Tag Archives: kioxia

Featured, Technology

SSD ระดับองค์กร ซีรีส์ KIOXIA LC9 ขนาด 245.76 TB พร้อมนวัตกรรมใหม่ด้วยหน่วยความจำแบบสแต็ก 32 ได ได้คว้ารางวัล ‘Best of Show’ ในงาน FMS: อนาคตของหน่วยความจำและการจัดเก็บข้อมูล 2025

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–06 สิงหาคม 2025

Kioxia Corporation ขอประกาศวันนี้ว่า SSD ระดับองค์กร ซีรีส์ KIOXIA LC9 ขนาด 245.76 เทราไบต์ (TB)(1) ซึ่งใช้หน่วยความจำแฟลช KIOXIA BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 QLC 3D แบบสแต็ก 32 ได ได้รับรางวัล FMS ‘Best of Show’ ในประเภท ‘เทคโนโลยี SSD’ รางวัลเหล่านี้ได้ยกย่องผลิตภัณฑ์ บริการ และการนำไปใช้งานของลูกค้าที่ล้ำสมัยที่ขยายขอบเขตของเทคโนโลยีหน่วยความจำและการจัดเก็บข้อมูล

KIOXIA LC9 Series 245.76 TB Enterprise SSD with Innovative 32-die Stack Memory Named ‘Best of Show’ at FMS 2025

SSD ระดับองค์กร ซีรีส์ KIOXIA LC9 ความจุ 245.76 TB พร้อมหน่วยความจำแบบสแต็ก 32 ได นวัตกรรมใหม่ ได้รับรางวัล ‘Best of Show’ ในงาน FMS 2025

SSD NVMe™ รุ่นแรกในอุตสาหกรรม(2) ความจุ 245.76 TB(1) ขนาด 2.5 นิ้ว และฟอร์มแฟกเตอร์มาตรฐานสำหรับองค์กรและศูนย์ข้อมูล (EDSFF) ขนาด E3.L ทำให้ไดรฟ์ซีรีส์ KIOXIA LC9 เหมาะอย่างยิ่งสำหรับ AI เชิงสร้างสรรค์ (generative AI) และแอปพลิเคชันระดับองค์กร โดยขณะนี้ SSD ซีรีส์ KIOXIA LC9 กำลังสุ่มตัวอย่างให้กับเหล่าลูกค้าของเรา

“เมื่อลูกค้าประเมิน SSD สิ่งสำคัญที่ต้องพิจารณาคือพื้นที่จัดเก็บข้อมูลที่สามารถปรับขนาดได้ตลอดจนถึงความจุที่สูง พร้อมทั้งมอบประสิทธิภาพสูงและการใช้พลังงานต่ำ” Jay Kramer ประธานโครงการรางวัลและประธานบริษัท Network Storage Advisors Inc. กล่าว “เราภูมิใจที่ได้ยกย่อง KIOXIA สำหรับหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D และ SSD ซีรีส์ KIOXIA LC9 โดยโซลูชันนี้เกิดขึ้นได้ด้วยเทคโนโลยี CBA (CMOS directly Bonded to Array) และนวัตกรรมของสถาปัตยกรรมแบบสแต็ก 32 ไดในแพ็กเกจเดียว ที่ได้มอบความจุ พลังงาน และความหนาแน่นที่จำเป็นสำหรับ SSD ยุคใหม่ การสร้าง SSD ระดับองค์กร(2) PCIe® 5.0 ที่มีความจุสูงสุดถือเป็นความสำเร็จอันโดดเด่นและสะท้อนถึงตำแหน่งผู้นำของ Kioxia ได้อย่างชัดเจน”

ด้วยการนำเสนอสแต็ก 32 ได ความจุ 2 เทราบิต (Tb)(3) หน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ QLC 3D พร้อมเทคโนโลยี CBA ที่เป็นนวัตกรรมของ SSD ทำให้ซีรีส์ KIOXIA LC9 มอบความเร็ว ขนาด และความหนาแน่นที่จำเป็นต่อการรองรับปริมาณงานที่เน้นข้อมูลเป็นหลักในอนาคต การผสมผสานระหว่างสถาปัตยกรรมหน่วยความจำขั้นสูงและเทคโนโลยี CBA นี้ช่วยให้สามารถเก็บข้อมูลได้ถึง 8 TB(3) ในแพ็คเกจขนาดเล็ก 154 BGA ซึ่งนับเป็นครั้งแรกในอุตสาหกรรม(2) ความสำเร็จครั้งสำคัญนี้เกิดขึ้นได้ด้วยความก้าวหน้าของเทคโนโลยีการประมวลผลเวเฟอร์ความแม่นยำสูง การออกแบบวัสดุ และเทคโนโลยีการเชื่อมลวดของ KIOXIA

หมายเหตุ:

(1) คำจำกัดความของความจุ SSD:: Kioxia Corporation กำหนดให้ 1 กิโลไบต์ (KB) เท่ากับ 1,000 ไบต์, 1 เมกะไบต์ (MB) เท่ากับ 1,000,000 ไบต์, 1 กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์, 1 เทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ และ 1 กิบิไบต์ (KiB) เท่ากับ 1,024 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับนิยามของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุของพื้นที่จัดเก็บน้อยลง ความจุที่ใช้งานได้ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ เช่น ระบบปฏิบัติการ Microsoft และ/หรือแอพพลิเคชั่นซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป

(2) ข้อมูล ณ วันที่ 6 สิงหาคม 2025 จากการสำรวจของ Kioxia

(3) ความจุหน่วยความจำแฟลชคำนวณได้เป็น 1 เทราบิต (1 Tb) = 1,099,511,627,776 (2^40) บิต และ 1 เทราไบต์ (1 TB) = 1,099,511,627,776 (2^40) ไบต์

* 2.5 นิ้วบ่งบอกถึงขนาดของ SSD ไม่ใช่ขนาดทางกายภาพ
* NVMe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนและไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
* PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำที่มุ่งมั่นในการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตทไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นบริษัทก่อนหน้าได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” ด้วยการนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าตามหน่วยความจำสำหรับสังคมต่างๆ โดยเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D ที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ นั้นกำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชั่นที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ Generative AI

การสอบถามจากลูกค้า:
Kioxia Group
สำนักงานขายทั่วโลก
https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250805179979/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Contacts

การสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายบริหารการส่งเสริมการขาย
Satoshi Shindo
โทร.: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

ขยายขีดความสามารถ AI อย่างไร้ขีดจำกัด: KIOXIA นำเสนอโซลูชัน Flash Storage สุดล้ำที่งาน FMS 2025

Logo

บริษัทมุ่งเน้นไปที่ SSD ความจุ 245.76 TB รุ่นแรกในอุตสาหกรรม รวมถึงนวัตกรรมอื่นๆ ที่จะนิยามการจัดเก็บข้อมูลใหม่สำหรับโครงสร้างพื้นฐานที่ขับเคลื่อนด้วย AI

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–05 สิงหาคม 2025

กลุ่ม Kioxiaผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ จะขึ้นเวทีอีกครั้งในงาน FMS: อนาคตของหน่วยความจำและการจัดเก็บข้อมูล เพื่อเน้นย้ำว่านวัตกรรมหน่วยความจำแฟลชและ SSD ของบริษัทกำลังขับเคลื่อนโครงสร้างพื้นฐานที่มีประสิทธิภาพและปรับขนาดได้สำหรับปัญญาประดิษฐ์ (AI) อย่างไร โดยมุ่งเน้นไปที่การใช้งานจริงและการเพิ่มประสิทธิภาพ โดย Kioxia จะแสดงให้เห็นว่าโซลูชันล่าสุดของบริษัทสามารถตอบสนองความต้องการที่เปลี่ยนแปลงไปของ AI ในสภาพแวดล้อมศูนย์ข้อมูลและองค์กรได้อย่างไร

Scale AI Without Limits: KIOXIA Showcases Breakthrough Flash Storage Solutions at FMS 2025

ขยายขีดความสามารถ AI อย่างไร้ขีดจำกัด: KIOXIA นำเสนอโซลูชัน Flash Storage สุดล้ำที่งาน FMS 2025

 Kioxia จะนำเสนอผลิตภัณฑ์ใหม่ล่าสุด รวมถึงซีรีส์ KIOXIA LC9 ความจุสูง ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์แรกของอุตสาหกรรม1 245.76 เทราไบต์ (TB)2 NVMe™ SSD โดยมีไฮไลท์เพิ่มเติม ประกอบด้วย SSD ซีรีส์ KIOXIA CM9 และซีรีส์ KIOXIA CD9P ที่สร้างด้วยหน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASHTM รุ่นที่ 8 ของบริษัทที่ส่งมอบประสิทธิภาพ การประหยัดพลังงาน และความหลากหลายต่างๆ นอกจากนี้ Kioxia ยังจะจัดแสดงผลิตภัณฑ์ความจุ 1 เทราบิต (Tb)3 3 บิต/เซลล์ (TLC) ที่ใช้เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASHTM รุ่นที่ 9 และรุ่นที่ 10 โดยที่หน่วยความจำแฟลช BiCS FLASHTM รุ่นที่ 9 และ รุ่นที่ 10 ได้ผสานรวมมาตรฐานอินเทอร์เฟซ Toggle DD6.0 และใช้ประโยชน์จากโปรโตคอล SCA (Separate Command Address) และวิธีการป้อนที่อยู่คำสั่งแบบใหม่ของอินเทอร์เฟซ และเทคโนโลยี PI-LTT (Power Isolated Low-Tapped Termination) ซึ่งช่วยปรับปรุงความเร็วในการรับและส่งข้อมูลและลดการใช้พลังงาน

ในงาน FMS 2025 Kioxia จะนำเสนอประเด็นสำคัญและเซสชันทางเทคนิคที่ครอบคลุมหัวข้อต่างๆ ดังต่อไปนี้:

  1.  การนำเสนอหลักในงาน FMS 2025:
     “เพิ่มประสิทธิภาพการลงทุนโครงสร้างพื้นฐาน AI ด้วยเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชและโซลูชันการจัดเก็บข้อมูล”
     วันอังคารที่ 5 สิงหาคม เวลา 11:00 น. ตามเวลาแปซิฟิก (PDT)
     สถานที่: ห้องบอลรูม Mission City, ศูนย์การประชุม Santa Clara, ชั้น 1
     วิทยากร: Katsuki Matsudera ผู้จัดการทั่วไปฝ่ายการตลาดด้านเทคนิคหน่วยความจำของ Kioxia Corporation และ Neville Ichhaporia รองประธานอาวุโสและผู้จัดการทั่วไปฝ่ายธุรกิจ SSD ของ KIOXIA America, Inc.
     
  2.  เสวนาระดับผู้บริหาร AI Premier:
    “การปรับขนาดหน่วยความจำและพื้นที่เก็บข้อมูลสำหรับการอนุมาน AI”
     วันพฤหัสบดีที่ 7 สิงหาคม เวลา 11:00 น. ตามเวลาแปซิฟิก (PDT)
     สถานที่: ห้องบอลรูม Mission City, ศูนย์การประชุม Santa Clara, ชั้น 1
     วิทยากร: Rory Bolt นักวิจัยอาวุโสและสถาปนิกหลักของหน่วยธุรกิจ SSD ของ KIOXIA America Inc.
     
  3.  บูทสาธิต KIOXIA
     การสาธิตผลิตภัณฑ์และเทคโนโลยีจะจัดขึ้นที่บูท KIOXIA หมายเลข 307 อันโดดเด่น 2 ชั้น ซึ่งประกอบด้วยพื้นที่จัดแสดง 10 แห่งในพื้นที่จัดแสดง ซึ่งประกอบด้วย:
  •  กรณีการใช้งานที่ต้องขยายเพิ่มขึ้น – แพ็กเกจความจุสูง/หน่วยความจำแฟลชความหน่วงต่ำ: สแต็ก 32 ไดในแพ็คเกจ BGA ขนาดเล็กของหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASHTM รุ่นที่ 8 QLC 3D /XL-FLASH พร้อมอินเทอร์เฟซ CXL™
  •  หน่วยความจำแฟลช 3D KIOXIA BiCS FLASHTM รุ่นที่ 9: เวเฟอร์ 1 Tb3 และแพ็กเกจ BGA ขนาดเล็กพร้อมชิป 512Gb
  •  หน่วยความจำแฟลช 3D KIOXIA BiCS FLASHTM รุ่นที่ 10 : เวเฟอร์ 1 Tb3 และการจัดแสดงโมเดล
  •  KIOXIA UFS – ผู้บริโภคและยานยนต์: โซลูชันประสิทธิภาพสูงสำหรับตลาดที่กำลังพัฒนา
  •  SSD ความจุสูง 245.76 TB2 ใน Dell PowerEdge™ 7715: การนำเสนอ SSD NVMe ระดับองค์กร ซีรีส์ KIOXIA LC9
  •  การสาธิตเกี่ยวกับประสิทธิภาพและพลังของอุปกรณ์: การนำเสนอ SSD NVMe สำหรับศูนย์ข้อมูล ซีรีส์ KIOXIA CD9P
  •  การฝึกอบรม ML Perf Storage: การนำเสนอ SSD NVMe ระดับองค์กร ซีรีส์ KIOXIA CM9
  •  การจำลอง SSD โดยตรงบน GPU: การตรวจสอบอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลโดยตรงบน GPU ที่ 143 ล้าน IOPS
  •  ซอฟต์แวร์ KIOXIA AiSAQ™ การสร้างสมดุลระหว่างขีดความสามารถและประสิทธิภาพการทำงานอย่างยืดหยุ่น
  •  การถ่ายข้อมูล RAID และการล้างข้อมูล: การนำเสนอ SSD NVMe ระดับองค์กร ซีรีส์ KIOXIA CM7

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
เว็บไซต์อย่างเป็นทางการของ FMS 2025
https://futurememorystorage.com/

หมายเหตุ:

1: ข้อมูล ณ วันที่ 5 สิงหาคม 2568 อ้างอิงจากผลสำรวจของ Kioxia Corporation

2: นิยามของความจุ SSD: Kioxia Corporation กำหนด 1 กิโลไบต์ (KB) เท่ากับ 1,000 ไบต์, 1 เมกะไบต์ (MB) เท่ากับ 1,000,000 ไบต์, 1 กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์, 1 เทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ และ 1 กิบิไบต์ (KiB) เท่ากับ 1,024 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับนิยามของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุของพื้นที่จัดเก็บน้อยลง ความจุที่ใช้งานได้ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ เช่น ระบบปฏิบัติการ Microsoft และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป

3: ความจุของหน่วยความจำแฟลชคำนวณจาก 1 เทราบิต (1 Tb) = 1,099,511,627,776 (2^40) บิต และ 1 เทราไบต์ (1 TB) = 1,099,511,627,776 (2^40) ไบต์

Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สำหรับผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแบบฝังตัวที่สร้างขึ้นตามมาตรฐาน JEDEC UFS

NVMe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนและไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ

CXL เป็นเครื่องหมายการค้าของ Compute Express Link Consortium, Inc.

Dell, PowerEdge และเครื่องหมายการค้าอื่นๆ เป็นเครื่องหมายการค้าของ Dell Inc. หรือบริษัทในเครือ

ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ที่ทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อเดิมของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าจากหน่วยความจำสำหรับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D ที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia ที่เรียกว่า BiCS FLASH™ กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ ซึ่งมีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250804179531/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Contacts

การสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายบริหารการส่งเสริมการขาย
Satoshi Shindo
โทร.: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

Kioxia สุ่มตัวอย่างอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝัง UFS Ver. 4.1 สำหรับการใช้งานในยานยนต์

Logo

ขับเคลื่อนนวัตกรรมยานยนต์ยุคใหม่ด้วยประสิทธิภาพที่สูงขึ้น การจัดการข้อมูลที่มีประสิทธิภาพยิ่งขึ้น และความน่าเชื่อถือระดับยานยนต์

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–31 กรกฎาคม 2025

Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศในวันนี้ว่าบริษัทได้เริ่มทำการสุ่มตัวอย่าง(1) Universal Flash Storage(2) (UFS) Ver. 4.1 รุ่นใหม่ที่ออกแบบมาสำหรับการใช้งานในยานยนต์ อุปกรณ์ใหม่เหล่านี้ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมมาเพื่อตอบสนองความต้องการอันเข้มงวดของระบบในรถยนต์ยุคใหม่ มอบประสิทธิภาพ ความยืดหยุ่น และการปรับปรุงการวินิจฉัยที่สำคัญ ขับเคลื่อนด้วยหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D รุ่นที่ 8 ของ Kioxia และเทคโนโลยีตัวควบคุมที่ออกแบบภายในองค์กร

UFS Ver. 4.1 Embedded Flash Memory Devices for Automotive Applications

UFS Ver. 4.1 อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัวสำหรับการใช้งานในยานยนต์

อุปกรณ์ UFS 4.1 ใหม่นี้มีให้เลือกหลายขนาดความจุ ได้แก่ 128 กิกะไบต์ (GB), 256GB, 512GB และ 1 เทราไบต์ (TB) ออกแบบมาเพื่อตอบสนองความต้องการของระบบสาระบันเทิง, ADAS (ระบบช่วยขับขี่ขั้นสูง), เทเลเมติกส์, ตัวควบคุมโดเมน และคอมพิวเตอร์ในรถยนต์ อุปกรณ์เหล่านี้ผ่านมาตรฐาน AEC-Q100/104 (3) มาตรฐานเกรด 2 รองรับอุณหภูมิเคสได้สูงสุด 115°C

ยกระดับประสิทธิภาพจาก UFS รุ่น 3.1 ของ Kioxia(4) อุปกรณ์ UFS 4.1 (512GB) ใหม่จะส่งมอบ:

  • ประสิทธิภาพการอ่านข้อมูลแบบต่อเนื่องประมาณ 2.1 เท่า
  • ประสิทธิภาพการเขียนข้อมูลแบบต่อเนื่องประมาณ 2.5 เท่า
  • ประสิทธิภาพการอ่านข้อมูลแบบสุ่มประมาณ 2.1 เท่า
  • ประสิทธิภาพการเขียนข้อมูลแบบสุ่มประมาณ 3.7 เท่า

การปรับปรุงเหล่านี้จะช่วยมอบประสบการณ์ผู้ใช้ที่ตอบสนองได้ดียิ่งขึ้นในสภาพแวดล้อมยานยนต์ที่เน้นข้อมูลจำนวนมาก

คุณสมบัติหลักประกอบด้วย:

  • สอดคล้องกับข้อกำหนด UFS 4.1 ซึ่งรวมถึงส่วนขยายที่เกี่ยวข้องกับ WriteBooster เช่น WriteBooster Buffer Resizing และ Pinned Partial Flush Mode ซึ่งให้ความยืดหยุ่นที่ดีขึ้นเพื่อประสิทธิภาพสูงสุด UFS 4.1 โดยสามารถใช้งานร่วมกับ UFS 4.0 และ UFS 3.1 ได้
  • ความสามารถในการวินิจฉัยที่ได้รับการปรับปรุง รวมถึงตัวระบุสถานะอุปกรณ์เฉพาะของผู้จำหน่ายที่เพิ่มเข้ามาใหม่ ที่จะช่วยลดความยุ่งยากในการตรวจสอบสถานะอุปกรณ์และการบำรุงรักษาเชิงคาดการณ์
  • ใช้หน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D รุ่นที่ 8

อุปกรณ์ UFS 4.1 จาก Kioxia ได้ผสานรวมหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D ที่เป็นนวัตกรรมของบริษัทและตัวควบคุมไว้ในแพ็กเกจมาตรฐาน JEDEC อุปกรณ์ UFS ใหม่เหล่านี้สร้างขึ้นด้วยหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D รุ่นที่ 8 ของ Kioxia รุ่นนี้นำเสนอเทคโนโลยี CBA (CMOS เชื่อมต่อกับอาร์เรย์โดยตรง) ซึ่งเป็นนวัตกรรมทางสถาปัตยกรรมที่ถือเป็นการเปลี่ยนแปลงครั้งสำคัญในการออกแบบหน่วยความจำแฟลช ด้วยการเชื่อมต่อวงจร CMOS เข้ากับอาร์เรย์หน่วยความจำโดยตรง เทคโนโลยี CBA ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการใช้พลังงาน ประสิทธิภาพ และความหนาแน่นอย่างมาก

หมายเหตุ

(1)

การจัดส่งตัวอย่างอุปกรณ์ขนาด 1TB เริ่มต้นในเดือนมิถุนายน และอุปกรณ์ขนาด 128GB และ 256GB เริ่มต้นในเดือนกรกฎาคม รายละเอียดของตัวอย่างอาจแตกต่างจากผลิตภัณฑ์เชิงพาณิชย์

(2)

Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สำหรับผลิตภัณฑ์หน่วยความจำฝังตัวประเภทหนึ่งที่สร้างขึ้นตามมาตรฐาน JEDEC UFS เนื่องจากมีอินเทอร์เฟซแบบอนุกรม UFS จึงรองรับการทำงานแบบดูเพล็กซ์เต็มรูปแบบ ซึ่งช่วยให้สามารถอ่านและเขียนข้อมูลพร้อมกันระหว่างโพรเซสเซอร์โฮสต์และอุปกรณ์ UFS ได้

(3)

ข้อกำหนดคุณสมบัติส่วนประกอบไฟฟ้าที่กำหนดโดย AEC (สภาอิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์)

(4)

อุปกรณ์ UFS 3.1 512GB “THGJFGT2T85BAB5”

*ทุกครั้งที่กล่าวถึงผลิตภัณฑ์ Kioxia ความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์จะระบุตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจำภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่ปริมาณความจุหน่วยความจำที่มีให้สำหรับจัดเก็บข้อมูลโดยผู้ใช้ปลายทาง ความจุที่ผู้บริโภคใช้ได้จะลดลงเนื่องจากพื้นที่ข้อมูลโอเวอร์เฮด การจัดรูปแบบ บล็อกเสีย และข้อจำกัดอื่นๆ และอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์โฮสต์และแอปพลิเคชัน สำหรับรายละเอียด โปรดดูข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง คำจำกัดความของ 1 KB = 2^10 ไบต์ = 1,024 ไบต์ คำจำกัดความของ 1 Gb = 2^30 บิต = 1,073,741,824 บิต คำจำกัดความของ 1 GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ 1 Tb = 2^40 บิต = 1,099,511,627,776 บิต 1 TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์
*MB/s คำนวณเป็น 1,000,000 ไบต์/วินาที
*ความเร็วในการอ่านและเขียนเป็นค่าที่ดีที่สุดที่ได้จากการทดสอบในสภาพแวดล้อมเฉพาะที่ Kioxia Corporation และ Kioxia Corporation ไม่รับประกันความเร็วในการอ่านและเขียนในอุปกรณ์แต่ละเครื่อง ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ที่ใช้และขนาดไฟล์ที่อ่านหรือเขียน

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ที่ทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อเดิมของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าจากหน่วยความจำสำหรับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D ที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia ที่เรียกว่า BiCS FLASH™ กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

การสอบถามจากลูกค้า
Kioxia Corporation
สำนักงานขายทั่วโลก
https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่:  https://www.businesswire.com/news/home/20250730761307/en

Contacts

การสอบถามจากสื่อ
Kioxia Corporation
ฝ่ายบริหารงานส่งเสริมการขาย
Satoshi Shindo
โทร.: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

KIOXIA ประกาศเปิดตัว NVMe SSD ความจุ 245.76 TB รุ่นแรกในอุตสาหกรรม ซึ่งออกแบบมาเพื่อตอบสนองต่อความต้องการของสภาพแวดล้อมสำหรับ AI เชิงสร้างสรรค์

Logo

ซีรีส์ KIOXIA LC9 กลายเป็น SSD PCIe 5.0 Enterprise ที่มีความจุสูงสุด พร้อมคุณสมบัติหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH(TM) QLC 3D แบบสแต็ก 32 ไดย์

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–22 กรกฎาคม 2025

Kioxia Corporation ได้ขยายไลน์ผลิตภัณฑ์ SSD ระดับองค์กรซีรีส์ KIOXIA LC9 ความจุสูง ด้วยการเปิดตัวผลิตภัณฑ์ SSD รุ่นแรกในอุตสาหกรรม[1] 245.76 เทราไบต์ (TB)[2] NVMe™ SSD ขนาด 2.5 นิ้ว และฟอร์มแฟกเตอร์ EDSFF E3.L โดยตัวเลือกความจุและฟอร์มแฟกเตอร์ใหม่นี้มาเสริมรุ่น 122.88 TB (2.5 นิ้ว) ที่ประกาศไว้ก่อนหน้านี้ และได้รับการสร้างขึ้นมาโดยเฉพาะเพื่อตอบสนองต่อความต้องการด้านประสิทธิภาพและประสิทธิผลของสภาพแวดล้อม AI เชิงสร้างสรรค์

KIOXIA LC9 Series enterprise SSD (form factor: 2.5inch, E3.S, E3.L)

SSD ระดับองค์กร ซีรีส์ KIOXIA LC9 (ฟอร์มแฟกเตอร์: 2.5 นิ้ว, E3.S, E3.L)

Generative AI (AI เชิงสร้างสรรค์) มีความต้องการที่แตกต่างกันในด้านพื้นที่จัดเก็บข้อมูล รวมถึงความจำเป็นในการจัดเก็บชุดข้อมูลขนาดใหญ่สำหรับการเทรนโมเดลภาษาขนาดใหญ่ (LLM) และการสร้างเอ็มเบดดิ้งและฐานข้อมูลเวกเตอร์ที่รองรับการอนุมานผ่านการสร้างเสริมแบบดึงข้อมูล (RAG) โดยเวิร์กโหลดเหล่านี้ต้องการโซลูชันพื้นที่จัดเก็บข้อมูลที่มีความจุ ความเร็ว และประสิทธิภาพที่โดดเด่น

โดดเด่นด้วยสแต็ก 32 ไดย์ ขนาด 2 เทราบิต (Tb)[3] หน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ QLC 3D มาพร้อมเทคโนโลยี CBA (CMOS เชื่อมต่อกับอาร์เรย์โดยตรง) ที่เป็นนวัตกรรม SSD ซีรีส์ KIOXIA LC9 ที่มอบความเร็ว ขนาด และความหนาแน่นที่จำเป็นสำหรับการรองรับเวิร์กโหลดที่เน้นข้อมูลรุ่นใหม่ การผสมผสานระหว่างสถาปัตยกรรมหน่วยความจำขั้นสูง รวมถึงเทคโนโลยี CBA ที่ช่วยให้สามารถบรรจุข้อมูลได้ 8 TB[3] ต่อแพ็กเกจขนาดเล็ก 154 BGA ซึ่งนับเป็นครั้งแรกในอุตสาหกรรม[1] ความสำเร็จครั้งสำคัญนี้เกิดขึ้นได้ด้วยการประมวลผลเวเฟอร์ความแม่นยำสูง การออกแบบวัสดุ และเทคโนโลยีการเชื่อมลวดของ Kioxia

SSD ซีรีส์ KIOXIA LC9 เหมาะอย่างยิ่งสำหรับดาต้าเลค (Data Lake) ซึ่งการรวบรวมข้อมูลจำนวนมากและการประมวลผลที่รวดเร็วเป็นสิ่งที่มีความสำคัญเป็นอย่างมาก ต่างจากฮาร์ดดิสก์ไดรฟ์ (HDD) ที่มักมีปัญหาคอขวดและทำให้ GPU ราคาแพงถูกไม่สามารถใช้งานได้เต็มประสิทธิภาพ โดย SSD ซีรีส์ KIOXIA LC9 จะมอบพื้นที่จัดเก็บข้อมูลที่มีความหนาแน่นในขนาดกะทัดรัดพร้อมความจุต่อวัตต์ที่สูงกว่า ด้วยความจุสูงสุด 245.76 TB จึงสามารถใช้แทนฮาร์ดดิสก์ไดรฟ์ที่กินไฟมากหลายตัวได้ มอบประสิทธิภาพที่เหนือกว่า การใช้พลังงานโดยรวมที่ต่ำกว่า ใช้ช่องใส่ไดรฟ์น้อยลง และระบายความร้อนได้อย่างมีประสิทธิภาพมากขึ้น โดยคุณสมบัติเหล่านี้จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพต้นทุนการเป็นเจ้าของ (TCO) ทั้งในด้านพลังงาน ความหนาแน่น และการจัดการความร้อน

คุณสมบัติของ SSD ซีรีส์ KIOXIA LC9 ประกอบด้วย:

  • ฟอร์มแฟกเตอร์ E3.L และ SSD ขนาด 2.5 นิ้ว ความจุสูงสุด 245.76 TB
  • ความจุสูงสุด 122.88 TB ในฟอร์มแฟกเตอร์ E3.L
  •  ออกแบบให้รองรับ PCIe® ซึ่งเป็นไปตามข้อกำหนด 5.0 (อัตราการถ่ายโอนข้อมูลสูงสุด 128 GT/s Gen5 เดี่ยว x4, คู่ x2)
  • ข้อมูลจำเพาะ NVMe™ 2.0, NVMe-MI™ 1.2c
  • รองรับข้อกำหนด SSD NVMe™ Datacenter ของโครงการ Open Compute (OCP) v2.5 (ไม่ใช่ข้อกำหนดทั้งหมด)
  •  รองรับการจัดวางข้อมูลที่ยืดหยุ่น (FDP) เพื่อลดการขยายการเขียนและยืดอายุการใช้งาน SSD[4]
  • ตัวเลือกความปลอดภัย: SIE, SED, FIPS SED
  •  อัลกอริทึมการลงนาม CNSA 2.0[5] ได้รับการออกแบบโดยคำนึงถึงมาตรฐานความปลอดภัยควอนตัมในอนาคต

ขณะนี้ SSD ซีรีส์ KIOXIA LC9 กำลังมีการสุ่มตัวอย่างให้กับลูกค้ากลุ่มพิเศษ และจะนำไปจัดแสดงในงานประชุม “อนาคตของหน่วยความจำและการจัดเก็บข้อมูล 2025” (Future of Memory and Storage 2025) ที่จะจัดขึ้นในวันที่ 5-7 สิงหาคม ณ เมืองซานตาคลารา

หมายเหตุ:

1: ข้อมูล ณ วันที่ 22 กรกฎาคม 2025 จากการสำรวจของ Kioxia

2: คำจำกัดความของความจุ SSD: Kioxia Corporation กำหนดให้ 1 กิโลไบต์ (KB) เท่ากับ 1,000 ไบต์, 1 เมกะไบต์ (MB) เท่ากับ 1,000,000 ไบต์, 1 กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์, 1 เทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ และ 1 กิบิไบต์ (KiB) เท่ากับ 1,024 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุของพื้นที่จัดเก็บโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ และด้วยเหตุนี้จึงแสดงความจุในการจัดเก็บที่น้อยลง ความจุในการจัดเก็บที่พร้อมใช้งาน (รวมถึงตัวอย่างไฟล์สื่อต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ซึ่งความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป

3: ความจุหน่วยความจำแฟลชซึ่งคำนวณได้เป็น 1 เทราบิต (1 Tb) = 1,099,511,627,776 (2^40) บิต และ 1 เทราไบต์ (1 TB) = 1,099,511,627,776 (2^40) ไบต์

4: สำหรับวัตถุประสงค์ของ RocksDB Kioxia ยืนยันว่า Write Amplification Factor (WAF) อยู่ที่ประมาณ 1.1 เมื่อใช้ฟังก์ชัน FDP กับปลั๊กอิน (โปรแกรมส่วนขยายฟังก์ชันที่เผยแพร่บนบัญชี GitHub ของ Kioxia https://github.com/kioxia-jp/ufrop)

5: SSD ซีรีส์ KIOXIA LC9 รองรับอัลกอริทึม Leighton-Micali Signature (LMS) ซึ่งได้รับการรับรองโดย CNSA 2.0 (Commercial National Security Algorithm Suite 2.0) ในฐานะอัลกอริทึมลายเซ็นดิจิทัลเพื่อป้องกันการปลอมแปลงเฟิร์มแวร์ เพื่อเตรียมพร้อมรับมือกับภัยคุกคามต่ออัลกอริทึมการเข้ารหัสแบบเดิมที่เกิดจากคอมพิวเตอร์ควอนตัม มาตรฐานการเข้ารหัสขั้นสูง (AES-256) ที่มีความยาวคีย์ 256 บิต ซึ่งเป็นอัลกอริทึมการเข้ารหัสข้อมูลที่ใช้ใน SSD ซีรีส์ KIOXIA LC9 ก็ได้รับการรับรองโดย CNSA 2.0 เช่นกัน

2.5 นิ้วบ่งบอกถึงขนาดของ SSD ไม่ใช่ขนาดทางกายภาพ

ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับปัจจัยต่างๆ เช่น อุปกรณ์โฮสต์ ซอฟต์แวร์ (ไดรเวอร์ ระบบปฏิบัติการ ฯลฯ) และสภาวะการอ่าน/เขียน
ประสิทธิภาพเป็นเพียงข้อมูลเบื้องต้นและอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

มีโมเดลเสริมด้านความปลอดภัย SED ให้เลือกใช้งาน ได้แก่ Sanitize Instant Erase (SIE), Self-Encrypting Drive (SED) และ FIPS (Federal Information Processing Standards)

โมเดลเสริมด้านความปลอดภัยไม่มีจำหน่ายในบางประเทศเนื่องจากกฎระเบียบด้านการส่งออกและท้องถิ่น

NVMe และ NVMe-MI เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนและไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ

PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG

ชื่อบริษัทอื่นๆ ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อก่อนหน้าของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D เชิงนวัตกรรมของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

การสอบถามข้อมูลจากลูกค้า:

สำนักงานขายทั่วโลก
Kioxia Corporation
สำนักงานขายทั่วโลก
https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250721671536/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Contacts

การสอบถามข้อมูลจากสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายบริหารการส่งเสริมการขาย
Satoshi Shindo
โทร.: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

Kioxia สุ่มตัวอย่างอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝัง UFS Ver. 4.1

Logo

อุปกรณ์ UFS ใหม่พร้อม BiCS FLASH™(1) รุ่นที่ 8 ของ Kioxia เพิ่มความเร็วและประสิทธิภาพการใช้พลังงาน

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–09 กรกฎาคม 2025

Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศในวันนี้ว่าได้เริ่มสุ่มตัวอย่างอุปกรณ์หน่วยความจำแบบฝัง Universal Flash Storage (2) (UFS) Ver. 4.1 ใหม่ ซึ่งตอกย้ำความเป็นผู้นำด้านระบบจัดเก็บข้อมูลประสิทธิภาพสูง อุปกรณ์ใหม่นี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อตอบสนองความต้องการของแอปพลิเคชันมือถือรุ่นถัดไป รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูงที่มี AI บนอุปกรณ์ โดยมอบประสิทธิภาพการทำงานที่ดีขึ้นพร้อมประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่มากขึ้น (3) ในแพ็กเกจ BGA ขนาดเล็ก

Kioxia: UFS Ver. 4.1 Embedded Flash Memory Devices for Next-generation Mobile Applications

Kioxia: อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝัง UFS Ver. 4.1 สำหรับแอปพลิเคชันมือถือรุ่นถัดไป

อุปกรณ์ UFS Ver. 4.1 จาก Kioxia ผสานหน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASH™ ที่เป็นนวัตกรรมของบริษัทและตัวควบคุมในแพ็กเกจมาตรฐาน JEDEC อุปกรณ์ UFS ใหม่เหล่านี้สร้างขึ้นด้วยหน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ของ Kioxia (1) รุ่นนี้เปิดตัวเทคโนโลยี CBA (CMOS directly Bonded to Array) ซึ่งเป็นนวัตกรรมทางสถาปัตยกรรมที่ถือเป็นการเปลี่ยนแปลงครั้งสำคัญในการออกแบบหน่วยความจำแฟลช โดยการเชื่อมต่อวงจร CMOS เข้ากับอาร์เรย์หน่วยความจำโดยตรง เทคโนโลยี CBA ช่วยให้ประหยัดพลังงาน ประสิทธิภาพการทำงาน และความหนาแน่นได้อย่างมาก

ด้วยการผสมผสานระหว่างความเร็วและการใช้พลังงานต่ำ อุปกรณ์ UFS Ver. 4.1 ของ Kioxia ถูกสร้างขึ้นเพื่อยกระดับประสบการณ์ของผู้ใช้ ช่วยให้ดาวน์โหลดได้เร็วขึ้นและแอปมีประสิทธิภาพการทำงานราบรื่นยิ่งขึ้น

คุณสมบัติหลัก ได้แก่:

  •  มีความจุให้เลือก 256 กิกะไบต์ (GB), 512 GB และ 1 เทราไบต์ (TB)
  •  ประสิทธิภาพการทำงานดีขึ้นกว่ารุ่นก่อนหน้า(3) :
    • การเขียนแบบสุ่ม: 512 GB / 1 TB โดยประมาณ +30%
    • การเขียนแบบสุ่ม: 512 GB / 1 TB โดยประมาณ +35%
  •  ปรับปรุงประสิทธิภาพการใช้พลังงานมากกว่ารุ่นก่อนหน้า(3) :
    • การอ่าน: 512 GB / 1 TB โดยประมาณ ปรับปรุงดีขึ้น 15%
    • การเขียน: 512 GB / 1 TB โดยประมาณ ปรับปรุงดีขึ้น 20%
  • การจัดเรียงข้อมูลแบบเริ่มต้นโดยโฮสต์ช่วยให้สามารถรวบรวมขยะได้ล่าช้าเพื่อประสิทธิภาพที่รวดเร็วไม่หยุดชะงักในช่วงเวลาที่สำคัญ
  • การปรับขนาดบัฟเฟอร์ WriteBooster ช่วยให้มีความยืดหยุ่นมากขึ้นเพื่อประสิทธิภาพที่เหมาะสมที่สุด
  • รองรับมาตรฐาน UFS Ver. 4.1
  •  ความสูงของแพ็กเกจที่ลดลงสำหรับรุ่น 1 TB เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า(4)
  •  ใช้หน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ของ Kioxia(1)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
หน้าผลิตภัณฑ์ UFS 4.1 ของ Kioxia
https://www.kioxia.com/en-jp/business/memory/mlc-nand/ufs4.html

หมายเหตุ:
(1) เฉพาะรุ่น 512 GB / 1 TB เท่านั้น
(2) Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สำหรับผลิตภัณฑ์หน่วยความจำฝังตัวประเภทหนึ่งที่สร้างขึ้นตามมาตรฐาน JEDEC UFS เนื่องจากมีอินเทอร์เฟซแบบอนุกรม UFS จึงรองรับการทำงานแบบดูเพล็กซ์เต็มรูปแบบ ซึ่งช่วยให้สามารถอ่านและเขียนข้อมูลพร้อมกันระหว่างโพรเซสเซอร์โฮสต์และอุปกรณ์ UFS ได้
(3) เมื่อเปรียบเทียบกับอุปกรณ์ 512 GB รุ่นก่อนหน้า “THGJFMT2E46BATV” และอุปกรณ์ 1 TB “THGJFMT3E86BATZ” ตามลำดับ (เฉพาะรุ่น 512 GB / 1 TB เท่านั้น)
(4) อุปกรณ์ 1 TB รุ่นก่อนหน้า “THGJFMT3E86BATZ”

*ทุกครั้งที่กล่าวถึงผลิตภัณฑ์ Kioxia ความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์จะระบุตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจำภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่ปริมาณความจุหน่วยความจำที่มีให้สำหรับจัดเก็บข้อมูลโดยผู้ใช้ปลายทาง ความจุที่ผู้บริโภคใช้ได้จะลดลงเนื่องจากพื้นที่ข้อมูลโอเวอร์เฮด การจัดรูปแบบ บล็อกเสีย และข้อจำกัดอื่นๆ และอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์โฮสต์และแอปพลิเคชัน สำหรับรายละเอียด โปรดดูข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง คำจำกัดความของ 1 KB = 2^10 ไบต์ = 1,024 ไบต์ คำจำกัดความของ 1 Gb = 2^30 บิต = 1,073,741,824 บิต คำจำกัดความของ 1 GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ 1 Tb = 2^40 บิต = 1,099,511,627,776 บิต 1 TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์

*ความเร็วในการอ่านและเขียนเป็นค่าที่ดีที่สุดที่ได้จากการทดสอบในสภาพแวดล้อมเฉพาะที่ Kioxia Corporation และ Kioxia Corporation ไม่รับประกันความเร็วในการอ่านและเขียนในอุปกรณ์แต่ละเครื่อง ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ที่ใช้และขนาดไฟล์ที่อ่านหรือเขียน

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ที่ทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อเดิมของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าจากหน่วยความจำสำหรับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D ที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia ที่เรียกว่า BiCS FLASH™ กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

การสอบถามจากลูกค้า:
Kioxia Corporation
สำนักงานขายทั่วโลก
https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า 

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250707306499/en  

Contacts

การสอบถามจากสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายบริหารการส่งเสริมการขาย
Koji Takahata
โทร.: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

ซอฟต์แวร์ KIOXIA AiSAQ™ พัฒนา AI RAG ด้วย Vector Search Library เวอร์ชันใหม่

Logo

ซอฟต์แวร์โอเพ่นซอร์สใหม่ที่ช่วยให้สามารถปรับสมดุลความจุและประสิทธิภาพการทำงานได้อย่างยืดหยุ่นตามความต้องการของผู้ใช้และสภาพแวดล้อม

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–03 กรกฎาคม 2025

ความพยายามอย่างต่อเนื่องในการปรับปรุงการใช้งานการค้นหาฐานข้อมูลเวกเตอร์ AI ภายในระบบการสร้างเสริมการเรียกค้น (RAG) โดยการปรับให้เหมาะสมกับการใช้ไดรฟ์โซลิดสเตต (SSD)Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศเปิดตัวซอฟต์แวร์ KIOXIA AiSAQ™ (All-in-Storage ANNS with Product Quantization) ในวันนี้ ซอฟต์แวร์โอเพ่นซอร์สรุ่นใหม่นี้มาพร้อมการควบคุมที่ยืดหยุ่นสามารถช่วยให้สถาปนิกระบบกำหนดจุดสมดุลระหว่างประสิทธิภาพในการค้นหาและจำนวนเวกเตอร์ได้ ซึ่งเป็นปัจจัยตรงข้ามกันในความจุคงที่ของที่เก็บข้อมูล SSD ในระบบ โดยประโยชน์ที่ได้รับทำให้สถาปนิกระบบ RAG สามารถปรับแต่งสมดุลที่เหมาะสมที่สุดของเวิร์กโหลดเฉพาะและข้อกำหนดของเวิร์กโหลดเหล่านั้นได้โดยไม่ต้องปรับเปลี่ยนฮาร์ดแวร์ใดๆ

ซอฟต์แวร์ KIOXIA AiSAQ เปิดตัวครั้งแรกในเดือนมกราคม 2025 โดยใช้ขั้นตอนวิธีค้นหาใกล้เคียงที่ใกล้ที่สุดโดยประมาณ (ANNS) แบบใหม่ที่ได้รับการปรับให้เหมาะสมสำหรับ SSD และขจัดความจำเป็นในการจัดเก็บข้อมูลดัชนีใน DRAM โดยเทคโนโลยี KIOXIA AiSAQ สามารถช่วยให้ฐานข้อมูลเวกเตอร์สามารถปรับขนาดได้ โดยแทบไม่มีข้อจำกัดที่เกิดจากความจุ DRAM ที่จำกัด ด้วยการเปิดใช้การค้นหาเวกเตอร์โดยตรงบน SSD และลดความต้องการหน่วยความจำของโฮสต์

เมื่อความจุที่ติดตั้งของ SSD ในระบบได้รับการแก้ไข การเพิ่มประสิทธิภาพในการค้นหา (การค้นหาต่อวินาที) ต้องใช้ความจุ SSD มากขึ้นต่อเวกเตอร์ ส่งผลให้มีเวกเตอร์จำนวนน้อยลง ในทางกลับกัน หากต้องการเพิ่มจำนวนเวกเตอร์ให้สูงสุด ก็จำเป็นต้องลดการใช้ความจุ SSD ต่อเวกเตอร์ลง ซึ่งส่งผลให้ประสิทธิภาพลดลง สมดุลที่เหมาะสมระหว่างเงื่อนไขที่ตรงกันข้ามทั้งสองนี้จะแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับปริมาณงานที่เฉพาะเจาะจง เพื่อค้นหาสมดุลที่เหมาะสม ซอฟต์แวร์ KIOXIA AiSAQ จึงแนะนำตัวเลือกการกำหนดค่าที่ยืดหยุ่น การอัปเดตล่าสุดนี้จะช่วยให้ผู้ดูแลระบบสามารถเลือกสมดุลที่เหมาะสมที่สุดสำหรับปริมาณงานที่แตกต่างกันหลากหลายในระบบ RAG การอัปเดตนี้ทำให้เทคโนโลยี KIOXIA AiSAQ เป็น ANNS ที่ใช้ SSD ที่เหมาะสมไม่เพียงแต่สำหรับแอปพลิเคชัน RAG เท่านั้น แต่ยังรวมถึงแอปพลิเคชันอื่นๆ ที่ต้องการเวกเตอร์ เช่น การค้นหาความหมายแบบออฟไลน์

ด้วยความต้องการที่เพิ่มขึ้นสำหรับบริการ AI ที่ปรับขนาดได้ SSD จึงเป็นทางเลือกที่ใช้งานได้จริงสำหรับ DRAM ในการจัดการปริมาณงานสูงและเวลาแฝงต่ำที่ระบบ RAG ต้องการ ซอฟต์แวร์ KIOXIA AiSAQ ทำให้สามารถตอบสนองความต้องการเหล่านี้ได้อย่างมีประสิทธิภาพ ช่วยให้สามารถสร้าง AI เชิงสร้างสรรค์ขนาดใหญ่ได้โดยไม่ต้องถูกจำกัดด้วยทรัพยากรหน่วยความจำที่มีจำกัด

ด้วยการเปิดตัวซอฟต์แวร์ KIOXIA AiSAQ ในรูปแบบโอเพ่นซอร์ส Kioxia จึงตอกย้ำความมุ่งมั่นที่มีต่อชุมชน AI ด้วยการส่งเสริมสถาปัตยกรรมที่เน้น SSD สำหรับ AI ที่ปรับขนาดได้

โปรดใช้ลิงก์เพื่อดาวน์โหลดซอฟต์แวร์โอเพ่นซอร์ส KIOXIA AiSAQ
https://github.com/kioxia-jp/aisaq-diskann

* KIOXIA AiSAQ: ANNS แบบ All-in-Storage พร้อมการวัดปริมาณผลิตภัณฑ์ ซึ่งเป็นวิธีการใหม่ในการจัดวางข้อมูลดัชนี เป็นเครื่องหมายการค้าของ Kioxia
* ชื่อบริษัทอื่นๆ ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ที่ทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อเดิมของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D นวัตกรรมของ Kioxia ที่เรียกว่า BiCS FLASH™ กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลที่ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่สามารถเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Contacts

การสอบถามจากสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Satoshi Shindo
โทร.: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

Kioxia ขยายพอร์ตโฟลิโอ SSD BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ด้วย SSD NVMe™ สำหรับศูนย์ข้อมูลประสิทธิภาพสูงเพื่อเพิ่มการใช้ GPU ให้สูงสุดในเวิร์กโหลด AI และ HPC (การประมวลผลประสิทธิภาพสูง)

Logo

SSD PCIe® 5.0 ซีรีส์ KIOXIA CD9P มาพร้อมสถาปัตยกรรม CBA ขั้นสูงและแฟลช TLC มอบประสิทธิภาพ ประสิทธิภาพ และความจุที่ก้าวล้ำ

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–20 มิถุนายน 2025

Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ วันนี้ประกาศเปิดตัวต้นแบบและสาธิต SSD PCIe® 5.0 NVMe™ ซีรีส์ CD9P ของ KIOXIA ไดรฟ์รุ่นใหม่เหล่านี้เป็น SSD ล่าสุดที่สร้างขึ้นด้วยหน่วยความจำแฟลช 3D แบบ TLC BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ของ Kioxia โดย BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 นี้มาพร้อมเทคโนโลยี CBA (CMOS directly Bonded to Array) ซึ่งเป็นสถาปัตยกรรมที่ก้าวล้ำที่จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการใช้พลังงาน ประสิทธิภาพการทำงาน และความหนาแน่นของพื้นที่จัดเก็บได้อย่างมาก[1] โดยมีการเพิ่มความจุที่ใช้ได้ต่อ SSD เป็นสองเท่าเมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า[2]

KIOXIA CD9P Series High-Performance Data Center NVMe SSDs to Maximize GPU Utilization in AI and HPC Workloads

SSD NVMe ซีรีส์ KIOXIA CD9P สำหรับศูนย์ข้อมูลประสิทธิภาพสูงเพื่อเพิ่มการใช้ GPU ให้สูงสุดในเวิร์กโหลด AI และ HPC

เนื่องจากเซิร์ฟเวอร์ AI ที่เร่งความเร็วด้วย GPU ทำให้ความต้องการโครงสร้างพื้นฐานด้านการจัดเก็บเพิ่มมากขึ้น การรักษาปริมาณงานสูง ความหน่วงเวลาต่ำ และประสิทธิภาพที่สม่ำเสมอจึงมีความสำคัญ รวมถึงการทำให้ GPU ที่มีค่าการถูกใช้งานเป็นอย่างสูง ซีรีส์ KIOXIA CD9P นี้ถูกสร้างขึ้นมาโดยเฉพาะสำหรับสภาพแวดล้อมถัดไปเหล่านี้ โดยมอบความเร็วและการตอบสนองที่จำเป็นสำหรับเวิร์กโหลด AI, แมชชีนเลิร์นนิ่ง และ HPC (การประมวลผลประสิทธิภาพสูง) เพื่อให้แน่ใจว่า GPU จะได้รับข้อมูลและทำงานอย่างมีประสิทธิภาพสูงสุด

ซีรีส์ CD9P ใช้ประโยชน์จากหน่วยความจำแฟลช 3D ขั้นสูงที่สุดของ Kioxia ในปัจจุบัน ซึ่งมีสถาปัตยกรรมที่ใช้ CBA ซึ่งช่วยลดการเกิดความร้อน เพิ่มประสิทธิภาพการจัดการความร้อน และมอบมูลค่ารวมที่สูงขึ้นผ่านประสิทธิภาพและมาตรวัดพลังงานที่ได้รับการปรับปรุง รวมถึงต้นทุนรวมในการเป็นเจ้าของ

ไดรฟ์ซีรีส์ KIOXIA CD9P มอบการปรับปรุงประสิทธิภาพ 4 ด้าน อาทิ การเขียนแบบสุ่มสูงถึงประมาณ 125%, การอ่านแบบสุ่มสูงถึง 30%, การอ่านแบบต่อเนื่องสูงถึง 20% และความเร็วในการเขียนแบบต่อเนื่องสูงถึง 25% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า[2]

นอกจากนี้ ประสิทธิภาพต่อวัตต์ของการใช้พลังงานได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้นประมาณ 60% ในการอ่านแบบต่อเนื่อง, 45% ในการเขียนแบบต่อเนื่อง, 55% ในการอ่านแบบสุ่ม และ 100% (2 เท่า) ในการเขียนแบบสุ่ม[2] (ใช้กับรุ่น 15.36 เทราไบต์ (TB))

ไฮไลท์ SSD ซีรีส์ KIOXIA CD9P ได้แก่ (เบื้องต้นและอาจมีการเปลี่ยนแปลง):

  •  รองรับ PCIe® 5.0, NVMe™ 2.0, NVMe-MI™ 1.2c
  • รองรับข้อมูลจำเพาะ SSD NVMe™ สำหรับศูนย์ข้อมูลโครงการ Open Compute เวอร์ชัน 2.5 (ไม่ใช่ข้อกำหนดทั้งหมด)
  • ฟอร์มแฟกเตอร์: ความหนา 2.5 นิ้ว 15 มม. EDSFF E3.S
  • ความทนทานต่อการอ่านที่เข้มข้น (1 DWPD) และการใช้งานแบบผสมผสาน (3 DWPD)
  • ประสิทธิภาพการทำงานแบบต่อเนื่อง (128 KiB/QD32) – อ่าน 14.8 GB/s และเขียน 7 GB/s
  • ประสิทธิภาพแบบสุ่ม (4KiB) – อ่าน 2,600 KIOPS (QD512) และเขียน 750 KIOPS (QD32)
  • ความจุ 2.5 นิ้ว สูงสุด 61.44 TB และความจุ E3.S สูงสุด 30.72 TB
  • รองรับอัลกอริทึม CNSA 2.0 [3]
     (เตรียมพร้อมรับมือกับภัยคุกคามจากคอมพิวเตอร์ควอนตัม)

ขณะนี้ SSD ซีรีส์ KIOXIA CD9P กำลังทำการสุ่มตัวอย่างให้กับลูกค้าที่เลือกไว้ และจะนำไปจัดแสดงในงาน HPE Discover 2025 ซึ่งจะมีขึ้นในวันที่ 23-26 มิถุนายนที่ลาสเวกัส

หมายเหตุ
[1] เมื่อเทียบกับ BiCS FLASH™ รุ่นที่ 6
[2] เมื่อเทียบกับซีรีส์ KIOXIA CD8P
[3] ซีรีส์ KIOXIA CD9P รองรับอัลกอริทึม Leighton-Micali Signature (LMS) ที่ได้รับการยอมรับโดย CNSA 2.0 [4] เป็นอัลกอริทึมลายเซ็นดิจิทัลเพื่อป้องกันการดัดแปลงเฟิร์มแวร์เพื่อเตรียมรับมือกับภัยคุกคามต่ออัลกอริทึมการเข้ารหัสแบบเดิมที่เกิดจากคอมพิวเตอร์ควอนตัม มาตรฐานการเข้ารหัสขั้นสูง (AES-256) ที่มีความยาวคีย์ 256 บิต ซึ่งเป็นอัลกอริทึมการเข้ารหัสข้อมูลที่ใช้ใน CD9P ได้รับการยอมรับจาก CNSA 2.0 เช่นกัน
[4] CNSA2.0: ชุดอัลกอริทึมความมั่นคงแห่งชาติเชิงพาณิชย์ 2.0

*2.5 นิ้วบ่งบอกถึงขนาดของ SSD ไม่ใช่ขนาดทางกายภาพ
*ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับปัจจัยหลายประการ เช่น อุปกรณ์โฮสต์ ซอฟต์แวร์ (ไดรเวอร์ ระบบปฏิบัติการ ฯลฯ) และสภาวะการอ่าน/การเขียน
*ประสิทธิภาพการทำงานยังเป็นเพียงเบื้องต้นและอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

*คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดให้กิโลไบต์ (KB) เท่ากับ 1,000 ไบต์ เมกะไบต์ (MB) เท่ากับ 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ เทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ และกิบิไบต์ (KiB) เท่ากับ 1,024 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุของหน่วยเก็บข้อมูลโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุของหน่วยเก็บข้อมูลที่น้อยกว่า ความจุในการจัดเก็บที่พร้อมใช้งาน (รวมถึงตัวอย่างไฟล์สื่อต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป
*1 กิบิไบต์ (KiB) หมายถึง 2^10 หรือ 1,024 ไบต์
*IOPS: อินพุตเอาต์พุตต่อวินาที (หรือจำนวนการดำเนินการ I/O ต่อวินาที)

*NVMe และ NVMe-MI เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนและไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*HPE เป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัท Hewlett Packard Enterprise และ/หรือบริษัทในเครือ
*ชื่อบริษัทอื่น ๆ ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อก่อนหน้าของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D เชิงนวัตกรรมของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

 การสอบถามจากลูกค้า:
 Kioxia Group
 สำนักงานขายทั่วโลก
 https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า 

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย  

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250619775105/en

Contacts

การสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายจัดการด้านการส่งเสริมการขาย
Koji Takahata
โทร.: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

Kioxia ประกาศเปิดตัว SSD NVMe™ ระดับองค์กรตัวแรกที่สร้างขึ้นด้วยเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ TLC-Based เจเนอเรชันที่ 8

Logo

KIOXIA CM9 Series PCIe® 5.0 NVMe™ SSD ยกระดับมาตรฐานด้วยสถาปัตยกรรมชิป CBA

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–16 พฤษภาคม 2025

Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศเปิดตัวและสาธิตต้นแบบ SSD KIOXIA CM9 Series PCIe® 5.0 NVMe™ ใหม่ในวันนี้ ไดรฟ์รุ่นถัดไปเหล่านี้เป็น SSD ระดับองค์กรรุ่นแรกที่สร้างขึ้นโดยใช้หน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASH™ TLC รุ่นที่ 8 ของ Kioxia 1 ซึ่งผสานรวมเทคโนโลยี CMOS แบบ Bonded to Array (CBA) โดยตรง ซึ่งเป็นนวัตกรรมทางสถาปัตยกรรมที่มอบความก้าวหน้าอย่างมากในด้านประสิทธิภาพการใช้พลังงาน ประสิทธิภาพการทำงาน ความหนาแน่น และความยั่งยืน พร้อมทั้งเพิ่มความจุที่มีอยู่เป็นสองเท่า 2 ต่ออุปกรณ์แฟลช

KIOXIA CM9 Series SSD

SSD ซีรีส์ CM9 ของ KIOXIA

เนื่องจากความต้องการในการประมวลผลสมัยใหม่เพิ่มมากขึ้น แอปพลิเคชันต่างๆ เช่น AI การเรียนรู้ของเครื่องจักร และการประมวลผลประสิทธิภาพสูงจึงต้องการโครงสร้างพื้นฐานการจัดเก็บข้อมูลโซลิดสเตตที่ซับซ้อน ซึ่งไม่เพียงแต่ต้องมีประสิทธิภาพระดับองค์กรเท่านั้น แต่ยังต้องมีประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่สูงขึ้นเพื่อให้แน่ใจว่ามีความสามารถในการปรับขนาดและต้นทุนการดำเนินงานที่จัดการได้ การตอบสนองความต้องการเหล่านี้ถือเป็นหัวใจสำคัญของการออกแบบซีรีส์ KIOXIA CM9 ที่สร้างขึ้นมาโดยเฉพาะเพื่อรองรับเวิร์กโหลดของศูนย์ข้อมูลรุ่นถัดไป

หัวใจสำคัญของซีรีส์ CM9 คือ BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ของ Kioxia ซึ่งเป็นหน่วยความจำแฟลช 3D ที่ล้ำหน้าที่สุดของบริษัทจนถึงปัจจุบัน เทคโนโลยีนี้ใช้สถาปัตยกรรมที่ใช้ CBA ซึ่งช่วยเพิ่มความเร็วของอินเทอร์เฟซ NAND ได้อย่างมาก เพิ่มความหนาแน่นและประสิทธิภาพการใช้พลังงาน และลดเวลาแฝง ซึ่งส่งผลดีต่อประสิทธิภาพของ SSD โดยตรง

SSD ซีรีส์ KIOXIA CM9 มอบการปรับปรุงประสิทธิภาพสูงสุดถึงประมาณ 65% ในการเขียนแบบสุ่ม 55% ในการอ่านแบบสุ่ม และ 95% ในการเขียนแบบต่อเนื่อง เมื่อเทียบกับซีรีส์ KIOXIA CM7 รุ่นก่อนหน้า นอกจากนี้ ประสิทธิภาพต่อวัตต์ที่เพิ่มขึ้นยังรวมถึงการอ่านแบบต่อเนื่องที่ดีขึ้นประมาณ 55% และประสิทธิภาพการเขียนแบบต่อเนื่องที่ดีขึ้น 75%

ไฮไลท์ของ SSD ซีรีส์ KIOXIA CM9 ได้แก่ (เบื้องต้นและอาจมีการเปลี่ยนแปลง):

  •  PCIe® 5.0, NVMe™ 2.0, NVMe-MI™ 1.2c และ OCP Datacenter NVMe™ SSD 2.5 ที่เป็นไปตามข้อกำหนด
  • รองรับพอร์ตคู่ในฟอร์มแฟกเตอร์ขนาด 2.5 นิ้วและ E3.S
  • ความทนทานในการอ่านข้อมูลแบบเข้มข้น (1 DWPD) และการใช้งานแบบผสมผสาน (3 DWPD)
  • ประสิทธิภาพการทำงานแบบต่อเนื่อง (128 กิบิไบต์ (KiB)/QD32) – อ่านได้ 14.8 GB/วินาที และเขียนได้ 11 GB/วินาที
  • ประสิทธิภาพการทำงานแบบสุ่ม (4KiB) – 3,400 KIOPS (QD512) และ 800 KIOPS (QD32)
  • 2.5 นิ้ว ความจุสูงสุด 61.44 เทราไบต์ (TB) และ E3.S ความจุสูงสุด 30.72 TB

ขณะนี้ SSD ซีรีส์ KIOXIA CM9 กำลังทำการสุ่มตัวอย่างให้กับลูกค้าที่เลือกไว้ และจะนำไปจัดแสดงที่งาน Dell Technologies World ซึ่งจัดขึ้นระหว่างวันที่ 19 – 22 พฤษภาคมที่ลาสเวกัส

หมายเหตุ
 1: ข้อมูล ณ วันที่ 15 พฤษภาคม 2025 ที่มา: Kioxia Corporation
 2: เปรียบเทียบกับรุ่นก่อนหน้า

  • 2.5 นิ้ว หมายถึงชื่อฟอร์มแฟกเตอร์ ไม่ใช่ขนาดทางกายภาพ
  • ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับปัจจัยต่างๆ เช่น อุปกรณ์โฮสต์ ซอฟต์แวร์ (ไดรเวอร์ ระบบปฏิบัติการ ฯลฯ) และเงื่อนไขการอ่าน/เขียน
  • ประสิทธิภาพเป็นเพียงข้อมูลเบื้องต้น และอาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
  • คำจำกัดความของความจุ: KIOXIA Corporation กำหนดให้กิโลไบต์ (KB) เท่ากับ 1,000 ไบต์ เมกะไบต์ (MB) เท่ากับ 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ และเทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์รายงานความจุของพื้นที่เก็บข้อมูลโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ และกิบิไบต์ (KiB) เท่ากับ 1,024 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุที่น้อยกว่า ความจุที่มีอยู่ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การฟอร์แมต การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่ฟอร์แมตแล้วตามจริงอาจแตกต่างกันไป
  •  IOPS: อินพุตเอาต์พุตต่อวินาที (หรือจำนวนการดำเนินการ I/O ต่อวินาที)
     
  • Dell Technologies และ Dell เป็นเครื่องหมายการค้าของ Dell Inc. หรือบริษัทในเครือ
  • NVMe และ NVMe-MI เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
  • PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
  • ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อก่อนหน้าของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D เชิงนวัตกรรมของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

การสอบถามจากลูกค้า:
Kioxia Group
สำนักงานขายทั่วโลก
https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250515911055/en

Contacts

การสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Satoshi Shindo
โทร: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

SSD แบบพกพาของ Kioxia คว้ารางวัล Red Dot Design Award สาขาการออกแบบผลิตภัณฑ์ประจำปี 2025

Logo

ที่ได้รับการยอมรับถึงการออกแบบที่ล้ำสมัย ฟังก์ชันการทำงานที่เน้นผู้ใช้ และโครงสร้างที่ทนทาน

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–24 เมษายน 2025

Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศในวันนี้ว่าซีรีส์ SSD แบบพกพา EXCERIA PLUS G2 ของบริษัทได้รับรางวัล Red Dot Design Award ในประเภท “การออกแบบผลิตภัณฑ์ ประจำปี 2025” โดยรางวัล Red Dot Design Award นี้ถือเป็นรางวัลด้านการออกแบบที่ทรงเกียรติที่สุดรางวัลหนึ่งของโลก ซึ่งมอบให้แก่ผลิตภัณฑ์ที่มีดีไซน์ยอดเยี่ยมที่สุดทุกปี ผู้ชนะจะได้รับเกียรติในพิธีมอบรางวัล Red Dot Design Award ซึ่งจะจัดขึ้นในวันที่ 8 กรกฎาคมที่เมืองเอสเซน ประเทศเยอรมนี

Red Dot Design Award Winner: Kioxia’s EXCERIA PLUS G2 Portable SSD Series

ผู้ชนะรางวัล Red Dot Design Award: ซีรีส์ SSD แบบพกพา EXCERIA PLUS G2 ของ Kioxia

คณะกรรมการของ Red Dot ซึ่งประกอบด้วยผู้เชี่ยวชาญด้านการออกแบบที่ได้รับการยอมรับในระดับนานาชาติ ได้เลือกซีรีส์ SSD แบบพกพา EXCERIA PLUS G2 เนื่องจากมีดีไซน์ที่เพรียวบาง ฟังก์ชันที่เน้นผู้ใช้ และโครงสร้างที่ทนทาน รางวัลดังกล่าวมอบให้แก่ตัวเครื่องอะลูมิเนียมที่เรียบและโค้งมน ไม่มีสกรูที่มองเห็นได้เพื่อให้สัมผัสที่ไร้รอยต่อ รวมถึงมีโซลูชันระบายความร้อนและทนต่อแรงกระแทกผ่านการออกแบบ

โดยซีรีส์ SSD แบบพกพา EXCERIA PLUS G2 ยังเคยได้รับรางวัล GOOD DESIGN AWARD 2024 ในญี่ปุ่นมาก่อนอีกด้วย

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
ข้อมูลผลิตภัณฑ์ซีรีส์ SSD แบบพกพา EXCERIA PLUS G2
(เว็บไซต์ Kioxia Singapore Pte.Ltd.)
https://apac.kioxia.com/en-apac/personal/ssd/exceria-plus-g2-portable.html

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการทั้งหมดอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อเดิมของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” ผ่านการนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและการสร้างคุณค่าสำหรับสังคมผ่านหน่วยความจำ โดย BiCS FLASH™ ซึ่งเป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250422321137/en

Contacts

การติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
แผนกการจัดการโปรโมชั่น
Koji Takahata
โทร.: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

Kioxia, AIO Core และ Kyocera ประกาศการพัฒนา SSD ออปติคัลบรอดแบนด์ที่รองรับ PCIe 5.0 สำหรับศูนย์ข้อมูลที่เป็นมิตรกับสิ่งแวดล้อมในยุคถัดไป

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–08 เมษายน 2025

Kioxia Corporation, AIO Core Co., Ltd. และ Kyocera Corporation ได้ประกาศในวันนี้ถึงการพัฒนาต้นแบบของ SSD แบบบรอดแบนด์ที่รองรับ PCIe® 5.0 ที่มีอินเทอร์เฟซแบบออปติคัล (broadband optical SSD) โดยทั้งสามบริษัทจะพัฒนาเทคโนโลยีสำหรับ SSD ออปติคัลบรอดแบนด์เพื่อให้เหมาะสมกับการใช้งานขั้นสูงที่ต้องการการถ่ายโอนข้อมูลขนาดใหญ่ด้วยความเร็วสูง เช่น AI เชิงสร้างสรรค์ และจะมีการนำไปประยุกต์ใช้กับการทดสอบแนวคิด (Proof-of-concept หรือ PoC) สำหรับการใช้งานในสังคมในอนาคตด้วย

Kioxia’s PCIe® 5.0-compatible broadband optical SSD prototype

ต้นแบบ SSD ออปติคัลบรอดแบนด์ที่รองรับ PCIe® 5.0 ของ Kioxia

โดยต้นแบบใหม่นี้สามารถทำงานได้จริงด้วยอินเทอร์เฟซ PCIe 5.0 ความเร็วสูง ซึ่งมีแบนด์วิดท์เป็นสองเท่าของ PCIe 4.0 รุ่นก่อนหน้า[1] ผ่านการผสมผสานระหว่างเครื่องรับส่งสัญญาณออปติคัล IOCore® ของ AIO Core และเทคโนโลยีโมดูลผสานรวมออปโตอิเล็กทรอนิกส์ OPTINITY® ของ Kyocera

ศูนย์ข้อมูลที่เป็นมิตรกับสิ่งแวดล้อมในยุคถัดไปจะมีการเปลี่ยนอินเทอร์เฟซสายไฟเป็นออปติคัล และจะใช้เทคโนโลยี SSD ออปติคัลบรอดแบนด์เพื่อช่วยเพิ่มระยะห่างทางกายภาพระหว่างอุปกรณ์คอมพิวเตอร์และหน่วยเก็บข้อมูลอย่างมีนัยสำคัญ ในขณะที่ยังคงรักษาประสิทธิภาพด้านพลังงานและคุณภาพสัญญาณที่สูงไว้ได้ นอกจากนี้ยังช่วยเพิ่มความยืดหยุ่นและประสิทธิภาพของการออกแบบระบบศูนย์ข้อมูล ซึ่งการกระจายความเสี่ยงทางดิจิทัลและวิวัฒนาการของ AI เชิงสร้างสรรค์ที่ต้องการการประมวลผลข้อมูลที่ซับซ้อน ปริมาณมาก และมีความเร็วสูง

ความสำเร็จนี้เป็นผลมาจากโครงการ “Next Generation Green Data Center Technology Development” ของญี่ปุ่น JPNP21029 ซึ่งได้รับเงินอุดหนุนจากองค์กรพัฒนาพลังงานใหม่และเทคโนโลยีอุตสาหกรรม (NEDO) ซึ่งอยู่ภายใต้ “Green Innovation Fund Project: Construction of Next Generation Digital Infrastructure” โดยในโครงการนี้ บริษัทต่างๆ จะพัฒนาเทคโนโลยีในรุ่นต่อไปโดยมีเป้าหมายที่จะประหยัดพลังงานมากกว่า 40% เมื่อเทียบกับศูนย์ข้อมูลในปัจจุบัน ในโครงการนี้ Kioxia กำลังพัฒนา SSD ออปติคัลบรอดแบนด์ และ AIO Core กำลังพัฒนาอุปกรณ์ฟิวชั่นออปโตอิเล็กทรอนิกส์ ส่วน Kyocera นั้นกำลังพัฒนาแพ็คเกจอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์

หมายเหตุ
[1] เมื่อเทียบกับ SSD ออปติคัลบรอดแบนด์ของ Kioxia ที่ประกาศเมื่อวันที่ 7 สิงหาคม 2024

*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*IOCore เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ AIO Core Co., Ltd.
*OPTINITY เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ Kyocera Corporation
*ชื่อบริษัทอื่น ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia Corporation

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อเดิมของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D นวัตกรรมของ Kioxia ที่เรียกว่า BiCS FLASH™ กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

เกี่ยวกับ AIO Core Co., Ltd.

AIO Core Co., Ltd. (https://www.aiocore.com/) ก่อตั้งขึ้นในปี 2017 โดยแยกตัวออกมาจากสมาคมวิจัยเทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์โฟโตนิกส์ (PETRA) ซึ่งเป็นสมาคมวิจัยทางเทคนิคที่อยู่ภายใต้การกำกับดูแลของกระทรวงเศรษฐกิจ การค้า และอุตสาหกรรมของญี่ปุ่น (METI)
AIO Core เป็นบริษัทสตาร์ทอัพที่พัฒนา ผลิต และทำการตลาดเครื่องรับส่งสัญญาณออปติคัลความเร็วสูงภายใต้ชื่อแบรนด์ “IOCore” ซึ่งใช้เทคโนโลยีซิลิกอนโฟโตนิกส์และเลเซอร์จุดควอนตัม
โดยโมดูล “IOCore” จะช่วยให้สามารถส่งสัญญาณออปติก กินไฟต่ำ ทนต่ออุณหภูมิสูงได้ โดยผ่านการแปลงแสงเป็นไฟฟ้า และมีขนาดกะทัดรัด จึงมีความน่าเชื่อถือสูงในสภาพแวดล้อมที่ต้องการความแม่นยำสูง เช่น อุปกรณ์ทางการแพทย์ ระบบยานยนต์ อุปกรณ์การผลิตเซมิคอนดักเตอร์ และการใช้งานในอุตสาหกรรมการบินและอวกาศ

เกี่ยวกับ KYOCERA Corporation

Kyocera Corporation (TOKYO:6971, https://global.kyocera.com/) บริษัทแม่และสำนักงานใหญ่ระดับโลกของกลุ่ม Kyocera ก่อตั้งขึ้นในปี 1959 ในฐานะผู้ผลิตเซรามิกชั้นดี (เรียกอีกอย่างว่า “เซรามิกขั้นสูง”) โดยการผสมผสานวัสดุที่ออกแบบทางวิศวกรรมเหล่านี้กับโลหะและผสานเข้ากับเทคโนโลยีอื่นๆ ทำให้ Kyocera กลายเป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำของส่วนประกอบอุตสาหกรรมและยานยนต์ แพ็คเกจเซมิคอนดักเตอร์ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ระบบพลังงานอัจฉริยะ เครื่องพิมพ์ เครื่องถ่ายเอกสาร และโทรศัพท์มือถือ ในช่วงปีที่สิ้นสุดวันที่ 31 มีนาคม 2024 รายได้จากการขายรวมของบริษัทอยู่ที่ 2 ล้านล้านเยน (ประมาณ 13,300 ล้านดอลลาร์สหรัฐฯ) Kyocera อยู่ในอันดับที่ 874 ในรายชื่อ “Global 2000” ของนิตยสาร Forbes ประจำปี 2024 ซึ่งเป็นรายชื่อบริษัทจดทะเบียนที่ใหญ่ที่สุดในโลก และได้รับการเสนอชื่อให้เป็นหนึ่งใน “100 บริษัทที่มีการบริหารจัดการอย่างยั่งยืนที่สุดในโลก” โดย The Wall Street Journal

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อ ถือเป็นข้อมูลที่ถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่ก็อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250407927840/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Contacts

การติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร.: +81-3-6478-2404

AIO Core Co., Ltd. (Japan)
อีเมล: Web-contact@aiocore.com

KYOCERA Corporation (Japan)
ฝ่ายสื่อสารองค์กร
สำนักงานใหญ่
โทร.: +81-75-604-3416
อีเมล: webmaster.pressgl@kyocera.jp

ที่มา: Kioxia Corporation