Tag Archives: mosfets

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว SiC MOSFETs รุ่นที่ 3 ขนาด 650V ในแพ็กเกจ TOLL

Logo

– 3 อุปกรณ์ใหม่ที่ช่วยยกระดับประสิทธิภาพ และความหนาแน่นพลังงานของอุปกรณ์อุตสาหกรรม –

คาวาซิกิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–28 สิงหาคม 2025

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) เปิดตัว SiC MOSFETs ขนาด 650V จำนวน 3 ตัวที่มาพร้อมเทคโนโลยีล่าสุด[1] ชิป SiC MOSFET รุ่นที่ 3ในแพ็กเกจ TOLL แบบติดตั้งบนพื้นผิว อุปกรณ์รุ่นใหม่ที่เหมาะกับเครื่องจักรอุตสาหกรรม เช่น แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์และตัวปรับกำลังไฟสำหรับเครื่องกำเนิดไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์ การจัดส่ง MOSFETs, “ TW027U65C,” “ TW048U65C,” และ “ TW083U65C,” เริ่มแล้วตั้งแต่วันนี้

Toshiba: 650V 3rd generation SiC MOSFETs in TOLL package.

Toshiba: SiC MOSFETs รุ่นที่ 3 ขนาด 650V ในแพ็กเกจ TOLL

ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้คือ SiC MOSFETs รุ่นที่ 3 ของ Toshiba ในแพ็กเกจ TOLL แบบติดตั้งบนพื้นผิวสำหรับการใช้งานทั่วไป ช่วยลดขนาดของอุปกรณ์ได้มากกว่า 80% เมื่อเทียบกับแพ็กเกจแบบทะลุผ่านรู อย่าง TO-247 และ TO-247-4L(X) พร้อมเพิ่มความหนาแน่นพลังงานของอุปกรณ์อีกด้วย

นอกจากนี้ แพ็กเกจ TOLL มีค่าความต้านทานปรสิต[2]ต่ำกว่าแพ็กเกจแบบทะลุผ่านรู ซึ่งช่วยลดการสูญเสียพลังงานขณะสลับสวิชต์เปิดปิด และเนื่องจากเป็นแพ็กเกจแบบ 4 [3]ขั้วจึงสามารถใช้การเชื่อมต่อแบบเคลวินเป็นขั้วต่อแหล่งสัญญาณสำหรับวงจรขับเกตได้ วิธีนี้ช่วยลดผลกระทบการเหนี่ยวนำจากสายไฟต้นทางภายในแพ็กเกจ ส่งผลให้การสลับสวิตช์มีประสิทธิภาพและความเร็วสูง อย่างในกรณีของ TW048U65C การสูญเสียพลังงานขณะเปิดและปิดลดลงประมาณ 55% และ 25% [4]ตามลำดับ เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ของ Toshiba ในปัจจุบัน[5]ซึ่งส่งผลให้การสูญเสียพลังงานของอุปกรณ์ลดลง

Toshiba จะขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ต่อไป เพื่อช่วยยกระดับประสิทธิภาพของอุปกรณ์และเพิ่มความสามารถในการจ่ายพลังงาน

กลุ่มผลิตภัณฑ์แพ็กเกจ SiC MOSFET รุ่นที่ 3

ประเภท

แพ็กเกจ

แบบทะลุผ่านรู

 TO-247

 TO-247-4L(X)

แบบติดตั้งบนพื้นผิว

 DFN8×8

 TOLL

หมายเหตุ:
[1] ข้อมูล ณ เดือนสิงหาคม 2025
[2] ความต้านทาน ความเหนี่ยวนำ และอื่นๆ
[3] ผลิตภัณฑ์ที่ขั้วสัญญาณต้นทางเชื่อมต่อใกล้ชิป FET
[4] ข้อมูล ณ เดือนสิงหาคม 2025 วัดค่าโดย Toshiba สามารถดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้จากรูปที่ 1 ในข่าวประชาสัมพันธ์บนเว็บไซต์ Toshiba.
[5] SiC MOSFET รุ่นที่ 3 ขนาด 650V กับแรงดันเทียบเท่าและความต้านทานขณะเปิดที่ใช้แพ็กเกจ TO-247 โดยไม่มีการเชื่อมต่อแบบเคลวิน

การใช้งาน

  • แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์โหมดในเซิร์ฟเวอร์ ศูนย์ข้อมูล อุปกรณ์สื่อสาร ฯลฯ
  • สถานีชาร์จรถไฟฟ้า
  • ตัวแปลงไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์
  • แหล่งจ่ายไฟสำรอง

คุณสมบัติ

  • แพ็กเกจ TOLL แบบติดตั้งบนพื้นผิว: ช่วยลดขนาดของเครื่องจักร รองรับการประกอบอัตโนมัติ และลดการสูญเสียพลังงานขณะสลับสวิชต์
  • SiC MOSFETs รุ่นที่ 3 ของ Toshiba:
     – ปรับอัตราส่วนระหว่างความต้านทานดริฟต์และความต้านทานช่องสัญญาณ ทำให้ความต้านทานขณะเปิดระหว่างขั้วเดรนและขั้วซอร์สมีความคงที่ตามอุณหภูมิ
     – ค่าความต้านทานขณะเปิดระหว่างเดรน-ซอร์ส x ประจุเกตและเดรนต่ำ
     – แรงดันตกคร่อมของไดโอดต่ำ: VDSF =-1.35V(typ.) (VGS =-5V)

 รายละเอียดสำคัญ

 (เว้นแต่ระบุเป็นอย่างอื่น, Ta =25 องศาเซลเซียส)

หมายเลขผลิตภัณฑ์

 TW027U65C

 TW048U65C

 TW083U65C

แพ็กเกจ

ชื่อ

TOLL

ขนาด (มิลลิเมตร)

ประเภท

9.9×11.68×2.3

 ค่า
สูงสุด
สัมบูรณ์

แรงดันระหว่างเดรน-ซอร์ส VDSS (โวลต์)

650

แรงดันระหว่างเกต-ซอร์ส VGSS (โวลต์)

-10 ถึง 25

กระแสเดรน (DC) ID (แอมแปร)

 Tc =25°C

57

39

28

 คุณลักษณะทางไฟฟ้า

ความต้านทานขณะเปิดระหว่างเดรน-ซอร์ส RDS(ON) (mΩ)

 VGS =18V

ประเภท

27

48

83

แรงดันเกต Vth (V)

 VDS =10V

3.0 ถึง 5.0

 ประจุเกตรวม Qg (nC)

 VGS =18V

Typ.

65

41

28

ประจุเกต-เดรน Qgd (nC)

 VGS =18V

Typ.

10

6.2

3.9

ความจุอินพุต Ciss (pF)

 VDS =400V

Typ.

2288

1362

873

แรงดันตกคร่อมของไดโอด VDSF (V)

 VGS =-5V

Typ.

-1.35

ดูตัวอย่างและความพร้อมของสินค้า

 สั่งซื้อออนไลน์

 สั่งซื้อออนไลน์

 สั่งซื้อออนไลน์

ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่ได้ที่ลิงก์ด้านล่าง
TW027U65C
TW048U65C
TW083U65C

ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับอุปกรณ์พลังงาน SiC ของ Toshiba ได้ที่ลิงก์ด้านล่าง
SiC Power Devices

ตรวจสอบความพร้อมของผลิตภัณฑ์ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ได้ที่:
TW027U65C
สั่งซื้อออนไลน์

TW048U65C
สั่งซื้อออนไลน์

TW083U65C
สั่งซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้นๆ
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและรายละเอียดของผลิตภัณฑ์ บริการด้านเนื้อหา และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูล ณ วันที่ประกาศ อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมมากกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจต่างๆ

โดยมีพนักงานกว่า 19,400 คนทั่วโลกที่มีความมุ่งมั่นร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน บริษัทมุ่งหวังที่จะสร้างและมีส่วนสนับสนุนเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนโดยทั่วไป

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250827523831/en

Contacts

ช่องทางการติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์พลังงานและสัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อสอบถาม

ช่องทางการติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
C. Nagasawa
ฝ่ายสื่อสารและวิเคราะห์ตลาด
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

โตชิบาเปิดตัว Power MOSFETs พร้อมไดโอดความเร็วสูงที่จะช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของหน่วยจ่ายกำลัง

Logo

– สมาชิกใหม่ในซีรีส์ DTMOSVI รุ่นล่าสุดซึ่งใช้โครงสร้างแบบ Super Junction –

คาวาซากิ, ญี่ปุ่น –(BUSINESS WIRE)–22 กุมภาพันธ์ 2024

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“โตชิบา”) ได้เพิ่ม DTMOSVI(HSD) ซึ่งเป็นทรานซิสเตอร์ Power MOSFETs ที่มีไดโอดความเร็วสูงและเหมาะสำหรับหน่วยจ่ายกำลังกลุ่ม Switching Power Supply รวมถึงศูนย์ข้อมูลและเครื่องกรองไฟฟ้า PV ในรุ่นล่าสุดของซีรีส์[1] DTMOSVI ซึ่งใช้โครงสร้างแบบ Super Junction โดยสองผลิตภัณฑ์แรกสุดอย่าง Power MOSFETs 650V N-channel ในแพ็กเกจ TO-247 อย่าง “TK042N65Z5” และ “TK095N65Z5” จะเริ่มจัดส่งในวันนี้

Toshiba: DTMOSVI(HSD), power MOSFETs with high-speed diodes that help to improve efficiency of power supplies. (Graphic: Business Wire)

โตชิบา: DTMOSVI(HSD) Power MOSFETs พร้อมไดโอดความเร็วสูงที่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของหน่วยจ่ายกำลัง (ภาพ: Business Wire)

บรรดาผลิตภัณฑ์ใหม่นี้จะใช้ไดโอดความเร็วสูงเพื่อปรับปรุงการฟื้นตัวของไดโอด[2] ในแง่ของคุณสมบัติต่างๆ ที่สำคัญสำหรับการใช้งานในวงจรบริดจ์และวงจรอินเวอร์เตอร์ เมื่อเทียบกับ DTMOSVI แบบมาตรฐาน ทรานซิสเตอร์รุ่นใหม่ใช้เวลาในการฟื้นตัว (trr) น้อยลงถึง 65% และประจุฟื้นตัว (Qrr) น้อยลง 88% (สภาวะแวดล้อมการวัดผล: -dIDR/dt= 100A/μs)

กระบวนการ DTMOSVI(HSD) ที่ใช้ในผลิตภัณฑ์ใหม่ช่วยปรับปรุงคุณสมบัติในการฟื้นตัวของซีรีส์ DTMOSIV ที่ใช้ไดโอดความเร็วสูง (DTMOSIV(HSD)) ของโตชิบา โดยมีกระแสคัตออฟที่ขั้วเดรนต่ำลงที่อุณหภูมิสูง ส่วน Figure of Merit “Drain-Source On-resistance × Gate-Drain Charge” ก็ต่ำลงเช่นกัน  กระแสคัตออฟที่ขั้วเดรนที่อุณหภูมิต่ำของ TK042N65Z5 ต่ำลงประมาณ 90%[3] ส่วน Drain-Source On-resistance × Gate-Drain Charge ต่ำลง 72% เมื่อเทียบกับ TK62N60W5 รุ่นปัจจุบันของโตชิบา[4] [5] ตัวเลขที่ดีขึ้นนะจะช่วยลดการสูญเสียพลังงานของอุปกรณ์และปรับปรุงประสิทธิภาพ โดย TK042N65Z5 มีประสิทธิภาพของหน่วยจ่ายกำลังดีกว่า TK62N60W5 รุ่นปัจจุบันสูงสุด 0.4% ดังที่วัดได้ในวงจร LLC 1.5kW[6]

สามารถดูงานออกแบบอ้างอิง “หน่วยจ่ายกำลังเซิร์ฟเวอร์ 1.6kW (รุ่นอัปเกรด)” ที่ใช้ TK095N65Z5 ได้แล้ววันนี้บนเว็บไซต์ของโตชิบา นอกจากนี้ โตชิบายังมีเครื่องมือให้ใช้สนับสนุนการออกแบบวงจรสำหรับ Switching Power Supply ด้วย นอกจากรุ่น G0 SPICE ที่ยืนยันการทำงานของวงจรได้ในเวลาอันสั้นแล้ว ยังมีรุ่น G2 SPICE ที่จำลองคุณสมบัติชั่วครู่ได้อย่างแม่นยำพร้อมให้ใช้งานเช่นกัน

โตชิบามีแผนที่จะขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ DTMOSVI(HSD) ด้วยการเปิดตัวอุปกรณ์ต่างๆ ในแพ็กเกจ TO-220 และ TO-220SIS แบบ Through-hole และแพ็กเกจ TOLL และ DFN แบบ 8×8 Surface-mount

บริษัทจะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ในซีรีส์ DTMOSVI ต่อไป นอกเหนือจากผลิตภัณฑ์ 650V และ 600V ที่เปิดตัวไปแล้ว และผลิตภัณฑ์ใหม่ที่มีไดโอดความเร็วสูง ซึ่งจะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของ Switching Power Supply ส่งผลให้อุปกรณ์ประหยัดพลังงานได้มากขึ้น

หมายเหตุ:
[1] ณ วันที่ 22 กุมภาพันธ์ 2024 ตามการสำรวจของโตชิบา
[2] การดำเนินการสวิตชิ่งซึ่งตัวไดโอดของ MOSFET จะเปลี่ยนจากไบแอสตรงไปเป็นไบแอสแบบย้อนกลับ
[3] วัดค่าโดยโตชิบา ค่าที่ได้จากผลิตภัณฑ์ใหม่ TK042N65Z5 คือ 0.2mA (สภาวะแวดล้อมการทดสอบ: VDS=650V, VGS=0V, Ta=150°C)
ค่าที่ได้จากผลิตภัณฑ์เดิม TK62N60W5 คือ 1.9mA (สภาวะแวดล้อมการทดสอบ: VDS=600V, VGS=0V, Ta=150°C)
[4] ซีรีส์ DTMOSIV(HSD) 600V
[5] วัดค่าโดยโตชิบา
สภาวะแวดล้อมการทดสอบ:
TK62N60W5
• RDS(ON): ID=30.9A, VGS=10V, Ta=25°C
• Qgd: VDD=400V, VGS=10V, ID=61.8A, Ta=25°C
TK042N65Z5
• RDS(ON): ID=27.5A, VGS=10V, Ta=25°C
• Qgd: VDD=400V, VGS=10V, ID=55A, Ta=25°C
[6] วัดค่าโดยโตชิบา
สภาวะแวดล้อมการทดสอบ: Vin=380V, Vout=54V, Ta＝25°C

การใช้งาน

อุปกรณ์อุตสาหกรรม

  • Switching Power Supply (เซิร์ฟเวอร์ศูนย์ข้อมูล อุปกรณ์สื่อสาร เป็นต้น)
  • สถานีชาร์จ EV
  • เครื่องกรองไฟฟ้า PV
  • ระบบสำรองไฟฟ้า

 คุณสมบัติ

  • MOSFETs ที่มีไดโอดความเร็วสูงในซีรีส์ DTMOSVI รุ่นล่าสุด
  • เวลาฟื้นตัวเนื่องจากไดโอดความเร็วสูง:
    TK042N65Z5 trr=160ns (ปกติ)
    TK095N65Z5 trr=115ns (ปกติ)
  • สวิตชิงได้ด้วยความเร็วสูงเนื่องจากมี Gate-Drain Charge ต่ำ:
    TK042N65Z5 Qgd=35nC (ปกติ)
    TK095N65Z5 Qgd=17nC (ปกติ)

ข้อมูลจำเพาะสำคัญ

(Ta=25°C เว้นแต่ระบุเป็นอื่น)

หมายเลขชิ้นส่วน

TK042N65Z5

TK095N65Z5

แพ็กเกจ

ชื่อ

TO-247

ขนาด (มม.)

ปกติ

15.94×20.95, t=5.02

สัมบูรณ์

สูงสุด

ระดับ

Drain-Source Voltage VDSS (V)

650

Drain Current (DC) ID (A)

55

29

Drain-Source On-resistance RDS(ON) (Ω)　

VGS=10 V

สูงสุด

0.042

0.095

Gate charge รวม Qg (nC)

ปกติ

105

50

Gate-Drain charge Qgd (nC)

ปกติ

35

17

ความจุไฟฟ้าขาเข้า Ciss (pF)

ปกติ

6280

2880

ความต้านทางความร้อน Channel-to-case Rth(ch-c) (°C/W)

สูงสุด

0.347

0.543

เวลาฟื้นตัว 　trr (ns)

ปกติ

160

115

ซีรีส์ปัจจุบันของโตชิบา (DTMOSIV) หมายเลขชิ้นส่วน

TK62N60W5[7]

TK35N65W5,

TK31N60W5[7]

หมายเหตุ:
[7] VDSS=600V

คลิกลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TK042N65Z5
TK095N65Z5

คลิกลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFETs ของโตชิบา
MOSFETs

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชั่นเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง โดยใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมที่สั่งสมมากว่าครึ่งศตวรรษในการนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน, ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพาร์ทเนอร์ทางธุรกิจ
พนักงานของบริษัทนับ 21,500 คนทั่วโลกต่างร่วมกันมุ่งมั่นเพิ่มคุณค่าของผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างคุณค่าและตลาดใหม่ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 8 แสนล้านเยน (6.1 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ) บริษัท Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่
ดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53899054/en

ข้อมูลติดต่อ

สอบถามข้อมูลลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์กำลัง
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

สอบถามข้อมูลสื่อ:
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Dept.
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation