Tag Archives: flash

Featured, Technology

ขยายขีดความสามารถ AI อย่างไร้ขีดจำกัด: KIOXIA นำเสนอโซลูชัน Flash Storage สุดล้ำที่งาน FMS 2025

Logo

บริษัทมุ่งเน้นไปที่ SSD ความจุ 245.76 TB รุ่นแรกในอุตสาหกรรม รวมถึงนวัตกรรมอื่นๆ ที่จะนิยามการจัดเก็บข้อมูลใหม่สำหรับโครงสร้างพื้นฐานที่ขับเคลื่อนด้วย AI

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–05 สิงหาคม 2025

กลุ่ม Kioxiaผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ จะขึ้นเวทีอีกครั้งในงาน FMS: อนาคตของหน่วยความจำและการจัดเก็บข้อมูล เพื่อเน้นย้ำว่านวัตกรรมหน่วยความจำแฟลชและ SSD ของบริษัทกำลังขับเคลื่อนโครงสร้างพื้นฐานที่มีประสิทธิภาพและปรับขนาดได้สำหรับปัญญาประดิษฐ์ (AI) อย่างไร โดยมุ่งเน้นไปที่การใช้งานจริงและการเพิ่มประสิทธิภาพ โดย Kioxia จะแสดงให้เห็นว่าโซลูชันล่าสุดของบริษัทสามารถตอบสนองความต้องการที่เปลี่ยนแปลงไปของ AI ในสภาพแวดล้อมศูนย์ข้อมูลและองค์กรได้อย่างไร

Scale AI Without Limits: KIOXIA Showcases Breakthrough Flash Storage Solutions at FMS 2025

ขยายขีดความสามารถ AI อย่างไร้ขีดจำกัด: KIOXIA นำเสนอโซลูชัน Flash Storage สุดล้ำที่งาน FMS 2025

 Kioxia จะนำเสนอผลิตภัณฑ์ใหม่ล่าสุด รวมถึงซีรีส์ KIOXIA LC9 ความจุสูง ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์แรกของอุตสาหกรรม1 245.76 เทราไบต์ (TB)2 NVMe™ SSD โดยมีไฮไลท์เพิ่มเติม ประกอบด้วย SSD ซีรีส์ KIOXIA CM9 และซีรีส์ KIOXIA CD9P ที่สร้างด้วยหน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASHTM รุ่นที่ 8 ของบริษัทที่ส่งมอบประสิทธิภาพ การประหยัดพลังงาน และความหลากหลายต่างๆ นอกจากนี้ Kioxia ยังจะจัดแสดงผลิตภัณฑ์ความจุ 1 เทราบิต (Tb)3 3 บิต/เซลล์ (TLC) ที่ใช้เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASHTM รุ่นที่ 9 และรุ่นที่ 10 โดยที่หน่วยความจำแฟลช BiCS FLASHTM รุ่นที่ 9 และ รุ่นที่ 10 ได้ผสานรวมมาตรฐานอินเทอร์เฟซ Toggle DD6.0 และใช้ประโยชน์จากโปรโตคอล SCA (Separate Command Address) และวิธีการป้อนที่อยู่คำสั่งแบบใหม่ของอินเทอร์เฟซ และเทคโนโลยี PI-LTT (Power Isolated Low-Tapped Termination) ซึ่งช่วยปรับปรุงความเร็วในการรับและส่งข้อมูลและลดการใช้พลังงาน

ในงาน FMS 2025 Kioxia จะนำเสนอประเด็นสำคัญและเซสชันทางเทคนิคที่ครอบคลุมหัวข้อต่างๆ ดังต่อไปนี้:

  1.  การนำเสนอหลักในงาน FMS 2025:
     “เพิ่มประสิทธิภาพการลงทุนโครงสร้างพื้นฐาน AI ด้วยเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชและโซลูชันการจัดเก็บข้อมูล”
     วันอังคารที่ 5 สิงหาคม เวลา 11:00 น. ตามเวลาแปซิฟิก (PDT)
     สถานที่: ห้องบอลรูม Mission City, ศูนย์การประชุม Santa Clara, ชั้น 1
     วิทยากร: Katsuki Matsudera ผู้จัดการทั่วไปฝ่ายการตลาดด้านเทคนิคหน่วยความจำของ Kioxia Corporation และ Neville Ichhaporia รองประธานอาวุโสและผู้จัดการทั่วไปฝ่ายธุรกิจ SSD ของ KIOXIA America, Inc.
     
  2.  เสวนาระดับผู้บริหาร AI Premier:
    “การปรับขนาดหน่วยความจำและพื้นที่เก็บข้อมูลสำหรับการอนุมาน AI”
     วันพฤหัสบดีที่ 7 สิงหาคม เวลา 11:00 น. ตามเวลาแปซิฟิก (PDT)
     สถานที่: ห้องบอลรูม Mission City, ศูนย์การประชุม Santa Clara, ชั้น 1
     วิทยากร: Rory Bolt นักวิจัยอาวุโสและสถาปนิกหลักของหน่วยธุรกิจ SSD ของ KIOXIA America Inc.
     
  3.  บูทสาธิต KIOXIA
     การสาธิตผลิตภัณฑ์และเทคโนโลยีจะจัดขึ้นที่บูท KIOXIA หมายเลข 307 อันโดดเด่น 2 ชั้น ซึ่งประกอบด้วยพื้นที่จัดแสดง 10 แห่งในพื้นที่จัดแสดง ซึ่งประกอบด้วย:
  •  กรณีการใช้งานที่ต้องขยายเพิ่มขึ้น – แพ็กเกจความจุสูง/หน่วยความจำแฟลชความหน่วงต่ำ: สแต็ก 32 ไดในแพ็คเกจ BGA ขนาดเล็กของหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASHTM รุ่นที่ 8 QLC 3D /XL-FLASH พร้อมอินเทอร์เฟซ CXL™
  •  หน่วยความจำแฟลช 3D KIOXIA BiCS FLASHTM รุ่นที่ 9: เวเฟอร์ 1 Tb3 และแพ็กเกจ BGA ขนาดเล็กพร้อมชิป 512Gb
  •  หน่วยความจำแฟลช 3D KIOXIA BiCS FLASHTM รุ่นที่ 10 : เวเฟอร์ 1 Tb3 และการจัดแสดงโมเดล
  •  KIOXIA UFS – ผู้บริโภคและยานยนต์: โซลูชันประสิทธิภาพสูงสำหรับตลาดที่กำลังพัฒนา
  •  SSD ความจุสูง 245.76 TB2 ใน Dell PowerEdge™ 7715: การนำเสนอ SSD NVMe ระดับองค์กร ซีรีส์ KIOXIA LC9
  •  การสาธิตเกี่ยวกับประสิทธิภาพและพลังของอุปกรณ์: การนำเสนอ SSD NVMe สำหรับศูนย์ข้อมูล ซีรีส์ KIOXIA CD9P
  •  การฝึกอบรม ML Perf Storage: การนำเสนอ SSD NVMe ระดับองค์กร ซีรีส์ KIOXIA CM9
  •  การจำลอง SSD โดยตรงบน GPU: การตรวจสอบอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลโดยตรงบน GPU ที่ 143 ล้าน IOPS
  •  ซอฟต์แวร์ KIOXIA AiSAQ™ การสร้างสมดุลระหว่างขีดความสามารถและประสิทธิภาพการทำงานอย่างยืดหยุ่น
  •  การถ่ายข้อมูล RAID และการล้างข้อมูล: การนำเสนอ SSD NVMe ระดับองค์กร ซีรีส์ KIOXIA CM7

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
เว็บไซต์อย่างเป็นทางการของ FMS 2025
https://futurememorystorage.com/

หมายเหตุ:

1: ข้อมูล ณ วันที่ 5 สิงหาคม 2568 อ้างอิงจากผลสำรวจของ Kioxia Corporation

2: นิยามของความจุ SSD: Kioxia Corporation กำหนด 1 กิโลไบต์ (KB) เท่ากับ 1,000 ไบต์, 1 เมกะไบต์ (MB) เท่ากับ 1,000,000 ไบต์, 1 กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์, 1 เทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ และ 1 กิบิไบต์ (KiB) เท่ากับ 1,024 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับนิยามของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุของพื้นที่จัดเก็บน้อยลง ความจุที่ใช้งานได้ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ เช่น ระบบปฏิบัติการ Microsoft และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป

3: ความจุของหน่วยความจำแฟลชคำนวณจาก 1 เทราบิต (1 Tb) = 1,099,511,627,776 (2^40) บิต และ 1 เทราไบต์ (1 TB) = 1,099,511,627,776 (2^40) ไบต์

Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สำหรับผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแบบฝังตัวที่สร้างขึ้นตามมาตรฐาน JEDEC UFS

NVMe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนและไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ

CXL เป็นเครื่องหมายการค้าของ Compute Express Link Consortium, Inc.

Dell, PowerEdge และเครื่องหมายการค้าอื่นๆ เป็นเครื่องหมายการค้าของ Dell Inc. หรือบริษัทในเครือ

ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ที่ทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อเดิมของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าจากหน่วยความจำสำหรับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D ที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia ที่เรียกว่า BiCS FLASH™ กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ ซึ่งมีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250804179531/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Contacts

การสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายบริหารการส่งเสริมการขาย
Satoshi Shindo
โทร.: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

Kioxia ขยายพอร์ตโฟลิโอ SSD BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ด้วย SSD NVMe™ สำหรับศูนย์ข้อมูลประสิทธิภาพสูงเพื่อเพิ่มการใช้ GPU ให้สูงสุดในเวิร์กโหลด AI และ HPC (การประมวลผลประสิทธิภาพสูง)

Logo

SSD PCIe® 5.0 ซีรีส์ KIOXIA CD9P มาพร้อมสถาปัตยกรรม CBA ขั้นสูงและแฟลช TLC มอบประสิทธิภาพ ประสิทธิภาพ และความจุที่ก้าวล้ำ

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–20 มิถุนายน 2025

Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ วันนี้ประกาศเปิดตัวต้นแบบและสาธิต SSD PCIe® 5.0 NVMe™ ซีรีส์ CD9P ของ KIOXIA ไดรฟ์รุ่นใหม่เหล่านี้เป็น SSD ล่าสุดที่สร้างขึ้นด้วยหน่วยความจำแฟลช 3D แบบ TLC BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ของ Kioxia โดย BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 นี้มาพร้อมเทคโนโลยี CBA (CMOS directly Bonded to Array) ซึ่งเป็นสถาปัตยกรรมที่ก้าวล้ำที่จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการใช้พลังงาน ประสิทธิภาพการทำงาน และความหนาแน่นของพื้นที่จัดเก็บได้อย่างมาก[1] โดยมีการเพิ่มความจุที่ใช้ได้ต่อ SSD เป็นสองเท่าเมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า[2]

KIOXIA CD9P Series High-Performance Data Center NVMe SSDs to Maximize GPU Utilization in AI and HPC Workloads

SSD NVMe ซีรีส์ KIOXIA CD9P สำหรับศูนย์ข้อมูลประสิทธิภาพสูงเพื่อเพิ่มการใช้ GPU ให้สูงสุดในเวิร์กโหลด AI และ HPC

เนื่องจากเซิร์ฟเวอร์ AI ที่เร่งความเร็วด้วย GPU ทำให้ความต้องการโครงสร้างพื้นฐานด้านการจัดเก็บเพิ่มมากขึ้น การรักษาปริมาณงานสูง ความหน่วงเวลาต่ำ และประสิทธิภาพที่สม่ำเสมอจึงมีความสำคัญ รวมถึงการทำให้ GPU ที่มีค่าการถูกใช้งานเป็นอย่างสูง ซีรีส์ KIOXIA CD9P นี้ถูกสร้างขึ้นมาโดยเฉพาะสำหรับสภาพแวดล้อมถัดไปเหล่านี้ โดยมอบความเร็วและการตอบสนองที่จำเป็นสำหรับเวิร์กโหลด AI, แมชชีนเลิร์นนิ่ง และ HPC (การประมวลผลประสิทธิภาพสูง) เพื่อให้แน่ใจว่า GPU จะได้รับข้อมูลและทำงานอย่างมีประสิทธิภาพสูงสุด

ซีรีส์ CD9P ใช้ประโยชน์จากหน่วยความจำแฟลช 3D ขั้นสูงที่สุดของ Kioxia ในปัจจุบัน ซึ่งมีสถาปัตยกรรมที่ใช้ CBA ซึ่งช่วยลดการเกิดความร้อน เพิ่มประสิทธิภาพการจัดการความร้อน และมอบมูลค่ารวมที่สูงขึ้นผ่านประสิทธิภาพและมาตรวัดพลังงานที่ได้รับการปรับปรุง รวมถึงต้นทุนรวมในการเป็นเจ้าของ

ไดรฟ์ซีรีส์ KIOXIA CD9P มอบการปรับปรุงประสิทธิภาพ 4 ด้าน อาทิ การเขียนแบบสุ่มสูงถึงประมาณ 125%, การอ่านแบบสุ่มสูงถึง 30%, การอ่านแบบต่อเนื่องสูงถึง 20% และความเร็วในการเขียนแบบต่อเนื่องสูงถึง 25% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า[2]

นอกจากนี้ ประสิทธิภาพต่อวัตต์ของการใช้พลังงานได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้นประมาณ 60% ในการอ่านแบบต่อเนื่อง, 45% ในการเขียนแบบต่อเนื่อง, 55% ในการอ่านแบบสุ่ม และ 100% (2 เท่า) ในการเขียนแบบสุ่ม[2] (ใช้กับรุ่น 15.36 เทราไบต์ (TB))

ไฮไลท์ SSD ซีรีส์ KIOXIA CD9P ได้แก่ (เบื้องต้นและอาจมีการเปลี่ยนแปลง):

  •  รองรับ PCIe® 5.0, NVMe™ 2.0, NVMe-MI™ 1.2c
  • รองรับข้อมูลจำเพาะ SSD NVMe™ สำหรับศูนย์ข้อมูลโครงการ Open Compute เวอร์ชัน 2.5 (ไม่ใช่ข้อกำหนดทั้งหมด)
  • ฟอร์มแฟกเตอร์: ความหนา 2.5 นิ้ว 15 มม. EDSFF E3.S
  • ความทนทานต่อการอ่านที่เข้มข้น (1 DWPD) และการใช้งานแบบผสมผสาน (3 DWPD)
  • ประสิทธิภาพการทำงานแบบต่อเนื่อง (128 KiB/QD32) – อ่าน 14.8 GB/s และเขียน 7 GB/s
  • ประสิทธิภาพแบบสุ่ม (4KiB) – อ่าน 2,600 KIOPS (QD512) และเขียน 750 KIOPS (QD32)
  • ความจุ 2.5 นิ้ว สูงสุด 61.44 TB และความจุ E3.S สูงสุด 30.72 TB
  • รองรับอัลกอริทึม CNSA 2.0 [3]
     (เตรียมพร้อมรับมือกับภัยคุกคามจากคอมพิวเตอร์ควอนตัม)

ขณะนี้ SSD ซีรีส์ KIOXIA CD9P กำลังทำการสุ่มตัวอย่างให้กับลูกค้าที่เลือกไว้ และจะนำไปจัดแสดงในงาน HPE Discover 2025 ซึ่งจะมีขึ้นในวันที่ 23-26 มิถุนายนที่ลาสเวกัส

หมายเหตุ
[1] เมื่อเทียบกับ BiCS FLASH™ รุ่นที่ 6
[2] เมื่อเทียบกับซีรีส์ KIOXIA CD8P
[3] ซีรีส์ KIOXIA CD9P รองรับอัลกอริทึม Leighton-Micali Signature (LMS) ที่ได้รับการยอมรับโดย CNSA 2.0 [4] เป็นอัลกอริทึมลายเซ็นดิจิทัลเพื่อป้องกันการดัดแปลงเฟิร์มแวร์เพื่อเตรียมรับมือกับภัยคุกคามต่ออัลกอริทึมการเข้ารหัสแบบเดิมที่เกิดจากคอมพิวเตอร์ควอนตัม มาตรฐานการเข้ารหัสขั้นสูง (AES-256) ที่มีความยาวคีย์ 256 บิต ซึ่งเป็นอัลกอริทึมการเข้ารหัสข้อมูลที่ใช้ใน CD9P ได้รับการยอมรับจาก CNSA 2.0 เช่นกัน
[4] CNSA2.0: ชุดอัลกอริทึมความมั่นคงแห่งชาติเชิงพาณิชย์ 2.0

*2.5 นิ้วบ่งบอกถึงขนาดของ SSD ไม่ใช่ขนาดทางกายภาพ
*ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับปัจจัยหลายประการ เช่น อุปกรณ์โฮสต์ ซอฟต์แวร์ (ไดรเวอร์ ระบบปฏิบัติการ ฯลฯ) และสภาวะการอ่าน/การเขียน
*ประสิทธิภาพการทำงานยังเป็นเพียงเบื้องต้นและอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

*คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดให้กิโลไบต์ (KB) เท่ากับ 1,000 ไบต์ เมกะไบต์ (MB) เท่ากับ 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ เทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ และกิบิไบต์ (KiB) เท่ากับ 1,024 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุของหน่วยเก็บข้อมูลโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุของหน่วยเก็บข้อมูลที่น้อยกว่า ความจุในการจัดเก็บที่พร้อมใช้งาน (รวมถึงตัวอย่างไฟล์สื่อต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป
*1 กิบิไบต์ (KiB) หมายถึง 2^10 หรือ 1,024 ไบต์
*IOPS: อินพุตเอาต์พุตต่อวินาที (หรือจำนวนการดำเนินการ I/O ต่อวินาที)

*NVMe และ NVMe-MI เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนและไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*HPE เป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัท Hewlett Packard Enterprise และ/หรือบริษัทในเครือ
*ชื่อบริษัทอื่น ๆ ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อก่อนหน้าของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D เชิงนวัตกรรมของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

 การสอบถามจากลูกค้า:
 Kioxia Group
 สำนักงานขายทั่วโลก
 https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า 

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย  

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250619775105/en

Contacts

การสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายจัดการด้านการส่งเสริมการขาย
Koji Takahata
โทร.: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

Kioxia ประกาศเปิดตัว SSD NVMe™ ระดับองค์กรตัวแรกที่สร้างขึ้นด้วยเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ TLC-Based เจเนอเรชันที่ 8

Logo

KIOXIA CM9 Series PCIe® 5.0 NVMe™ SSD ยกระดับมาตรฐานด้วยสถาปัตยกรรมชิป CBA

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–16 พฤษภาคม 2025

Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศเปิดตัวและสาธิตต้นแบบ SSD KIOXIA CM9 Series PCIe® 5.0 NVMe™ ใหม่ในวันนี้ ไดรฟ์รุ่นถัดไปเหล่านี้เป็น SSD ระดับองค์กรรุ่นแรกที่สร้างขึ้นโดยใช้หน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASH™ TLC รุ่นที่ 8 ของ Kioxia 1 ซึ่งผสานรวมเทคโนโลยี CMOS แบบ Bonded to Array (CBA) โดยตรง ซึ่งเป็นนวัตกรรมทางสถาปัตยกรรมที่มอบความก้าวหน้าอย่างมากในด้านประสิทธิภาพการใช้พลังงาน ประสิทธิภาพการทำงาน ความหนาแน่น และความยั่งยืน พร้อมทั้งเพิ่มความจุที่มีอยู่เป็นสองเท่า 2 ต่ออุปกรณ์แฟลช

KIOXIA CM9 Series SSD

SSD ซีรีส์ CM9 ของ KIOXIA

เนื่องจากความต้องการในการประมวลผลสมัยใหม่เพิ่มมากขึ้น แอปพลิเคชันต่างๆ เช่น AI การเรียนรู้ของเครื่องจักร และการประมวลผลประสิทธิภาพสูงจึงต้องการโครงสร้างพื้นฐานการจัดเก็บข้อมูลโซลิดสเตตที่ซับซ้อน ซึ่งไม่เพียงแต่ต้องมีประสิทธิภาพระดับองค์กรเท่านั้น แต่ยังต้องมีประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่สูงขึ้นเพื่อให้แน่ใจว่ามีความสามารถในการปรับขนาดและต้นทุนการดำเนินงานที่จัดการได้ การตอบสนองความต้องการเหล่านี้ถือเป็นหัวใจสำคัญของการออกแบบซีรีส์ KIOXIA CM9 ที่สร้างขึ้นมาโดยเฉพาะเพื่อรองรับเวิร์กโหลดของศูนย์ข้อมูลรุ่นถัดไป

หัวใจสำคัญของซีรีส์ CM9 คือ BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ของ Kioxia ซึ่งเป็นหน่วยความจำแฟลช 3D ที่ล้ำหน้าที่สุดของบริษัทจนถึงปัจจุบัน เทคโนโลยีนี้ใช้สถาปัตยกรรมที่ใช้ CBA ซึ่งช่วยเพิ่มความเร็วของอินเทอร์เฟซ NAND ได้อย่างมาก เพิ่มความหนาแน่นและประสิทธิภาพการใช้พลังงาน และลดเวลาแฝง ซึ่งส่งผลดีต่อประสิทธิภาพของ SSD โดยตรง

SSD ซีรีส์ KIOXIA CM9 มอบการปรับปรุงประสิทธิภาพสูงสุดถึงประมาณ 65% ในการเขียนแบบสุ่ม 55% ในการอ่านแบบสุ่ม และ 95% ในการเขียนแบบต่อเนื่อง เมื่อเทียบกับซีรีส์ KIOXIA CM7 รุ่นก่อนหน้า นอกจากนี้ ประสิทธิภาพต่อวัตต์ที่เพิ่มขึ้นยังรวมถึงการอ่านแบบต่อเนื่องที่ดีขึ้นประมาณ 55% และประสิทธิภาพการเขียนแบบต่อเนื่องที่ดีขึ้น 75%

ไฮไลท์ของ SSD ซีรีส์ KIOXIA CM9 ได้แก่ (เบื้องต้นและอาจมีการเปลี่ยนแปลง):

  •  PCIe® 5.0, NVMe™ 2.0, NVMe-MI™ 1.2c และ OCP Datacenter NVMe™ SSD 2.5 ที่เป็นไปตามข้อกำหนด
  • รองรับพอร์ตคู่ในฟอร์มแฟกเตอร์ขนาด 2.5 นิ้วและ E3.S
  • ความทนทานในการอ่านข้อมูลแบบเข้มข้น (1 DWPD) และการใช้งานแบบผสมผสาน (3 DWPD)
  • ประสิทธิภาพการทำงานแบบต่อเนื่อง (128 กิบิไบต์ (KiB)/QD32) – อ่านได้ 14.8 GB/วินาที และเขียนได้ 11 GB/วินาที
  • ประสิทธิภาพการทำงานแบบสุ่ม (4KiB) – 3,400 KIOPS (QD512) และ 800 KIOPS (QD32)
  • 2.5 นิ้ว ความจุสูงสุด 61.44 เทราไบต์ (TB) และ E3.S ความจุสูงสุด 30.72 TB

ขณะนี้ SSD ซีรีส์ KIOXIA CM9 กำลังทำการสุ่มตัวอย่างให้กับลูกค้าที่เลือกไว้ และจะนำไปจัดแสดงที่งาน Dell Technologies World ซึ่งจัดขึ้นระหว่างวันที่ 19 – 22 พฤษภาคมที่ลาสเวกัส

หมายเหตุ
 1: ข้อมูล ณ วันที่ 15 พฤษภาคม 2025 ที่มา: Kioxia Corporation
 2: เปรียบเทียบกับรุ่นก่อนหน้า

  • 2.5 นิ้ว หมายถึงชื่อฟอร์มแฟกเตอร์ ไม่ใช่ขนาดทางกายภาพ
  • ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับปัจจัยต่างๆ เช่น อุปกรณ์โฮสต์ ซอฟต์แวร์ (ไดรเวอร์ ระบบปฏิบัติการ ฯลฯ) และเงื่อนไขการอ่าน/เขียน
  • ประสิทธิภาพเป็นเพียงข้อมูลเบื้องต้น และอาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
  • คำจำกัดความของความจุ: KIOXIA Corporation กำหนดให้กิโลไบต์ (KB) เท่ากับ 1,000 ไบต์ เมกะไบต์ (MB) เท่ากับ 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ และเทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์รายงานความจุของพื้นที่เก็บข้อมูลโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ และกิบิไบต์ (KiB) เท่ากับ 1,024 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุที่น้อยกว่า ความจุที่มีอยู่ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การฟอร์แมต การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่ฟอร์แมตแล้วตามจริงอาจแตกต่างกันไป
  •  IOPS: อินพุตเอาต์พุตต่อวินาที (หรือจำนวนการดำเนินการ I/O ต่อวินาที)
     
  • Dell Technologies และ Dell เป็นเครื่องหมายการค้าของ Dell Inc. หรือบริษัทในเครือ
  • NVMe และ NVMe-MI เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
  • PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
  • ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อก่อนหน้าของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D เชิงนวัตกรรมของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

การสอบถามจากลูกค้า:
Kioxia Group
สำนักงานขายทั่วโลก
https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250515911055/en

Contacts

การสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Satoshi Shindo
โทร: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation