานที่หลากหลาย

TLP241B สามารถใช้แทนรีเลย์เชิงกลแบบสัมผัสแบบ 1-Form-A ได้  TLP241B ซึ่งแตกต่างจากรีเลย์เชิงกลตรงที่ไม่มีหน้าสัมผัสที่เคลื่อนที่จึงไม่เกิดการเสื่อมเสีย  คุณลักษณะของไดรฟ์ที่มีกระแสไฟต่ำยังช่วยยืดอายุผลิตภัณฑ์  ประโยชน์อื่นๆ ได้แก่เวลาตอบสนองที่รวดเร็วและการประหยัดพื้นที่ PCB เนื่องจากขนาดบรรจุภัณฑ์ที่เล็กลง

เนื่องจากอุณหภูมิในการทำงานสูงสุดคือ 110℃ จึงหาขอบเขตอุณหภูมิของอุปกรณ์ได้ง่ายกว่า

การใช้งาน

– อุปกรณ์อุตสาหกรรม (คอนโทรลเลอร์ลอจิกที่ตั้งโปรแกรมได้ อินเทอร์เฟซไอโอ และการควบคุมเซ็นเซอร์ต่างๆ ฯลฯ)

– ระบบอัตโนมัติในอาคาร (การทำความร้อน การระบายอากาศ และการปรับอากาศ (HVAC) และเทอร์โมสตัท ฯลฯ)

– แทนที่รีเลย์เชิงกล (ระบบ AC 24 ถึง 48V, ระบบ DC 24 ถึง 100V)

คุณสมบัติ

– ค่ากระแสสูงสถานะเปิดสูง: ION=2A, IONP=6A (Pulsed) 

– กระแสไฟเอาท์พุทสถานะปิด: VOFF=100V

-อุณหภูมิในการทำงานสูง: Topr max=110℃

– แพ็คเกจ DIP4 สำหรับใช้งานทั่วไปพร้อมตัวเลือก gull wing (SMT)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(@Ta=25℃ เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

หมายเลขส่วน

TLP241B

แพคเกจ

DIP4

พิกัดสูงสุดสัมบูรณ์

กระแสสถานะปิด VOFF (V)

100

กระแสสถานะเปิด ION(A)

2.0

กระแสไฟสถานะเปิด (pulsed) IONP (A)

6.0

อุณหภูมิในการทำงาน Topr (℃)

-40 ถึง

110

ลักษณะทางไฟฟ้าคู่

ทริกเกอร์กระแส LED IFT max (mA)

3

แรงต้านทานสถานะเปิด RON typ. (mΩ)

110

แรงต้านทานสถานะเปิด RON max (mΩ)

200

ลักษณะทางไฟฟ้า

ความจุเอาต์พุต COFF typ. (pF)

300

ลักษณะการสลับ

เวลาเปิดเครื่อง tON max (ms)

3

เวลาปิดเครื่อง tOFF max (ms)

0.5

ตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมจัดส่ง

ซื้อทางออนไลน์

หมายเหตุ:

[1] ในบรรดาโฟโตเรย์แบบบรรจุ DIP4 ณ วันที่ 4 กุมภาพันธ์ 2564 จากการสำรวจของโตชิบา

ตามลิงค์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติม

TLP241B

https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TLP241B

ไปที่ลิงค์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับอุปกรณ์ออปติคัลของ Toshiba

โฟโต้รีเลย์ (MOSFET Output)

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/optoelectronics/photorelay-mosfet-output.html

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์โปรดไปที่:

TLP241B

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TLP241B.html

สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า:

ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ Optoelectronic
โทร: +81-3-3457-3431 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศแต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation รวมความกระตือรือร้นของบริษัทใหม่เข้ากับประสบการณ์ที่ยาวนาน  ตั้งแต่ได้แยกจาก Toshiba Corporation ในเดือนกรกฎาคมปี 2560 เราได้เข้าเป็นบริษัทชั้นนำด้านอุปกรณ์ทั่วไปและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจในเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSI และ HDD

พนักงานของเราจำนวน 24,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเราและให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆ  เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะต่อยอดจากยอดขายรายปีที่ในขณะนี้สูงกว่า 750 พันล้านเยน (6.5 พันล้านเหรียญสหรัฐ) และเพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

อ่านเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210204005495/en/

สอบถามข้อมูลสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Department (แผนกการตลาดดิจิทัล )
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โทร: +81-3-3457-4963 semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย