Tag Archives: storage

Featured, Technology

ขยายขีดความสามารถ AI อย่างไร้ขีดจำกัด: KIOXIA นำเสนอโซลูชัน Flash Storage สุดล้ำที่งาน FMS 2025

Logo

บริษัทมุ่งเน้นไปที่ SSD ความจุ 245.76 TB รุ่นแรกในอุตสาหกรรม รวมถึงนวัตกรรมอื่นๆ ที่จะนิยามการจัดเก็บข้อมูลใหม่สำหรับโครงสร้างพื้นฐานที่ขับเคลื่อนด้วย AI

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–05 สิงหาคม 2025

กลุ่ม Kioxiaผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ จะขึ้นเวทีอีกครั้งในงาน FMS: อนาคตของหน่วยความจำและการจัดเก็บข้อมูล เพื่อเน้นย้ำว่านวัตกรรมหน่วยความจำแฟลชและ SSD ของบริษัทกำลังขับเคลื่อนโครงสร้างพื้นฐานที่มีประสิทธิภาพและปรับขนาดได้สำหรับปัญญาประดิษฐ์ (AI) อย่างไร โดยมุ่งเน้นไปที่การใช้งานจริงและการเพิ่มประสิทธิภาพ โดย Kioxia จะแสดงให้เห็นว่าโซลูชันล่าสุดของบริษัทสามารถตอบสนองความต้องการที่เปลี่ยนแปลงไปของ AI ในสภาพแวดล้อมศูนย์ข้อมูลและองค์กรได้อย่างไร

Scale AI Without Limits: KIOXIA Showcases Breakthrough Flash Storage Solutions at FMS 2025

ขยายขีดความสามารถ AI อย่างไร้ขีดจำกัด: KIOXIA นำเสนอโซลูชัน Flash Storage สุดล้ำที่งาน FMS 2025

 Kioxia จะนำเสนอผลิตภัณฑ์ใหม่ล่าสุด รวมถึงซีรีส์ KIOXIA LC9 ความจุสูง ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์แรกของอุตสาหกรรม1 245.76 เทราไบต์ (TB)2 NVMe™ SSD โดยมีไฮไลท์เพิ่มเติม ประกอบด้วย SSD ซีรีส์ KIOXIA CM9 และซีรีส์ KIOXIA CD9P ที่สร้างด้วยหน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASHTM รุ่นที่ 8 ของบริษัทที่ส่งมอบประสิทธิภาพ การประหยัดพลังงาน และความหลากหลายต่างๆ นอกจากนี้ Kioxia ยังจะจัดแสดงผลิตภัณฑ์ความจุ 1 เทราบิต (Tb)3 3 บิต/เซลล์ (TLC) ที่ใช้เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASHTM รุ่นที่ 9 และรุ่นที่ 10 โดยที่หน่วยความจำแฟลช BiCS FLASHTM รุ่นที่ 9 และ รุ่นที่ 10 ได้ผสานรวมมาตรฐานอินเทอร์เฟซ Toggle DD6.0 และใช้ประโยชน์จากโปรโตคอล SCA (Separate Command Address) และวิธีการป้อนที่อยู่คำสั่งแบบใหม่ของอินเทอร์เฟซ และเทคโนโลยี PI-LTT (Power Isolated Low-Tapped Termination) ซึ่งช่วยปรับปรุงความเร็วในการรับและส่งข้อมูลและลดการใช้พลังงาน

ในงาน FMS 2025 Kioxia จะนำเสนอประเด็นสำคัญและเซสชันทางเทคนิคที่ครอบคลุมหัวข้อต่างๆ ดังต่อไปนี้:

  1.  การนำเสนอหลักในงาน FMS 2025:
     “เพิ่มประสิทธิภาพการลงทุนโครงสร้างพื้นฐาน AI ด้วยเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชและโซลูชันการจัดเก็บข้อมูล”
     วันอังคารที่ 5 สิงหาคม เวลา 11:00 น. ตามเวลาแปซิฟิก (PDT)
     สถานที่: ห้องบอลรูม Mission City, ศูนย์การประชุม Santa Clara, ชั้น 1
     วิทยากร: Katsuki Matsudera ผู้จัดการทั่วไปฝ่ายการตลาดด้านเทคนิคหน่วยความจำของ Kioxia Corporation และ Neville Ichhaporia รองประธานอาวุโสและผู้จัดการทั่วไปฝ่ายธุรกิจ SSD ของ KIOXIA America, Inc.
     
  2.  เสวนาระดับผู้บริหาร AI Premier:
    “การปรับขนาดหน่วยความจำและพื้นที่เก็บข้อมูลสำหรับการอนุมาน AI”
     วันพฤหัสบดีที่ 7 สิงหาคม เวลา 11:00 น. ตามเวลาแปซิฟิก (PDT)
     สถานที่: ห้องบอลรูม Mission City, ศูนย์การประชุม Santa Clara, ชั้น 1
     วิทยากร: Rory Bolt นักวิจัยอาวุโสและสถาปนิกหลักของหน่วยธุรกิจ SSD ของ KIOXIA America Inc.
     
  3.  บูทสาธิต KIOXIA
     การสาธิตผลิตภัณฑ์และเทคโนโลยีจะจัดขึ้นที่บูท KIOXIA หมายเลข 307 อันโดดเด่น 2 ชั้น ซึ่งประกอบด้วยพื้นที่จัดแสดง 10 แห่งในพื้นที่จัดแสดง ซึ่งประกอบด้วย:
  •  กรณีการใช้งานที่ต้องขยายเพิ่มขึ้น – แพ็กเกจความจุสูง/หน่วยความจำแฟลชความหน่วงต่ำ: สแต็ก 32 ไดในแพ็คเกจ BGA ขนาดเล็กของหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASHTM รุ่นที่ 8 QLC 3D /XL-FLASH พร้อมอินเทอร์เฟซ CXL™
  •  หน่วยความจำแฟลช 3D KIOXIA BiCS FLASHTM รุ่นที่ 9: เวเฟอร์ 1 Tb3 และแพ็กเกจ BGA ขนาดเล็กพร้อมชิป 512Gb
  •  หน่วยความจำแฟลช 3D KIOXIA BiCS FLASHTM รุ่นที่ 10 : เวเฟอร์ 1 Tb3 และการจัดแสดงโมเดล
  •  KIOXIA UFS – ผู้บริโภคและยานยนต์: โซลูชันประสิทธิภาพสูงสำหรับตลาดที่กำลังพัฒนา
  •  SSD ความจุสูง 245.76 TB2 ใน Dell PowerEdge™ 7715: การนำเสนอ SSD NVMe ระดับองค์กร ซีรีส์ KIOXIA LC9
  •  การสาธิตเกี่ยวกับประสิทธิภาพและพลังของอุปกรณ์: การนำเสนอ SSD NVMe สำหรับศูนย์ข้อมูล ซีรีส์ KIOXIA CD9P
  •  การฝึกอบรม ML Perf Storage: การนำเสนอ SSD NVMe ระดับองค์กร ซีรีส์ KIOXIA CM9
  •  การจำลอง SSD โดยตรงบน GPU: การตรวจสอบอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลโดยตรงบน GPU ที่ 143 ล้าน IOPS
  •  ซอฟต์แวร์ KIOXIA AiSAQ™ การสร้างสมดุลระหว่างขีดความสามารถและประสิทธิภาพการทำงานอย่างยืดหยุ่น
  •  การถ่ายข้อมูล RAID และการล้างข้อมูล: การนำเสนอ SSD NVMe ระดับองค์กร ซีรีส์ KIOXIA CM7

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
เว็บไซต์อย่างเป็นทางการของ FMS 2025
https://futurememorystorage.com/

หมายเหตุ:

1: ข้อมูล ณ วันที่ 5 สิงหาคม 2568 อ้างอิงจากผลสำรวจของ Kioxia Corporation

2: นิยามของความจุ SSD: Kioxia Corporation กำหนด 1 กิโลไบต์ (KB) เท่ากับ 1,000 ไบต์, 1 เมกะไบต์ (MB) เท่ากับ 1,000,000 ไบต์, 1 กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์, 1 เทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ และ 1 กิบิไบต์ (KiB) เท่ากับ 1,024 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับนิยามของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุของพื้นที่จัดเก็บน้อยลง ความจุที่ใช้งานได้ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ เช่น ระบบปฏิบัติการ Microsoft และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป

3: ความจุของหน่วยความจำแฟลชคำนวณจาก 1 เทราบิต (1 Tb) = 1,099,511,627,776 (2^40) บิต และ 1 เทราไบต์ (1 TB) = 1,099,511,627,776 (2^40) ไบต์

Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สำหรับผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแบบฝังตัวที่สร้างขึ้นตามมาตรฐาน JEDEC UFS

NVMe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนและไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ

CXL เป็นเครื่องหมายการค้าของ Compute Express Link Consortium, Inc.

Dell, PowerEdge และเครื่องหมายการค้าอื่นๆ เป็นเครื่องหมายการค้าของ Dell Inc. หรือบริษัทในเครือ

ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ที่ทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อเดิมของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าจากหน่วยความจำสำหรับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D ที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia ที่เรียกว่า BiCS FLASH™ กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ ซึ่งมีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250804179531/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Contacts

การสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายบริหารการส่งเสริมการขาย
Satoshi Shindo
โทร.: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

Kioxia เปิดตัวการจัดเก็บข้อมูล PCIe® 4.0 Storage Class Memory SSDs

Logo

KIOXIA FL6 Series รุ่นใหม่ใช้ประโยชน์จาก XL-FLASH ของ Kioxia เพื่อปิดช่องว่าง หรือ Bridge Gap ระหว่างชิปแบบ DRAM และ SSD ที่ใช้ TLC เร่งความเร็วแอปพลิเคชันที่ละเอียดอ่อน

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–14 กันยายน 2564

การจัดเก็บข้อมูล Storage Class Memory (SCM) ที่มีเวลาแฝงต่ำและความทนทานสูงกำลังจะมาในอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล KIOXIA NVMe™ SSD ซึ่ง Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ กำลังสุ่มตัวอย่าง KIOXIA FL6 Series enterprise NVMe SCM SSDs ในระดับองค์กร โดยนำเสนอโซลูชัน SCM ของ Kioxia, XL-FLASH, dual-port และ PCIe® 4.0-compliant KIOXIA FL6 Series SSDs เชื่อมช่องว่างระหว่างไดรฟ์ที่ใช้ชิปแบบ DRAM และ TLC ทำให้เหมาะสำหรับกรณีการใช้งานที่ไวต่อเวลาแฝง เช่น แคชเลเยอร์ การจัดลำดับชั้น และการบันทึกการเขียน

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้ประกอบด้วยมัลติมีเดีย รับชมฉบับเต็มได้ที่นี่:https://www.businesswire.com/news/home/20210913005922/en/

PCIe(R) 4.0-compliant Storage Class Memory (SCM) SSD: KIOXIA FL6 Series (Photo: Business Wire)ระบบจัดเก็บข้อมูล PCIe(R) 4.0-compliant Storage Class Memory (SCM) SSD: KIOXIA FL6 Series (ภาพ: Business Wire)

อิงจากเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASH™ ที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia พร้อม SLC ความจุ 1 บิตต่อเซลล์ ทำให้ XL-FLASH มีเวลาแฝงที่ต่ำและประสิทธิภาพสูงสำหรับศูนย์ข้อมูลและพื้นที่จัดเก็บข้อมูลระดับองค์กร แม้ว่าโซลูชันหน่วยความจำแบบระเหย เช่น ชิปแบบDRAM จะให้ความเร็วในการเข้าถึงที่จำเป็นสำหรับแอพพลิเคชั่นที่ต้องการ แต่ก็มีต้นทุนสูง SCM แก้ไขปัญหานี้ด้วยการจัดหาหน่วยความจำแฟลชแบบไม่ลบเลือนที่มีความหนาแน่นสูงและคุ้มค่า

KIOXIA FL6 Series ทำงานได้ดีกับปริมาณงานที่มีรอดำเนินการต่ำ แต่จุดแข็งที่แท้จริงนั้นถูกเปิดเผยเมื่อปริมาณงานมีความต้องการและผสมกันมากขึ้น ในสภาพแวดล้อมเหล่านี้ ไดรฟ์ KIOXIA FL6 มอบคุณภาพการบริการที่เชื่อถือได้ ซึ่งเป็นคุณลักษณะที่สำคัญสำหรับแอปพลิเคชันที่ไวต่อเวลาแฝงที่หลากหลาย

จุดเด่นของ KIOXIA FL6 Series

  • สอดคล้องกับข้อกำหนด PCIe 4.0 และ NVMe 1.4; พร้อมสำหรับการใช้งาน NVMe-oF™
  • Native dual-port เพื่อความพร้อมใช้งานและความยืดหยุ่นสูง
  • ความทนทานและความจุ 60 DWPD จาก 800 GB ถึง 3.2 TB
  • ความน่าเชื่อถือในระดับองค์กร MTBF 2.5 ล้านชั่วโมง
  • ตัวเลือกการรักษาความปลอดภัย SED และ FIPS 140-2[1]

KIOXIA FL6 Series กำลังสุ่มตัวอย่างไปยังคู่ค้าและลูกค้าในอุตสาหกรรมที่สำคัญ

หมายเหตุ

[1] ความพร้อมใช้งานของตัวเลือกความปลอดภัย/การเข้ารหัสอาจแตกต่างกันไปตามภูมิภาค

* คำจำกัดความของความจุ: Kioxia กำหนดเมกะไบต์ (MB) เป็น 1,000,000 ไบต์ หนึ่งกิกะไบต์ (GB) เป็น 1,000,000,000 ไบต์และหนึ่งเทราไบต์ (TB) เป็น 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการของคอมพิวเตอร์รายงานความจุของพื้นที่จัดเก็บโดยใช้กำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 230 = 1,073,741,824 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุของพื้นที่จัดเก็บที่น้อยลง ความจุที่ใช้งานได้ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ เช่น ระบบปฏิบัติการ Microsoft และ/หรือแอพพลิเคชั่นซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป

*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG

*NVMe และ NVMe-oF เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ ทั้งหมดอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำที่อุทิศตนเพื่อการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2560 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นจุดเริ่มต้นของ Kioxia ได้แยกออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 2530 โดยบริษัทถือเป็นผู้บุกเบิกโซลูชันและบริการหน่วยความจำที่ล้ำสมัยซึ่งเพิ่มคุณภาพชีวิตของผู้คนและขยายขอบเขตทางสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D แบบใหม่ของ Kioxia หรือที่เรียกว่า BiCS FLASH ™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูงซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ศูนย์ยานยนต์และศูนย์ข้อมูล

ลูกค้าสอบถามข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่:
Kioxia Corporation
ฝ่ายส่งเสริมการขาย
โทร: +81-3-6478-2427
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการและข้อมูลการติดต่อนั้นถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

รับชมเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210913005922/en/

สื่อสอบถามข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่::
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
Tel: +81-3-6478-2404

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย