– 3 อุปกรณ์ใหม่ที่ช่วยยกระดับประสิทธิภาพ และความหนาแน่นพลังงานของอุปกรณ์อุตสาหกรรม –
คาวาซิกิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–28 สิงหาคม 2025
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) เปิดตัว SiC MOSFETs ขนาด 650V จำนวน 3 ตัวที่มาพร้อมเทคโนโลยีล่าสุด[1] ชิป SiC MOSFET รุ่นที่ 3ในแพ็กเกจ TOLL แบบติดตั้งบนพื้นผิว อุปกรณ์รุ่นใหม่ที่เหมาะกับเครื่องจักรอุตสาหกรรม เช่น แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์และตัวปรับกำลังไฟสำหรับเครื่องกำเนิดไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์ การจัดส่ง MOSFETs, “ TW027U65C,” “ TW048U65C,” และ “ TW083U65C,” เริ่มแล้วตั้งแต่วันนี้
Toshiba: SiC MOSFETs รุ่นที่ 3 ขนาด 650V ในแพ็กเกจ TOLL
ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้คือ SiC MOSFETs รุ่นที่ 3 ของ Toshiba ในแพ็กเกจ TOLL แบบติดตั้งบนพื้นผิวสำหรับการใช้งานทั่วไป ช่วยลดขนาดของอุปกรณ์ได้มากกว่า 80% เมื่อเทียบกับแพ็กเกจแบบทะลุผ่านรู อย่าง TO-247 และ TO-247-4L(X) พร้อมเพิ่มความหนาแน่นพลังงานของอุปกรณ์อีกด้วย
นอกจากนี้ แพ็กเกจ TOLL มีค่าความต้านทานปรสิต[2]ต่ำกว่าแพ็กเกจแบบทะลุผ่านรู ซึ่งช่วยลดการสูญเสียพลังงานขณะสลับสวิชต์เปิดปิด และเนื่องจากเป็นแพ็กเกจแบบ 4 [3]ขั้วจึงสามารถใช้การเชื่อมต่อแบบเคลวินเป็นขั้วต่อแหล่งสัญญาณสำหรับวงจรขับเกตได้ วิธีนี้ช่วยลดผลกระทบการเหนี่ยวนำจากสายไฟต้นทางภายในแพ็กเกจ ส่งผลให้การสลับสวิตช์มีประสิทธิภาพและความเร็วสูง อย่างในกรณีของ TW048U65C การสูญเสียพลังงานขณะเปิดและปิดลดลงประมาณ 55% และ 25% [4]ตามลำดับ เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ของ Toshiba ในปัจจุบัน[5]ซึ่งส่งผลให้การสูญเสียพลังงานของอุปกรณ์ลดลง
Toshiba จะขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ต่อไป เพื่อช่วยยกระดับประสิทธิภาพของอุปกรณ์และเพิ่มความสามารถในการจ่ายพลังงาน
|
กลุ่มผลิตภัณฑ์แพ็กเกจ SiC MOSFET รุ่นที่ 3 |
|
|
ประเภท |
แพ็กเกจ |
|
แบบทะลุผ่านรู |
|
|
แบบติดตั้งบนพื้นผิว |
|
หมายเหตุ:
[1] ข้อมูล ณ เดือนสิงหาคม 2025
[2] ความต้านทาน ความเหนี่ยวนำ และอื่นๆ
[3] ผลิตภัณฑ์ที่ขั้วสัญญาณต้นทางเชื่อมต่อใกล้ชิป FET
[4] ข้อมูล ณ เดือนสิงหาคม 2025 วัดค่าโดย Toshiba สามารถดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้จากรูปที่ 1 ในข่าวประชาสัมพันธ์บนเว็บไซต์ Toshiba.
[5] SiC MOSFET รุ่นที่ 3 ขนาด 650V กับแรงดันเทียบเท่าและความต้านทานขณะเปิดที่ใช้แพ็กเกจ TO-247 โดยไม่มีการเชื่อมต่อแบบเคลวิน
การใช้งาน
- แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์โหมดในเซิร์ฟเวอร์ ศูนย์ข้อมูล อุปกรณ์สื่อสาร ฯลฯ
- สถานีชาร์จรถไฟฟ้า
- ตัวแปลงไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์
- แหล่งจ่ายไฟสำรอง
คุณสมบัติ
- แพ็กเกจ TOLL แบบติดตั้งบนพื้นผิว: ช่วยลดขนาดของเครื่องจักร รองรับการประกอบอัตโนมัติ และลดการสูญเสียพลังงานขณะสลับสวิชต์
- SiC MOSFETs รุ่นที่ 3 ของ Toshiba:
– ปรับอัตราส่วนระหว่างความต้านทานดริฟต์และความต้านทานช่องสัญญาณ ทำให้ความต้านทานขณะเปิดระหว่างขั้วเดรนและขั้วซอร์สมีความคงที่ตามอุณหภูมิ
– ค่าความต้านทานขณะเปิดระหว่างเดรน-ซอร์ส x ประจุเกตและเดรนต่ำ
– แรงดันตกคร่อมของไดโอดต่ำ: VDSF =-1.35V(typ.) (VGS =-5V)
|
รายละเอียดสำคัญ |
||||||
|
(เว้นแต่ระบุเป็นอย่างอื่น, Ta =25 องศาเซลเซียส) |
||||||
|
หมายเลขผลิตภัณฑ์ |
||||||
|
แพ็กเกจ |
ชื่อ |
TOLL |
||||
|
ขนาด (มิลลิเมตร) |
ประเภท |
9.9×11.68×2.3 |
||||
|
ค่า |
แรงดันระหว่างเดรน-ซอร์ส VDSS (โวลต์) |
650 |
||||
|
แรงดันระหว่างเกต-ซอร์ส VGSS (โวลต์) |
-10 ถึง 25 |
|||||
|
กระแสเดรน (DC) ID (แอมแปร) |
Tc =25°C |
57 |
39 |
28 |
||
|
คุณลักษณะทางไฟฟ้า |
ความต้านทานขณะเปิดระหว่างเดรน-ซอร์ส RDS(ON) (mΩ) |
VGS =18V |
ประเภท |
27 |
48 |
83 |
|
แรงดันเกต Vth (V) |
VDS =10V |
3.0 ถึง 5.0 |
||||
|
ประจุเกตรวม Qg (nC) |
VGS =18V |
Typ. |
65 |
41 |
28 |
|
|
ประจุเกต-เดรน Qgd (nC) |
VGS =18V |
Typ. |
10 |
6.2 |
3.9 |
|
|
ความจุอินพุต Ciss (pF) |
VDS =400V |
Typ. |
2288 |
1362 |
873 |
|
|
แรงดันตกคร่อมของไดโอด VDSF (V) |
VGS =-5V |
Typ. |
-1.35 |
|||
|
ดูตัวอย่างและความพร้อมของสินค้า |
||||||
ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่ได้ที่ลิงก์ด้านล่าง
TW027U65C
TW048U65C
TW083U65C
ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับอุปกรณ์พลังงาน SiC ของ Toshiba ได้ที่ลิงก์ด้านล่าง
SiC Power Devices
ตรวจสอบความพร้อมของผลิตภัณฑ์ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ได้ที่:
TW027U65C
สั่งซื้อออนไลน์
TW048U65C
สั่งซื้อออนไลน์
TW083U65C
สั่งซื้อออนไลน์
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้นๆ
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและรายละเอียดของผลิตภัณฑ์ บริการด้านเนื้อหา และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูล ณ วันที่ประกาศ อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมมากกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจต่างๆ
โดยมีพนักงานกว่า 19,400 คนทั่วโลกที่มีความมุ่งมั่นร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน บริษัทมุ่งหวังที่จะสร้างและมีส่วนสนับสนุนเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนโดยทั่วไป
ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250827523831/en
Contacts
ช่องทางการติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์พลังงานและสัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อสอบถาม
ช่องทางการติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
C. Nagasawa
ฝ่ายสื่อสารและวิเคราะห์ตลาด
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
