Tag Archives: mosfet

Featured, Technology, Uncategorized

Toshiba เปิดตัว MOSFET กำลังไฟฟ้า N-Channel 100V พร้อมเทคโนโลยีกระบวนการผลิตรุ่นล่าสุด เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพในแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งโหมดสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม

Logo

คาวาซากิ, ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–25 กันยายน 2025

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “TPH2R70AR5” ซึ่งเป็น MOSFET กำลังไฟ 100V N-channel ที่ผลิตด้วย U-MOS11-H ซึ่งเป็นกระบวนการผลิตรุ่นล่าสุดของ Toshiba[1] โดย MOSFET ได้รับการออกแบบมาเพื่อการใช้งานที่หลากหลาย เช่น แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งโหมดสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร ซึ่งเริ่มจัดส่งได้แล้ววันนี้

Toshiba: TPH2R70AR5, a 100V N-channel power MOSFET with the latest generation process technology.

Toshiba: TPH2R70AR5, MOSFET กำลังไฟฟ้า N-channel 100V พร้อมเทคโนโลยีกระบวนการผลิตรุ่นล่าสุด

ซีรีส์ 100V U-MOS11-H ได้ปรับปรุงความต้านทานในการเปิดเดรน-ซอร์ส (RDS(ON)) ประจุเกตรวม (Qg) และการแลกเปลี่ยนระหว่างประจุทั้งสอง (RDS(ON) × Qg) ที่ได้รับจากกระบวนการผลิตที่มีอยู่ของ Toshiba โดยซีรีส์ U-MOSX-H จะช่วยลดการสูญเสียพลังงานทั้งจากการนำไฟฟ้าและการสวิตชิ่งไฟฟ้า

TPH2R70AR5 ให้ค่า RDS(ON) ต่ำกว่าประมาณ 8% และ Qg ต่ำกว่า 37% เมื่อเทียบกับ TPH3R10AQM ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์ซีรีส์ U-MOSX-H รวมถึงการปรับปรุงค่า RDS(ON) × Qg ขึ้น 42% นอกจากนี้ยังมีประสิทธิภาพไดโอดแบบบอดี้ความเร็วสูงผ่านการใช้เทคโนโลยีการควบคุมตลอดอายุการใช้งาน[2] ซึ่งช่วยลดประจุไฟฟ้ากู้คืนแบบย้อนกลับ (Qrr) และลดแรงดันไฟฟ้าสไปค์ ค่า Qrr ได้รับการปรับปรุงประมาณ 38% และค่า RDS(ON) × Qrr ก็ได้รับการปรับปรุงประมาณ 43% เช่นกัน[3] คุณสมบัติการแลกเปลี่ยนที่เป็นผู้นำในอุตสาหกรรม[4] ทั้ง RDS(ON) × Qg และ RDS(ON) × Qrr จะช่วยลดการสูญเสียพลังงาน และทำให้มีประสิทธิภาพและความหนาแน่นของพลังงานที่สูงขึ้นในระบบจ่ายไฟ นอกจากนี้ยังใช้แพ็กเกจ SOP Advance (N) และให้ความเข้ากันได้ดีเยี่ยมกับการติดตั้งตามมาตรฐานอุตสาหกรรม

Toshiba ยังมีเครื่องมือสนับสนุนการออกแบบวงจร ได้แก่ รุ่น G0 SPICE ซึ่งตรวจสอบการทำงานของวงจรได้ภายในระยะเวลาอันสั้น และรุ่น G2 SPICE ที่มีความแม่นยำสูงซึ่งจำลองลักษณะชั่วคราวได้อย่างแม่นยำ ขณะนี้มีวางจำหน่ายแล้วทั้งหมด

Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ MOSFET ที่มีการสูญเสียต่ำ ซึ่งช่วยให้แหล่งจ่ายไฟมีประสิทธิภาพมากขึ้น และช่วยลดการใช้พลังงานของอุปกรณ์

 หมายเหตุ:
 [1] ณ เดือนกันยายน 2025 ในบรรดาเทคโนโลยีกระบวนการผลิตของ Toshiba สำหรับ MOSFET กำลังไฟฟ้าแรงดันต่ำ จากข้อมูลผลสำรวจของ Toshiba
 [2] เทคโนโลยีการควบคุมตลอดอายุการใช้งาน: การลดอายุการใช้งานของพาหะโดยเจตนาโดยใช้ลำแสงไอออนเพื่อนำข้อบกพร่องเข้าสู่สารกึ่งตัวนำ ช่วยเพิ่มความเร็วในการสลับ ซึ่งช่วยเพิ่มความเร็วในการกู้คืนของไดโอดและลดสัญญาณรบกวน
 [3] ณ เดือนกันยายน 2025 การเปรียบเทียบกับมอสเฟตกำลังไฟฟ้า 100V N-channel อื่นๆ สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม จากข้อมูลผลสำรวจของ Toshiba
 [4] RDS(ON) ×Qg : 120mΩ・nC (ทั่วไป), RDS(ON) ・Qrr : 127mΩ×nC (ทั่วไป)

 การใช้งาน

  • แหล่งจ่ายไฟสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร
  • แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์โหมด (ตัวแปลง DC-DC ประสิทธิภาพสูง ฯลฯ)

 คุณสมบัติ

  •  ความต้านทานต่อกระแสไฟเข้าที่ต่ำ: RDS(ON) ＝2.7mΩ (สูงสุด) (VGS =10V, ID =50A, Ta ＝25°C)
  •  ประจุเกตรวมต่ำ:: Qg =52nC (ทั่วไป) (VDD =50V, VGS =10V, ID =50A, Ta ＝25°C)
  •  ประจุกู้คืนย้อนกลับต่ำ: Qrr =55nC (ทั่วไป) (IDR ＝50A, VGS =0V, -dIDR /dt=100A/μs, Ta ＝25°C)

 ข้อมูลจำเพาะหลัก

 เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น, Ta =25°C)

หมายเลขชิ้นส่วน

 TPH2R70AR5

พิกัด
สูงสุด
จริง

แรงดันไฟฟ้าเดรน-ซอร์ส VDSS (V)

100

กระแสไฟฟ้าเดรน (DC) ID (A)

 Tc =25°C

190

 อุณหภูมิช่องสัญญาณ Tch (°C)

175

ลักษณะ
ทางไฟฟ้า

 ความต้านทาน
 ต่อกระแสไหลย้อน
 RDS(ON) (mΩ)

 VGS =10V, ID =50A

สูงสุด

2.7

 VGS =8V, ID ＝50A

สูงสุด

3.6

ประจุเกตรวม
 Qg (nC)

 VDD =50V, VGS =10V,
 ID =50A

ทั่วไป

52

 ประจุ
 สวิตช์เกต Qsw (nC)

ทั่วไป

17

 ประจุไฟฟ้าเอาต์พุต Q oss
 (nC)

 VDD =50V, VGS =0V,
 f=1MHz

ทั่วไป

106

 ความจุอินพุต
 Ciss (pF)

 VDS =50V, VGS =0V,
 f=1MHz

ทั่วไป

4105

 ประจุไฟฟ้า
 แบบกู้คืนย้อนกลับ Qrr (nC)

 IDR ＝50A, VGS =0V,

 -dIDR /dt=100A/μs

ทั่วไป

55

แพ็กเกจ

ชื่อ

SOP Advance(N)

ขนาด (มม.)

ทั่วไป

5.15×6.1

การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน

 ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TPH2R70AR5

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFET

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับโมเดล SPICE ที่มีความแม่นยำสูง (โมเดล G2)
โมเดล G2

ตรวจสอบความพร้อมจำหน่ายผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ได้ที่:
TPH2R70AR5
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมมากกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจต่างๆ

โดยมีพนักงานกว่า 19,400 คนทั่วโลกที่มีความมุ่งมั่นร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน บริษัทมุ่งหวังที่จะสร้างและมีส่วนสนับสนุนเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนโดยทั่วไป

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html  

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย 

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250924029500/en 

Contacts

การสอบถามจากลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์กำลังและสัญญาณขนาดเล็ก
โทร.: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

การสอบถามจากสื่อ:
C. Nagasawa
ฝ่ายสื่อสารและข่าวกรองการตลาด
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว SiC MOSFET รุ่นที่ 3 ขนาด 650V ในแพ็กเกจ DFN8x8

Logo

– สี่อุปกรณ์ใหม่ที่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและความหนาแน่นของพลังงานสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม –

คาวาซากิ, ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–20 พฤษภาคม 2025

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) เปิดตัวซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) MOSFET ขนาด 650V จำนวนสี่ตัวที่มาพร้อมกับอุปกรณ์ใหม่ล่าสุด[1] ชิป SiC MOSFET รุ่นที่ 3 ซึ่งบรรจุอยู่ในแพ็กเกจ DFN8x8 ขนาดกะทัดรัด เหมาะสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์โหมดและเครื่องปรับกำลังไฟฟ้าสำหรับเครื่องกำเนิดไฟฟ้าแบบโฟโตวอลเทอิก ปริมาณการจัดส่งอุปกรณ์ทั้งสี่ตัว “TW031V65C” “TW054V65C” “TW092V65C” และ “TW123V65C” เริ่มแล้ววันนี้

Toshiba: 650V 3rd generation SiC MOSFETs in DFN8x8 package

Toshiba: SiC MOSFET รุ่นที่ 3 ขนาด 650V ในแพ็กเกจ DFN8x8

ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้เป็น SiC MOSFET รุ่นที่ 3 รุ่นแรกที่ใช้แพ็กเกจ DFN8x8 แบบติดพื้นผิวขนาดเล็ก ซึ่งลดปริมาตรได้มากกว่า 90% เมื่อเทียบกับแพ็กเกจแบบใส่ตะกั่ว เช่น TO-247 และ TO-247-4L(X) และปรับปรุงความหนาแน่นของพลังงานของอุปกรณ์ การติดตั้งบนพื้นผิวยังช่วยให้ใช้ค่าความต้านทานปรสิตได้อีกด้วย[2] ชิ้นส่วนมีขนาดเล็กกว่าแพ็กเกจแบบสอดตะกั่ว ซึ่งช่วยลดการสูญเสียในการสลับ โดย DFN8x8 เป็นแบบ 4 พิน[3] แพ็กเกจนี้ช่วยให้สามารถใช้การเชื่อมต่อแบบเคลวินของขั้วต่อแหล่งสัญญาณสำหรับไดรฟ์เกตได้ ซึ่งจะช่วยลดอิทธิพลของความเหนี่ยวนำในสายแหล่งสัญญาณภายในแพ็กเกจได้ ทำให้มีประสิทธิภาพในการสลับความเร็วสูง ในกรณีของ TW054V65C จะสามารถช่วยลดการสูญเสียการเปิดเครื่องได้ประมาณ 55% และลดการสูญเสียการปิดเครื่องได้ประมาณ 25%[4] เปรียบเทียบกับผลิตภัณฑ์ Toshiba ในปัจจุบัน[5] ช่วยลดการสูญเสียพลังงานในอุปกรณ์

Toshiba จะขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ของตนต่อไปเพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์และเพิ่มความจุพลังงาน

หมายเหตุ:
 [1] ณ เดือนพฤษภาคม 2025
 [2] ความต้านทาน ความเหนี่ยวนำ ฯลฯ
 [3] ผลิตภัณฑ์ที่มีพินแหล่งสัญญาณเชื่อมต่อใกล้กับชิป FET
 [4] ณ เดือนพฤษภาคม 2025 ค่าที่วัดโดย Toshiba สำหรับรายละเอียด โปรดดูรูปที่ 1 ในเวอร์ชันของรุ่นนี้บนเว็บไซต์ของ Toshiba
 [5] SiC MOSFET รุ่นที่ 3 ขนาด 650V ที่มีแรงดันไฟฟ้าเทียบเท่าและความต้านทานการเปิดที่ใช้แพ็กเกจ TO-247 โดยไม่มีการเชื่อมต่อแบบเคลวิน

แอปพลิเคชัน

  • แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์โหมดในเซิร์ฟเวอร์ ศูนย์ข้อมูล อุปกรณ์สื่อสาร ฯลฯ
  • สถานีชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า
  • อินเวอร์เตอร์โฟโตวอลเทอิก (อินเวอร์เตอร์โซลาร์เซลล์)
  • เครื่องจ่ายไฟสำรอง

คุณสมบัติ

  • แพ็กเกจติดตั้งบนพื้นผิว DFN8x8 ช่วยให้สามารถย่อขนาดอุปกรณ์และประกอบอัตโนมัติได้ การสูญเสียการสลับต่ำ
  • ทรานซิสเตอร์ SiC MOSFET รุ่นที่ 3 ของ Toshiba
  • การพึ่งพาอุณหภูมิของความต้านทานการเปิด-ปิดของแหล่งจ่ายได้ดีโดยการปรับความต้านทานการดริฟท์และอัตราส่วนความต้านทานของช่องสัญญาณให้เหมาะสม
  • ความต้านทานการเปิด-ปิดของแหล่งจ่ายต่ำ x ประจุเกต-ท่อระบาย
  • แรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้าของไดโอดต่ำ: VDSF =-1.35V (ทั่วไป) (VGS =-5V)

คุณสมบัติหลัก

 (เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น, Ta =25℃)

หมายเลขชิ้นส่วน

 TW031V65C

 TW054V65C

 TW092V65C

 TW123V65C

แพ็กเกจ

ชื่อ

DFN8x8

ขนาด (มม)

ทั่วไป

8.0×8.0×0.85

ค่าพิกัดสูงสุดจริง

 แรงดันไฟเดรน-ซอร์ส VDSS (V)

650

 แรงดันไฟเกต-ซอร์ส VGSS (V)

-10 ถึง 25

 กระแสเดรน (DC) ID (A)

 Tc =25°C

53

36

27

18

คุณลักษณะทางไฟฟ้า

 ค่าความต้านทานสถานะเปิดเดรน-ซอร์ส R DS(ON) (mΩ)

 VGS =18V

ทั่วไป

31

54

92

123

 แรงดันไฟฟ้าเกณฑ์เกต Vth (V)

 VDS =10V

3.0 ถึง 5.0

 ประจุเกตทั้งหมด Qg (nC)

 VGS =18V

ทั่วไป

65

41

28

21

 ประจุเกต-เดรน Qgd (nC)

 VGS =18V

ทั่วไป

10

6.2

3.9

2.3

 ความจุอินพุต Ciss (pF)

 VDS =400V

ทั่วไป

2288

1362

873

600

 แรงดันเดินหน้าไดโอด VDSF (V)

 VGS =-5V

ทั่วไป

-1.35

การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน

 ซื้อออนไลน์

 ซื้อออนไลน์

 ซื้อออนไลน์

 ซื้อออนไลน์

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
คุณสมบัติของ SiC MOSFET รุ่นที่ 3
คำถามที่พบบ่อยเกี่ยวกับ SiC MOSFET
การเปรียบเทียบ SiC MOSFET และ Si IGBT
ค่าพิกัดสูงสุดที่แน่นอนและคุณลักษณะทางไฟฟ้าของ SiC MOSFET

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TW031V65C
TW054V65C
TW092V65C
TW123V65C

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูรายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับ SiC Power Devices ของ Toshiba
SiC Power Devices

เพื่อตรวจสอบความพร้อมจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ ให้ไปที่:
TW031V65C
ซื้อออนไลน์

TW054V65C
ซื้อออนไลน์

TW092V65C
ซื้อออนไลน์

TW123V65C
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลล่าสุดในวันที่ประกาศ แต่สามารถเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชั่นเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง มีประสบการณ์และนวัตกรรมมากกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจต่างๆ

โดยมีพนักงานกว่า 19,400 คนทั่วโลกที่มีความมุ่งมั่นร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน บริษัทมุ่งหวังที่จะสร้างและมีส่วนสนับสนุนเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนโดยทั่วไป

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html  

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250519603867/en  

Contacts

การสอบถามสำหรับลูกค้า
แผนกขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้าและสัญญาณขนาดเล็ก
โทร.: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

การสอบถามสำหรับสื่อ
Chiaki Nagasawa
แผนกการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัวโฟโตคัปเปลอร์ไดรเวอร์เกต SiC MOSFET พร้อมฟังก์ชันความปลอดภัยที่พัฒนาสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–06 มีนาคม 2025

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัวโฟโตคัปเปลอร์ไดรเวอร์เกต ”TLP5814H” ด้วยเอาต์พุต +6.8A/-4.8A ในแพ็คเกจ SO8L ขนาดเล็กที่รวมเอา ฟังก์ชันแคลมป์ Miller แบบแอคทีฟสำหรับการไดร์ฟ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ที่ได้มีการเริ่มจัดส่งจำนวนมากตั้งแต่วันนี้

Toshiba: SiC MOSFET gate driver photocoupler TLP5814H with enhanced safety functions for industrial equipment. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: โฟโตคัปเปลอร์ไดร์ฟเกต SiC MOSFET TLP5814H พร้อมฟังก์ชันความปลอดภัยขั้นสูงสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม (กราฟิก: Business Wire)

 ในวงจร เช่น อินเวอร์เตอร์ ที่ใช้ MOSFET หรือ IGBT แบบอนุกรม แรงดันเกตสามารถสร้างขึ้นจากกระแสของ Miller[1] ได้เมื่อมีการปิดแขนท่อนล่าง[2] ทำให้เกิดความผิดปกติ เช่น ไฟฟ้าลัดวงจรที่แขนท่อนบนและท่อนล่าง[3] ฟังก์ชันการป้องกันที่ใช้กันทั่วไปเพื่อป้องกันไม่ให้เกิดเหตุการณ์นี้คือการใช้แรงดันไฟฟ้าลบที่เกตเมื่อมีการปิดอุปกรณ์

สำหรับ SiC MOSFET บางตัว ซึ่งโดยทั่วไปจะมีแรงดันไฟฟ้าที่สูงกว่า ความต้านทานสถานะเปิดที่ต่ำกว่า และคุณลักษณะการสวิชชิ่งที่เร็วกว่าซิลิคอน (Si) MOSFET และไม่สามารถใช้แรงดันไฟฟ้าเชิงลบที่เพียงพอระหว่างเกตและแหล่งกำเนิดได้ ในกรณีนี้ สามารถใช้วงจรแคลมป์ Miller แบบแอคทีฟเพื่อจ่ายกระแสของ Miller จากเกตลงกราวด์ได้ เพื่อป้องกันการลัดวงจรโดยไม่จำเป็นต้องใช้แรงดันลบ อย่างไรก็ตาม ได้มีการออกแบบที่ลดต้นทุนเพื่อช่วยลดแรงดันไฟฟ้าเชิงลบที่จ่ายให้กับเกตเมื่อปิด IGBT และในกรณีเหล่านี้ได้ โดยมีไดรเวอร์เกตที่มีแคลมป์ Miller แบบแอคทีฟในตัวเป็นตัวเลือกสำหรับการใช้งาน

ผลิตภัณฑ์ใหม่มีวงจรแคลมป์ Miller แบบแอคทีฟในตัว ดังนั้นจึงไม่จำเป็นต้องจ่ายไฟเพิ่มเติมสำหรับแรงดันลบและวงจรแคลมป์ Miller แบบแอคทีฟภายนอก ซึ่งให้ฟังก์ชันด้านความปลอดภัยสำหรับระบบและยังช่วยลดขนาดของระบบด้วยการลดจำนวนวงจรภายนอก โดยวงจรแคลมป์ Miller แบบแอคทีฟจะมีความต้านทานของช่องสัญญาณ 0.69Ω (ทั่วไป) และพิกัดกระแสของแคลมป์สูงสุดอยู่ที่ 6.8A ทำให้เหมาะสำหรับเป็นไดรเวอร์เกตสำหรับ SiC MOSFET ซึ่งมีความไวสูงต่อการเปลี่ยนแปลงแรงดันไฟเกต

TLP5814H มีระดับอุณหภูมิในการทำงานที่ -40 ถึง 125°C ซึ่งทำได้โดยการเพิ่มเอาต์พุตทางแสงของไดโอดเปล่งแสงอินฟราเรดที่ฝั่งอินพุต และเพิ่มประสิทธิภาพการออกแบบอุปกรณ์ตรวจจับภาพ (อาร์เรย์โฟโตไดโอด) เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพการเชื่อมต่อด้วยแสง ทำให้เหมาะสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ต้องการการจัดการระบายความร้อนที่เข้มงวด เช่น อินเวอร์เตอร์ของแผงโซลาร์เซลล์ (PV) และเครื่องสำรองไฟ (UPS) นอกจากนี้ยังมีเวลาหน่วงในการแปลี่ยนสัญญาณและความแตกต่างของเวลาหน่วงในการแปลี่ยนสัญญาณในช่วงพิกัดอุณหภูมิการทำงานด้วย โดยแพ็คเกจขนาดเล็ก SO8L 5.85 × 10 × 2.1 มม. (ทั่วไป) จะช่วยปรับปรุงความยืดหยุ่นในการจัดวางชิ้นส่วนบนบอร์ดระบบ นอกจากนี้ ยังมีระยะห่างตามผิวฉนวนขั้นต่ำ 8.0 มม. ทำให้สามารถใช้สำหรับการใช้งานที่ต้องการประสิทธิภาพของฉนวนสูง

Toshiba จะยังคงพัฒนาผลิตภัณฑ์โฟโตคัปเปลอร์ซึ่งจะช่วยยกระดับฟังก์ชันความปลอดภัยของอุปกรณ์อุตสาหกรรมต่อไป

 หมายเหตุ:
 [1] กระแสของมิลเลอร์: กระแสไฟฟ้าที่สร้างขึ้นเมื่อมีการใช้แรงดันไฟฟ้า dv/dt สูงกับความจุไฟฟ้าระหว่างเดรนและเกตของ MOSFET หรือระหว่างคอลเลคเตอร์และเกตของ IGBT
 [2] แขนส่วนล่างจะเป็นส่วนที่ดึงกระแสจากโหลดของวงจรที่มีการใช้อุปกรณ์กำลัง เช่น อินเวอร์เตอร์แบบอนุกรมไปยังแหล่งจ่ายไฟเชิงลบ (หรือกราวด์) โดยแขนส่วนบนจะเป็นส่วนที่จ่ายกระแสจากแหล่งจ่ายไฟไปยังโหลด
 [3] การลัดวงจรที่แขนส่วนบนและส่วนล่าง: ปรากฏการณ์ที่อุปกรณ์จ่ายไฟส่วนบนและล่างเปิดพร้อมกันเนื่องจากการทำงานผิดปกติที่เกิดจากเสียงรบกวน หรืออุปกรณ์ไฟฟ้าทำงานผิดปกติเนื่องจากกระแสของมิลเลอร์ในระหว่างการสวิชชิ่ง

 การใช้งาน

อุปกรณ์อุตสาหกรรม

  • อินเวอร์เตอร์ PV, UPS, อินเวอร์เตอร์อุตสาหกรรม, ไดรฟ์เซอร์โว AC ฯลฯ

อุปกรณ์ที่เหมาะสมสำหรับ TLP5814H

SiC MOSFETs

Si MOSFET แรงดันสูงที่มีพิกัดมากกว่า 300V

IGBTs

ดีเยี่ยม

ดี

ใช้งานได้

 ฟีเจอร์

  • ฟังก์ชั่น Active Miller Clamp ในตัว
  •  อัตรากระแสไฟขาออกสูงสุด: IOP = +6.8A/-4.8A
  •  พิกัดอุณหภูมิการทำงานสูง: Topr (สูงสุด)=125°C

 ข้อมูลจำเพาะหลัก

 (เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น Ta =-40 to 125°C)

หมายเลขชิ้นส่วน

 TLP5814H

ฟังก์ชั่น Active Miller Clamp

ในตัว

แพ็คเกจ

ชื่อ

SO8L

ขนาด (มม.)

ทั่วไป

5.85×10×2.1

พิกัด

สูงสุด

แท้จริง

 อุณหภูมิในการทำงาน Topr (°C)

-40 ถึง 125

 กระแสไฟขาออกสูงสุด IOPL /IOPH (A)

+6.8/-4.8

 กระแสไฟฟ้าแคลมป์พีค ICLAMP (A)

+6.8

สภาพ

การใช้งาน

ที่แนะนำ

 แรงดันไฟฟ้า VCC (V)

13 ถึง 23

 อินพุตสถานะเปิดปัจจุบัน IF(ON) (mA)

4.5 ถึง 10

คุณลักษณะ

ทางไฟฟ้า

 กระแสจ่ายไฟระดับสูง ICCH (mA)

 VCC –VEE =23V

สูงสุด

5.0

 กระแสจ่ายไฟระดับต่ำ ICCL (mA)

สูงสุด

5.0

 กระแสอินพุตขีดเริ่ม (L/H) IFLH (mA)

สูงสุด

3.0

 แรงดันขีดเริ่ม UVLO VUVLO＋ (V)

สูงสุด

13.2

คุณลักษณะ

ของสวิชชิ่ง

 เวลาหน่วงในการแปลี่ยนสัญญาณ (L/H) tpLH (ns)

 VCC =23V

สูงสุด

150

 เวลาหน่วงในการแปลี่ยนสัญญาณ (H/L) tpHL (ns)

 VCC =23V

สูงสุด

130

 ภูมิคุ้มกันการเกิดแรงดันไฟฟ้าเกินชั่วครู่ในโหมดปกติ CMH , CML (kV/μs)

 Ta =25°C

ต่ำสุด

±70

คุณลักษณะ

ของการแยกวงจร

 แรงดันไฟฟ้าแยก BVS (Vrms)

 Ta =25°C

ต่ำสุด

5000

ตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน

 ซื้อออนไลน์

โปรดไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TLP5814H

โปรดไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับตัวแยกกระแสไฟ/โซลิดสเตตรีเลย์ของ Toshiba
ตัวแยกกระแสไฟ/โซลิดสเตตรีเลย์

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
TLP5814H
ซื้อออนไลน์

 * ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง
 * ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมมากกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจต่างๆ

โดยมีพนักงานกว่า 19,400 คนทั่วโลกที่มีความมุ่งมั่นร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน บริษัทมุ่งหวังที่จะสร้างและมีส่วนสนับสนุนเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนโดยทั่วไป

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html  

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/54218557/en

Contacts

การสอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์
โทร.: +81-44-548-2218
ติดต่อเรา

การสอบถามข้อมูลสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เริ่มจัดส่งตัวอย่างขั้นทดสอบของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) 1200V แบบดายเปลือยที่มีความต้านทานขณะทำงานต่ำและมีความเสถียรสูงสำหรับใช้ในอินเวอร์เตอร์ฉุดลากยานยนต์

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–12 พฤศจิกายน 2024

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (หรือ Toshiba) ได้พัฒนา “X5M007E120” ซึ่งเป็น MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) 1200V แบบดายเปลือย[1] สำหรับอินเวอร์เตอร์ฉุดลากยานยนต์ [2] พร้อมโครงสร้างที่เป็นนวัตกรรมใหม่ที่ให้ความต้านทานขณะทำงานต่ำและให้ความเสถียรสูง โดยได้มีการจัดส่งตัวอย่างขั้นทดสอบเพื่อให้ลูกค้าประเมินแล้วในขณะนี้

Toshiba: X5M007E120, a bare die 1200V silicon carbide (SiC) MOSFET for automotive traction inverters with an innovative structure that deliver both low On-resistance and high reliability. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: X5M007E120 ซึ่งเป็น MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) 1200V แบบดายเปลือยสำหรับอินเวอร์เตอร์ฉุดลากยานยนต์ พร้อมโครงสร้างที่เป็นนวัตกรรมใหม่ที่ให้ความต้านทานขณะทำงานต่ำและให้ความเสถียรสูง (กราฟิก: Business Wire)

ความเสถียรของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์แบบทั่วไปจะลดลงในกรณีที่ความต้านทานขณะทำงานเพิ่มขึ้นเมื่อไดโอดของตัวอุปกรณ์ได้รับพลังงานแบบไบโพลาร์[3] ระหว่างการทำงานแบบนำกระแสไฟฟ้าย้อนกลับ[4] ซึ่ง MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ของ Toshiba ลดปัญหานี้ด้วยโครงสร้างอุปกรณ์ที่ฝังไดโอดแบริเออร์ Schottky (SBD) ลงใน MOSFET เพื่อปิดการทำงานไดโอดของตัวอุปกรณ์ แต่การวางตำแหน่ง SBD บนชิปจะลดพื้นที่สำหรับช่องกระแสไฟฟ้าที่จะกำหนดความต้านทานของ MOSFET ขณะนำกระแสไฟฟ้า และเพิ่มความต้านทานขณะทำงานของชิป

SBD ที่ฝังอยู่ใน X5M007E120 จะถูกจัดเรียงในรูปแบบร่องสลับแทนการจัดเรียงรูปแบบแถบที่มักจะใช้โดยทั่วไป ซึ่งการจัดวางลักษณะนี้ช่วยลดการให้พลังงานไดโอดตัวอุปกรณ์แบบไบโพลาร์ได้อย่างมีประสิทธิภาพ ในขณะเดียวกันก็จะเพิ่มขีดจำกัดสูงสุดของการทำงานแบบยูนิโพลาร์เป็นสองเท่าของพื้นที่ปัจจุบันโดยประมาณ แม้ว่าจะกินพื้นที่ติดตั้ง SBD เดียวกันก็ตาม[5] นอกจากนี้ความหนาแน่นของช่องกระแสไฟฟ้ายังเพิ่มขึ้นเมื่อเทียบกับการจัดเรียงแบบแถบ ส่วนความต้านทานขณะนำงานต่อพื้นที่หน่วยจะลดลง 20% ถึง 30% โดยประมาณ[5] ประสิทธิภาพที่ดีขึ้นพร้อมกับความต้านทานขณะทำงานต่ำในขณะที่ยังคงรักษาความเสถียรในกรณีที่มีการทำงานแบบนำกระแสไฟฟ้าย้อนกลับจะช่วยให้อินเวอร์เตอร์ที่ใช้ในการควบคุมมอเตอร์ (เช่น อินเวอร์เตอร์ฉุดลากยานยนต์) ใช้พลังงานน้อยลง

การลดความต้านทานขณะทำงานของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์จะส่งผลให้กระแสไฟฟ้าส่วนเกินไหลผ่าน MOSFET ขณะไฟฟ้าลัดวงจร[6] ซึ่งจะลดความทนทานต่อไฟฟ้าลัดวงจร การเพิ่มการนำกระแสไฟฟ้าของ SBD ที่ฝังเพื่อเพิ่มความเสถียรเมื่อมีการทำงานแบบนำกระแสไฟฟ้าย้อนกลับยังส่งผลให้มีกระแสไฟฟ้ารั่วไหลเพิ่มขึ้นขณะไฟฟ้าลัดวงจรด้วย ซึ่งแน่นอนว่าเป็นการลดความทนทานต่อไฟฟ้าลัดวงจร ดายเปลือยแบบใหม่นี้มีโครงสร้างแบริเออร์แบบลึก[7]  ที่ช่วยลดกระแสไฟฟ้าส่วนเกินใน MOSFET และกระแสไฟฟ้ารั่วไหลใน SBD ในระหว่างไฟฟ้าลัดวงจร ช่วยเพิ่มความทนทานในขณะที่ยังคงรักษาความเสถียรในกรณีที่มีการทำงานแบบนำกระแสไฟฟ้าย้อนกลับได้อย่างยอดเยี่ยม

ผู้ใช้สามารถปรับแต่งดายเปลือยให้ตรงกับความต้องการด้านการออกแบบของตนโดยเฉพาะและนำโซลูชันไปปรับใช้ตามจุดมุ่งหมายของตนได้

Toshiba คาดการณ์ว่าจะจัดส่งตัวอย่างทางวิศวกรรมของ X5M007E120 ในปี 2025 และจะเริ่มการผลิตจำนวนมากในปี 2026 โดยในระหว่างนี้ บริษัทจะสำรวจความเป็นไปได้ในการปรับปรุงลักษณะเฉพาะของอุปกรณ์เพิ่มเติม

Toshiba จะร่วมสร้างสังคมปลอดคาร์บอนด้วยการมอบเซมิคอนดักเตอร์กำลังที่ใช้งานง่ายและมีประสิทธิภาพสูงยิ่งขึ้นแก่ลูกค้าในส่วนงานที่มุ่งเน้นประสิทธิภาพในการใช้พลังงานเป็นสำคัญ เช่น อินเวอร์เตอร์สำหรับควบคุมมอเตอร์ และระบบควบคุมกำลังไฟฟ้าสำหรับรถยนต์ไฟฟ้า

หมายเหตุ:
[1] ผลิตภัณฑ์ชิปแบบไม่มีบรรจุภัณฑ์
[2] อุปกรณ์ที่แปลงไฟฟ้ากระแสตรงที่ได้มาจากแบตเตอรี่เป็นไฟฟ้ากระแสสลับ และควบคุมมอเตอร์ต่างๆ ในรถยนต์ไฟฟ้า (EV) หรือรถยนต์ไฮบริด (HEV)
[3] การทำงานแบบไบโพลาร์เมื่อมีการใช้แรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้ากับไดโอด pn ระหว่างเดรนและซอร์ส
[4] การทำงานที่กระแสไฟฟ้าไหลจากซอร์สไปยังเดรนของ MOSFET เนื่องจากกระแสไฟฟ้าในวงจรไหลย้อน
[5] เปรียบเทียบกับผลิตภัณฑ์ของ Toshiba ที่ใช้การจัดเรียงรูปแบบแถบ
[6] ปรากฏการณ์ที่เกิดการนำกระแสไฟฟ้าระยะยาวในโหมดที่ไม่ปกติ เช่น เมื่อวงจรควบคุมขัดข้อง เทียบกับการนำกระแสไฟฟ้าระยะสั้นระหว่างการทำงานเปิดปิดสวิตช์ตามปกติ ซึ่งจำเป็นต้องมีความทนทานที่สามารถทนต่อการทำงานในกรณีที่ไฟฟ้าลัดวงจรติดต่อกันระยะเวลาหนึ่งโดยไม่ล้มเหลว
[7] องค์ประกอบของโครงสร้างอุปกรณ์ที่มีไว้ควบคุมสนามไฟฟ้าแรงสูงที่เกิดขึ้นเนื่องจากไฟฟ้ามีแรงดันสูง ซึ่งเป็นส่วนที่มีผลเป็นอย่างมากต่อประสิทธิภาพของอุปกรณ์

การใช้งาน

  • อินเวอร์เตอร์ฉุดลากยานยนต์

คุณสมบัติ

  • มีความต้านทานขณะทำงานต่ำและมีความเสถียรสูง
  • ดายเปลือยสำหรับยานยนต์
  • ผ่านการรับรอง AEC-Q100
  • พิกัดแรงดันไฟฟ้าระหว่างเดรนและซอร์ส: VDSS=1200V
  • พิกัดกระแสไฟฟ้า (กระแสตรง) ที่เดรน: ID=(229)A[8]
  • ความต้านทานขณะทำงานต่ำ:
    RDS(ON)=7.2mΩ (ปกติ) (VGS=+18V, Ta=25°C)
    RDS(ON)=12.1mΩ (ปกติ) (VGS=+18V, Ta=175°C)

หมายเหตุ
[8] ค่าโดยประมาณ

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(Ta=25°C, เว้นแต่จะระบุเป็นอย่างอื่น)

หมายเลขชิ้นส่วน

X5M007E120

บรรจุภัณฑ์

ชื่อบรรจุภัณฑ์ของ Toshiba

2-7Q1A

ขนาด (มม.)

ปกติ

6.0×7.0

พิกัด

สูงสุด

สัมบูรณ์

แรงดันไฟฟ้าระหว่างเดรนและซอร์ส VDSS (V)

1200

แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตและซอร์ส VGSS (V)

+25/-10

กระแสไฟฟ้าที่เดรน (กระแสตรง) ID (A)

(229)[8]

กระแสไฟฟ้าที่เดรน (พัลส์) ID พัลส์ (A)

(458)[8]

อุณหภูมิช่องกระแสไฟฟ้า Tch (°C)

175

ค่า

ทางไฟฟ้า

แรงดันขีดเริ่มที่เกต

Vth (V)

VDS =10V,

ID=16.8mA

ปกติ

4.0

ความต้านทานขณะทำงาน

ระหว่างเดรนและซอร์ส

RDS(on) (mΩ)

ID=50A,

VGS =+18V

ปกติ

7.2

ID=50A,

VGS =+18V,

Ta=175°C

ปกติ

12.1

แรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้า

VSD (V)

ISD=50A,

VGS =-5V

ปกติ

-1.21

แรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้า

VSD (V)

ISD=50A,

VGS=-5V,

Ta=175°C

ปกติ

-1.40

ความต้านทานที่เกตภายใน

rg (Ω)

เดรนเปิด,

f=1MHz

ปกติ

3.0

ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ X5M007E120 ในข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับเต็มได้ที่ลิงก์ด้านล่าง
Toshiba เริ่มจัดส่งตัวอย่างขั้นทดสอบของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) 1200V แบบดายเปลือยที่มีความต้านทานขณะทำงานต่ำและมีความเสถียรสูงสำหรับใช้ในอินเวอร์เตอร์ฉุดลากยานยนต์

ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับอุปกรณ์กำลังไฟฟ้าซิลิคอนคาร์ไบด์ของ Toshiba ได้ที่ลิงก์ด้านล่าง
อุปกรณ์กำลังไฟฟ้าซิลิคอนคาร์ไบด์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้นๆ
* ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ซึ่งรวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลติดต่อเป็นข้อมูลล่าสุด ณ วันที่ประกาศ แต่สามารถเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซึ่งเป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านเซมิคอนดักเตอร์และโซลูชันการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ได้นำนวัตกรรมและประสบการณ์ที่สั่งสมมานานกว่าครึ่งศตวรรษมาใช้เพื่อมอบเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน, LSI ของระบบ และผลิตภัณฑ์ฮาร์ดดิสก์ไดรฟ์ที่มีประสิทธิภาพโดดเด่นแก่ลูกค้าและพาร์ทเนอร์ธุรกิจ

พนักงานที่มีอยู่ทั่วโลกกว่า 19,400 ชีวิตล้วนมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ที่อยู่ในระดับสูงสุด และส่งเสริมการทำงานร่วมกับลูกค้าอย่างใกล้ชิดเพื่อร่วมกันสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ๆ บริษัทมุ่งหวังที่จะสร้างและมีส่วนร่วมสร้างอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนแห่ง

เรียนรู้เพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/54145871/en

ข้อมูลติดต่อ

สำหรับลูกค้าที่ต้องการสอบถามข้อมูล
Power & Small Signal Device Sales & Marketing Dept.I
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

สำหรับสื่อที่ต้องการสอบถามข้อมูล
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Dept.
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

.