Tag Archives: kioxia

Featured, Technology

Kioxia ขยายพอร์ตโฟลิโอ SSD BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ด้วย SSD NVMe™ สำหรับศูนย์ข้อมูลประสิทธิภาพสูงเพื่อเพิ่มการใช้ GPU ให้สูงสุดในเวิร์กโหลด AI และ HPC (การประมวลผลประสิทธิภาพสูง)

Logo

SSD PCIe® 5.0 ซีรีส์ KIOXIA CD9P มาพร้อมสถาปัตยกรรม CBA ขั้นสูงและแฟลช TLC มอบประสิทธิภาพ ประสิทธิภาพ และความจุที่ก้าวล้ำ

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–20 มิถุนายน 2025

Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ วันนี้ประกาศเปิดตัวต้นแบบและสาธิต SSD PCIe® 5.0 NVMe™ ซีรีส์ CD9P ของ KIOXIA ไดรฟ์รุ่นใหม่เหล่านี้เป็น SSD ล่าสุดที่สร้างขึ้นด้วยหน่วยความจำแฟลช 3D แบบ TLC BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ของ Kioxia โดย BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 นี้มาพร้อมเทคโนโลยี CBA (CMOS directly Bonded to Array) ซึ่งเป็นสถาปัตยกรรมที่ก้าวล้ำที่จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการใช้พลังงาน ประสิทธิภาพการทำงาน และความหนาแน่นของพื้นที่จัดเก็บได้อย่างมาก[1] โดยมีการเพิ่มความจุที่ใช้ได้ต่อ SSD เป็นสองเท่าเมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า[2]

KIOXIA CD9P Series High-Performance Data Center NVMe SSDs to Maximize GPU Utilization in AI and HPC Workloads

SSD NVMe ซีรีส์ KIOXIA CD9P สำหรับศูนย์ข้อมูลประสิทธิภาพสูงเพื่อเพิ่มการใช้ GPU ให้สูงสุดในเวิร์กโหลด AI และ HPC

เนื่องจากเซิร์ฟเวอร์ AI ที่เร่งความเร็วด้วย GPU ทำให้ความต้องการโครงสร้างพื้นฐานด้านการจัดเก็บเพิ่มมากขึ้น การรักษาปริมาณงานสูง ความหน่วงเวลาต่ำ และประสิทธิภาพที่สม่ำเสมอจึงมีความสำคัญ รวมถึงการทำให้ GPU ที่มีค่าการถูกใช้งานเป็นอย่างสูง ซีรีส์ KIOXIA CD9P นี้ถูกสร้างขึ้นมาโดยเฉพาะสำหรับสภาพแวดล้อมถัดไปเหล่านี้ โดยมอบความเร็วและการตอบสนองที่จำเป็นสำหรับเวิร์กโหลด AI, แมชชีนเลิร์นนิ่ง และ HPC (การประมวลผลประสิทธิภาพสูง) เพื่อให้แน่ใจว่า GPU จะได้รับข้อมูลและทำงานอย่างมีประสิทธิภาพสูงสุด

ซีรีส์ CD9P ใช้ประโยชน์จากหน่วยความจำแฟลช 3D ขั้นสูงที่สุดของ Kioxia ในปัจจุบัน ซึ่งมีสถาปัตยกรรมที่ใช้ CBA ซึ่งช่วยลดการเกิดความร้อน เพิ่มประสิทธิภาพการจัดการความร้อน และมอบมูลค่ารวมที่สูงขึ้นผ่านประสิทธิภาพและมาตรวัดพลังงานที่ได้รับการปรับปรุง รวมถึงต้นทุนรวมในการเป็นเจ้าของ

ไดรฟ์ซีรีส์ KIOXIA CD9P มอบการปรับปรุงประสิทธิภาพ 4 ด้าน อาทิ การเขียนแบบสุ่มสูงถึงประมาณ 125%, การอ่านแบบสุ่มสูงถึง 30%, การอ่านแบบต่อเนื่องสูงถึง 20% และความเร็วในการเขียนแบบต่อเนื่องสูงถึง 25% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า[2]

นอกจากนี้ ประสิทธิภาพต่อวัตต์ของการใช้พลังงานได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้นประมาณ 60% ในการอ่านแบบต่อเนื่อง, 45% ในการเขียนแบบต่อเนื่อง, 55% ในการอ่านแบบสุ่ม และ 100% (2 เท่า) ในการเขียนแบบสุ่ม[2] (ใช้กับรุ่น 15.36 เทราไบต์ (TB))

ไฮไลท์ SSD ซีรีส์ KIOXIA CD9P ได้แก่ (เบื้องต้นและอาจมีการเปลี่ยนแปลง):

  •  รองรับ PCIe® 5.0, NVMe™ 2.0, NVMe-MI™ 1.2c
  • รองรับข้อมูลจำเพาะ SSD NVMe™ สำหรับศูนย์ข้อมูลโครงการ Open Compute เวอร์ชัน 2.5 (ไม่ใช่ข้อกำหนดทั้งหมด)
  • ฟอร์มแฟกเตอร์: ความหนา 2.5 นิ้ว 15 มม. EDSFF E3.S
  • ความทนทานต่อการอ่านที่เข้มข้น (1 DWPD) และการใช้งานแบบผสมผสาน (3 DWPD)
  • ประสิทธิภาพการทำงานแบบต่อเนื่อง (128 KiB/QD32) – อ่าน 14.8 GB/s และเขียน 7 GB/s
  • ประสิทธิภาพแบบสุ่ม (4KiB) – อ่าน 2,600 KIOPS (QD512) และเขียน 750 KIOPS (QD32)
  • ความจุ 2.5 นิ้ว สูงสุด 61.44 TB และความจุ E3.S สูงสุด 30.72 TB
  • รองรับอัลกอริทึม CNSA 2.0 [3]
     (เตรียมพร้อมรับมือกับภัยคุกคามจากคอมพิวเตอร์ควอนตัม)

ขณะนี้ SSD ซีรีส์ KIOXIA CD9P กำลังทำการสุ่มตัวอย่างให้กับลูกค้าที่เลือกไว้ และจะนำไปจัดแสดงในงาน HPE Discover 2025 ซึ่งจะมีขึ้นในวันที่ 23-26 มิถุนายนที่ลาสเวกัส

หมายเหตุ
[1] เมื่อเทียบกับ BiCS FLASH™ รุ่นที่ 6
[2] เมื่อเทียบกับซีรีส์ KIOXIA CD8P
[3] ซีรีส์ KIOXIA CD9P รองรับอัลกอริทึม Leighton-Micali Signature (LMS) ที่ได้รับการยอมรับโดย CNSA 2.0 [4] เป็นอัลกอริทึมลายเซ็นดิจิทัลเพื่อป้องกันการดัดแปลงเฟิร์มแวร์เพื่อเตรียมรับมือกับภัยคุกคามต่ออัลกอริทึมการเข้ารหัสแบบเดิมที่เกิดจากคอมพิวเตอร์ควอนตัม มาตรฐานการเข้ารหัสขั้นสูง (AES-256) ที่มีความยาวคีย์ 256 บิต ซึ่งเป็นอัลกอริทึมการเข้ารหัสข้อมูลที่ใช้ใน CD9P ได้รับการยอมรับจาก CNSA 2.0 เช่นกัน
[4] CNSA2.0: ชุดอัลกอริทึมความมั่นคงแห่งชาติเชิงพาณิชย์ 2.0

*2.5 นิ้วบ่งบอกถึงขนาดของ SSD ไม่ใช่ขนาดทางกายภาพ
*ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับปัจจัยหลายประการ เช่น อุปกรณ์โฮสต์ ซอฟต์แวร์ (ไดรเวอร์ ระบบปฏิบัติการ ฯลฯ) และสภาวะการอ่าน/การเขียน
*ประสิทธิภาพการทำงานยังเป็นเพียงเบื้องต้นและอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

*คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดให้กิโลไบต์ (KB) เท่ากับ 1,000 ไบต์ เมกะไบต์ (MB) เท่ากับ 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ เทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ และกิบิไบต์ (KiB) เท่ากับ 1,024 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุของหน่วยเก็บข้อมูลโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุของหน่วยเก็บข้อมูลที่น้อยกว่า ความจุในการจัดเก็บที่พร้อมใช้งาน (รวมถึงตัวอย่างไฟล์สื่อต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป
*1 กิบิไบต์ (KiB) หมายถึง 2^10 หรือ 1,024 ไบต์
*IOPS: อินพุตเอาต์พุตต่อวินาที (หรือจำนวนการดำเนินการ I/O ต่อวินาที)

*NVMe และ NVMe-MI เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนและไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*HPE เป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัท Hewlett Packard Enterprise และ/หรือบริษัทในเครือ
*ชื่อบริษัทอื่น ๆ ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อก่อนหน้าของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D เชิงนวัตกรรมของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

 การสอบถามจากลูกค้า:
 Kioxia Group
 สำนักงานขายทั่วโลก
 https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า 

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย  

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250619775105/en

Contacts

การสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายจัดการด้านการส่งเสริมการขาย
Koji Takahata
โทร.: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

Kioxia ประกาศเปิดตัว SSD NVMe™ ระดับองค์กรตัวแรกที่สร้างขึ้นด้วยเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ TLC-Based เจเนอเรชันที่ 8

Logo

KIOXIA CM9 Series PCIe® 5.0 NVMe™ SSD ยกระดับมาตรฐานด้วยสถาปัตยกรรมชิป CBA

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–16 พฤษภาคม 2025

Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศเปิดตัวและสาธิตต้นแบบ SSD KIOXIA CM9 Series PCIe® 5.0 NVMe™ ใหม่ในวันนี้ ไดรฟ์รุ่นถัดไปเหล่านี้เป็น SSD ระดับองค์กรรุ่นแรกที่สร้างขึ้นโดยใช้หน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASH™ TLC รุ่นที่ 8 ของ Kioxia 1 ซึ่งผสานรวมเทคโนโลยี CMOS แบบ Bonded to Array (CBA) โดยตรง ซึ่งเป็นนวัตกรรมทางสถาปัตยกรรมที่มอบความก้าวหน้าอย่างมากในด้านประสิทธิภาพการใช้พลังงาน ประสิทธิภาพการทำงาน ความหนาแน่น และความยั่งยืน พร้อมทั้งเพิ่มความจุที่มีอยู่เป็นสองเท่า 2 ต่ออุปกรณ์แฟลช

KIOXIA CM9 Series SSD

SSD ซีรีส์ CM9 ของ KIOXIA

เนื่องจากความต้องการในการประมวลผลสมัยใหม่เพิ่มมากขึ้น แอปพลิเคชันต่างๆ เช่น AI การเรียนรู้ของเครื่องจักร และการประมวลผลประสิทธิภาพสูงจึงต้องการโครงสร้างพื้นฐานการจัดเก็บข้อมูลโซลิดสเตตที่ซับซ้อน ซึ่งไม่เพียงแต่ต้องมีประสิทธิภาพระดับองค์กรเท่านั้น แต่ยังต้องมีประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่สูงขึ้นเพื่อให้แน่ใจว่ามีความสามารถในการปรับขนาดและต้นทุนการดำเนินงานที่จัดการได้ การตอบสนองความต้องการเหล่านี้ถือเป็นหัวใจสำคัญของการออกแบบซีรีส์ KIOXIA CM9 ที่สร้างขึ้นมาโดยเฉพาะเพื่อรองรับเวิร์กโหลดของศูนย์ข้อมูลรุ่นถัดไป

หัวใจสำคัญของซีรีส์ CM9 คือ BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ของ Kioxia ซึ่งเป็นหน่วยความจำแฟลช 3D ที่ล้ำหน้าที่สุดของบริษัทจนถึงปัจจุบัน เทคโนโลยีนี้ใช้สถาปัตยกรรมที่ใช้ CBA ซึ่งช่วยเพิ่มความเร็วของอินเทอร์เฟซ NAND ได้อย่างมาก เพิ่มความหนาแน่นและประสิทธิภาพการใช้พลังงาน และลดเวลาแฝง ซึ่งส่งผลดีต่อประสิทธิภาพของ SSD โดยตรง

SSD ซีรีส์ KIOXIA CM9 มอบการปรับปรุงประสิทธิภาพสูงสุดถึงประมาณ 65% ในการเขียนแบบสุ่ม 55% ในการอ่านแบบสุ่ม และ 95% ในการเขียนแบบต่อเนื่อง เมื่อเทียบกับซีรีส์ KIOXIA CM7 รุ่นก่อนหน้า นอกจากนี้ ประสิทธิภาพต่อวัตต์ที่เพิ่มขึ้นยังรวมถึงการอ่านแบบต่อเนื่องที่ดีขึ้นประมาณ 55% และประสิทธิภาพการเขียนแบบต่อเนื่องที่ดีขึ้น 75%

ไฮไลท์ของ SSD ซีรีส์ KIOXIA CM9 ได้แก่ (เบื้องต้นและอาจมีการเปลี่ยนแปลง):

  •  PCIe® 5.0, NVMe™ 2.0, NVMe-MI™ 1.2c และ OCP Datacenter NVMe™ SSD 2.5 ที่เป็นไปตามข้อกำหนด
  • รองรับพอร์ตคู่ในฟอร์มแฟกเตอร์ขนาด 2.5 นิ้วและ E3.S
  • ความทนทานในการอ่านข้อมูลแบบเข้มข้น (1 DWPD) และการใช้งานแบบผสมผสาน (3 DWPD)
  • ประสิทธิภาพการทำงานแบบต่อเนื่อง (128 กิบิไบต์ (KiB)/QD32) – อ่านได้ 14.8 GB/วินาที และเขียนได้ 11 GB/วินาที
  • ประสิทธิภาพการทำงานแบบสุ่ม (4KiB) – 3,400 KIOPS (QD512) และ 800 KIOPS (QD32)
  • 2.5 นิ้ว ความจุสูงสุด 61.44 เทราไบต์ (TB) และ E3.S ความจุสูงสุด 30.72 TB

ขณะนี้ SSD ซีรีส์ KIOXIA CM9 กำลังทำการสุ่มตัวอย่างให้กับลูกค้าที่เลือกไว้ และจะนำไปจัดแสดงที่งาน Dell Technologies World ซึ่งจัดขึ้นระหว่างวันที่ 19 – 22 พฤษภาคมที่ลาสเวกัส

หมายเหตุ
 1: ข้อมูล ณ วันที่ 15 พฤษภาคม 2025 ที่มา: Kioxia Corporation
 2: เปรียบเทียบกับรุ่นก่อนหน้า

  • 2.5 นิ้ว หมายถึงชื่อฟอร์มแฟกเตอร์ ไม่ใช่ขนาดทางกายภาพ
  • ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับปัจจัยต่างๆ เช่น อุปกรณ์โฮสต์ ซอฟต์แวร์ (ไดรเวอร์ ระบบปฏิบัติการ ฯลฯ) และเงื่อนไขการอ่าน/เขียน
  • ประสิทธิภาพเป็นเพียงข้อมูลเบื้องต้น และอาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
  • คำจำกัดความของความจุ: KIOXIA Corporation กำหนดให้กิโลไบต์ (KB) เท่ากับ 1,000 ไบต์ เมกะไบต์ (MB) เท่ากับ 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ และเทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์รายงานความจุของพื้นที่เก็บข้อมูลโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ และกิบิไบต์ (KiB) เท่ากับ 1,024 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุที่น้อยกว่า ความจุที่มีอยู่ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การฟอร์แมต การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่ฟอร์แมตแล้วตามจริงอาจแตกต่างกันไป
  •  IOPS: อินพุตเอาต์พุตต่อวินาที (หรือจำนวนการดำเนินการ I/O ต่อวินาที)
     
  • Dell Technologies และ Dell เป็นเครื่องหมายการค้าของ Dell Inc. หรือบริษัทในเครือ
  • NVMe และ NVMe-MI เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
  • PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
  • ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อก่อนหน้าของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D เชิงนวัตกรรมของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

การสอบถามจากลูกค้า:
Kioxia Group
สำนักงานขายทั่วโลก
https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250515911055/en

Contacts

การสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Satoshi Shindo
โทร: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

SSD แบบพกพาของ Kioxia คว้ารางวัล Red Dot Design Award สาขาการออกแบบผลิตภัณฑ์ประจำปี 2025

Logo

ที่ได้รับการยอมรับถึงการออกแบบที่ล้ำสมัย ฟังก์ชันการทำงานที่เน้นผู้ใช้ และโครงสร้างที่ทนทาน

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–24 เมษายน 2025

Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศในวันนี้ว่าซีรีส์ SSD แบบพกพา EXCERIA PLUS G2 ของบริษัทได้รับรางวัล Red Dot Design Award ในประเภท “การออกแบบผลิตภัณฑ์ ประจำปี 2025” โดยรางวัล Red Dot Design Award นี้ถือเป็นรางวัลด้านการออกแบบที่ทรงเกียรติที่สุดรางวัลหนึ่งของโลก ซึ่งมอบให้แก่ผลิตภัณฑ์ที่มีดีไซน์ยอดเยี่ยมที่สุดทุกปี ผู้ชนะจะได้รับเกียรติในพิธีมอบรางวัล Red Dot Design Award ซึ่งจะจัดขึ้นในวันที่ 8 กรกฎาคมที่เมืองเอสเซน ประเทศเยอรมนี

Red Dot Design Award Winner: Kioxia’s EXCERIA PLUS G2 Portable SSD Series

ผู้ชนะรางวัล Red Dot Design Award: ซีรีส์ SSD แบบพกพา EXCERIA PLUS G2 ของ Kioxia

คณะกรรมการของ Red Dot ซึ่งประกอบด้วยผู้เชี่ยวชาญด้านการออกแบบที่ได้รับการยอมรับในระดับนานาชาติ ได้เลือกซีรีส์ SSD แบบพกพา EXCERIA PLUS G2 เนื่องจากมีดีไซน์ที่เพรียวบาง ฟังก์ชันที่เน้นผู้ใช้ และโครงสร้างที่ทนทาน รางวัลดังกล่าวมอบให้แก่ตัวเครื่องอะลูมิเนียมที่เรียบและโค้งมน ไม่มีสกรูที่มองเห็นได้เพื่อให้สัมผัสที่ไร้รอยต่อ รวมถึงมีโซลูชันระบายความร้อนและทนต่อแรงกระแทกผ่านการออกแบบ

โดยซีรีส์ SSD แบบพกพา EXCERIA PLUS G2 ยังเคยได้รับรางวัล GOOD DESIGN AWARD 2024 ในญี่ปุ่นมาก่อนอีกด้วย

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
ข้อมูลผลิตภัณฑ์ซีรีส์ SSD แบบพกพา EXCERIA PLUS G2
(เว็บไซต์ Kioxia Singapore Pte.Ltd.)
https://apac.kioxia.com/en-apac/personal/ssd/exceria-plus-g2-portable.html

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการทั้งหมดอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อเดิมของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” ผ่านการนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและการสร้างคุณค่าสำหรับสังคมผ่านหน่วยความจำ โดย BiCS FLASH™ ซึ่งเป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250422321137/en

Contacts

การติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
แผนกการจัดการโปรโมชั่น
Koji Takahata
โทร.: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

Kioxia, AIO Core และ Kyocera ประกาศการพัฒนา SSD ออปติคัลบรอดแบนด์ที่รองรับ PCIe 5.0 สำหรับศูนย์ข้อมูลที่เป็นมิตรกับสิ่งแวดล้อมในยุคถัดไป

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–08 เมษายน 2025

Kioxia Corporation, AIO Core Co., Ltd. และ Kyocera Corporation ได้ประกาศในวันนี้ถึงการพัฒนาต้นแบบของ SSD แบบบรอดแบนด์ที่รองรับ PCIe® 5.0 ที่มีอินเทอร์เฟซแบบออปติคัล (broadband optical SSD) โดยทั้งสามบริษัทจะพัฒนาเทคโนโลยีสำหรับ SSD ออปติคัลบรอดแบนด์เพื่อให้เหมาะสมกับการใช้งานขั้นสูงที่ต้องการการถ่ายโอนข้อมูลขนาดใหญ่ด้วยความเร็วสูง เช่น AI เชิงสร้างสรรค์ และจะมีการนำไปประยุกต์ใช้กับการทดสอบแนวคิด (Proof-of-concept หรือ PoC) สำหรับการใช้งานในสังคมในอนาคตด้วย

Kioxia’s PCIe® 5.0-compatible broadband optical SSD prototype

ต้นแบบ SSD ออปติคัลบรอดแบนด์ที่รองรับ PCIe® 5.0 ของ Kioxia

โดยต้นแบบใหม่นี้สามารถทำงานได้จริงด้วยอินเทอร์เฟซ PCIe 5.0 ความเร็วสูง ซึ่งมีแบนด์วิดท์เป็นสองเท่าของ PCIe 4.0 รุ่นก่อนหน้า[1] ผ่านการผสมผสานระหว่างเครื่องรับส่งสัญญาณออปติคัล IOCore® ของ AIO Core และเทคโนโลยีโมดูลผสานรวมออปโตอิเล็กทรอนิกส์ OPTINITY® ของ Kyocera

ศูนย์ข้อมูลที่เป็นมิตรกับสิ่งแวดล้อมในยุคถัดไปจะมีการเปลี่ยนอินเทอร์เฟซสายไฟเป็นออปติคัล และจะใช้เทคโนโลยี SSD ออปติคัลบรอดแบนด์เพื่อช่วยเพิ่มระยะห่างทางกายภาพระหว่างอุปกรณ์คอมพิวเตอร์และหน่วยเก็บข้อมูลอย่างมีนัยสำคัญ ในขณะที่ยังคงรักษาประสิทธิภาพด้านพลังงานและคุณภาพสัญญาณที่สูงไว้ได้ นอกจากนี้ยังช่วยเพิ่มความยืดหยุ่นและประสิทธิภาพของการออกแบบระบบศูนย์ข้อมูล ซึ่งการกระจายความเสี่ยงทางดิจิทัลและวิวัฒนาการของ AI เชิงสร้างสรรค์ที่ต้องการการประมวลผลข้อมูลที่ซับซ้อน ปริมาณมาก และมีความเร็วสูง

ความสำเร็จนี้เป็นผลมาจากโครงการ “Next Generation Green Data Center Technology Development” ของญี่ปุ่น JPNP21029 ซึ่งได้รับเงินอุดหนุนจากองค์กรพัฒนาพลังงานใหม่และเทคโนโลยีอุตสาหกรรม (NEDO) ซึ่งอยู่ภายใต้ “Green Innovation Fund Project: Construction of Next Generation Digital Infrastructure” โดยในโครงการนี้ บริษัทต่างๆ จะพัฒนาเทคโนโลยีในรุ่นต่อไปโดยมีเป้าหมายที่จะประหยัดพลังงานมากกว่า 40% เมื่อเทียบกับศูนย์ข้อมูลในปัจจุบัน ในโครงการนี้ Kioxia กำลังพัฒนา SSD ออปติคัลบรอดแบนด์ และ AIO Core กำลังพัฒนาอุปกรณ์ฟิวชั่นออปโตอิเล็กทรอนิกส์ ส่วน Kyocera นั้นกำลังพัฒนาแพ็คเกจอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์

หมายเหตุ
[1] เมื่อเทียบกับ SSD ออปติคัลบรอดแบนด์ของ Kioxia ที่ประกาศเมื่อวันที่ 7 สิงหาคม 2024

*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*IOCore เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ AIO Core Co., Ltd.
*OPTINITY เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ Kyocera Corporation
*ชื่อบริษัทอื่น ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia Corporation

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อเดิมของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D นวัตกรรมของ Kioxia ที่เรียกว่า BiCS FLASH™ กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

เกี่ยวกับ AIO Core Co., Ltd.

AIO Core Co., Ltd. (https://www.aiocore.com/) ก่อตั้งขึ้นในปี 2017 โดยแยกตัวออกมาจากสมาคมวิจัยเทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์โฟโตนิกส์ (PETRA) ซึ่งเป็นสมาคมวิจัยทางเทคนิคที่อยู่ภายใต้การกำกับดูแลของกระทรวงเศรษฐกิจ การค้า และอุตสาหกรรมของญี่ปุ่น (METI)
AIO Core เป็นบริษัทสตาร์ทอัพที่พัฒนา ผลิต และทำการตลาดเครื่องรับส่งสัญญาณออปติคัลความเร็วสูงภายใต้ชื่อแบรนด์ “IOCore” ซึ่งใช้เทคโนโลยีซิลิกอนโฟโตนิกส์และเลเซอร์จุดควอนตัม
โดยโมดูล “IOCore” จะช่วยให้สามารถส่งสัญญาณออปติก กินไฟต่ำ ทนต่ออุณหภูมิสูงได้ โดยผ่านการแปลงแสงเป็นไฟฟ้า และมีขนาดกะทัดรัด จึงมีความน่าเชื่อถือสูงในสภาพแวดล้อมที่ต้องการความแม่นยำสูง เช่น อุปกรณ์ทางการแพทย์ ระบบยานยนต์ อุปกรณ์การผลิตเซมิคอนดักเตอร์ และการใช้งานในอุตสาหกรรมการบินและอวกาศ

เกี่ยวกับ KYOCERA Corporation

Kyocera Corporation (TOKYO:6971, https://global.kyocera.com/) บริษัทแม่และสำนักงานใหญ่ระดับโลกของกลุ่ม Kyocera ก่อตั้งขึ้นในปี 1959 ในฐานะผู้ผลิตเซรามิกชั้นดี (เรียกอีกอย่างว่า “เซรามิกขั้นสูง”) โดยการผสมผสานวัสดุที่ออกแบบทางวิศวกรรมเหล่านี้กับโลหะและผสานเข้ากับเทคโนโลยีอื่นๆ ทำให้ Kyocera กลายเป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำของส่วนประกอบอุตสาหกรรมและยานยนต์ แพ็คเกจเซมิคอนดักเตอร์ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ระบบพลังงานอัจฉริยะ เครื่องพิมพ์ เครื่องถ่ายเอกสาร และโทรศัพท์มือถือ ในช่วงปีที่สิ้นสุดวันที่ 31 มีนาคม 2024 รายได้จากการขายรวมของบริษัทอยู่ที่ 2 ล้านล้านเยน (ประมาณ 13,300 ล้านดอลลาร์สหรัฐฯ) Kyocera อยู่ในอันดับที่ 874 ในรายชื่อ “Global 2000” ของนิตยสาร Forbes ประจำปี 2024 ซึ่งเป็นรายชื่อบริษัทจดทะเบียนที่ใหญ่ที่สุดในโลก และได้รับการเสนอชื่อให้เป็นหนึ่งใน “100 บริษัทที่มีการบริหารจัดการอย่างยั่งยืนที่สุดในโลก” โดย The Wall Street Journal

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อ ถือเป็นข้อมูลที่ถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่ก็อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250407927840/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Contacts

การติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร.: +81-3-6478-2404

AIO Core Co., Ltd. (Japan)
อีเมล: Web-contact@aiocore.com

KYOCERA Corporation (Japan)
ฝ่ายสื่อสารองค์กร
สำนักงานใหญ่
โทร.: +81-75-604-3416
อีเมล: webmaster.pressgl@kyocera.jp

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

โซลูชันหน่วยความจำแฟลชและ SSD ของ KIOXIA เพิ่มประสิทธิภาพให้กับแอปพลิเคชัน AI ที่ NVIDIA GTC 2025

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–19 มีนาคม 2025

สัปดาห์นี้ที่งาน NVIDIA GTC 2025 Kioxia group ซึ่งเป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ จะเน้นย้ำถึงบทบาทสำคัญของระบบจัดเก็บข้อมูลประสิทธิภาพสูงในโซลูชัน AI ซึ่งรวมถึงความสามารถในการปรับขนาดแอปพลิเคชันเหล่านี้ให้สูงขึ้นและกว้างขึ้น ผู้เยี่ยมชมบูธ KIOXIA จะได้เห็นว่าองค์กรต่างๆ ได้พัฒนากลยุทธ์ AI อย่างไร โดยหน่วยความจำแฟลชจะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและประสิทธิผลให้สูงสุด ซึ่งช่วยให้ใช้ประโยชน์จากการลงทุนใน AI ได้มากที่สุด

การสาธิตผลิตภัณฑ์และเทคโนโลยีจะจัดขึ้นที่บูธ KIOXIA หมายเลข #1811 บนพื้นที่จัดแสดงของศูนย์การประชุม San Jose McEnry ตั้งแต่วันที่ 17-21 มีนาคม โดยมีรายละเอียดดังนี้:

  • ไลน์ผลิตภัณฑ์ SSD ของ KIOXIA ที่หลากหลาย – รวมถึง SSD NVMe™ ซีรีส์ KIOXIA LC9 ที่เพิ่งประกาศเปิดตัวเมื่อไม่นานนี้ ซึ่งมีความจุ 122.88 เทราไบต์ (TB) ในฟอร์มแฟกเตอร์ขนาด 2.5 นิ้ว โดย SSD QLC ระดับองค์กรตัวแรกของ Kioxia จะใช้เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ขนาด 2 เทราบิต (Tb) QLC
  •  การสาธิตสดของ KIOXIA All-in-Storage ANNS ใหม่พร้อมเทคโนโลยี Product Quantization (KIOXIA AiSAQ™) – พร้อมด้วย KIOXIA CD8P Series PCIe® SSD ศูนย์ข้อมูล NVMe 5.0
  • การสาธิตสดของพื้นที่จัดเก็บ QLC ความจุสูงสำหรับการดึงข้อมูลชุดใหญ่ได้อย่างรวดเร็ว – นำเสนอ SSD NVMe ซีรีส์ KIOXIA LC9 ระดับองค์กร

นอกจากนี้ Rory Bolt ซึ่งเป็นนักวิจัยอาวุโสและสถาปนิกหลักของ KIOXIA America, Inc. จะเข้าร่วมในเซสชัน Expo Hall Theater ซึ่งจะมีขึ้นในวันศุกร์ที่ 21 มีนาคม เวลา 12:20 น. (เวลาแปซิฟิก) ในหัวข้อ “ปรับปรุงประสิทธิภาพฐานข้อมูลเวกเตอร์พร้อมลดการใช้ DRAM ในระบบ AI”

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
เว็บไซต์อย่างเป็นทางการของ NVIDIA GTC 2025
https://www.nvidia.com/gtc/

หมายเหตุ

*คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดเมกะไบต์ (MB) เท่ากับ 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ และเทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุของหน่วยเก็บข้อมูลโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุของหน่วยเก็บข้อมูลที่น้อยกว่า ความจุของหน่วยเก็บข้อมูลที่มี (รวมถึงตัวอย่างไฟล์สื่อต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป

*2.5 นิ้วบ่งบอกถึงขนาดของ SSD ไม่ใช่ขนาดทางกายภาพ

*NVMe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนหรือไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*ชื่อบริษัทอื่นๆ ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกึ่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ที่ทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อเดิมของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D นวัตกรรมของ Kioxia ที่เรียกว่า BiCS FLASH™ ที่กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อ ซึ่งเป็นข้อมูลที่ถูกต้อง ณ วันประกาศ แต่สามารถเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Contacts

การสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

Kioxia ประกาศเปิดตัว SSD NVMe ซีรีส์ KIOXIA LC9 ความจุสูง 122.88 TB สำหรับแอปพลิเคชัน AI

Logo

SSD สำหรับองค์กรรุ่นใหม่ที่ใช้ไดย์ QLC ขนาด 2 Tb จะถูกนำมาจัดแสดงในงานสัมมนาต่างๆ ที่จะถึงนี้

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–14 มีนาคม 2025

Kioxia Corporation ซึ่งเป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศในวันนี้ถึงการพัฒนา SSD NVMe™ 122.88 เทราไบต์ (TB) ซีรีส์ KIOXIA LC9 รุ่นใหม่ในฟอร์มแฟกเตอร์ขนาด 2.5 นิ้ว ซึ่งเป็น SSD ตัวแรกที่สร้างขึ้นโดยใช้เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ขนาด 2 เทราบิต (Tb) QLC ของบริษัท โดยซีรีส์ KIOXIA LC9 ซึ่งอยู่ระหว่างการพัฒนา จะนำไปจัดแสดงในงานสัมมนาต่างๆ ที่จะจัดขึ้นในเดือนนี้

High-Capacity KIOXIA LC9 Series 122.88 TB NVMe SSD for AI Applications (Photo: Business Wire)

SSD NVMe ซีรีส์ KIOXIA LC9 ความจุสูง 122.88 TB สำหรับแอปพลิเคชัน AI

เนื่องจากระบบ AI มีความซับซ้อนมากขึ้นเรื่อยๆ และปริมาณข้อมูลยังคงเพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่อง องค์กรต่างๆ จึงต้องการโซลูชันการจัดเก็บข้อมูลที่สามารถรับมือกับความต้องการที่ซับซ้อนของเวิร์กโหลดสมัยใหม่ได้ ไดรฟ์ความจุสูงมีความสำคัญต่อบางขั้นตอนของกระบวนการ AI รวมถึงโมเดลภาษาขนาดใหญ่ (LLM) การฝึกอบรมและการจัดเก็บชุดข้อมูลจำนวนมาก ฐานข้อมูลเวกเตอร์ และการดึงข้อมูลอย่างรวดเร็วเพื่อการอนุมานและการปรับแต่ง ไดรฟ์ KIOXIA ระดับองค์กรรุ่นใหม่ได้รับการออกแบบมาสำหรับแอปพลิเคชัน AI เชิงสร้างสรรค์ โดยสร้างขึ้นให้มีความจุสูงและมีอินเทอร์เฟซ PCIe® 5.0 พร้อมความสามารถพอร์ตคู่สำหรับการทนทานต่อข้อผิดพลาดหรือการเชื่อมต่อกับระบบคอมพิวเตอร์หลายระบบ SSD ที่ใช้ QLC ความจุสูงเหล่านี้เหมาะสำหรับการใช้งานในระบบไฮบริดคลาวด์และระบบมัลติคลาวด์ SSD ความจุสูงส่งข้อมูลการฝึกอบรมและการอนุมานไปยังระบบเซิร์ฟเวอร์ AI ผ่านการกำหนดค่าคลาวด์เหล่านี้

SSD KIOXIA ใหม่นี้จะมาเสริมเทคโนโลยี KIOXIA AiSAQ™ ที่เพิ่งประกาศไปไม่นานนี้ ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพ RAG (Retrieval Augmented Generation) ที่ปรับขนาดได้ โดยจัดเก็บองค์ประกอบฐานข้อมูลเวกเตอร์บน SSD แทน DRAM ที่มีราคาแพงและจำกัด นอกจากนี้ ยังช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบและระดับแร็คด้วยความหนาแน่นของพื้นที่จัดเก็บที่สูงขึ้นและการใช้พลังงานต่อ TB ที่ต่ำลงเมื่อเทียบกับ SSD ที่มีความจุต่ำกว่า

จุดเด่นของ SSD ซีรีส์ KIOXIA LC9 ได้แก่:

  • ฟอร์มแฟกเตอร์ SSD พอร์ตคู่ขนาด 2.5 นิ้ว ความจุ 122.88 TB ความทนทาน 0.3 DWPD
  •  NVMe™ 2.0, NVMe-MI™ และ PCIe® ซึ่งเป็นไปตามข้อกำหนด 5.0 (อัตราการถ่ายโอนข้อมูลสูงสุด 128 กิกะบิตต่อวินาที Gen5 เดี่ยว x4, ประสิทธิภาพการทำงานแบบคู่ x2)
  • คุณสมบัติหน่วยความจำแฟลช 3D KIOXIA 2 Tb QLC BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 พร้อมเทคโนโลยี CBA (CMOS เชื่อมต่อกับอาร์เรย์โดยตรง) ช่วยให้ผลิตผลิตภัณฑ์มีความจุสูง ประสิทธิภาพสูง และประหยัดพลังงาน

หมายเหตุ
*2.5 นิ้วบ่งบอกถึงขนาดของ SSD ไม่ใช่ขนาดทางกายภาพ

*คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดให้ 1 กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ และ 1 เทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุของพื้นที่จัดเก็บโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ และด้วยเหตุนี้จึงแสดงความจุในการจัดเก็บที่น้อยลง ความจุในการจัดเก็บที่พร้อมใช้งาน (รวมถึงตัวอย่างไฟล์สื่อต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ซึ่งความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป

*DWPD: การเขียนไดรฟ์ต่อวัน การเขียนไดรฟ์เต็มหนึ่งครั้งต่อวันหมายความว่าสามารถเขียนและเขียนซ้ำไดรฟ์จนเต็มความจุได้หนึ่งครั้งต่อวันทุกวันเป็นเวลา 5 ปี ซึ่งเป็นระยะเวลาการรับประกันผลิตภัณฑ์ที่ระบุไว้ ผลลัพธ์ที่แท้จริงอาจแตกต่างกันไปเนื่องจากการกำหนดค่าระบบ การใช้งาน และปัจจัยอื่นๆ

*NVMe และ NVMe-MI เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนและไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*ชื่อบริษัทอื่นๆ ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อก่อนหน้าของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D เชิงนวัตกรรมของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

การสอบถามจากลูกค้า:
Kioxia Group
สำนักงานขายทั่วโลก
https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/54224091/en

Contacts

การสอบถามจากสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

เทคโนโลยี KIOXIA AiSAQ™ ได้รับการออกแบบมาเพื่อลดข้อกำหนดด้าน DRAM ในระบบ Generative AI ที่ได้เปิดตัวเป็นซอฟต์แวร์โอเพ่นซอร์ส

Logo

เทคโนโลยีซอฟต์แวร์จะสามารถปรับปรุงการปรับขนาดและความแม่นยำของฐานข้อมูลเวกเตอร์ในเวิร์กโฟลว์ RAG ได้โดยใช้ SSD

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–28 มกราคม 2025

Kioxia Corporationผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศเปิดตัว All-in-Storage ANNS ใหม่พร้อมเทคโนโลยี Product Quantization (AiSAQ) แบบโอเพ่นซอร์สในวันนี้ (1) ซอฟต์แวร์ KIOXIA AiSAQ™ เป็นอัลกอริทึมสำหรับการค้นหา “การคาดคะเนหรือประมาณจุดที่ใกล้ที่สุด” (ANNS) แบบใหม่ที่ปรับให้เหมาะสมสำหรับ SSD โดยมอบประสิทธิภาพที่ปรับขนาดได้สำหรับการรวบรวมข้อมูลที่เกี่ยวกับคำถามที่ถามเข้ามา (RAG) โดยไม่ต้องวางข้อมูลดัชนีไว้ใน DRAM และค้นหาโดยตรงบน SSD แทน

โดยระบบ Generative AI นั้นต้องการทรัพยากรการประมวลผล หน่วยความจำ และการจัดเก็บจำนวนมาก แม้ว่าจะมีศักยภาพในการขับเคลื่อนการเปลี่ยนแปลงครั้งสำคัญในอุตสาหกรรมต่างๆ แต่การใช้งานมักมาพร้อมกับต้นทุนที่สูง ซึ่ง RAG นั้นเป็นเฟสสำคัญของ AI ที่จะปรับปรุงโมเดลภาษาขนาดใหญ่ (LLM) ด้วยข้อมูลเฉพาะของบริษัทหรือแอปพลิเคชัน

โดยส่วนประกอบหลักของ RAG คือฐานข้อมูลเวกเตอร์ที่สะสมและแปลงข้อมูลเฉพาะเป็นเวกเตอร์ฟีเจอร์ในฐานข้อมูล และ RAG นั้นยังใช้อัลกอริทึม ANNS ซึ่งมีการระบุเวกเตอร์ที่ปรับปรุงโมเดลตามความคล้ายคลึงกันระหว่างเวกเตอร์สะสมและเวกเตอร์เป้าหมาย เพื่อให้ RAG มีประสิทธิภาพ จะต้องดึงข้อมูลที่มีความเกี่ยวข้องกับการค้นหามากที่สุดได้อย่างรวดเร็ว โดยทั่วไปแล้ว อัลกอริทึม ANNS จะถูกนำไปใช้งานใน DRAM เพื่อให้ได้ประสิทธิภาพด้านความเร็วที่สูงตามที่จำเป็นสำหรับการค้นหาเหล่านี้

เทคโนโลยี KIOXIA AiSAQ จะมอบโซลูชัน ANNS ที่สามารถปรับขนาดได้และมีประสิทธิภาพสำหรับชุดข้อมูลขนาดพันล้านชุดด้วยการใช้หน่วยความจำขนาดเล็กและมีความสามารถในการสลับดัชนีอย่างรวดเร็ว

ประโยชน์หลักของเทคโนโลยี KIOXIA AiSAQ:

  • ช่วยให้ฐานข้อมูลขนาดใหญ่สามารถทำงานได้โดยไม่ต้องพึ่งพาทรัพยากร DRAM ที่จำกัด ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของระบบ RAG
  • ขจัดความจำเป็นในการโหลดข้อมูลดัชนีลงใน DRAM และช่วยให้สามารถเปิดใช้งานฐานข้อมูลเวกเตอร์ได้ทันที สิ่งนี้รองรับการสลับระหว่างฐานข้อมูลเฉพาะผู้ใช้หรือเฉพาะแอปพลิเคชันบนเซิร์ฟเวอร์เดียวกันได้อย่างราบรื่นเพื่อการส่งมอบบริการ RAG อย่างมีประสิทธิภาพ
  • ปรับให้เหมาะสมสำหรับระบบคลาวด์ด้วยการจัดเก็บดัชนีในพื้นที่จัดเก็บแบบแยกส่วนเพื่อการแบ่งปันระหว่างเซิร์ฟเวอร์หลายเครื่อง แนวทางนี้จะปรับประสิทธิภาพการค้นหาฐานข้อมูลเวกเตอร์แบบไดนามิกสำหรับผู้ใช้หรือแอปพลิเคชันเฉพาะ และอำนวยความสะดวกในการโยกย้ายอินสแตนซ์การค้นหาระหว่างเซิร์ฟเวอร์จริงได้อย่างรวดเร็ว

Kioxia แสดงให้เห็นถึงความมุ่งมั่นในการพัฒนา AI ด้วยการนำเสนอนวัตกรรมเทคโนโลยี KIOXIA AiSAQ สู่ชุมชนในรูปแบบของซอฟต์แวร์โอเพ่นซอร์ส

หมายเหตุ
(1) โปรดไปที่ลิงก์สำหรับโอเพนซอร์สของ KIOXIA AiSAQ ที่เปิดตัว
https://github.com/kioxiaamerica/aisaq-diskann

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำที่มุ่งมั่นในการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตทไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นบริษัทก่อนหน้าได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” ด้วยการนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าตามหน่วยความจำสำหรับสังคมต่างๆ โดยเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D ที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ นั้นกำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชั่นที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ Generative AI

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Contacts

การสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Satoshi Shindo / Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404

การสอบถามสำหรับลูกค้า:
Kioxia Group
สำนักงานขายทั่วโลก
https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

โมดูลเข้ารหัส NVMe SSD ของ KIOXIA ผ่านการตรวจสอบ FIPS 140-3 ระดับ 2

Logo

โมดูลเข้ารหัสคอนโทรลเลอร์ SSD สำหรับองค์กรซีรีส์ KIOXIA CM7 ตรงตามข้อกำหนดด้านความปลอดภัยล่าสุดของโปรแกรมตรวจสอบโมดูลเข้ารหัสของ NIST

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–11 ธันวาคม 2024

Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศในวันนี้ว่าโมดูลเข้ารหัสที่ใช้ใน SSD สำหรับองค์กร PCIe® 5.0 NVMe™ ซีรีส์ KIOXIA CM7 ได้รับการรับรองว่าเป็นไปตามมาตรฐานการประมวลผลข้อมูลของรัฐบาลกลาง (FIPS) 140-3 ระดับ 2 สำหรับโมดูลเข้ารหัส

KIOXIA CM7 Series PCIe 5.0 NVMe Enterprise SSD (Photo: Business Wire)

KIOXIA CM7 Series PCIe 5.0 NVMe Enterprise SSD (รูปภาพ: Business Wire)

มาตรฐาน FIPS 140-3 กำหนดชุดข้อกำหนดด้านความปลอดภัยของโปรแกรมตรวจสอบโมดูลเข้ารหัสที่บริหารโดยสถาบันมาตรฐานและเทคโนโลยีแห่งชาติ (NIST) ซึ่งใช้เป็นมาตรวัดความปลอดภัยสำหรับหน่วยงานของรัฐบาลกลางในการจัดหาอุปกรณ์ไอทีที่ผ่านการตรวจสอบ บริษัทและหน่วยงานของรัฐบาลกลางอาจต้องการหรืออาจจำเป็นต้องปรับใช้มาตรฐานของรัฐบาลที่เข้มงวดยิ่งขึ้น ซึ่ง SSD ที่ได้รับการรับรองตามข้อกำหนด FIPS 140-3 จะต้องเป็นไปตามนั้น เมื่อเทียบกับข้อกำหนด FIPS 140-2 ก่อนหน้านี้ ข้อกำหนด 140-3 จะให้มาตรฐานที่สูงกว่าสำหรับ SSD รวมถึงวิธีการตรวจสอบที่เข้มงวดยิ่งขึ้นและแนวทางการใช้งานที่อัปเดต

Kioxia นำเทคโนโลยี PCIe 5.0 มาสู่แอปพลิเคชันเซิร์ฟเวอร์และที่เก็บข้อมูลด้วย SSD NVMe ซีรีส์ KIOXIA CM7 ซึ่งมุ่งเป้าไปที่แอปพลิเคชันและกรณีการใช้งานขององค์กร รวมถึงปัญญาประดิษฐ์ การประมวลผลประสิทธิภาพสูง ฐานข้อมูลการประมวลผลธุรกรรมออนไลน์ และคลังข้อมูล ไดรฟ์ซีรีส์ KIOXIA CM7 นำประสิทธิภาพ ความน่าเชื่อถือ และความปลอดภัยระดับองค์กรมาสู่เซิร์ฟเวอร์และที่เก็บข้อมูลของศูนย์ข้อมูล คุณสมบัติหลักของ SSD ซีรีส์ KIOXIA CM7 ประกอบด้วย:

• SSD NVMe ที่เข้ากันได้กับ PCIe 5.0 ในรูปแบบ 2.5 นิ้ว(1) และ E3.S

• รองรับพอร์ตคู่และพอร์ตเดี่ยว

• ความทนทานต่อการอ่านข้อมูลจำนวนมากและการใช้งานแบบผสมผสาน

• ความจุตั้งแต่ 1.6 เทราไบต์ (TB) ถึง 30.72 TB (15.36 TB ในรูปแบบ E3.S)

• ตัวเลือกด้านความปลอดภัย ได้แก่: การลบข้อมูลทันที (SIE) (2), ไดรฟ์เข้ารหัสด้วยตนเอง TCG Opal (SED) (3) และ SED ที่ใช้โมดูล FIPS 140-3 ระดับ 2

หมายเหตุ:

(1) “2.5 นิ้ว” หมายถึงรูปแบบของ SSD ไม่ได้ระบุถึงขนาดทางกายภาพของไดรฟ์

(2) รุ่นเสริม SIE ที่รองรับ Crypto Erase ซึ่งเป็นคุณสมบัติมาตรฐานที่กำหนดโดยคณะกรรมการเทคนิค (SCSI) ของ INCITS (คณะกรรมการมาตรฐานเทคโนโลยีสารสนเทศระหว่างประเทศ)

(3) โมเดลเสริม SED รองรับ TCG Opal และ Ruby SSC แต่ไม่รองรับฟีเจอร์บางอย่างของ TCG Opal SSC

* คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดให้เมกะไบต์ (MB) เท่ากับ 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ และเทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุของหน่วยเก็บข้อมูลโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุของหน่วยเก็บข้อมูลที่น้อยกว่า ความจุที่จัดเก็บได้ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์สื่อต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป

* รุ่นเสริมด้านความปลอดภัยไม่มีจำหน่ายในทุกประเทศเนื่องจากข้อบังคับด้านการส่งออกและท้องถิ่น

* PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG

* NVMe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนหรือไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ ทั้งหมดอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งมุ่งมั่นในการพัฒนา ผลิต และจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและไดรฟ์โซลิดสเตต (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นบริษัทก่อนหน้าที่ได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 โดย Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D ที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia ที่เรียกว่า BiCS FLASH™ ที่กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์และศูนย์ข้อมูลต่างๆ

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลที่ถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่สามารถเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/54164556/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

รายชื่อผู้ติดต่อ

การสอบถามข้อมูลลูกค้า:

Kioxia Group

สำนักงานขายทั่วโลก

https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

การสอบถามข้อมูลด้าน  สื่อ:

Kioxia Corporation

ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย

Satoshi Shindo

โทรศัพท์: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบในตัว UFS เวอร์ชัน 4.0 สำหรับแอปพลิเคชันในรถยนต์จาก KIOXIA ได้รับการรับรอง Automotive SPICE CL2

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–04 ธันวาคม 2024

Kioxia Corporation คือบริษัทผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ได้มีประกาศแถลงการณ์ในวันนี้ว่าอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบในตัว Universal Flash Storage1 (UFS) เวอร์ชัน 4.0 ที่ออกแบบมาสำหรับแอปพลิเคชันในรถยนต์นั้นได้รับการรับรองความสามารถระดับ 2 (CL2) จาก Automotive SPICE® (ASPICE) โดย Kioxia เป็นบริษัทแรก2 ที่ได้รับรางวัลนี้สำหรับการรับรอง UFS เวอร์ชัน 4.0 สำหรับเกรดยานยนต์

Kioxia: Automotive UFS Ver. 4.0 Embedded Flash Memory Device (Photo: Business Wire)

Kioxia: อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบในตัว Automotive UFS เวอร์ชัน 4.0 (รูปภาพ: Business Wire)

Automotive SPICE (Software Process Improvement and Capability dEtermination) ซึ่งอิงตามมาตรฐานซีรีส์ ISO/IEC 33000 นั้นเป็นกรอบการทำงานที่ได้รับการยอมรับในระดับนานาชาติในแง่ของการประเมินและปรับปรุงกระบวนการพัฒนาซอฟต์แวร์ที่ออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับอุตสาหกรรมยานยนต์ การได้รับการรับรอง ASPICE CL2 นั้นแสดงให้เห็นว่า Kioxia มีการนำกระบวนการที่มีโครงสร้างสำหรับการจัดการโครงการและการพัฒนาซอฟต์แวร์มาใช้ ซึ่งเชื่อมั่นได้ถึงคุณภาพและความสามารถในการติดตามตรวจสอบที่สม่ำเสมอ การรับรองนี้เป็นเครื่องพิสูจน์ถึงความสามารถของ Kioxia ในการปฏิบัติตามมาตรฐานการพัฒนาซอฟต์แวร์และคุณภาพที่เข้มงวดซึ่งผู้ผลิตยานยนต์และซัพพลายเออร์ระดับ 1 ต้องการในอุปกรณ์ UFS เวอร์ชัน 4.0 เกรดยานยนต์ ซึ่งจะช่วยเสริมศักยภาพให้กับความเป็นผู้นำในตลาดหน่วยความจำแบบในตัวสำหรับแอปพลิเคชันในรถยนต์

UFS Ver. 4.0 ได้เพิ่มคุณสมบัติและฟังก์ชันการทำงานระดับสูงใหม่ ๆ เพื่อตอบสนองความต้องการของแอปพลิเคชันในยานยนต์ที่มีประสิทธิภาพสูง โดยอุปกรณ์ UFS ประสิทธิภาพสูงของ Kioxia นั้นมีความเร็วในการถ่ายโอนข้อมูลแบบฝังตัวที่รวดเร็วในขนาดที่เล็ก และมุ่งเป้าไปที่แอปพลิเคชันในรถยนต์ยุคใหม่ที่หลากหลาย เช่น อินโฟเทนเมนต์, ระบบห้องโดยสารแบบบูรณาการ, ADAS3 และการขับขี่ด้วยระบบอัตโนมัติ โดยประสิทธิภาพของผลิตภัณฑ์ UFS ที่ได้รับการพัฒนาปรับปรุง4 จาก Kioxia ทำให้แอปพลิเคชันเหล่านี้สามารถใช้ประโยชน์จากข้อดีของการเชื่อมต่อ 5G ได้ ทำให้ระบบเริ่มทำงานได้เร็วขึ้นและผู้ใช้ได้รับประสบการณ์ที่ดีขึ้น

หมุดหมายเหตุการณ์สำคัญเหล่านี้ตอกย้ำถึงความมุ่งมั่นของ Kioxia ในการบรรลุผลด้านการรับรองที่เป็นที่ยอมรับในอุตสาหกรรม ซึ่งสะท้อนให้เห็นถึงความทุ่มเทในการรักษาคุณภาพ มาตรฐานความปลอดภัย และนวัตกรรมมาตรฐานสูงสุดตลอดการดำเนินงาน

หมายเหตุ:
(1) Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สำหรับผลิตภัณฑ์หน่วยความจำฝังตัวประเภทหนึ่งที่สร้างขึ้นตามมาตรฐาน JEDEC UFS เนื่องจากมีอินเทอร์เฟซแบบอนุกรม UFS จึงรองรับการทำงานแบบดูเพล็กซ์เต็มรูปแบบ ซึ่งช่วยให้สามารถอ่านและเขียนข้อมูลพร้อมกันระหว่างโปรเซสเซอร์โฮสต์และอุปกรณ์ UFS ได้
(2) ผลการสำรวจ ณ วันที่ 4 ธันวาคม 2024
(3) ระบบช่วยขับขี่ขั้นสูง
(4) เมื่อเมื่อเทียบกับอุปกรณ์รุ่นก่อนหน้า

* Automotive SPICE® เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ Verband der Automobilindustrie e.V. (VDA)
ชื่อบริษัทอื่น ๆ ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia คือผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำที่มุ่งมั่นในการพัฒนา ผลิต และจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นบริษัทก่อนหน้าได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำสำหรับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D ที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia ที่เรียกว่า BiCS FLASH™ กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์และศูนย์ข้อมูล

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลที่ถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่สามารถเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่:  https://www.businesswire.com/news/home/54160725/en

ข้อมูลติดต่อ

การสอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า:
Kioxia Corporation
Global Sales Offices
https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

การสอบถามข้อมูลสื่อ:
Kioxia Corporation
Sales Strategic Planning Division
Satoshi Shindo
Tel: +81-3-6478-2404

แหล่งข้อมูล: Kioxia Corporation

.

Featured, Technology

Kioxia เริ่มการผลิตอุปกรณ์หน่วยความจําแฟลชแบบฝัง QLC UFS Ver. 4.0 รุ่นแรกจำนวนมากสำหรับอุตสาหกรรม

Logo

อุปกรณ์ 512GB ใหม่นําความหนาแน่นบิตที่สูงขึ้นของ QLC มาสู่ UFS

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–30 ตุลาคม 2024

Kioxia Corporation ผู้นําระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจํา ประกาศในวันนี้ว่าได้เริ่มการผลิตอุปกรณ์หน่วยความจําแฟลชแบบฝัง1 Universal Flash Storage (UFS)2 Ver. 4.0 รุ่นแรกจำนวนมากสำหรับอุตสาหกรรมที่มีเทคโนโลยีบันทึกข้อมูล 4 บิตต่อเซลล์ (QLC)

QLC UFS Ver. 4.0 Embedded Flash Memory Devices (Photo: Business Wire)

อุปกรณ์หน่วยความจําแฟลชแบบฝัง QLC UFS Ver. 4.0 (ภาพ: Business Wire)

QLC UFS มีความหนาแน่นของบิตที่สูงกว่า TLC UFS แบบดั้งเดิม ทําให้เหมาะสําหรับแอปพลิเคชันเพื่อใช้งานบนอุปกรณ์เคลื่อนที่ที่ต้องการความจุในการจัดเก็บข้อมูลที่สูงขึ้น ความก้าวหน้าในเทคโนโลยีคอนโทรลเลอร์และการแก้ไขข้อผิดพลาดทําให้เทคโนโลยี QLC สามารถบรรลุเป้าหมายนี้ได้ ในขณะที่ยังคงประสิทธิภาพในการแข่งขันไว้ได้ QLC UFS ขนาด 512 กิกะไบต์ (GB) ใหม่ของ Kioxia มีความเร็วในการอ่านแบบเรียงสูงสุด 4,200 เมกะไบต์ต่อวินาที (MB/s) และความเร็วในการเขียนแบบเรียงสูงสุด 3,200 MB/s โดยใช้ประโยชน์จากความเร็วอินเทอร์เฟซ UFS 4.0 ได้อย่างเต็มที่

QLC UFS ของ Kioxia เหมาะอย่างยิ่งสําหรับสมาร์ทโฟนและแท็บเล็ต ตลอดจนแอปพลิเคชันรุ่นต่อไปอื่นๆ ที่ต้องคำนึงถึงความจุและประสิทธิภาพในการจัดเก็บข้อมูลที่สูงขึ้นเป็นหลัก รวมถึงพีซี เครือข่าย AR/VR และ AI

Kioxia เป็นบริษัทแรกที่เปิดตัวเทคโนโลยี UFS3 และยังคงพัฒนาผลิตภัณฑ์ใหม่อย่างต่อเนื่อง อุปกรณ์ QLC UFS Ver. 4.0 ใหม่นี้ผสานรวมหน่วยความจําแฟลช BiCS FLASH™ 3D ที่เป็นนวัตกรรมของบริษัทและคอนโทรลเลอร์ในแพ็คเกจมาตรฐาน JEDEC UFS 4.0 ผสานรวม MIPI M-PHY 5.0 และ UniPro 2.0 และรองรับความเร็วอินเทอร์เฟซเชิงทฤษฎีสูงสุด 23.2 กิกะบิตต่อวินาที (Gbps) ต่อเลนหรือ 46.4 Gbps ต่ออุปกรณ์ UFS 4.0 เข้ากันได้กับ UFS 3.1 รุ่นเก่าได้

คุณสมบัติหลัก ได้แก่ :

  • รองรับคุณสมบัติ High Speed Link Startup Sequence (HS-LSS): ด้วย UFS ทั่วไป การเริ่มต้นลิงค์ (ลําดับการเริ่มต้น M-PHY และ UniPro) ระหว่างอุปกรณ์และโฮสต์จะดําเนินการที่ PWM-G1 ความเร็วต่ำ (3~9 เมกะบิตต่อวินาที 4) แต่ด้วย HS-LSS สามารถทํางานได้ที่ HS-G1 Rate A ที่เร็วกว่า (1,248 เมกะบิตต่อวินาที) คาดว่าจะช่วยลดเวลาในการเริ่มต้นลิงค์ได้ประมาณ 70% เมื่อเทียบกับวิธีทั่วไป
  • เพิ่มความปลอดภัย: โดยใช้ Advanced RPMB (Replay Protected Memory Block) เพื่อปรับปรุงการเข้าถึงการอ่านและเขียนข้อมูลความปลอดภัย เช่น ข้อมูลประจําตัวของผู้ใช้ในพื้นที่ RPMB และ RPMB Purge เพื่อให้แน่ใจว่าข้อมูลความปลอดภัยที่ถูกทิ้งจะถูกทำความสะอาดอย่างปลอดภัยและรวดเร็ว
  • รองรับ Extended Initiator ID (Ext-IID): ออกแบบมาเพื่อใช้กับ Multi Circular Queue (MCQ) ที่ตัวควบคุมโฮสต์ UFS 4.0 เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพการสุ่ม

หมายเหตุ

(1)การอ้างสิทธิ์ครั้งแรกในอุตสาหกรรมจากการสํารวจข้อมูลที่เปิดเผยต่อสาธารณะของ Kioxia ณ วันที่ 30 ตุลาคม 2024

(2)Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สําหรับผลิตภัณฑ์หน่วยความจําแบบฝังที่สร้างขึ้นตามข้อกําหนดมาตรฐาน JEDEC UFS เนื่องจากมีอินเทอร์เฟซแบบอนุกรม UFS จึงรองรับการพิมพ์แบบดูเพล็กซ์เต็มรูปแบบซึ่งช่วยให้สามารถอ่านและเขียนพร้อมกันระหว่างโปรเซสเซอร์โฮสต์และอุปกรณ์ UFS ได้

(3)การจัดส่งตัวอย่างครั้งแรกของ Kioxia Corporation ณ วันที่ 8 กุมภาพันธ์ 2013
https://www.kioxia.com/en-jp/business/news/2013/20130208-1.html

(4)ความเร็วในการสื่อสาร PWM-G1 ขึ้นอยู่กับโฮสต์และอุปกรณ์

*ทุกครั้งที่การกล่าวถึงผลิตภัณฑ์ Kioxia: ความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์จะถูกระบุตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจําภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่ปริมาณความจุหน่วยความจําที่ผู้ใช้ปลายทางสามารถจัดเก็บข้อมูลได้ ความจุที่ผู้บริโภคใช้ได้จะลดลงเนื่องจากพื้นที่ข้อมูลโอเวอร์เฮด การจัดรูปแบบ บล็อกที่ไม่ดี และข้อจํากัดอื่นๆ และอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์โฮสต์และแอปพลิเคชัน สําหรับรายละเอียด โปรดดูข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ ที่เกี่ยวข้อง คําจํากัดความของ 1KB = 2^10 ไบต์ = 1,024 ไบต์ คําจํากัดความของ 1Gb = 2^30 บิต = 1,073,741,824 บิต คําจํากัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ 1Tb = 2^40 บิต = 1,099,511,627,776 บิต

*1 Gbps คํานวณเป็น 1,000,000,000 บิต/วินาที ความเร็วในการอ่านและเขียนเป็นค่าที่ดีที่สุดที่ได้รับในสภาพแวดล้อมการทดสอบเฉพาะที่ Kioxia และ Kioxia รับประกันความเร็วในการอ่านหรือเขียนในอุปกรณ์แต่ละเครื่อง ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ที่ใช้และขนาดไฟล์ที่อ่านหรือเขียน

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นําระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจํา ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจําแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจําแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจํา” โดยนําเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าตามหน่วยความจําสําหรับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจําแฟลช 3D ที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia ที่เรียกว่า BiCS FLASH™ กําลังกําหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

*ข้อมูลในเอกสารนี้ เช่น ราคาและข้อมูลจําเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลที่ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/54143662/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

สอบถามข้อมูลสื่อ:

Kioxia Corporation

ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย

Satoshi Shindo

โทรศัพท์: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation