Tag Archives: kioxia

Kioxia และ Xinnor ร่วมมือกันเพื่อส่งมอบโซลูชัน PCIe 5.0 NVMe SSD RAID ประสิทธิภาพสูงสําหรับแอปพลิเคชันระดับองค์กรและศูนย์ข้อมูล

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–05 มิถุนายน 2024

Kioxia Corporation ผู้นําระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจํา ประกาศในวันนี้ว่า KIOXIA PCIe® 5.0 NVMe™ SSD ได้รับการทดสอบความเข้ากันได้ และความสามารถในการทํางานร่วมกันกับโซลูชัน Xinnor, Ltd. (“Xinnor”) RAID และประสบความสําเร็จในการรัน PostgreSQL มากกว่าโซลูชัน RAID ของซอฟต์แวร์ที่มีการกําหนดค่าฮาร์ดแวร์เดียวกันถึง 25 เท่า(1). โซลูชันนี้จะสาธิตในบูธ KIOXIA ที่งาน COMPUTEX TAIPEI ซึ่งจะจัดขึ้นตั้งแต่วันที่ 4 มิถุนายนถึง 7 มิถุนายน

KIOXIA CM7 Series PCIe(R) 5.0 NVMe(TM) SSDs (Photo: Business Wire)

KIOXIA CM7 Series PCIe(R) 5.0 NVMe(TM) SSD (ภาพ: Business Wire)

PostgreSQL (พร้อมส่วนขยาย pgvector) และฐานข้อมูลเวกเตอร์มีความสําคัญมากขึ้นสําหรับระบบ generative AI และ RAG (Retrieval Augmented Generation) มากกว่าเดิม และผลลัพธ์เหล่านี้แสดงให้เห็นถึงประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นโดยใช้โซลูชัน xiRAID Opus และ KIOXIA PCIe® 5.0 NVMe™ SSD ของ Xinnor สําหรับแอปลิเคชัน generative AI และ RAG

เซิร์ฟเวอร์ใหม่ที่มีอินเทอร์เฟซ PCIe® 5.0 และ SSD ความเร็วสูงที่สอดคล้องกัน เป็นที่ต้องการสําหรับแอปพลิเคชันประสิทธิภาพสูง เช่น generative AI และความสําคัญของ SSD ที่เข้ากันได้กับ PCIe® 5.0 เพื่อรองรับความต้องการที่กำลังเพิ่มมากขึ้น โซลูชัน RAID ซอฟต์แวร์ประสิทธิภาพสูงของ Kioxia และ Xinnor ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพสูงสุดของ PCIe® 5.0 SSD สําหรับ AI, Machine Learning (ML) และแอปพลิเคชันการวิเคราะห์ข้อมูลในศูนย์ข้อมูลขององค์กรภายในองค์กร KIOXIA CM7 Series SSD ประสบความสําเร็จในการทดสอบความเข้ากันได้ที่ดําเนินการโดยทั้งสองฝ่าย

ความสําเร็จของโครงสร้างพื้นฐานศูนย์ข้อมูลรุ่นต่อไปจะขึ้นอยู่กับการทํางานร่วมกันของระบบนิเวศและความพยายามในการทดสอบการทํางานร่วมกันเพื่อให้แน่ใจว่าผลิตภัณฑ์และเทคโนโลยีในปัจจุบันและอนาคตทํางานร่วมกันได้อย่างราบรื่น และส่งมอบตามที่คาดไว้ ในฐานะผู้นําด้าน SSD ระดับองค์กรและศูนย์ข้อมูล Kioxia มุ่งมั่นที่จะขับเคลื่อนอุตสาหกรรมไปข้างหน้าด้วยโซลูชันหน่วยความจําที่เป็น นวัตกรรมใหม่ที่ขับเคลื่อนคลื่นลูกใหม่ของแอปพลิเคชันและบริการ Kioxia จะยังคงสนับสนุนระบบนิเวศ PCIe® 5.0 ต่อไป และเพิ่มมูลค่าสูงสุดของ PCIe® 5.0 NVMe™ SSD ประสิทธิภาพสูง

ลิงค์ที่เกี่ยวข้อง: กลุ่มผลิตภัณฑ์ KIOXIA Enterprise SSD
https://www.kioxia.com/en-jp/business/ssd/enterprise-ssd.html

หมายเหตุ

(1) เมื่อเทียบกับโซลูชัน RAID มาตรฐานใน Linux (mdraid / mdadm) ในโหมดลดระดับโดยที่ไดรฟ์ตัวหนึ่งล้มเหลว ในการดําเนินการอ่านฐานข้อมูล (สืบค้น)

*Xinnor และ xiRAID เป็นเครื่องหมายการค้าของ Xinnor, Ltd.

*NVMe เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ

*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นําระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจํา ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจําแฟลชและโซลิดสเตตไดร์ฟ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจําแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจํา” โดยนําเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและหน่วยความจำ – คุณค่าพื้นฐานสำหรับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจําแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กําลังกําหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

สอบถามข้อมูลลูกค้า:

Kioxia Group
สำนักงานขายทั่วโลก
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจําเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/54031655/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

สอบถามข้อมูลสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
Tel: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Kioxia สุ่มตัวอย่าง อุปกรณ์หน่วยความจําแฟลชแบบฝัง UFS Ver. 4.0 รุ่นล่าสุด

Logo

ขนาดแพ็คเกจที่เล็กลง การปรับปรุงประสิทธิภาพช่วยให้ผู้ใช้ ได้รับประสบการณ์ที่ดีขึ้นบนแอปพลิเคชันมือถือ

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–23 เมษายน 2024

Kioxia Corporation ผู้นําระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจํา ประกาศในวันนี้ว่าได้เริ่มสุ่มตัวอย่าง (1) อุปกรณ์หน่วยความจําแฟลชแบบฝังUniversal Flash Storage (2) (UFS) Ver. 4.0 รุ่นล่าสุด ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้รองรับความจุ 256 กิกะไบต์ (GB), 512GB และ 1 เทราไบต์ (TB) เหมาะอย่างยิ่งสําหรับแอปพลิเคชันมือถือยุคหน้าที่หลากหลาย รวมถึงสมาร์ทโฟนระดับแนวหน้า

Latest generation UFS Ver. 4.0 embedded flash memory devices (Graphic: Business Wire)

อุปกรณ์หน่วยความจําแฟลชแบบฝัง UFS Ver. 4.0 รุ่นล่าสุด (กราฟิก: Business Wire)

ประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นของผลิตภัณฑ์ UFS ใหม่ ช่วยให้ได้ประโยชน์สูงสุดจากการเชื่อมต่อ 5G ส่งผลให้การดาวน์โหลดเร็วขึ้น ลดเวลาแฝง และประสบการณ์ผู้ใช้ที่ดีขึ้น ขนาดบรรจุภัณฑ์ที่เล็กลงช่วยเพิ่มประสิทธิภาพพื้นที่บอร์ด และความยืดหยุ่นในการออกแบบ

คุณสมบัติที่สําคัญ ได้แก่ :

  • การปรับปรุงความเร็วในการอ่าน / เขียนมากกว่ารุ่นก่อนหน้า (3): การเขียนตามลําดับประมาณ +15%, การเขียนแบบสุ่ม +50% และการอ่านแบบสุ่ม +30%
  • ขนาดบรรจุภัณฑ์ลดลงจากรุ่นก่อนหน้า(4): ขนาดบรรจุภัณฑ์คือ 9 มม. x 13 มม. และความหนาของบรรจุภัณฑ์คือ 0.8 มม. (256GB และ 512GB) และ 0.9 มม. (1TB) ส่งผลให้ลดลงประมาณ 18% เมื่อเทียบกับขนาดบรรจุภัณฑ์ทั่วไป (11 มม. x 13 มม.)

Kioxia เป็นบริษัทแรกที่แนะนําเทคโนโลยี UFS(5) และพัฒนาผลิตภัณฑ์ใหม่อย่างต่อเนื่อง อุปกรณ์ UFS Ver. 4.0 ล่าสุดผสานรวมหน่วยความจําแฟลช BiCS FLASH™ 3D ที่เป็นนวัตกรรมของบริษัทและตัวควบคุมไว้ในแพ็คเกจมาตรฐาน JEDEC UFS 4.0 ประกอบด้วย MIPI M-PHY 5.0 และ UniPro 2.0 และรองรับความเร็วอินเทอร์เฟซตามทฤษฎีสูงสุด 23.2 กิกะบิตต่อวินาที (Gbps) ต่อเลน หรือ 46.4 Gbps ต่ออุปกรณ์ UFS 4.0 สามารถใช้งานร่วมกับ UFS 3.1 รุ่นเก่าได้

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
UFS 4.0 – ออกแบบมาสําหรับการจัดเก็บข้อมูลบนมือถือรุ่นต่อไป

หมายเหตุ:
(1) การจัดส่งตัวอย่างอุปกรณ์ขนาด 256GB และ 512GB เริ่มต้นในเดือนนี้ โดยอุปกรณ์ขนาด 1TB มีกําหนดจะตามมาหลังเดือนมิถุนายน 2024 ข้อมูลจําเพาะของตัวอย่างอาจแตกต่างจากผลิตภัณฑ์เชิงพาณิชย์

(2) Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สําหรับผลิตภัณฑ์หน่วยความจําแบบฝัง ที่สร้างขึ้นตามข้อกําหนดมาตรฐาน JEDEC UFS เนื่องจากอินเทอร์เฟซแบบอนุกรม UFS จึงรองรับการสื่อสารแบบสองทางสมบูรณ์ ซึ่งช่วยให้สามารถอ่านและเขียนพร้อมกันระหว่างหน่วยประมวลผลโฮสต์ และอุปกรณ์ UFS

(3) อุปกรณ์ 512GB รุ่นก่อนหน้าของ Kioxia Corporation หมายเลข “THGJFLT2E46BATP”.

(4) เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ UFS 4.0 รุ่นก่อนหน้าของ Kioxia

(5) การจัดส่งตัวอย่างครั้งแรกของ Kioxia Corporation ณ วันที่ 8 กุมภาพันธ์ 2013
https://www.kioxia.com/en-jp/business/news/2013/20130208-1.html

ในการกล่าวถึงผลิตภัณฑ์ Kioxia ทุกครั้ง: ความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์จะถูกระบุตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจําภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่จํานวนความจุหน่วยความจําที่ผู้ใช้ปลายทางสามารถจัดเก็บข้อมูลได้ ความจุที่ผู้บริโภคใช้งานได้จะลดลง เนื่องจากพื้นที่ข้อมูลโอเวอร์เฮด การจัดรูปแบบ บล็อกที่ไม่ดี และข้อจํากัดอื่น ๆ และอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์โฮสต์และแอปพลิเคชัน สําหรับรายละเอียด โปรดดูข้อมูลจําเพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง คําจํากัดความของ 1KB = 2^10 ไบต์ = 1,024 ไบต์ คําจํากัดความของ 1Gb = 2^30 บิต = 1,073,741,824 บิต คําจํากัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ 1Tb = 2^40 บิต = 1,099,511,627,776 บิต

1Gbps คํานวณเป็น 1,000,000,000 บิต/วินาที ความเร็วในการอ่านและเขียนเป็นค่าที่ดีที่สุดที่ได้รับในสภาพแวดล้อมการทดสอบเฉพาะที่ Kioxia และ Kioxia รับประกันทั้งความเร็วในการอ่านและเขียนในอุปกรณ์แต่ละเครื่อง ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ที่ใช้และขนาดไฟล์ที่อ่านหรือเขียน

ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นําระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจํา ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจําแฟลชและโซลิดสเทตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายนปี 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจําแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจํา” โดยนําเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าตามความทรงจําเพื่อสังคม BiCS FLASH™ เทคโนโลยีหน่วยความจําแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia กําลังกําหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

สอบถามข้อมูลลูกค้า:
Kioxia Group
สํานักงานขายทั่วโลก
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจําเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อ ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53946110/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

สอบถามข้อมูลสื่อ:
Kioxia Corporation
Sales Strategic Planning Division
Satoshi Shindo
โทร: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Kioxia ร่วมมือกับเซิร์ฟเวอร์จาก Hewlett Packard Enterprise สำหรับจรวดอวกาศที่มุ่งสู่สถานีอวกาศนานาชาติ

Logo

HPE Spaceborne Computer-2 มาพร้อม Value SAS จาก KIOXIA, SSD แบบ SAS และ NVMe ระดับองค์กร ช่วยให้สามารถทดลองทางวิทยาศาสตร์ได้โดยมีความจุในการเก็บข้อมูลกว่า 130 TB

เคปคานาเวอรัล ฟลอริดา–(BUSINESS WIRE)–2 กุมภาพันธ์ 2024

วันนี้ SSD จาก KIOXIA ได้ออกเดินทางไปกับจรวดสำหรับทำภารกิจ NG-20 ซึ่งเป็นการส่ง HPE Spaceborne Computer-2 เวอร์ชันปรับปรุงโดยอาศัยเซิร์ฟเวอร์ HPE EdgeLine และ ProLiant จาก Hewlett Packard Enterprise (HPE) ออกสู่สถานีอวกาศนานาชาติ (International Space Station หรือ ISS) ทั้งนี้ SSD จาก KIOXIA ช่วยให้ HPE Spaceborne Computer-2 มีพื้นที่เก็บข้อมูลแบบแฟลชที่ทนทานสำหรับดำเนินการทดลองทางวิทยาศาสตร์บนสถานีอวกาศ

KIOXIA SSDs on Space Launch Destined for the International Space Station (Graphic: Business Wire)

SSD จาก KIOXIA บนจรวดอวกาศที่มุ่งสู่สถานีอวกาศนานาชาติ (รูปภาพ: Business Wire)

HPE Spaceborne Computer-2 ซึ่งใช้เทคโนโลยีเชิงพาณิชย์ที่หาซื้อได้ทั่วไปนี้มาพร้อมเทคโนโลยี Edge Computing และความสามารถจาก AI ในตัวเพื่อรองรับการวิจัยในที่ห่างไกล โดยเป็นส่วนหนึ่งของภารกิจที่ยิ่งใหญ่ขึ้นในการยกระดับขีดความสามารถในการประมวลผลบนอวกาศให้พัฒนาอย่างมีนัยสำคัญและลดการพึ่งพาการสื่อสารในเวลาเช่นนี้ที่การสำรวจอวกาศขยายขอบเขตออกไปอย่างไม่หยุดยั้ง ทั้งนี้ HPE Spaceborne Computer-2 ออกแบบมาให้รองรับการทำงานแบบการประมวลผลสมรรถนะสูง (High-performance Computing หรือ HPC) หลากหลายแบบในอวกาศ ซึ่งรวมถึงการประมวลผลรูปภาพแบบเรียลไทม์ การเรียนรู้เชิงลึก และการจำลองทางวิทยาศาสตร์ จึงสามารถใช้เทคโนโลยีนี้ในการประมวลผลการทดลองได้หลากหลายประเภท ไม่ว่าจะเป็นการดูแลสุขภาพ, การฟื้นฟูจากภัยพิบัติทางธรรมชาติ, การพิมพ์แบบสามมิติ, 5G, AI และอีกมากมาย

Kioxia ซึ่งเป็นผู้ให้บริการพื้นที่เก็บข้อมูลสำหรับ HPE Spaceborne Computer-2 ได้มอบ SSD ที่ใช้หน่วยความจำแบบแฟลช ซึ่งรวมถึง KIOXIA RM Series value SAS, PM Series enterprise SAS และ XG Series NVMeTM SSD เพื่อช่วยให้ความก้าวหน้าเหล่านี้เกิดขึ้นได้จริง ทั้งนี้ นอกจาก SSD แบบ NVMe ขนาด 1,024 กิกะไบต์ (GB) จำนวนแปดตัวและ SSD แบบ value SAS ขนาด 960 GB จำนวนสี่ตัวแล้ว SSD แบบ SAS ระดับองค์กรแต่ละตัวในสี่ตัวจาก Kioxia ยังมีความจุอยู่ที่ 30.72 เทระไบต์ (TB) อีกด้วย รวมกันเป็นพื้นที่กว่า 130 TB นับเป็นพื้นที่เก็บข้อมูลที่มากที่สุดที่ได้ออกเดินทางสู่สถานีอวกาศในครั้งเดียว [1]

SSD ที่ใช้หน่วยความจำแบบแฟลชนั้นเหมาะกับการใช้งานมากกว่าพื้นที่เก็บข้อมูลแบบฮาร์ดดิสก์ไดรฟ์แบบเดิม เพราะสามารถรองรับข้อกำหนดด้านพลังงาน ประสิทธิภาพ ความน่าเชื่อถือได้เมื่ออยู่นอกอวกาศเนื่องจากไม่มีชิ้นส่วนที่เคลื่อนที่ได้และให้ประสิทธิภาพที่รวดเร็วกว่า สภาวะการทำงานของ SSD จะได้รับการตรวจสอบทุกวันตลอดระยะเวลาในการทำภารกิจจากไฟล์บันทึกรายวันที่ส่งมาจาก ISS ทั้งนี้ Kioxia จะติดตามและวิเคราะห์ข้อมูลสภาวะการทำงานนี้เพื่อให้เข้าใจได้ดีขึ้นว่าพื้นที่เก็บข้อมูลที่ใช้หน่วยความจำแบบแฟลชมีการทำงานเช่นไรเมื่ออยู่ในสภาพแวดล้อมที่หนักหน่วงบนอวกาศ

Kioxia ร่วมมือกับ HPE ในการรังสรรค์โซลูชันพื้นที่เก็บข้อมูลชั้นยอดมาเป็นเวลาหลายปีแล้ว และผลิตภัณฑ์ของบริษัทนี้ก็ช่วยให้เกิดโซลูชันและบริการต่าง ๆ มากมายของ HPE ตั้งแต่อุปกรณ์เคลื่อนที่ไปจนถึงระบบคลาวด์ ตลอดจนระดับองค์กร

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
รายการ SSD จาก KIOXIA สำหรับลูกค้าที่เป็นธุรกิจ
https://www.kioxia.com/en-jp/business/ssd.html

หมายเหตุ
[1] ข้อมูล ณ วันที่ 31 มกราคม 2024 โดยการสำรวจจาก Kioxia Corporation

*คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดให้เมกะไบต์ (MB) คือ 1,000,000 ไบต์, กิกะไบต์ (GB) คือ 1,000,000,000 ไบต์ และเทระไบต์ (TB) คือ 1,000,000,000,000 ไบต์ แต่ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุโดยใช้เลขยกกำลังของ 2 โดยคำจำกัดความของ 1 GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์และ 1 TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ด้วยเหตุนี้จึงแสดงความจุของพื้นที่เก็บข้อมูลที่น้อยกว่า ทั้งนี้ ความจุของพื้นที่เก็บข้อมูลที่ใช้งานได้ (ซึ่งรวมถึงตัวอย่างไฟล์สื่อต่าง ๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์, การจัดรูปแบบ, การตั้งค่า, ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ โดยความจุที่ใช้งานได้จริงอาจแตกต่างกันออกไป

*NVMe เป็นเครื่องหมายที่จดทะเบียนหรือไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่น ๆ

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทภายนอก

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งมุ่งมั่นทุ่มเทในการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแบบแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSDs) ในเดือนเมษายนปี 2017 บริษัท Toshiba Memory ที่เป็นชื่อเดิมของ Kioxia ได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแบบแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกใบนี้ด้วย “หน่วยความจำ” โดยมอบผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างประโยชน์จากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแบบแฟลชสามมิติอันล้ำสมัยจาก Kioxia ที่เรียกว่า BiCS FLASH™ ช่วยขับเคลื่อนอนาคตสำหรับพื้นที่เก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง ซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

*ข้อมูลในเอกสารนี้ (ซึ่งรวมถึงราคาผลิตภัณฑ์และข้อมูลจำเพาะ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลติดต่อ) เป็นข้อมูลที่ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53889435/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ข้อมูลติดต่อ

คำถามจากสื่อ:
Kioxia Corporation
แผนกวางแผนเชิงกลยุทธ์สำหรับการขาย
คุณ Koji Takahata
โทรศัพท์: +81-3-6478-2404

แหล่งที่มา: Kioxia Corporation

Kioxia เปิดตัวอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝัง UFS Ver.4.0 ตัวแรกของอุตสาหกรรมสำหรับการใช้งานในยานยนต์

Logo

การปรับปรุงประสิทธิภาพวิวัฒนาการเชื้อเพลิงของการใช้งานด้านยานยนต์ ยกระดับประสบการณ์ของผู้ขับขี่

โตเกียว

Kioxia เปิดตัว e-MMC Ver. 5.1 ผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังรุ่นใหม่

Logo

อุปกรณ์ใหม่มีหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D รุ่นใหม่ที่ปรับปรุงประสิทธิภาพการอ่านและเขียนข้อมูล

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–27 กันยายน 2023

Kioxia Corporation ซึ่งเป็นบริษัทชั้นนำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ได้ประกาศการสุ่มตัวอย่าง[1]ของ JEDEC e-MMC Ver. 5.1[2] ผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังรุ่นใหม่ที่มีประสิทธิภาพสูงขึ้นสำหรับการใช้งานของผู้บริโภค ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ได้รวมหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D รุ่นใหม่ของบริษัท[3] และตัวควบคุมไว้ในแพ็กเกจเดียว ซึ่งช่วยลดภาระงานของโปรเซสเซอร์และปรับปรุงความสะดวกในการใช้งาน จะมีการวางจำหน่ายผลิตภัณฑ์ทั้ง 64 และ 128 กิกะไบต์ (GB)

Kioxia: e-MMC Ver. 5.1 Embedded Flash Memory Device (Photo: Business Wire)

Kioxia: e-MMC Ver. 5.1 อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝัง (รูปภาพ: Business Wire)

เนื่องจากตลาดยังคงเปลี่ยนมาใช้ UFS[4] จึงมีบางกรณีที่ e-MMC ยังคงใช้งานได้ ซึ่งรวมถึงสินค้าอุปโภคบริโภคที่มีความต้องการพื้นที่จัดเก็บข้อมูลระดับกลาง เช่น แท็บเล็ต คอมพิวเตอร์ส่วนบุคคล อุปกรณ์ ณ จุดขาย และอุปกรณ์มือถือแบบพกพาอื่นๆ ตลอดจนสมาร์ททีวีและ NIC อัจฉริยะ Kioxia ยังคงเสริมความแข็งแกร่งในตำแหน่งผู้นำตลาดด้วยการนำเสนอกลุ่มผลิตภัณฑ์ที่กว้างขวางและมีประสิทธิภาพสูง และขยายตัวเลือกที่มีให้สำหรับการใช้งานเหล่านี้ อุปกรณ์ Kioxia ใหม่ปรับปรุงประสิทธิภาพการเขียนข้อมูลตามลำดับและแบบสุ่มประมาณ 2.5 เท่า และประสิทธิภาพการอ่านข้อมูลแบบสุ่มประมาณ 2.7 เท่า เมื่อเทียบกับอุปกรณ์รุ่นก่อนหน้า[3] นอกจากนี้ เทราไบต์ที่เขียน (TBW)[5] ได้รับการปรับปรุงประมาณ 3.3 เท่า เมื่อเทียบกับอุปกรณ์รุ่นก่อนหน้า ซึ่งสอดคล้องกับการตั้งค่าพื้นที่ที่ได้รับการปรับปรุง[6] สำหรับพื้นที่ e-MMC ทั้งหมด

ขณะนี้ Kioxia กำลังสุ่มตัวอย่างอุปกรณ์ e-MMC รุ่นใหม่ โดยคาดว่าจะมีการผลิตจำนวนมากในฤดูใบไม้ผลิปี 2024

หมายเหตุ:

[1]: อุปกรณ์ใหม่ล่าสุดของบริษัทรองรับในสองความจุได้แก่ 64GB และ 128GB การจัดส่งตัวอย่างอุปกรณ์ 64GB เริ่มต้นในเดือนนี้ โดยอุปกรณ์ 128GB มีกำหนดจัดส่งหลังเดือนตุลาคม ข้อมูลจำเพาะของตัวอย่างอาจแตกต่างจากผลิตภัณฑ์เชิงพาณิชย์
[2]: e-MMC (การ์ดมัลติมีเดียแบบฝัง): หนึ่งในข้อกำหนดมาตรฐานของหน่วยความจำแฟลชแบบฝังที่กำหนดโดย JEDEC ผลิตภัณฑ์ใหม่รองรับการจัดคิวคำสั่งและฟังก์ชันการป้องกันการเขียนข้อมูลที่ปลอดภัยซึ่งระบุไว้เป็นตัวเลือกใน JEDEC Ver. 5.1.
[3]: เปรียบเทียบกับอุปกรณ์รุ่นก่อนหน้าของ Kioxia “THGAMSG9T24BAIL”, “THGAMST0T24BAIL”
[4]: Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สำหรับประเภทผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแบบฝังที่สร้างขึ้นตามข้อกำหนดมาตรฐาน JEDEC UFS เนื่องจากอินเทอร์เฟซแบบอนุกรม UFS จึงรองรับการสื่อสารสองทางเต็มอัตรา (full duplexing) ซึ่งช่วยให้สามารถอ่านและเขียนข้อมูลพร้อมกันระหว่างโปรเซสเซอร์โฮสต์และอุปกรณ์ UFS
[5]: TBW หรือเทราไบต์ที่เขียนจะวัดจำนวนการเขียนข้อมูลสะสมที่ไดรฟ์คาดว่าจะเสร็จสิ้นตลอดอายุการใช้งาน
[6]: หากตั้งค่า Enhanced Area ความจุที่ผู้บริโภคสามารถใช้งานได้ทั้งหมดที่กำหนดค่าได้จะลดลง

ความเร็วในการอ่าน เขียนข้อมูลและ TBW เป็นค่าที่ดีที่สุดที่ได้รับในสภาพแวดล้อมการทดสอบเฉพาะที่ Kioxia และ Kioxia รับประกันทั้งความเร็วในการอ่านหรือเขียนข้อมูลหรือ TBW ในอุปกรณ์แต่ละเครื่อง ความเร็วในการอ่าน เขียนข้อมูล และ TBW อาจแตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ที่ใช้และขนาดไฟล์ที่อ่านหรือเขียนข้อมูล

โปรดทราบว่าความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์ Kioxia จะถูกระบุโดยอิงตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจำภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่จำนวนความจุหน่วยความจำที่ผู้ใช้ปลายทางสามารถจัดเก็บข้อมูลได้ ความจุที่ผู้บริโภคใช้งานได้จะลดลงเนื่องจากพื้นที่ข้อมูลโอเวอร์เฮด การจัดรูปแบบ บล็อกที่เสียหาย และข้อจำกัดอื่นๆ และอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์โฮสต์และการใช้งาน สำหรับรายละเอียด โปรดดูข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง คำจำกัดความของ 1KB = 2^10 ไบต์ = 1,024 ไบต์ คำจำกัดความของ 1Gb = 2^30 บิต = 1,073,741,824 บิต คำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ 1Tb = 2^40 บิต = 1,099,511,627,776 บิต

ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นบริษัทชั้นระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำที่ทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายนปี 2017 บริษัท Toshiba Memory ได้แยกตัวออกจากบริษัท Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบหน่วยความจำที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าแก่สังคม BiCS FLASH™ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D ที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในการใช้งานที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53560476/en

รายชื่อติดต่อ

สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า:
Kioxia Corporation
สำนักงานขายทั่วโลก
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

สอบถามข้อมูลสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
แผนกวางแผนกลยุทธ์การขาย
Satoshi Shindo
โทร: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

 

Kioxia เปิดตัว PCIe® 5.0 SSD ใหม่สำหรับองค์กรและโครงสร้างพื้นฐานของศูนย์ข้อมูล

Logo

KIOXIA CD8P Series Data Center NVMe™ Drives ใหม่ที่ปรับปรุงประสิทธิภาพ ความหน่วง และคุณภาพการบริการในรูปแบบ E3.S และ 2.5 นิ้ว (U.2)

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–8 สิงหาคม 2023

Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศเปิดตัว KIOXIA CD8P Series ในกลุ่มผลิตภัณฑ์ Solid State Drives (SSD) ระดับศูนย์ข้อมูล KIOXIA CD8P Series เหมาะสมอย่างยิ่งกับเซิร์ฟเวอร์ที่ใช้งานทั่วไปและสภาพแวดล้อมคลาวด์ที่สามารถใช้ประโยชน์จากประสิทธิภาพ PCIe® 5.0 (32GT/s x4) แอปพลิเคชันศูนย์ข้อมูลเหล่านี้สามารถสร้างปริมาณงานผสมที่ซับซ้อนกระจายไปทั่วระบบเวอร์ชวลไลเซชันขนาดใหญ่ในศูนย์ข้อมูลการปฏิบัติงาน 24×7 ไดรฟ์ใหม่มีความจุสูงถึง 30.72 เทราไบต์ (TB) [1] และใน Enterprise and Datacenter Standard Form Factor (EDSFF) ทั้ง E3.S และ 2.5 นิ้ว (U.2)

PCIe(R) 5.0 SSDs for Enterprise and Data Center Infrastructures: KIOXIA CD8P Series (Photo: Business Wire)

PCIe(R) 5.0 SSD สำหรับองค์กรและโครงสร้างพื้นฐานของศูนย์ข้อมูล: KIOXIA CD8P Series (ภาพ: Business Wire)

KIOXIA CD8P Series ได้รับการปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงาน ความหน่วง พลังงานที่ลดลงและความร้อนของสภาพแวดล้อมศูนย์ข้อมูลที่ประสิทธิภาพการใช้พลังงานและการระบายความร้อนเป็นสิ่งสำคัญ KIOXIA CD8P Series มอบความสามารถในการคาดการณ์และความสม่ำเสมอที่จำเป็นสำหรับประสบการณ์การใช้งานที่ราบรื่น

KIOXIA CD8P Series ตระหนักถึงประสิทธิภาพการอ่านตามลำดับที่เพิ่มขึ้นประมาณ 60% ถึง 80% เมื่อเทียบกับ PCIe 4.0 SSD รุ่นก่อนหน้า ซึ่งรวมถึง:

• ประสิทธิภาพการอ่านแบบสุ่ม [2] สูงถึง 2,000K IOPS [3] และประสิทธิภาพการเขียนแบบสุ่ม [2] สูงถึง 400K IOPS

• เวลาแฝงเปอร์เซ็นไทล์ต่ำและสม่ำเสมอที่ 99.999 ซึ่งต่ำกว่า 250us ในปริมาณงานการอ่านแบบสุ่มมาตรฐาน [4] และต่ำกว่า 1.8ms ในปริมาณงานผสมสไตล์ OLTP มาตรฐาน [5]

• การออกแบบพอร์ตเดียว ปรับให้เหมาะสมสำหรับปริมาณงานระดับศูนย์ข้อมูล

ไดรฟ์ศูนย์ข้อมูลใหม่ใช้เทคโนโลยี KIOXIA BiCS FLASH™ generation 5 ซึ่งเป็นเทคโนโลยี 3D flash memory triple-level cell (TLC) และใช้คอนโทรลเลอร์ที่พัฒนาขึ้นเอง KIOXIA CD8P Series SSD เป็นไปตามข้อกำหนด PCIe 5.0 และ NVMe™ 2.0 รวมถึง NVM Express™ Management Interface (NVMe-MI™) v1.1d และรองรับ Open Compute Project (OCP) Datacenter NVMe Specifications (ไม่ใช่ข้อกำหนดทั้งหมด)

คุณสมบัติและประโยชน์เพิ่มเติมรวมถึง:

• ความน่าเชื่อถือของข้อมูลเต็มรูปแบบพร้อมการปกป้องข้อมูลแบบ end-to-end, การป้องกันไฟฟ้าดับ และการกู้คืนความล้มเหลวของแฟลชไดย์

• ตัวเลือกความปลอดภัย: Non-SED, SIE และ SED (TCG Opal และ Ruby SSCs) [6]

ไดรฟ์ KIOXIA CD8P Series สามารถสุ่มตัวอย่างเพื่อเลือกลูกค้าได้แล้ว

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:

ข้อมูลผลิตภัณฑ์ซีรีส์ KIOXIA CD8P Series
https://www.kioxia.com/en-jp/business/ssd/data-center-ssd.html#cd-series

หมายเหตุ

[1] ผลิตภัณฑ์ฟอร์มแฟกเตอร์ E3.S จะมีจำหน่ายในความจุตั้งแต่ 1.6TB ถึง 15.36TB

ผลิตภัณฑ์ฟอร์มแฟกเตอร์ขนาด 2.5 นิ้วจะมีจำหน่ายในความจุตั้งแต่ 1.6TB ถึง 30.72TB

[2] เงื่อนไข: ขนาดบล็อก 4KiB, จัดแนว 4KiB, สุ่ม 100%

[3] IOPS: อินพุตเอาต์พุตต่อวินาที (หรือจำนวนการดำเนินการ I/O ต่อวินาที)

[4] เงื่อนไข: ขนาดบล็อก 4KiB, จัดแนว 4KiB, QD = 32, สุ่ม 100%, อ่าน 100% สำหรับความจุ 3,200 GB ถึง 7,680 GB

[5] เงื่อนไข: ขนาดบล็อก 4KiB, จัดแนว 4KiB, QD = 32, สุ่ม 100%, อ่าน 70% สำหรับความจุ 3,200 GB ขึ้นไป

[6] ความพร้อมใช้งานของตัวเลือกความปลอดภัย/การเข้ารหัสอาจแตกต่างกันไปตามภูมิภาค

คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดเมกะไบต์ (MB) เป็น 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เป็น 1,000,000,000 ไบต์ และเทราไบต์ (TB) เป็น 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการของคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุในการจัดเก็บโดยใช้ยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1 GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1 TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุในการจัดเก็บน้อยลง ความจุที่ใช้ได้ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป

ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์โฮสต์ เงื่อนไขการอ่านและเขียน และขนาดไฟล์

SIE: โมเดลตัวเลือก Sanitize Instant Erase รองรับ Crypto Erase ซึ่งเป็นคุณสมบัติมาตรฐานที่กำหนดโดยคณะกรรมการด้านเทคนิค (T10) ของ INCITS (คณะกรรมการระหว่างประเทศสำหรับมาตรฐานเทคโนโลยีสารสนเทศ)

SED: โมเดลตัวเลือก Self-Encrypting Drive รองรับ TCG Opal และ Ruby SSC ไม่รองรับคุณสมบัติบางอย่างของ TCG Opal SSC

PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG

NVMe, NVM Express และ NVMe-MI เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่น ๆ

ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

ข้อมูลทั้งหมดที่ระบุในบทความนี้อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งอุทิศให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและ Solid-State Drives (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนหน้าได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและหน่วยความจำ – คุณค่าต่อสังคม BiCS FLASH™ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia กำลังกำหนดอนาคตของพื้นที่จัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์และศูนย์ข้อมูล

ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
Kioxia Group
Global Sales Offices
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่:
https://www.businesswire.com/news/home/53512769/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404

แหล่งที่มา: Kioxia Corporation

KIOXIA SSD ได้รับการอนุมัติความเข้ากันได้กับโอสบัสของ Adaptec และอแดปเตอร์ SmartRAID จาก Microchip

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–15 มิถุนายน 2023

วันนี้ Kioxia Corporationผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศว่า PCIe® 4.0 NVMe™ และ SAS SSD ผ่านการทดสอบความเข้ากันได้และสามารถทำงานร่วมกันกับ Adaptec® HBA 1200 Series ของ Microchip Technology Inc., โฮสบัสอะแดปเตอร์ (HBA) ของ SmartHBA 2200 Series และ SmartRAID 3200 อะแดปเตอร์ RAID ซีรีส์

KIOXIA SSDs Tested for Compatibility and Interoperability with Microchip’s Adaptec® Host Bus and SmartRAID Adapters (Photo: Business Wire)

KIOXIA SSD ผ่านการทดสอบความเข้ากันได้และสามารถทำงานร่วมกันกับ Adaptec® Host Bus และอะแดปเตอร์ SmartRAID ของไมโครชิป (ภาพ: Business Wire)

ในฐานะที่เป็นหนึ่งในพอร์ตโฟลิโอ SSD ที่กว้างขวางที่สุดในอุตสาหกรรม ไดรฟ์ KIOXIA พร้อมใช้งานสำหรับไคลเอ็นต์พีซี เช่นเดียวกับศูนย์ข้อมูล เซิร์ฟเวอร์ระดับไฮเปอร์สเกลและองค์กร และระบบจัดเก็บข้อมูล KIOXIA CD6, CD8 และ CM6 Series PCIe 4.0 NVMe SSD และ KIOXIA PM6 และ PM7 Series 24G SAS SSD เสร็จสิ้นการทดสอบความเข้ากันได้ที่ดำเนินการโดย Microchip

Smart Storage Adapters ของ Microchip นำประสิทธิภาพ ความสามารถ การจัดการ และการทำงานร่วมกันที่เป็นผู้นำตลาด ซึ่งให้ความยืดหยุ่นในการออกแบบด้วยความสามารถในการใช้งานอุปกรณ์เก็บข้อมูล NVMe, SAS และ SATA ในการเชื่อมต่อเดียว และนำเสนอโซลูชัน Tri-mode HBA ที่หลากหลายรวมถึงรุ่น 32 พอร์ต

ความสำเร็จโดยรวมของโครงสร้างพื้นฐานศูนย์ข้อมูลยุคหน้าขึ้นอยู่กับการทำงานร่วมกันของระบบนิเวศและความพยายามในการทำงานร่วมกันเพื่อให้ผลิตภัณฑ์และเทคโนโลยีในปัจจุบันและอนาคตทำงานร่วมกันได้อย่างราบรื่น ในฐานะผู้นำด้าน SSD สำหรับองค์กรและศูนย์ข้อมูล Kioxia มุ่งมั่นที่จะขับเคลื่อนอุตสาหกรรมไปข้างหน้าด้วยโซลูชันหน่วยความจำที่เป็นนวัตกรรมใหม่ที่ขับเคลื่อนแอปพลิเคชันและบริการคลื่นลูกใหม่

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:

กลุ่มผลิตภัณฑ์ SSD สำหรับองค์กร, Data Center SSD และ Client SSD ของ Kioxia

https://www.kioxia.com/en-jp/business/ssd.html

*ชื่อ Microchip และ Adaptec เป็นเครื่องหมายการค้าของ Microchip Technology Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ

*NVMe เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ

*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งอุทิศให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดร์ฟ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยทรงจำ” โดยการนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าบนหน่วยความจำสำหรับสังคม BiCS FLASH™ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia กำลังกำหนดอนาคตของพื้นที่จัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง ซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ ถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53419931/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

รายชื่อผู้ติดต่อ

คำถามของลูกค้า:

บริษัท Kioxia

สำนักงานขายทั่วโลก

https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

สอบถามข้อมูลสื่อ:

Kioxia Corporation

ฝ่ายวางแผนกลยุทย์การขาย

Koji Takahata

โทร: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Kioxia เปิดตัวอุปกรณ์ Next-Generation UFS เวอร์ชัน 4.0

Logo

อุปกรณ์ 256GB, 512GB และ 1TB ใหม่ช่วยให้สดมาร์ทโฟนและแอปพลิเคชันมือถือใช้ประโยชน์จากเครือข่าย 5G ได้

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–31 พฤษาภาคม 2023

การพัฒนาเทคโนโลยี Universal Flash Storage[1] (UFS) ไปข้างหน้าอย่างต่อเนื่องโดย Kioxia Corporation ซึ่งเป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศการสุ่มตัวอย่างของอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว UFS เวอร์ชัน 4.0 ที่มีประสิทธิภาพสูงกว่า อุปกรณ์เหล่านี้ให้ความเร็วในการโอนหน่วยเก็บข้อมูลแบบฝังตัวที่รวดเร็วด้วยขนาดแพ็คเกจที่เล็ก และมีเป้าหมายสำหรับแอพพลิเคชั่นมือถือที่หลากหลายรุ่นต่อไป รวมถึงสมาร์ทโฟนระดับแนวหน้า ประสิทธิภาพที่ได้รับการปรับปรุงจากผลิตภัณฑ์ UFS ของ Kioxia ช่วยให้แอปพลิเคชันเหล่านี้สามารถใช้ประโยชน์ด้านการเชื่อมต่อของ 5G ซึ่งทำให้ดาวน์โหลดได้เร็วขึ้น ลดเวลาหน่วง และปรับปรุงประสบการณ์ผู้ใช้

Kioxia: UFS Ver. 4.0 Embedded Flash Memory Device (Photo: Business Wire)

Kioxia: อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว UFS เวอร์ชัน 4.0 (ภาพ: Business Wire)

อุปกรร์ UFS เวอร์ชัน 4.0 จาก Kioxia รวมหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D ที่เป็นนวัตกรรมของบริษัทและตัวควบคุมในแพ็คเกจมาตรฐาน JEDEC โดย UFS 4.0 รวม MIPI M-PHY 5.0 และ UniPro 2.0 และรองรับความเร็วอินเทอร์เฟซตามทฤษฎีสูงถึง 23.2Gbps ต่อเลนหรือ 46.4Gbps ต่ออุปกรณ์ UFS 4.0 เข้ากันได้กับ UFS 3.1 แบบย้อนหลัง

คุณสมบัติที่สำคัญ ได้แก่

  • การปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงานเหนือรุ่นก่อนหน้า[3]: การเขียนตามลำดับ +18%, การเขียนแบบสุ่ม +30% และการอ่านแบบสุ่ม +13%
  • รองรับฟีเจอร์ High Speed ​​Link Startup Sequence (HS-LSS): โดย UFS ทั่วไป การเริ่มต้นลิงก์  (ลำดับการเริ่มต้นของ M-PHY และ UniPro) ระหว่างอุปกรณ์และโฮสต์จะทำงานที่ PWM-G1 ความเร็วต่ำ (3~9Mbps[4]) แต่ด้วย HS-LSS สามารถทำงานได้ที่ความเร็ว HS-G1 อัตรา A (1248Mbps) ซึ่งคาดว่าจะลดเวลาในการเริ่มต้นลิงก์ได้ประมาณ 70% เมื่อเทียบกับวิธีการทั่วไป
  • ปรับปรุงความปลอดภัย: ในการใช้ Advanced RPMB (Replay Protected Memory Block) เพื่อการเข้าถึงการอ่านและเขียนข้อมูลความปลอดภัยที่รวดเร็วยิ่งขึ้น เช่น ข้อมูลประจำตัวของผู้ใช้ในพื้นที่ RPMB และ RPMB Purge เพื่อให้แน่ใจว่ามีการล้างข้อมูลที่ถูกละทิ้งอย่างปลอดภัยและรวดเร็ว
  • รองรับ Extended Initiator ID (Ext-IID): มีวัตถุประสงค์เพื่อกับ Multi Circular Queue (MCQ) ที่โฮสต์คอนโทรลเลอร์ UFS 4.0 เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการทำงานแบบสุ่ม

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:

ข้อมูลผลิตภัณฑ์ของอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว UFS เวอร์ชัน 4.0 ของ Kioxia
https://www.kioxia.com/en-jp/business/memory/mlc-nand/ufs4.html

หมายเหตุ

[1] Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สำหรับกลุ่มผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแบบฝังตัวที่สร้างขึ้นตามข้อกำหนดมาตรฐาน JEDEC UFS เนื่องจากเป็นอินเทอร์เฟซแบบอนุกรม UFS จึงสนับสนุนการดูเพล็กซ์เต็มรูปแบบ ซึ่งช่วยให้สามารถอ่านและเขียนพร้อมกันระหว่างหน่วยประมวลผลโฮสต์และอุปกรณ์ UFS

[2] อุปกรณ์ใหม่ล่าสุดของบริษัทรองรับสามความจุ: 256 กิกะไบต์ (GB), 512GB และ 1 เทราไบต์ (TB) การจัดส่งตัวอย่างของอุปกรณ์ 256GB และ 512GB เริ่มในเดือนนี้ โดยมีกำหนดจัดส่งอุปกรณ์ 1TB หลังจากเดือนตุลาคม ข้อมูลจำเพาะของตัวอย่างอาจแตกต่างจากผลิตภัณฑ์เชิงพาณิชย์

[3] เมื่อเปรียบเทียบอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว UFS เวอร์ชัน 4.0 ขนาด 512 GB ใหม่ของ Kioxia 4.0 และอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว UFS เวอร์ชัน 4.0 ขนาด 512 GB รุ่นก่อนหน้าของ Kioxia (หมายเลขชิ้นส่วน THGJFJT2T85BAT0)
[4] ความเร็วในการสื่อสาร PWM-G1 ขึ้นอยู่กับโฮสต์และอุปกรณ์
 

*ในการกล่าวถึงผลิตภัณฑ์ Kioxia ทุกครั้ง: ความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์จะระบุตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจำภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่จำนวนความจุหน่วยความจำที่มีให้สำหรับการจัดเก็บข้อมูลโดยผู้ใช้ปลายทาง ความจุที่ผู้บริโภคใช้งานได้จะน้อยลงเนื่องจากพื้นที่ข้อมูลส่วนหัว การจัดรูปแบบ บล็อกเสีย และข้อจำกัดอื่นๆ และอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์โฮสต์และแอปพลิเคชัน สำหรับรายละเอียด โปรดดูข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง คำจำกัดความของ 1KB = 2^10 ไบต์ = 1,024 ไบต์ คำจำกัดความของ 1Gb = 2^30 บิต = 1,073,741,824 บิต คำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ 1Tb = 2^40 บิต = 1,099,511,627,776 บิต

*ความเร็วในการอ่านและเขียนเป็นค่าที่ดีที่สุดที่ได้รับจากสภาพแวดล้อมการทดสอบเฉพาะที่ Kioxia Corporation และ Kioxia Corporation ไม่รับประกันความเร็วในการอ่านหรือเขียนในอุปกรณ์แต่ละตัว ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ที่ใช้และขนาดไฟล์ที่อ่านหรือเขียน

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งอุทิศให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดร์ฟ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนหน้าได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าต่อสังคมที่ใช้หน่วยความจำ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia หรือ BiCS FLASH™ กำลังกำหนดอนาคตของพื้นที่จัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ยานยนต์และศูนย์ข้อมูล

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53408968/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า:
Kioxia Corporation
สำนักงานขายทั่วโลก
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404

แหล่งที่มา: Kioxia Corporation

Kioxia เตรียมจัดแสดง SSD ระดับ Consumer ใหม่ที่มอบประสิทธิภาพ PCIe® 4.0 ที่งาน COMPUTEX

Logo

การจัดแสดงข้อมูลอ้างอิงเพื่อนำเสนอความเร็วในการอ่านตามลำดับประมาณ 5,000 MB/s สำหรับพีซีเกมประสิทธิภาพสูง เดสก์ท็อป และโน้ตบุ๊ก

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–25 พฤษภาคม 2023

Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศเปิดตัว SSD ระดับ consumer รุ่นใหม่ที่มีกำหนดวางจำหน่ายในไตรมาสที่สามของปี 2023 โดย EXCERIA PLUS G3 Series จะใช้ประโยชน์จากเทคโนโลยี PCIe® 4.0 และให้ความจุสูงถึง 2 เทราไบต์ (TB) ซีรีส์ใหม่นี้เหมาะสำหรับผู้ใช้ทั่วไปที่ใช้พีซีสำหรับเล่นเกมประสิทธิภาพสูง เดสก์ท็อป และโน้ตบุ๊ก โดยนำเสนอความเร็วและราคาที่ย่อมเยาที่พวกเขาต้องการ EXCERIA PLUS G3 Series ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์ที่อยู่ระหว่างการพัฒนา จะจัดแสดงอ้างอิงที่งาน COMPUTEX TAIPEI ตั้งแต่วันที่ 30 พฤษภาคม ถึง 2 มิถุนายน ที่ศูนย์นิทรรศการ Taipei Nangang

Kioxia’s EXCERIA PLUS G3 Series Consumer SSDs Deliver PCIe® 4.0 Performance (Photo: Business Wire)

SSD ระดับ Consumer รุ่น EXCERIA PLUS G3 Series ของ Kioxia มอบประสิทธิภาพ PCIe® 4.0 (ภาพ: Business Wire)

นำเสนอหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D TLC (เซลล์สามระดับ) ของ Kioxia โดย EXCERIA PLUS G3 Series ใช้ฟอร์มแฟคเตอร์ด้านเดียวประเภท M.2 2280 ที่เหมาะสำหรับทั้งเดสก์ท็อปและระบบมือถือ ไดรฟ์ใหม่จะรองรับซอฟต์แวร์ SSD Utility Management ของ Kioxia ซึ่งช่วยผู้ใช้ในการตรวจสอบและบำรุงรักษา SSD

จุดเด่นของ EXCERIA PLUS G3 Series ได้แก่

  • ใช้เทคโนโลยี PCIe® 4.0 และ NVMe™ 1.4
  • มอบความเร็วในการอ่านต่อเนื่องสูงสุดประมาณ 5,000 เมกะไบต์ต่อวินาที (MB/s) [1] (เบื้องต้น)
  • ฟอร์มแฟคเตอร์ M.2 2280 ด้านเดียว
  • มอบประสิทธิภาพการใช้พลังงานเพิ่มขึ้นสูงสุดประมาณ 70% ที่ความเร็วการอ่านตามลำดับสูงสุดเมื่อเทียบกับ EXCERIA PLUS G2 Series รุ่นก่อนหน้า[2] (เบื้องต้น)

หมายเหตุ

[1] ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับปัจจัยต่าง ๆ เช่น อุปกรณ์โฮสต์ ซอฟต์แวร์ (ไดรเวอร์ ระบบปฏิบัติการ ฯลฯ) และเงื่อนไขการอ่าน/เขียน

[2] จากการวิจัย Kioxia (ณ วันที่ 25 พฤษภาคม 2023) ค่าเหล่านี้คือความเร็วในการอ่านที่ดีที่สุดต่อการใช้พลังงานที่ได้รับในสภาพแวดล้อมการทดสอบเฉพาะที่ Kioxia Corporation

*คำจำกัดความของความจุ: Kioxia กำหนดเมกะไบต์ (MB) เป็น 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เป็น 1,000,000,000 ไบต์ และเทราไบต์ (TB) เป็น 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการของคอมพิวเตอร์รายงานความจุของหน่วยเก็บข้อมูลโดยใช้ยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 230 = 1,073,741,824 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุน้อยกว่า ความจุที่มีอยู่ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่าง ๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ เช่น ระบบปฏิบัติการ Microsoft และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป

*กลุ่มผลิตภัณฑ์ส่วนบุคคลจะแตกต่างกันไปตามประเทศและภูมิภาค

*ภาพสินค้าอาจแตกต่างจากสินค้าจริง

*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG

*NVMe เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่น ๆ

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งอุทิศให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดร์ฟ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 นั้น Toshiba Memory รุ่นก่อนหน้าได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 โดย Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าของหน่วยความจำที่มีต่อสังคม BiCS FLASH™ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia กำลังกำหนดอนาคตของพื้นที่จัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53406125/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Satoshi Shindo
โทร: +81-3-6478-2404

แหล่งที่มา: Kioxia Corporation

Kioxia เปิดตัวไคลเอนต์ SSD Series BG6 ใหม่ นำประสิทธิภาพ PCIe® 4.0 และราคาย่อมเยามาสู่กระแสหลัก

Logo

ไดรฟ์ใหม่มีหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D รุ่นที่ 6; SSD 2,048GB รักษาฟอร์มแฟคเตอร์ M.2 2230

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–23 พฤษภาคม 2023

Kioxia Corporation วันนี้ประกาศการเพิ่ม KIOXIA BG6 Series ในกลุ่มผลิตภัณฑ์ไดรฟ์โซลิดสเทต PCIe® 4.0 (SSD) ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์แรกที่มีหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D เจนเนอเรชั่นที่ 6 ของบริษัท[1] และประสิทธิภาพเกือบ 1.7 เท่าของรุ่นก่อน[2] ซึ่งออกแบบมาเพื่อปลดปล่อยความเร็วที่เพิ่มขึ้นและความสามารถในการจ่ายของ PCIe® 4.0 สำหรับผู้ใช้พีซี KIOXIA BG6 Series ไคลเอนต์ SSD ที่ทรงพลังและกะทัดรัดนำเสนอฟอร์มแฟคเตอร์ M.2 2230 แบบแยกพร้อมความจุที่สูงขึ้นและประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่ดีขึ้น มีเวอร์ชันฟอร์มแฟกเตอร์ด้านเดียว M.2 2280 ให้ใช้งานด้วย KIOXIA BG6 Series จะเริ่มสุ่มตัวอย่างในช่วงครึ่งหลังของปี 2023 สำหรับการประเมินของลูกค้า OEM

KIOXIA BG6 Series Client SSDs Bring PCIe® 4.0 Performance and Affordability to the Mainstream (Photo: Business Wire)

SSD แบบไคลเอ็นท์ KIOXIA BG6 Series มอบประสิทธิภาพและความคุ้มค่าของ PCIe® 4.0 สู่ตลาดกระแสหลัก (ภาพ: Business Wire)

KIOXIA BG6 Series ปลดล็อกประสิทธิภาพของแฟลชแบบแบ็คเอนด์ในขณะที่ยังคงราคาย่อมเยาและเพิ่มความจุ ทำให้เป็นตัวเลือกที่น่าสนใจเป็นพิเศษสำหรับโน้ตบุ๊กและเดสก์ท็อปเชิงพาณิชย์และสำหรับผู้บริโภค ไดรฟ์ KIOXIA BG6 รองรับเทคโนโลยี Host Memory Buffer (HMB) ที่ครบกำหนด ซึ่งใช้ส่วนหนึ่งของหน่วยความจำโฮสต์ (DRAM) ราวกับว่ามันเป็นของตนเอง เพื่อให้ได้ SSD ประสิทธิภาพสูงที่ไม่มี DRAM

คุณลักษณะและคุณประโยชน์เพิ่มเติมประกอบด้วย:

  • ความจุ 256 กิกะไบต์ (GB), 512 GB, 1,024 GB และ 2,048 GB[3]
  • PCIe® อินเทอร์เฟซ 64 กิกะทรานเฟอร์ต่อวินาที (GT/s) (Gen4 x4 เลน)
  • การอ่านตามลำดับสูงสุด 6,000 เมกะไบต์ต่อวินาที (MB/s) และการเขียนตามลำดับ 5,300 MB/s
  • สูงถึง 850,000 IOPS[4] การอ่านแบบสุ่มและการเขียนแบบสุ่ม 900,000 IOPS
  • การสนับสนุนในอนาคตสำหรับชุดคุณลักษณะ NVMe™ 1.4c และคำสั่งการจัดการพื้นฐานผ่าน System Management Bus (SMBus) ทำให้สามารถจัดการระบายความร้อนได้แน่นขึ้น
  • รองรับมาตรฐาน TCG Pyrite และ Opal ล่าสุด[5] เช่นเดียวกับการปกป้องข้อมูลแบบครบวงจร ทำให้มั่นใจได้ว่าข้อมูลจะปลอดภัยไม่ว่าจะอยู่ที่บ้านหรือในสำนักงาน
  • รองรับสัญญาณแจ้งเตือนไฟฟ้าดับเพื่อป้องกันข้อมูลจากการบังคับปิดเครื่อง
  • สัญญาณแถบข้าง (PERST#, CLKREQ# และ PLN#) รองรับทั้ง 1.8V และ 3.3V
  • รองรับคุณสมบัติการกู้คืนเฟิร์มแวร์ของแพลตฟอร์ม

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
กลุ่มผลิตภัณฑ์ SSD ไคลเอนต์ของ Kioxia รวมถึงรายละเอียดของ KIOXIA BG6 Serieshttps://www.kioxia.com/en-jp/business/ssd/client-ssd.html

หมายเหตุ
[1] SSD 256 GB และ 512 GB ใช้หน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D รุ่นที่ 5
[2] เปรียบเทียบ KIOXIA BG5 Series กับ BG6 Series
[3] คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดเมกะไบต์ (MB) เป็น 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เป็น 1,000,000,000 ไบต์ และเทราไบต์ (TB) เป็น 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการของคอมพิวเตอร์รายงานความจุของพื้นที่เก็บข้อมูลโดยใช้ยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุที่น้อยกว่า ความจุที่มีอยู่ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่างๆ ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การฟอร์แมต การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่ฟอร์แมตแล้วตามจริงอาจแตกต่างกันไป
[4] IOPS: อินพุตเอาต์พุตต่อวินาที (หรือจำนวนการดำเนินการ I/O ต่อวินาที)
[5] ความพร้อมใช้งานของตัวเลือกความปลอดภัย/การเข้ารหัสอาจแตกต่างกันไปตามภูมิภาค

*NVMe เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งอุทิศให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดร์ฟ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยการนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและมูลค่าบนหน่วยความจำสำหรับสังคม BiCS FLASH™ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia กำลังกำหนดอนาคตของพื้นที่จัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง ซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

คำถามของลูกค้า:
Kioxia Corporation
สำนักงานขายทั่วโลก
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงข้อกำหนด เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อ ถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53405194/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

รายชื่อติดต่อ

ฝ่ายสอบถามสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation