Toshiba เปิดตัวสวิตช์มัลติเพล็กเซอร์ 2:1/สวิตช์ดีมัลติเพล็กเซอร์ 1:2 ที่รองรับสัญญาณดิฟเฟอเรนเชียลความเร็วสูง เช่น PCIe® 5.0 และ USB4®
คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–11 กรกฎาคม 2024
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัวสวิตช์มัลติเพล็กเซอร์/ดีมัลติเพล็กเซอร์ (Mux/De-Mux) “TDS4A212MX” และ “TDS4B212MX” สําหรับสัญญาณดิฟเฟอเรนเชียลความเร็วสูง เช่น PCIe® 5.0, USB4® และ USB4® Ver.2 สําหรับพีซี อุปกรณ์เซิร์ฟเวอร์ อุปกรณ์พกพา ฯลฯ ผลิตภัณฑ์ใหม่สามารถใช้เป็นสวิตช์ Mux 2 อินพุต 1 เอาต์พุต และสวิตช์ De-Mux 1 อินพุต 2 เอาต์พุต เริ่มจัดส่งตั้งแต่วันนี้
Toshiba: สวิตช์มัลติเพล็กเซอร์/ดีมัลติเพล็กเซอร์ “TDS4A212MX” และ “TDS4B212MX” สําหรับสัญญาณดิฟเฟอเรนเชียลความเร็วสูง เช่น PCIe® 5.0, USB4® และ USB4® Ver.2 สําหรับพีซี อุปกรณ์เซิร์ฟเวอร์ ฯลฯ (กราฟิก: Business Wire)
ผลิตภัณฑ์ใหม่ใช้กระบวนการ SOI ที่เป็นกรรมสิทธิ์ของ Toshiba (TarfSOI™) เพื่อให้ได้แบนด์วิดท์ที่สูงมาก: แบนด์วิดท์ (ดิฟเฟอเรนเชียล) ชั้นนําของอุตสาหกรรม[1] -3-dB ที่ 27.5GHz (typ.) สําหรับ TDS4B212MX และ 26.2GHz (typ.) สําหรับ TDS4A212MX ซึ่งช่วยให้ผลิตภัณฑ์ใหม่สามารถใช้เป็นสวิตช์ Mux/De-Mux สําหรับสัญญาณดิฟเฟอเรนเชียลความเร็วสูง เช่น PCIe® 5.0, USB4® และ USB4® Ver.2
TDS4B212MX และ TDS4A212MX มีการกําหนดพินที่แตกต่างกัน TDS4B212MX ได้รับการปรับให้เหมาะสมสําหรับคุณลักษณะความถี่สูง TDS4A212MX มีการกําหนดพินโดยคำนึงถึงโครงร่างแผงวงจร
หมายเหตุ:
[1] สวิตช์ Mux 2:1/ De-Mux 1:2 ณ วันที่ 11 กรกฎาคม 2024 จากการสํารวจของ Toshiba
การใช้งาน
- พีซี อุปกรณ์เซิร์ฟเวอร์ อุปกรณ์พกพา อุปกรณ์สวมใส่ ฯลฯ อินเทอร์เฟซที่รองรับ: PCIe® 5.0, PCIe® 4.0, PCIe® 3.0, CXL2.0, CXL1.0, USB4® Ver.2, USB4®, USB3.2 Gen2×1, USB3.2 Gen1×1, Thunderbolt™ 4, Thunderbolt™ 3, Thunderbolt™ 2, DisplayPort™ 2.0, DisplayPort™ 1.4, DisplayPort™ 1.3, DisplayPort™ 1.2
คุณสมบัติ
- แบนด์วิดท์สูง -3-dB (ดิฟเฟอเรนเชียล) สําหรับสัญญาณดิฟเฟอเรนเชียลความเร็วสูง เช่น PCIe® 5.0 และ USB4®
TDS4B212MX: แบนด์วิดท์ -3-dB (ดิฟเฟอเรนเชียล)=27.5GHz (typ.)
TDS4A212MX: แบนด์วิดท์ -3-dB (ดิฟเฟอเรนเชียล)=26.2GHz (typ.)
- การใช้กระแสไฟต่ำ: Iope = 150μA (สูงสุด)
- บรรจุภัณฑ์ขนาดเล็ก: XQFN16 (2.4 มม.×1.6 มม. (typ.), t = 0.4 มม. (สูงสุด))
ข้อมูลจําเพาะหลัก
หมายเลขชิ้นส่วน |
|||||
บรรจุภัณฑ์ |
ชื่อ |
||||
ขนาด (มม.) |
2.4×1.6 (typ.), t=0.4 (สูงสุด) |
||||
ระยะของการหมุน (Ta=-40 ถึง 85°C) |
แรงดันแหล่งจ่ายไฟ VCC (V) |
1.6 ถึง 3.6 |
|||
พินสัญญาณ แรงดันดิฟเฟอเรนเชียล (ยอดถึงยอด) VI/O(Diff) (V) |
0 ถึง 1.8 |
||||
พินสัญญาณ แรงดันโหมดทั่วไป VI/O(Com) (V) |
0 ถึง 2.0 |
||||
ลักษณะ DC (Ta=-40 ถึง 85°C) |
กระแสไฟสแตนด์บาย ISTB (μA) |
สูงสุด |
10 |
||
การใช้ในปัจจุบัน Iope (μA) |
สูงสุด |
150 |
|||
ลักษณะความถี่สูง (Ta=25°C) |
แบนด์วิดท์ -3-dB (ดิฟเฟอเรนเชียล) BW(Diff) (GHz) |
Typ. |
27.5 |
26.2 |
|
การสูญเสียพลังงานภายแบบดิฟเฟอเรนเชียล DDIL (dB) |
f=5.0GHz |
Typ. |
-0.8 |
-0.9 |
|
f=8.0GHz |
-0.9 |
-1.0 |
|||
f=10.0GHz |
-0.9 |
-1.1 |
|||
f=12.8GHz |
-1.2 |
-1.4 |
|||
f=16.0GHz |
-1.4 |
-1.9 |
|||
การสูญเสียเนื่องจากการย้อนกลับแบบดิฟเฟอเรนเชียล DDRL (dB) |
f=5.0GHz |
Typ. |
-17 |
-15 |
|
f=8.0GHz |
-15 |
-14 |
|||
f=10.0GHz |
-20 |
-17 |
|||
f=12.8GHz |
-17 |
-17 |
|||
f=16.0GHz |
-16 |
-18 |
|||
การแยกสัญญาณ OFF แบบดิฟเฟอเรนเชียล DDOIRR (dB) |
f=5.0GHz |
Typ. |
-20 |
-20 |
|
f=8.0GHz |
-17 |
-19 |
|||
f=10.0GHz |
-16 |
-17 |
|||
f=12.8GHz |
-17 |
-12 |
|||
f=16.0GHz |
-14 |
-11 |
|||
สัญญาณแทรกข้ามแบบดิฟเฟอเรนเชียล DDXT (เดซิเบล) |
f=5.0GHz |
Typ. |
-56 |
-36 |
|
f=8.0GHz |
-48 |
-34 |
|||
f=10.0GHz |
-44 |
-32 |
|||
f=12.8GHz |
-39 |
-31 |
|||
f=16.0GHz |
-36 |
-30 |
|||
การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน |
ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TDS4A212MX
TDS4B212MX
ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ Toshiba’s General Purpose Logic ICs
General Purpose Logic ICs
หากต้องการตรวจสอบความพร้อมของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจําหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่: TDS4A212MX
ซื้อออนไลน์
TDS4B212MX
ซื้อออนไลน์
*USB4® เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ USB Implementers Forum
*Thunderbolt™ เป็นเครื่องหมายการค้าของ Intel Corporation หรือบริษัทในเครือ
*DisplayPort™ เป็นเครื่องหมายการค้าหรือเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ Video Electronics Standards Association ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
*PCIe® เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*TarfSOI™ เป็นเครื่องหมายการค้าของ Toshiba Electronic Devices &; Storage Corporation
*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้นๆ
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจําเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนําด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนําเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจ
พนักงาน 19,400 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้า ในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ร่วมกัน บริษัทตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสําหรับผู้คนทุกที่
ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ TDSC ได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/54091207/en
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
ติดต่อ
สอบถามข้อมูลลูกค้า:
Power &; Small Signal Device Sales & Marketing Dept.II
Tel: +81-44-548-2215
ติดต่อเรา
สอบถามข้อมูลสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices &; Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
ที่มา: Toshiba Electronic Devices &; Storage Corporation
Kioxia และ Xinnor ร่วมมือกันเพื่อส่งมอบโซลูชัน PCIe 5.0 NVMe SSD RAID ประสิทธิภาพสูงสําหรับแอปพลิเคชันระดับองค์กรและศูนย์ข้อมูล
โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–05 มิถุนายน 2024
Kioxia Corporation ผู้นําระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจํา ประกาศในวันนี้ว่า KIOXIA PCIe® 5.0 NVMe™ SSD ได้รับการทดสอบความเข้ากันได้ และความสามารถในการทํางานร่วมกันกับโซลูชัน Xinnor, Ltd. (“Xinnor”) RAID และประสบความสําเร็จในการรัน PostgreSQL มากกว่าโซลูชัน RAID ของซอฟต์แวร์ที่มีการกําหนดค่าฮาร์ดแวร์เดียวกันถึง 25 เท่า(1). โซลูชันนี้จะสาธิตในบูธ KIOXIA ที่งาน COMPUTEX TAIPEI ซึ่งจะจัดขึ้นตั้งแต่วันที่ 4 มิถุนายนถึง 7 มิถุนายน
KIOXIA CM7 Series PCIe(R) 5.0 NVMe(TM) SSD (ภาพ: Business Wire)
PostgreSQL (พร้อมส่วนขยาย pgvector) และฐานข้อมูลเวกเตอร์มีความสําคัญมากขึ้นสําหรับระบบ generative AI และ RAG (Retrieval Augmented Generation) มากกว่าเดิม และผลลัพธ์เหล่านี้แสดงให้เห็นถึงประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นโดยใช้โซลูชัน xiRAID Opus และ KIOXIA PCIe® 5.0 NVMe™ SSD ของ Xinnor สําหรับแอปลิเคชัน generative AI และ RAG
เซิร์ฟเวอร์ใหม่ที่มีอินเทอร์เฟซ PCIe® 5.0 และ SSD ความเร็วสูงที่สอดคล้องกัน เป็นที่ต้องการสําหรับแอปพลิเคชันประสิทธิภาพสูง เช่น generative AI และความสําคัญของ SSD ที่เข้ากันได้กับ PCIe® 5.0 เพื่อรองรับความต้องการที่กำลังเพิ่มมากขึ้น โซลูชัน RAID ซอฟต์แวร์ประสิทธิภาพสูงของ Kioxia และ Xinnor ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพสูงสุดของ PCIe® 5.0 SSD สําหรับ AI, Machine Learning (ML) และแอปพลิเคชันการวิเคราะห์ข้อมูลในศูนย์ข้อมูลขององค์กรภายในองค์กร KIOXIA CM7 Series SSD ประสบความสําเร็จในการทดสอบความเข้ากันได้ที่ดําเนินการโดยทั้งสองฝ่าย
ความสําเร็จของโครงสร้างพื้นฐานศูนย์ข้อมูลรุ่นต่อไปจะขึ้นอยู่กับการทํางานร่วมกันของระบบนิเวศและความพยายามในการทดสอบการทํางานร่วมกันเพื่อให้แน่ใจว่าผลิตภัณฑ์และเทคโนโลยีในปัจจุบันและอนาคตทํางานร่วมกันได้อย่างราบรื่น และส่งมอบตามที่คาดไว้ ในฐานะผู้นําด้าน SSD ระดับองค์กรและศูนย์ข้อมูล Kioxia มุ่งมั่นที่จะขับเคลื่อนอุตสาหกรรมไปข้างหน้าด้วยโซลูชันหน่วยความจําที่เป็น นวัตกรรมใหม่ที่ขับเคลื่อนคลื่นลูกใหม่ของแอปพลิเคชันและบริการ Kioxia จะยังคงสนับสนุนระบบนิเวศ PCIe® 5.0 ต่อไป และเพิ่มมูลค่าสูงสุดของ PCIe® 5.0 NVMe™ SSD ประสิทธิภาพสูง
ลิงค์ที่เกี่ยวข้อง: กลุ่มผลิตภัณฑ์ KIOXIA Enterprise SSD
https://www.kioxia.com/en-jp/business/ssd/enterprise-ssd.html
หมายเหตุ
(1) เมื่อเทียบกับโซลูชัน RAID มาตรฐานใน Linux (mdraid / mdadm) ในโหมดลดระดับโดยที่ไดรฟ์ตัวหนึ่งล้มเหลว ในการดําเนินการอ่านฐานข้อมูล (สืบค้น)
*Xinnor และ xiRAID เป็นเครื่องหมายการค้าของ Xinnor, Ltd.
*NVMe เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม
เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นําระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจํา ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจําแฟลชและโซลิดสเตตไดร์ฟ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจําแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจํา” โดยนําเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและหน่วยความจำ – คุณค่าพื้นฐานสำหรับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจําแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กําลังกําหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล
สอบถามข้อมูลลูกค้า:
Kioxia Group
สำนักงานขายทั่วโลก
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html
*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจําเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/54031655/en
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
ติดต่อ
สอบถามข้อมูลสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
Tel: +81-3-6478-2404
ที่มา: Kioxia Corporation
Kioxia เปิดตัว PCIe® 5.0 SSD ใหม่สำหรับองค์กรและโครงสร้างพื้นฐานของศูนย์ข้อมูล
KIOXIA CD8P Series Data Center NVMe™ Drives ใหม่ที่ปรับปรุงประสิทธิภาพ ความหน่วง และคุณภาพการบริการในรูปแบบ E3.S และ 2.5 นิ้ว (U.2)
โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–8 สิงหาคม 2023
Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศเปิดตัว KIOXIA CD8P Series ในกลุ่มผลิตภัณฑ์ Solid State Drives (SSD) ระดับศูนย์ข้อมูล KIOXIA CD8P Series เหมาะสมอย่างยิ่งกับเซิร์ฟเวอร์ที่ใช้งานทั่วไปและสภาพแวดล้อมคลาวด์ที่สามารถใช้ประโยชน์จากประสิทธิภาพ PCIe® 5.0 (32GT/s x4) แอปพลิเคชันศูนย์ข้อมูลเหล่านี้สามารถสร้างปริมาณงานผสมที่ซับซ้อนกระจายไปทั่วระบบเวอร์ชวลไลเซชันขนาดใหญ่ในศูนย์ข้อมูลการปฏิบัติงาน 24×7 ไดรฟ์ใหม่มีความจุสูงถึง 30.72 เทราไบต์ (TB) [1] และใน Enterprise and Datacenter Standard Form Factor (EDSFF) ทั้ง E3.S และ 2.5 นิ้ว (U.2)
PCIe(R) 5.0 SSD สำหรับองค์กรและโครงสร้างพื้นฐานของศูนย์ข้อมูล: KIOXIA CD8P Series (ภาพ: Business Wire)
KIOXIA CD8P Series ได้รับการปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงาน ความหน่วง พลังงานที่ลดลงและความร้อนของสภาพแวดล้อมศูนย์ข้อมูลที่ประสิทธิภาพการใช้พลังงานและการระบายความร้อนเป็นสิ่งสำคัญ KIOXIA CD8P Series มอบความสามารถในการคาดการณ์และความสม่ำเสมอที่จำเป็นสำหรับประสบการณ์การใช้งานที่ราบรื่น
KIOXIA CD8P Series ตระหนักถึงประสิทธิภาพการอ่านตามลำดับที่เพิ่มขึ้นประมาณ 60% ถึง 80% เมื่อเทียบกับ PCIe 4.0 SSD รุ่นก่อนหน้า ซึ่งรวมถึง:
• ประสิทธิภาพการอ่านแบบสุ่ม [2] สูงถึง 2,000K IOPS [3] และประสิทธิภาพการเขียนแบบสุ่ม [2] สูงถึง 400K IOPS
• เวลาแฝงเปอร์เซ็นไทล์ต่ำและสม่ำเสมอที่ 99.999 ซึ่งต่ำกว่า 250us ในปริมาณงานการอ่านแบบสุ่มมาตรฐาน [4] และต่ำกว่า 1.8ms ในปริมาณงานผสมสไตล์ OLTP มาตรฐาน [5]
• การออกแบบพอร์ตเดียว ปรับให้เหมาะสมสำหรับปริมาณงานระดับศูนย์ข้อมูล
ไดรฟ์ศูนย์ข้อมูลใหม่ใช้เทคโนโลยี KIOXIA BiCS FLASH™ generation 5 ซึ่งเป็นเทคโนโลยี 3D flash memory triple-level cell (TLC) และใช้คอนโทรลเลอร์ที่พัฒนาขึ้นเอง KIOXIA CD8P Series SSD เป็นไปตามข้อกำหนด PCIe 5.0 และ NVMe™ 2.0 รวมถึง NVM Express™ Management Interface (NVMe-MI™) v1.1d และรองรับ Open Compute Project (OCP) Datacenter NVMe Specifications (ไม่ใช่ข้อกำหนดทั้งหมด)
คุณสมบัติและประโยชน์เพิ่มเติมรวมถึง:
• ความน่าเชื่อถือของข้อมูลเต็มรูปแบบพร้อมการปกป้องข้อมูลแบบ end-to-end, การป้องกันไฟฟ้าดับ และการกู้คืนความล้มเหลวของแฟลชไดย์
• ตัวเลือกความปลอดภัย: Non-SED, SIE และ SED (TCG Opal และ Ruby SSCs) [6]
ไดรฟ์ KIOXIA CD8P Series สามารถสุ่มตัวอย่างเพื่อเลือกลูกค้าได้แล้ว
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
ข้อมูลผลิตภัณฑ์ซีรีส์ KIOXIA CD8P Series
https://www.kioxia.com/en-jp/business/ssd/data-center-ssd.html#cd-series
หมายเหตุ
[1] ผลิตภัณฑ์ฟอร์มแฟกเตอร์ E3.S จะมีจำหน่ายในความจุตั้งแต่ 1.6TB ถึง 15.36TB
ผลิตภัณฑ์ฟอร์มแฟกเตอร์ขนาด 2.5 นิ้วจะมีจำหน่ายในความจุตั้งแต่ 1.6TB ถึง 30.72TB
[2] เงื่อนไข: ขนาดบล็อก 4KiB, จัดแนว 4KiB, สุ่ม 100%
[3] IOPS: อินพุตเอาต์พุตต่อวินาที (หรือจำนวนการดำเนินการ I/O ต่อวินาที)
[4] เงื่อนไข: ขนาดบล็อก 4KiB, จัดแนว 4KiB, QD = 32, สุ่ม 100%, อ่าน 100% สำหรับความจุ 3,200 GB ถึง 7,680 GB
[5] เงื่อนไข: ขนาดบล็อก 4KiB, จัดแนว 4KiB, QD = 32, สุ่ม 100%, อ่าน 70% สำหรับความจุ 3,200 GB ขึ้นไป
[6] ความพร้อมใช้งานของตัวเลือกความปลอดภัย/การเข้ารหัสอาจแตกต่างกันไปตามภูมิภาค
คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดเมกะไบต์ (MB) เป็น 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เป็น 1,000,000,000 ไบต์ และเทราไบต์ (TB) เป็น 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการของคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุในการจัดเก็บโดยใช้ยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1 GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1 TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุในการจัดเก็บน้อยลง ความจุที่ใช้ได้ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป
ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์โฮสต์ เงื่อนไขการอ่านและเขียน และขนาดไฟล์
SIE: โมเดลตัวเลือก Sanitize Instant Erase รองรับ Crypto Erase ซึ่งเป็นคุณสมบัติมาตรฐานที่กำหนดโดยคณะกรรมการด้านเทคนิค (T10) ของ INCITS (คณะกรรมการระหว่างประเทศสำหรับมาตรฐานเทคโนโลยีสารสนเทศ)
SED: โมเดลตัวเลือก Self-Encrypting Drive รองรับ TCG Opal และ Ruby SSC ไม่รองรับคุณสมบัติบางอย่างของ TCG Opal SSC
PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
NVMe, NVM Express และ NVMe-MI เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่น ๆ
ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม
ข้อมูลทั้งหมดที่ระบุในบทความนี้อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งอุทิศให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและ Solid-State Drives (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนหน้าได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและหน่วยความจำ – คุณค่าต่อสังคม BiCS FLASH™ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia กำลังกำหนดอนาคตของพื้นที่จัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์และศูนย์ข้อมูล
ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
Kioxia Group
Global Sales Offices
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html
*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่:
https://www.businesswire.com/news/home/53512769/en
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
ติดต่อ
ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404
แหล่งที่มา: Kioxia Corporation
Kioxia เตรียมจัดแสดง SSD ระดับ Consumer ใหม่ที่มอบประสิทธิภาพ PCIe® 4.0 ที่งาน COMPUTEX
การจัดแสดงข้อมูลอ้างอิงเพื่อนำเสนอความเร็วในการอ่านตามลำดับประมาณ 5,000 MB/s สำหรับพีซีเกมประสิทธิภาพสูง เดสก์ท็อป และโน้ตบุ๊ก
โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–25 พฤษภาคม 2023
Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศเปิดตัว SSD ระดับ consumer รุ่นใหม่ที่มีกำหนดวางจำหน่ายในไตรมาสที่สามของปี 2023 โดย EXCERIA PLUS G3 Series จะใช้ประโยชน์จากเทคโนโลยี PCIe® 4.0 และให้ความจุสูงถึง 2 เทราไบต์ (TB) ซีรีส์ใหม่นี้เหมาะสำหรับผู้ใช้ทั่วไปที่ใช้พีซีสำหรับเล่นเกมประสิทธิภาพสูง เดสก์ท็อป และโน้ตบุ๊ก โดยนำเสนอความเร็วและราคาที่ย่อมเยาที่พวกเขาต้องการ EXCERIA PLUS G3 Series ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์ที่อยู่ระหว่างการพัฒนา จะจัดแสดงอ้างอิงที่งาน COMPUTEX TAIPEI ตั้งแต่วันที่ 30 พฤษภาคม ถึง 2 มิถุนายน ที่ศูนย์นิทรรศการ Taipei Nangang
SSD ระดับ Consumer รุ่น EXCERIA PLUS G3 Series ของ Kioxia มอบประสิทธิภาพ PCIe® 4.0 (ภาพ: Business Wire)
นำเสนอหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D TLC (เซลล์สามระดับ) ของ Kioxia โดย EXCERIA PLUS G3 Series ใช้ฟอร์มแฟคเตอร์ด้านเดียวประเภท M.2 2280 ที่เหมาะสำหรับทั้งเดสก์ท็อปและระบบมือถือ ไดรฟ์ใหม่จะรองรับซอฟต์แวร์ SSD Utility Management ของ Kioxia ซึ่งช่วยผู้ใช้ในการตรวจสอบและบำรุงรักษา SSD
จุดเด่นของ EXCERIA PLUS G3 Series ได้แก่
- ใช้เทคโนโลยี PCIe® 4.0 และ NVMe™ 1.4
- มอบความเร็วในการอ่านต่อเนื่องสูงสุดประมาณ 5,000 เมกะไบต์ต่อวินาที (MB/s) [1] (เบื้องต้น)
- ฟอร์มแฟคเตอร์ M.2 2280 ด้านเดียว
- มอบประสิทธิภาพการใช้พลังงานเพิ่มขึ้นสูงสุดประมาณ 70% ที่ความเร็วการอ่านตามลำดับสูงสุดเมื่อเทียบกับ EXCERIA PLUS G2 Series รุ่นก่อนหน้า[2] (เบื้องต้น)
หมายเหตุ
[1] ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับปัจจัยต่าง ๆ เช่น อุปกรณ์โฮสต์ ซอฟต์แวร์ (ไดรเวอร์ ระบบปฏิบัติการ ฯลฯ) และเงื่อนไขการอ่าน/เขียน
[2] จากการวิจัย Kioxia (ณ วันที่ 25 พฤษภาคม 2023) ค่าเหล่านี้คือความเร็วในการอ่านที่ดีที่สุดต่อการใช้พลังงานที่ได้รับในสภาพแวดล้อมการทดสอบเฉพาะที่ Kioxia Corporation
*คำจำกัดความของความจุ: Kioxia กำหนดเมกะไบต์ (MB) เป็น 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เป็น 1,000,000,000 ไบต์ และเทราไบต์ (TB) เป็น 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการของคอมพิวเตอร์รายงานความจุของหน่วยเก็บข้อมูลโดยใช้ยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 230 = 1,073,741,824 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุน้อยกว่า ความจุที่มีอยู่ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่าง ๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ เช่น ระบบปฏิบัติการ Microsoft และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป
*กลุ่มผลิตภัณฑ์ส่วนบุคคลจะแตกต่างกันไปตามประเทศและภูมิภาค
*ภาพสินค้าอาจแตกต่างจากสินค้าจริง
*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*NVMe เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่น ๆ
*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม
*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งอุทิศให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดร์ฟ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 นั้น Toshiba Memory รุ่นก่อนหน้าได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 โดย Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าของหน่วยความจำที่มีต่อสังคม BiCS FLASH™ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia กำลังกำหนดอนาคตของพื้นที่จัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53406125/en
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
ติดต่อ
ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Satoshi Shindo
โทร: +81-3-6478-2404
แหล่งที่มา: Kioxia Corporation
Kioxia เปิดตัวไคลเอนต์ SSD Series BG6 ใหม่ นำประสิทธิภาพ PCIe® 4.0 และราคาย่อมเยามาสู่กระแสหลัก
ไดรฟ์ใหม่มีหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D รุ่นที่ 6; SSD 2,048GB รักษาฟอร์มแฟคเตอร์ M.2 2230
โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–23 พฤษภาคม 2023
Kioxia Corporation วันนี้ประกาศการเพิ่ม KIOXIA BG6 Series ในกลุ่มผลิตภัณฑ์ไดรฟ์โซลิดสเทต PCIe® 4.0 (SSD) ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์แรกที่มีหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D เจนเนอเรชั่นที่ 6 ของบริษัท[1] และประสิทธิภาพเกือบ 1.7 เท่าของรุ่นก่อน[2] ซึ่งออกแบบมาเพื่อปลดปล่อยความเร็วที่เพิ่มขึ้นและความสามารถในการจ่ายของ PCIe® 4.0 สำหรับผู้ใช้พีซี KIOXIA BG6 Series ไคลเอนต์ SSD ที่ทรงพลังและกะทัดรัดนำเสนอฟอร์มแฟคเตอร์ M.2 2230 แบบแยกพร้อมความจุที่สูงขึ้นและประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่ดีขึ้น มีเวอร์ชันฟอร์มแฟกเตอร์ด้านเดียว M.2 2280 ให้ใช้งานด้วย KIOXIA BG6 Series จะเริ่มสุ่มตัวอย่างในช่วงครึ่งหลังของปี 2023 สำหรับการประเมินของลูกค้า OEM
SSD แบบไคลเอ็นท์ KIOXIA BG6 Series มอบประสิทธิภาพและความคุ้มค่าของ PCIe® 4.0 สู่ตลาดกระแสหลัก (ภาพ: Business Wire)
KIOXIA BG6 Series ปลดล็อกประสิทธิภาพของแฟลชแบบแบ็คเอนด์ในขณะที่ยังคงราคาย่อมเยาและเพิ่มความจุ ทำให้เป็นตัวเลือกที่น่าสนใจเป็นพิเศษสำหรับโน้ตบุ๊กและเดสก์ท็อปเชิงพาณิชย์และสำหรับผู้บริโภค ไดรฟ์ KIOXIA BG6 รองรับเทคโนโลยี Host Memory Buffer (HMB) ที่ครบกำหนด ซึ่งใช้ส่วนหนึ่งของหน่วยความจำโฮสต์ (DRAM) ราวกับว่ามันเป็นของตนเอง เพื่อให้ได้ SSD ประสิทธิภาพสูงที่ไม่มี DRAM
คุณลักษณะและคุณประโยชน์เพิ่มเติมประกอบด้วย:
- ความจุ 256 กิกะไบต์ (GB), 512 GB, 1,024 GB และ 2,048 GB[3]
- PCIe® อินเทอร์เฟซ 64 กิกะทรานเฟอร์ต่อวินาที (GT/s) (Gen4 x4 เลน)
- การอ่านตามลำดับสูงสุด 6,000 เมกะไบต์ต่อวินาที (MB/s) และการเขียนตามลำดับ 5,300 MB/s
- สูงถึง 850,000 IOPS[4] การอ่านแบบสุ่มและการเขียนแบบสุ่ม 900,000 IOPS
- การสนับสนุนในอนาคตสำหรับชุดคุณลักษณะ NVMe™ 1.4c และคำสั่งการจัดการพื้นฐานผ่าน System Management Bus (SMBus) ทำให้สามารถจัดการระบายความร้อนได้แน่นขึ้น
- รองรับมาตรฐาน TCG Pyrite และ Opal ล่าสุด[5] เช่นเดียวกับการปกป้องข้อมูลแบบครบวงจร ทำให้มั่นใจได้ว่าข้อมูลจะปลอดภัยไม่ว่าจะอยู่ที่บ้านหรือในสำนักงาน
- รองรับสัญญาณแจ้งเตือนไฟฟ้าดับเพื่อป้องกันข้อมูลจากการบังคับปิดเครื่อง
- สัญญาณแถบข้าง (PERST#, CLKREQ# และ PLN#) รองรับทั้ง 1.8V และ 3.3V
- รองรับคุณสมบัติการกู้คืนเฟิร์มแวร์ของแพลตฟอร์ม
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
กลุ่มผลิตภัณฑ์ SSD ไคลเอนต์ของ Kioxia รวมถึงรายละเอียดของ KIOXIA BG6 Serieshttps://www.kioxia.com/en-jp/business/ssd/client-ssd.html
หมายเหตุ
[1] SSD 256 GB และ 512 GB ใช้หน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D รุ่นที่ 5
[2] เปรียบเทียบ KIOXIA BG5 Series กับ BG6 Series
[3] คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดเมกะไบต์ (MB) เป็น 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เป็น 1,000,000,000 ไบต์ และเทราไบต์ (TB) เป็น 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการของคอมพิวเตอร์รายงานความจุของพื้นที่เก็บข้อมูลโดยใช้ยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุที่น้อยกว่า ความจุที่มีอยู่ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่างๆ ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การฟอร์แมต การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่ฟอร์แมตแล้วตามจริงอาจแตกต่างกันไป
[4] IOPS: อินพุตเอาต์พุตต่อวินาที (หรือจำนวนการดำเนินการ I/O ต่อวินาที)
[5] ความพร้อมใช้งานของตัวเลือกความปลอดภัย/การเข้ารหัสอาจแตกต่างกันไปตามภูมิภาค
*NVMe เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม
เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งอุทิศให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดร์ฟ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยการนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและมูลค่าบนหน่วยความจำสำหรับสังคม BiCS FLASH™ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia กำลังกำหนดอนาคตของพื้นที่จัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง ซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล
คำถามของลูกค้า:
Kioxia Corporation
สำนักงานขายทั่วโลก
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html
*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงข้อกำหนด เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อ ถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53405194/en
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
รายชื่อติดต่อ
ฝ่ายสอบถามสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404
ที่มา: Kioxia Corporation
SMART Modular Technologies เปิดตัว PCIe NVMe โซลิดสเทตไดรฟ์รุ่นใหม่
SSD ตระกูล T6CN ใหม่ของ SMART ที่ให้การรองรับ PCIe Gen 4.0 นำเสนอโซลูชันที่มีประสิทธิภาพสูงและคุ้มราคาสำหรับแอปพลิเคชันด้านการป้องกัน อุตสาหกรรม และโทรคมนาคม
นิวไทเปซิตี้, ไต้หวัน–(BUSINESS WIRE)–19 เมษายน 2023
SMART Modular Technologies, Inc. (“SMART”) ซึ่งเป็นแผนกหนึ่งของ SGH (Nasdaq: SGH) และผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ โซลิดสเทตไดรฟ์ และผลิตภัณฑ์จัดเก็บข้อมูลแบบไฮบริด ประกาศเปิดตัวผลิตภัณฑ์ PCIe NVMe SSD ตระกูล T6CN ซึ่งเป็นส่วนหนึ่งของกลุ่มผลิตภัณฑ์ SMART RUGGED
ไดรฟ์ SSD ตระกูล T6CN จาก SMART Modular RUGGED นำเสนอโซลูชันที่มีประสิทธิภาพสูงและคุ้มราคาสำหรับการใช้งานด้านการป้องกัน อุตสาหกรรม และโทรคมนาคม (ภาพ: Business Wire)
T6CN SSD ได้รับการออกแบบมาเพื่อความลงตัวระหว่าง SSD สำหรับศูนย์ข้อมูลที่มีประสิทธิภาพสูงมาก และ SSD ที่มีความปลอดภัยสูงและทนทานสำหรับการใช้งานด้านการทหาร อุตสาหกรรม และโทรคมนาคม T6CN ที่คุ้มราคาวางจำหน่ายแล้วในฟอร์มแฟกเตอร์ M.2 2280, E1.S และ U.2 ทั้งหมดนี้รองรับเทคโนโลยี PCIe Gen 4.0 NVME มอบความเร็วในการอ่าน เขียน ถ่ายโอนข้อมูล และการทำงานที่เร็วกว่าเมื่อเทียบกับเทคโนโลยี SSD ในปัจจุบัน
ความจุ SSD มีตั้งแต่ 960GB ถึง 3,840GB สำหรับ M.2, 960GB ถึง 7,680GB สำหรับ E1.S และ 960GB ถึง 16,360GB สำหรับเวอร์ชัน U.2 T6CN มีความเร็วในการอ่านแบบเรียงลำดับสูงถึง 3,500/s และความเร็วในการเขียนแบบเรียงลำดับสูงถึง 3,200MB/s และเป็นไปตามข้อกำหนดของ NVMe v1.4 เทคโนโลยีที่ใช้ Gen 4.0 ทำงานเร็วกว่าความเร็วของ SATA III แบบทวีคูณ
Mike Guzzo ผู้อำนวยการสายผลิตภัณฑ์ SMART RUGGED อธิบายถึงประโยชน์ของผลิตภัณฑ์ใหม่เหล่านี้ว่า “T6CN ได้ขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ SSD ที่ทนทานของเราด้วยการเพิ่มโซลูชัน Gen 4.0 PCIe ที่เน้นเชิงพาณิชย์มากขึ้น ควบคู่กับแฟรช NAND รุ่นถัดไปสำหรับการใช้งานที่มีความจุมากขึ้น ” Guzzo กล่าวเสริมว่า “การปรับปรุงเทคโนโลยีเหล่านี้ช่วยให้ผู้ออกแบบระบบได้รับประสิทธิภาพและความจุที่สูงขึ้นสำหรับความต้องการของระบบที่เปลี่ยนแปลงไปของลูกค้า”
SSD ตระกูล T6CN มีวางจำหน่ายสำหรับสภาพอุณหภูมิพาณิชย์และอุตสาหกรรม SSD ผ่านการทดสอบการเบิร์นอิน 100% เพื่อจำลองสภาวะซึ่งมีเกรเดียนต์อุณหภูมิที่รุนแรง เพื่อให้ไดรฟ์ที่มีข้อบกพร่องถูกเปิดเผยและกำจัดออกไป นอกจากนี้ SSD ตระกูล T6CN ยังมีคุณสมบัติการแก้ไขข้อผิดพลาดที่มีพาริติเช็กความหนาแน่นต่ำ (LDPC) และสนับสนุนเทคโนโลยีการวิเคราะห์และการรายงานด้วยตนเอง (S.M.A.R.T.) เวอร์ชัน U.2 และ E1.S ยังมีการป้องกันไฟฟ้าขัดข้อง (pFail) ซึ่งปกป้องความสมบูรณ์และฟังก์ชันการทำงานของข้อมูลในกรณีที่ไฟดับกะทันหัน
สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับข้อกำหนดทางเทคนิคและข้อมูลการสั่งซื้อ โปรดไปที่ smartm.com
*สัญลักษณ์ “S” และ “SMART” และ “SMART Modular Technologies” เป็นเครื่องหมายการค้าหรือเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ SMART Modular Technologies, Inc. เครื่องหมายการค้าและเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนอื่นๆ ทั้งหมดเป็นกรรมสิทธิ์ของเจ้าของที่เกี่ยวข้อง
เกี่ยวกับ SMART Modular Technologies
กว่า 30 ปีที่ SMART Modular Technologies ได้ช่วยเหลือลูกค้าทั่วโลกให้สามารถดำเนินการประมวลผลประสิทธิภาพสูงผ่านการออกแบบ การพัฒนา และบรรจุภัณฑ์ขั้นสูงของโซลูชันหน่วยความจำพิเศษ กลุ่มผลิตภัณฑ์ที่แข็งแกร่งของเรามีตั้งแต่เทคโนโลยีระดับแนวหน้าในปัจจุบันไปจนถึงผลิตภัณฑ์ DRAM และแฟลชสตอเรจมาตรฐานและรุ่นเก่า เราให้บริการหน่วยความจำและโซลูชันการจัดเก็บข้อมูลแบบมาตรฐาน ทนทาน และปรับแต่งได้ ซึ่งตอบสนองความต้องการของแอปพลิเคชันที่หลากหลายในตลาดที่มีการเติบโตสูง
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53383457/en
ติดต่อเรา
ฝ่ายการตลาดผลิตภัณฑ์
Michael Guzzo
SMART Modular Technologies
ผู้อำนวยการ, ผลิตภัณฑ์ RUGGED
39870 Eureka Dr., Newark, CA 94583
info@smartm.com
(+1) 602-524-0299
ฝ่ายสื่อ
APAC
Morris Yang
ผู้จัดการฝ่ายการตลาด
+886 (2) 7705 2770
apac@smartm.com
ที่มา: SMART Modular Technologies, Inc.
Kioxia เปิดตัวประสิทธิภาพในระดับใหม่ด้วย Enterprise NVMe™ SSD Family ที่ออกแบบด้วยเทคโนโลยี PCIe® 5.0
KIOXIA CM7 Series SSDs มีจำหน่ายใน EDSFF E3.S ใหม่และฟอร์มแฟกเตอร์ขนาด 2.5 นิ้วมาตรฐานอุตสาหกรรม
โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–26 กรกฎาคม 2565
ในอีกก้าวหนึ่งที่ส่งมอบประสิทธิภาพในระดับรุ่นต่อไปให้กับศูนย์ข้อมูลขององค์กร Kioxia Corporation ได้ประกาศในวันนี้ว่า NVMe™ SSD ระดับองค์กร รุ่น KIOXIA CM7 ของบริษัทได้จัดส่งให้กับลูกค้าบางรายแล้ว โดยปรับให้เหมาะสมสำหรับความต้องการของเซิร์ฟเวอร์และการจัดเก็บข้อมูลที่มีประสิทธิภาพสูง ตระกูลผลิตภัณฑ์รุ่น KIOXIA CM7 ได้รับการออกแบบด้วยเทคโนโลยี PCIe® 5.0 อ้างอิงใน Enterprise and Datacenter Standard Form Factor (EDSFF) E3.S และฟอร์มแฟกเตอร์ 2.5 นิ้ว[1]
ข่าวประชาสัมพันธ์นี้มีเนื้อหามัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20220725005951/en/
KIOXIA CM7 Series Enterprise NVMe™ SSD ที่ออกแบบด้วยเทคโนโลยี PCIe® 5.0 (ภาพ: Business Wire)
หลังจากเปิดตัวไดรฟ์ EDSFF ตัวแรกของอุตสาหกรรมที่ออกแบบด้วยเทคโนโลยี PCIe 5.0[2] เมื่อปีที่แล้ว การเพิ่มตระกูลผลิตภัณฑ์รุ่น KIOXIA CM7 ช่วยขยายตำแหน่งผู้นำของ KIOXIA และช่วยให้ลูกค้า OEM สามารถส่งมอบความเร็วในการอ่านตามลำดับที่ดีที่สุด[3] 14 GB/s ต่อผู้ใช้ปลายทาง
ตระกูล EDSFF E3 ช่วยให้ SSD รุ่นต่อไปที่มีเทคโนโลยี PCIe 5.0 และอื่น ๆ เพื่อจัดการกับสถาปัตยกรรมศูนย์ข้อมูลในอนาคต ในขณะที่รองรับอุปกรณ์และแอปพลิเคชันใหม่ที่หลากหลาย ให้การไหลเวียนของอากาศและความร้อนที่ดีขึ้น ได้รับประโยชน์ความสมบูรณ์ของสัญญาณ ไม่จำเป็นต้องใช้ไฟ LED บน drive carriers และให้ตัวเลือกสำหรับความจุ SSD ที่ใหญ่ขึ้น
ไฮไลท์ KIOXIA CM7 Series ประกอบด้วย:
- EDSFF E3.S และฟอร์มแฟกเตอร์ความสูง Z ขนาด 2.5 นิ้ว 15 มม.
- ออกแบบตามข้อมูลจำเพาะ NVMe 2.0 และ PCIe 5.0
- SFF-TA-1001 สามารถรองรับระบบที่เปิดใช้งาน Universal Backplane Management (หรือที่เรียกว่า U.3[1])
- ความจุในการอ่านแบบ intensive (1 DWPD) สูงสุด 30.72 TB[4]
- ความจุแบบ Mixed-use (3 DWPD) สูงสุด 12.80 TB
- การออกแบบ Dual-port สำหรับแอปพลิเคชันที่มีความพร้อมใช้งานสูง
- การป้องกันความล้มเหลวของ Flash Die รักษาความน่าเชื่อถืออย่างเต็มที่ในกรณีที่เกิดความล้มเหลวของ die
- รองรับฟีเจอร์ล้ำสมัย – SR-IOV, CMB, Multistream writes
หมายเหตุ
[1] ฟอร์มแฟกเตอร์ 2.5 นิ้วในการเชื่อมต่อ U.3 จะถูกจำกัดให้มีประสิทธิภาพ PCIe Gen4 เท่านั้น
[2] ณ วันที่ 9 พฤศจิกายน 2564 อ้างอิงจากการสำรวจข้อมูลที่เปิดเผยต่อสาธารณะของ Kioxia Corporation
[3] ณ วันที่ 26 กรกฎาคม 2565 อ้างอิงจากการสำรวจข้อมูลที่เปิดเผยต่อสาธารณะของ Kioxia Corporation
[4] ความจุสูงสุดใน E3.S คือ 15.36 TB
*ตัวอย่างมีไว้เพื่อการประเมิน ข้อมูลจำเพาะของตัวอย่างอาจแตกต่างไปจากรุ่นการผลิต
*DWPD: การเขียนไดรฟ์ต่อวัน การเขียนไดรฟ์แบบเต็มหนึ่งตัวต่อวันหมายความว่าสามารถเขียนและเขียนไดรฟ์ใหม่ให้เต็มความจุได้วันละครั้งเป็นเวลาห้าปีตามระยะเวลาการรับประกันผลิตภัณฑ์ที่ระบุไว้ ผลลัพธ์ที่แท้จริงอาจแตกต่างกันไปตามการกำหนดค่าระบบ การใช้งาน และปัจจัยอื่น ๆ ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์โฮสต์ เงื่อนไขการอ่านและเขียน และขนาดไฟล์
*คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดเมกะไบต์ (MB) เป็น 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เป็น 1,000,000,000 ไบต์และเทราไบต์ (TB) เป็น 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการของคอมพิวเตอร์รายงานความจุในการจัดเก็บข้อมูลโดยใช้กำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1Gb = 2^30 บิต = 1,073,741,824 บิต 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ และจะแสดงความจุน้อยลง ความจุที่ใช้งานได้ (รวมถึงตัวอย่างของไฟล์มีเดียต่าง ๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป
*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*NVMe เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่น ๆ
*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ ทั้งหมดอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ
เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำที่อุทิศตนเพื่อการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSDs) ในเดือนเมษายน 2560 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นจุดเริ่มต้นของ Kioxia ได้แยกออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 2530 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ”โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ การบริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าแบบจดจำสำหรับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D แบบใหม่ของ Kioxia หรือที่เรียกว่า BiCS FLASH™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูงซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ศูนย์ยานยนต์และศูนย์ข้อมูล
สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า:
Kioxia Corporation
Global Sales
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html
*ข้อมูลในเอกสารนี้รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการและข้อมูลการติดต่อนั้นถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
ดูเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20220725005951/en/
ติดต่อ:
สอบถามสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
SMART Modular Technologies ประกาศเปิดตัว PCIe NVMe SSD รุ่นต่อไป
ผลิตภัณฑ์ตัวใหม่ PCIe NVMe ซึ่งอยู่ในกลุ่มผลิตภัณฑ์ DuraFlash™ MP3000 เป็นผลิตภัณฑ์ทางเลือกด้าน Flash ที่เพิ่มเข้ามาสำหรับการใช้งานในศูนย์ข้อมูล เครือข่าย และโทรคมนาคม
นวร์ก, แคลิฟอร์เนีย–(BUSINESS WIRE)–26 กรกฎาคม 2565
SMART Modular Technologies, Inc. (“SMART”) หน่วยงานภายใต้ SGH (Nasdaq: SGH) และผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ โซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) และผลิตภัณฑ์จัดเก็บข้อมูลแบบไฮบริด ประกาศเปิดตัวผลิตภัณฑ์ PCIe NVMe ซึ่งอยู่ในกลุ่มผลิตภัณฑ์ DuraFlash™ MP3000 ที่ประกอบด้วยฟอร์มแฟคเตอร์ขนาด M.2 2280, M.2 22110 และ E1.S ผลิตภัณฑ์ SSD เหล่านี้มีจำหน่ายทั้งในระดับอุตสาหกรรมและเชิงพาณิชย์ โดยมีเวอร์ชันที่ใช้เทคโนโลยี SMART's SafeDATA™ ที่ลดการใช้พลังงานและปกป้องข้อมูล เพื่อให้แน่ใจว่าสามารถจัดการกับความผันผวนของพลังงานและเหตุการณ์ไฟฟ้าดับอย่างกะทันหันได้
เอกสารประชาสัมพันธ์นี้มีเนื้อหามัลติมีเดีย ดูอย่างเต็มรูปแบบที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20220623005322/en/
SMART Modular เปิดตัวไดรฟ์ PCIe NVMe ในตระกูล MP3000 ด้วยฟอร์มแฟคเตอร์ขนาด M.2 2280, M.2 22110 และ EDSFF E1.S ที่มีจำหน่ายทั้งสำหรับอุตสาหกรรมและเชิงพาณิชย์ (ภาพ: Business Wire)
Victor Tsai ผู้อำนวยการฝ่ายผลิตภัณฑ์ Flash ของ SMART กล่าวว่า “เรารู้สึกตื่นเต้นที่จะประกาศเปิดตัวผลิตภัณฑ์ DuraFlash PCIe NVMe SSD ซีรีส์ใหม่นี้ ซึ่งจะช่วยให้ลูกค้าของเราใช้ประโยชน์จากการทำงานร่วมกันของ PCIe Gen 4 x4 เจเนอเรชันถัดไปได้ กลุ่มผลิตภัณฑ์ MP3000 ของ SMART มีจำหน่ายในฟอร์มแฟคเตอร์ 3 ขนาด มีแพลตฟอร์มเซิร์ฟเวอร์และแพลตฟอร์มลูกค้าให้เลือกทั้งในสภาพแวดล้อมอุตสาหกรรมและระดับองค์กร โดยมีความจุตั้งแต่ 240 กิกะไบต์ ไปจนถึง 1920 กิกะไบต์”
MP3000 ให้ความเร็วในการอ่านตามลำดับสูงสุดที่ 3500MB/s และความเร็วในการเขียนตามลำดับสูงสุดที่ 2000MB/s ซึ่งเป็นไปตามข้อกำหนดด้านคุณสมบัติของ NVMe v1.4 พร้อมด้วยฟีเจอร์ SSD ที่รองรับการใช้งานระดับองค์กร เช่น Namespace Management (สูงสุด 16 เนมสเปซ) อินเทอร์เฟซการจัดการ NVMe วงนอก (NVMe-MI) และรูปแบบ LBA ขนาด 512 ไบต์และ 4096 ไบต์
สำหรับสภาพแวดล้อมระดับองค์กร ซีรีส์ MP3000 ตรงตามข้อกำหนดด้านความทนทานสูงสุด 1 การเขียนไดรฟ์ต่อวัน (DWPD) ของปริมาณงานระดับองค์กรตามที่กำหนดโดย JEDEC ซีรีส์ MP3000 ยังมาในเวอร์ชันที่ยืดอายุการใช้งานยาวนานขึ้นสำหรับอุตสาหกรรมที่ต้องการความพร้อมใช้งานที่ยาวนาน ไฟฟ้าดับเป็นปัญหาหลักที่มักเกิดขึ้นเมื่อมีการใช้งาน MP3000 จึงมาพร้อมกับระบบ SafeDATA™ ซึ่งเป็นระบบเก็บรักษาข้อมูลเมื่อพลังงานหมดของ SMART Modular ที่ประกอบด้วยวงจรฮาร์ดแวร์เฉพาะและอัลกอริทึมสำหรับการปกป้องข้อมูลที่กำลังทำงานอย่างปลอดภัยระหว่างที่ไฟฟ้าดับหรือไฟฟ้าขัดข้อง ผลิตภัณฑ์ในซีรีส์ MP3000 จะเป็นแบบ Self-Encrypting Drives (SED) ที่รองรับฟีเจอร์ความปลอดภัยขั้นสูง ได้แก่ Secure Boot ที่มาพร้อมการตรวจสอบความถูกต้องของเฟิร์มแวร์โดยใช้ PKI และมาตรฐาน Trusted Computing Groups (TCG) Opal 2.01 ล่าสุดที่มาพร้อมการเข้ารหัสข้อมูล AES-XTS 256
ฟอร์มแฟคเตอร์ |
ความจุ |
เกรดอุณหภูมิ |
เวอร์ชันเทคโนโลยี SafeDATA |
M.2 2280 |
240GB – 1920GB |
อุตสาหกรรมและพานิชย์ |
มี |
M.2 22110 |
240GB – 1920GB |
อุตสาหกรรมและพานิชย์ |
มี |
E1.S |
240GB – 1920GB |
อุตสาหกรรมและพานิชย์ |
มี |
SMART Modular สร้างขึ้นจากประสบการณ์หลายทศวรรษในการสนับสนุนสภาพแวดล้อมการใช้งานในระบบเครือข่าย โทรคมนาคม ระบบอัตโนมัติในโรงงาน การทหาร และอุตสาหกรรม เพื่อนำเสนอโซลูชัน เช่น กลุ่มผลิตภัณฑ์ DuraFlash MP3000 ที่ตรงตามมาตรฐานอุตสาหกรรมล่าสุดทั้งหมดในด้านประสิทธิภาพ ความปลอดภัย และ การป้องกันเมื่อไฟฟ้าดับ
สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับไดรฟ์ MP3000 และ SSD ใหม่ของ SMART โปรดไปที่หน้าผลิตภัณฑ์ที่ smartm.com
*สัญลักษณ์ “S” และ “SMART” รวมถึง “SMART Modular Technologies”, “DuraFlash” และ “SafeDATA” เป็นเครื่องหมายการค้าหรือเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ SMART Modular Technologies, Inc. เครื่องหมายการค้าและเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนอื่น ๆ ทั้งหมดเป็นทรัพย์สินของเจ้าของที่เกี่ยวข้อง
เกี่ยวกับ SMART Modular Technologies
เป็นเวลากว่า 30 ปีแล้วที่ SMART Modular Technologies ได้ช่วยเหลือลูกค้าทั่วโลกในการเปิดใช้งานการประมวลผลที่มีประสิทธิภาพสูงผ่านการออกแบบ การพัฒนา และการนำเสนอแพ็คเกจขั้นสูงของโซลูชันหน่วยความจำแบบพิเศษ ผลงานด้านผลิตภัณฑ์อันแข็งแกร่งของเรามีตั้งแต่เทคโนโลยีล้ำสมัยไปจนถึงผลิตภัณฑ์หน่วยความจำ DRAM และ Flash แบบมาตรฐานและตกทอดมา เราจัดหาโซลูชันหน่วยความจำและการจัดเก็บข้อมูลแบบมาตรฐาน ทนทาน และกำหนดเองได้ ที่ตอบสนองความต้องการใช้งานที่หลากหลายในตลาดที่มีการเติบโตสูง
ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20220623005322/en/
ข้อมูลติดต่อด้านการตลาดผลิตภัณฑ์:
Victor Tsai
SMART Modular Technologies
ฝ่ายการตลาดผลิตภัณฑ์
39870 Eureka Dr., Newark, CA 94583
+1-650-534-8593
victor.tsai@smartm.com
ข้อมูลติดต่อสำหรับสื่อ:
John Crook
SMART Modular Technologies
ฝ่ายสื่อสารการตลาด
+1-510-474-8326
john.crook@smartm.com
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
SMART Modular เปิดตัวผลิตภัณฑ์ SMART Kestral PCIe Optane Memory AddCard เพื่อรองรับการขยายและเร่งความเร็วของหน่วยความจำ
กำหนดเป้าหมายสำหรับผู้ที่ต้องการขยายสเกลระดับที่ใหญ่มากและศูนย์ข้อมูลที่ใช้ฐานข้อมูลขนาดใหญ่บนระบบที่ใช้ AMD, ARM และ Intel ที่ใช้ CPU
เมืองนิวไทเป, ใต้หวัน–(BUSINESS WIRE)–19 พ.ค. 2565
SMART Modular Technologies, Inc. (“SMART”) ซึ่งเป็นหน่วยงานหนึ่งของ SGH (Nasdaq: SGH) และเป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ โซลิดสเตตไดรฟ์ และผลิตภัณฑ์สตอเรจแบบไฮบริด ได้ประกาศเปิดตัว SMART Kestral™ PCIe Optane™ Memory Add- in-Card (AIC) ซึ่งสามารถเพิ่มหน่วยความจำ Optane Memory ได้สูงสุด 2TB บนอินเทอร์เฟซ PCIe-Gen4-x16 หรือ PCIe-Gen3-x16 ที่ไม่ขึ้นกับ CPU ของเมนบอร์ด ทั้งนี้ Kestral AIC ของ SMART เร่งความเร็วอัลกอริธึมที่เลือกโดยการถ่ายโอนฟังก์ชันการจัดเก็บข้อมูลที่กำหนดโดยซอฟต์แวร์จาก CPU โฮสต์ไปยัง Intel FPGA บน AIC
ข่าวประชาสัมพันธ์นี้มีเนื้อหาเป็นมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20220518006168/en/
เทคโนโลยี Kestral PCIe Optane Memory Add-in-Card ของ SMART Modular Technologies (รูปภาพ: Business Wire)
AIC หน่วยความจำ Kestral ของ SMART เหมาะอย่างยิ่งสำหรับศูนย์ข้อมูลที่สเกลใหญ่มาก ๆ และสภาพแวดล้อมอื่น ๆ ที่คล้ายคลึงกันซึ่งต้องการใช้แอปพลิเคชันหน่วยความจำขนาดใหญ่ และที่สามารถได้รับประโยชน์จากการขยายหน่วยความจำหรือการเร่งความเร็วของระบบผ่านที่เก็บข้อมูลทางคอมพิวเตอร์ได้
“ด้วยความก้าวหน้าของมาตรฐานการเชื่อมต่อระหว่างกัน เช่น CXL และ OpenCAPI ทำให้สมาชิกครอบครัวใหม่ของ SMART อย่าง Kestral AIC รุ่นใหม่ สามารถตอบสนองความต้องการของอุตสาหกรรมในด้านรูปแบบโมดูล หน่วยความจำรูปแบบใหม่ และอินเทอร์เฟซสำหรับการขยายและการเร่งความเร็วของหน่วยความจำ” Mike Rubino รองประธานฝ่ายวิศวกรรมของ SMART Modular กล่าว “SMART สามารถใช้ประโยชน์จากประสบการณ์หลายปีของเราในการพัฒนาและผลิตโซลูชั่นหน่วยความจำที่ใช้คอนโทรลเลอร์ เพื่อตอบสนองความต้องการหน่วยความจำที่เกิดขึ้นใหม่แบบแอดออน และการพัฒนาอย่างต่อเนื่องด้านเซิร์ฟเวอร์และระบบสตอเรจให้กับลูกค้า”
ประโยชน์หลัก ๆ:
- หน่วยความจำต่อเซิร์ฟเวอร์มากขึ้นด้วยต้นทุนต่อกิกะไบต์ที่ลดลง
- การอัปเกรดภาคสนามสำหรับอัลกอริธึมและโปรโตคอลใหม่
- การอัพเกรดอย่างราบรื่นสำหรับเซิร์ฟเวอร์ที่มีอยู่ด้วยโซลูชันหน่วยความจำแบบกำหนดเอง
- รองรับเทคโนโลยีหน่วยความจำและโปรโตคอลที่หลากหลาย รวมถึง Intel Optane DIMM, DDR4 RDIMM และ LRDIMM
คุณลักษณะทางเทคนิค:
- ความสูงเต็มที่ ความยาวครึ่งหนึ่ง (FHHL) ฟอร์มแฟกเตอร์ช่องคู่
- Thermal Design Power (TDP) น้อยกว่า 150W โดยใช้ฮีทซิงค์แบบพาสซีฟ
- Intel Stratix® 10 DX FPGA ใช้งานด้วยการสนับสนุน IP หลายรายการสำหรับการกำหนดโซลูชัน
- Quad Core ARM A53 พร้อมหน่วยความจำ 2GB DDR4 ออนบอร์ดและการเร่งความเร็วการจัดเก็บ 8GB
- สล็อต DIMM สี่ช่องพร้อมช่องสัญญาณแยกกันสองช่อง ซึ่งสามารถใส่ Optane DIMM สี่ช่องสูงสุด 512GB ต่ออัน หรือ DDR4 RDIMM สองตัวสูงสุด 256GB
ในอนาคต AIC จาก SMART จะสามารถรองรับหน่วยความจำ Optane ขนาด 4TB ในโหมด App Direct แบบถาวรผ่านการโหลด/การจัดเก็บปกติสำหรับสถาปัตยกรรม CPU ทั้งหมด ซึ่งจะทำให้สล็อต DDR DIMM ที่ต่อพ่วงโดยตรงมีพื้นที่ว่างมากขึ้น การ์ดหน่วยความจำ SMART Kestral เหมาะอย่างยิ่งสำหรับเซิร์ฟเวอร์การฝึกอบรมปัญญาประดิษฐ์ (AI) และการเรียนรู้ด้วยเครื่อง (Machine Learning, ML) ซึ่งช่วยให้อัลกอริทึมขนาดใหญ่สามารถพัฒนาได้อย่างรวดเร็วและปราศจากความเสี่ยงที่จะเกิดความล้มเหลวระหว่างเหตุการณ์ไฟฟ้าดับ
สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ SMART Kestral Memory AIC โปรดไปที่ หน้าผลิตภัณฑ์ และรับ บทสรุปทางเทคนิค ที่ smartm.com หรือติดต่อฝ่ายขายได้ที่ info@smartm.com.
* ตัว “S” และ “SMART” ที่ออกแบบมาด้วยสไตล์พิเศษ ซึ่งรวมถึง “SMART Modular Technologies” เป็นเครื่องหมายการค้าหรือเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ SMART Modular Technologies, Inc. เครื่องหมายการค้าและเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนอื่น ๆ ทั้งหมด ถือเป็นทรัพย์สินของเจ้าของกิจการ
เกี่ยวกับ SMART Modular Technologies
เป็นเวลากว่า 30 ปีแล้วที่ SMART Modular Technologies ได้ช่วยเหลือลูกค้าทั่วโลกในการใช้งานการประมวลผลที่มีประสิทธิภาพสูงผ่านการออกแบบ การพัฒนา และการบรรจุภัณฑ์ในขั้นสูงของโซลูชันหน่วยความจำแบบพิเศษ กลุ่มผลิตภัณฑ์ที่แข็งแกร่งของเรามีตั้งแต่เทคโนโลยีระดับแนวหน้าในปัจจุบันไปจนถึงผลิตภัณฑ์ DRAM และ Flash storage แบบมาตรฐานและแบบเดิม เราจัดหาโซลูชันหน่วยความจำและสตอเรจแบบมาตรฐาน ทนทาน และกำหนดเองได้ ที่ตอบสนองความต้องการของแอพพลิเคชั่นที่หลากหลายในตลาดที่มีการเติบโตสูง
ดูเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20220518006168/en/
ติดต่อฝ่ายการตลาดผลิตภัณฑ์
Arthur Sainio
SMART Modular Technologies
39870 Eureka Dr., Newark, CA 94583
+1 (510) 364-3647
ติดต่อสำหรับสื่อ
John Crook
SMART Modular Technologies
ฝ่ายการสื่อสารการตลาด
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย