Tag Archives: kioxia

Featured, Technology

Kioxia เปิดตัวอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝัง UFS รุ่นแรกที่รองรับ MIPI M-PHY เวอร์ชัน 5.0

Logo

อุปกรณ์รุ่นใหม่นี้จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้กับแอปพลิเคชันบนมือถือ

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–24 กุมภาพันธ์ 2565

Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ วันนี้ได้เปิดตัวตัวอย่าง [1] อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝัง UFS ตัวแรกในอุตสาหกรรม [2][3] ที่รองรับ MIPI M-PHY [4] เวอร์ชัน 5.0 กลุ่มผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้หน่วยความจำแฟลชแบบ BiCS FLASH™ 3D ของบริษัท และจะเปิดจำหน่ายในความจุ 3 ขนาด ได้แก่ 128 กิกะไบต์, 256 กิกะไบต์ และ 512 กิกะไบต์ ด้วยประสิทธิภาพการอ่านและเขียนความเร็วสูง อุปกรณ์ใหม่นี้มีจะถูกนำไปใช้กับแอปพลิเคชันบนมือถือที่หลากหลาย รวมถึงสมาร์ทโฟนล้ำสมัย

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้มีเนื้อหามัลติมีเดีย ดูอย่างเต็มรูปแบบที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20220223006390/en/

Kioxia Corporation: Industry’s first UFS embedded flash memory devices supporting MIPI M-PHY v5.0 (Photo: Business Wire)

Kioxia Corporation: อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝัง UFS ตัวแรกในอุตสาหกรรมที่รองรับ MIPI M-PHY เวอร์ชัน 5.0 (ภาพo: Business Wire)

อุปกรณ์ใหม่นี้เป็น UFS เจเนอเรชันถัดไปที่รองรับ MIPI M-PHY เวอร์ชัน 5.0 ซึ่งมีความเร็วอินเทอร์เฟซตามทฤษฎีสูงถึง 23.2 กิกะบิตต่อวินาทีต่อเลน (2 เลน = 46.4 กิกะบิตต่อวินาที) ในโหมด HS-GEAR5 การอ่านและเขียนแบบเรียงลำดับของอุปกรณ์ขนาด 256 กิกะไบต์นี้ได้รับการปรับปรุงประสิทธิภาพเพิ่มขึ้นประมาณ 90% และ 70% ตามลำดับ เมื่อเทียบกับอุปกรณ์รุ่นก่อนหน้า[5] นอกจากนี้ การอ่านและเขียนแบบสุ่มของอุปกรณ์ขนาด 256 กิกะไบต์ยังได้รับการปรับปรุงประสิทธิภาพเพิ่มขึ้นประมาณ 35% และ 60% ตามลำดับ เมื่อเทียบกับอุปกรณ์รุ่นก่อนหน้า[5] UFS รุ่นต่อไปจะให้ประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นอย่างมาก ทำให้สมาร์ตโฟนและผลิตภัณฑ์อื่น ๆ ในรุ่นต่อ ๆ ไปสามารถเพิ่มประสิทธิภาพและประสบการณ์ของผู้ใช้ปลายทางในยุค 5G และยุคต่อไปได้ดีขึ้น

หมายเหตุ
[1] การจัดส่งตัวอย่างอุปกรณ์ขนาด 256 กิกะไบต์ จะเริ่มตั้งแต่วันที่ 25 กุมภาพันธ์ ส่วนที่เหลือจะทยอยจัดส่งในเดือนสิงหาคม  ข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ตัวอย่างอาจแตกต่างไปจากผลิตภัณฑ์ที่โฆษณา
[2] การสำรวจของ Kioxia Corporation ณ วันที่ 24 กุมภาพันธ์ 2565
[3] Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดผลิตภัณฑ์สำหรับกลุ่มผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแบบฝังที่สร้างตามข้อมูลจำเพาะมาตรฐาน JEDEC UFS เนื่องจากเป็นอินเทอร์เฟซแบบอนุกรม UFS จึงรองรับการถ่ายโอนข้อมูลอย่างต่อเนื่องจากทั้งสองทิศทางพร้อม ๆ กัน ซึ่งช่วยให้อ่านและเขียนพร้อมกันระหว่างหน่วยประมวลผลโฮสต์และอุปกรณ์ UFS ได้
[4] ข้อมูลจำเพาะ MIPI Alliance สำหรับ M-PHY
[5] อุปกรณ์ขนาด 256 กิกะไบต์ รุ่นก่อนหน้าของ Kioxia Corporation รหัส “THGJFGT1E45BAIP”

ความเร็วในการอ่านและเขียนเป็นสิ่งที่คุ้มค่าที่สุดที่ได้จากสภาพแวดล้อมการทดสอบเฉพาะที่ Kioxia Corporation และ Kioxia Corporation ไม่รับประกันความเร็วในการอ่านหรือเขียนในอุปกรณ์แต่ละเครื่อง ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ที่ใช้ และขนาดไฟล์ที่อ่านหรือเขียน

การกล่าวถึงผลิตภัณฑ์ Kioxia ทุกครั้ง ความจุของผลิตภัณฑ์จะระบุตามความจุของชิปหน่วยความจำภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่จำนวนความจุหน่วยความจำที่ผู้ใช้ปลายทางสามารถจัดเก็บข้อมูลได้ ความจุที่ผู้บริโภคใช้งานได้จะลดลงเนื่องจากพื้นที่ข้อมูลที่ใช้จ่าย การจัดรูปแบบ บล็อกที่เสียหาย และข้อจำกัดอื่น ๆ และอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์และแอปพลิเคชันโฮสต์ สำหรับรายละเอียด โปรดดูข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง  คำจำกัดความของ 1 กิโลไบต์ = 2^10 ไบต์ = 1,024 ไบต์  คำจำกัดความของ 1 กิกะไบต์ = 2^30 บิต = 1,073,741,824 บิต  คำจำกัดความของ 1 กิกะไบต์ = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์  1 เทราไบต์ = 2^40 บิต = 1,099,511,627,776 บิต

ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำที่อุทิศตนเพื่อการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2560 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นจุดเริ่มต้นของ Kioxia ได้แยกออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 2530 โดยบริษัทถือเป็นผู้บุกเบิกโซลูชันและบริการหน่วยความจำที่ล้ำสมัยซึ่งเพิ่มคุณภาพชีวิตของผู้คนและขยายขอบเขตทางสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D แบบใหม่ของ Kioxia หรือที่เรียกว่า BiCS FLASH™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูงซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ศูนย์ยานยนต์และศูนย์ข้อมูล

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับลูกค้า:
Kioxia Corporation
ฝ่ายขายและการตลาดผลิตภัณฑ์หน่วยความจำ
โทร: +81-3-6478-2423
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการและข้อมูลการติดต่อนั้นถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20220223006390/en/

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Featured, Technology

Kioxia ยกระดับการพัฒนาของอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝัง UFS เวอร์ชั่น 3.1 ด้วยเทคโนโลยี Quadcell (QLC)

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–19 มกราคม 2565

วันนี้ Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ได้ประกาศเปิดตัวอุปกรณ์หน่วยหน่วยความจำแฟลชแบบฝัง Universal Flash Storage (UFS) เวอร์ชั่น 3.1 [1]  ที่ใช้เทคโนโลยี quad-level-cell (QLC) แบบ 4 บิตต่อเซลล์สุดล้ำของบริษัท สำหรับการใช้งานที่ต้องการความหนาแน่นสูง เช่น สมาร์ทโฟนที่มีความล้ำสมัย เทคโนโลยี QLC ของ Kioxia จะช่วยให้สามารถออกแบบอุปกรณ์หน่วยความจำให้มีความหนาแน่นสูงสุดได้ในหนึ่งแพ็คเกจ

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้มีเนื้อหามัลติมีเดีย ดูอย่างเต็มรูปแบบที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20220118006281/en/

Kioxia Corporation: Proof of Concept (PoC) Samples of UFS Ver. 3.1 Embedded Flash Memory Devices with Quad-level-cell (QLC) Technology (Photo: Business Wire)

Kioxia Corporation: ตัวอย่างการพิสูจน์แนวคิด (PoC) ของอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝัง UFS เวอร์ชั่น 3.1 ที่มาพร้อมเทคโนโลยี Quad-level-cell (QLC) (รูปภาพ: Business Wire)

อุปกรณ์ UFS ของ Kioxia สำหรับการพิสูจน์แนวคิด (PoC) เป็นอุปกรณ์ต้นแบบความจุ 512 กิกะไบต์ ซึ่งใช้หน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D ความจุ 1 เทระบิต (128 กิกะไบต์) ของบริษัท ที่มาพร้อมเทคโนโลยี QLC และได้มีการส่งตัวอย่างให้กับลูกค้าที่รับจ้างผลิตสินค้า (OEM) แล้วตอนนี้ อุปกรณ์พิสูจน์แนวคิดได้รับการออกแบบมาเพื่อตอบสนองความต้องการด้านประสิทธิภาพและความหนาแน่นที่สูงขึ้นของแอปพลิเคชันบนมือถือซึ่งใช้ภาพที่มีความละเอียดสูงขึ้น เครือข่าย 5G วิดีโอระดับ 4K ขึ้นไป และอื่น ๆ

หมายเหตุ
[1] Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่สินค้าสำหรับประเภทของผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแบบฝังที่พัฒนาขึ้นตามข้อกำหนดมาตรฐาน JEDEC UFS โดย UFS ใช้อินเตอร์เฟสแบบอนุกรมซึ่งมีข้อดีที่เป็นการสื่อสารแบบสองทาง (full duplex) ที่เกิดขึ้นพร้อมกันต่อเนื่อง ทำให้อุปกรณ์ที่เป็นโอสต์สามารถอ่านและเขียนข้อมูลได้พร้อมกัน

อุปกรณ์ตัวอย่างเป็นอุปกรณ์ POC ซึ่งอยู่ระหว่างการพัฒนา และมีข้อจำกัดด้านคุณสมบัติบางประการ และข้อมูลจำเพาะของอุปกรณ์อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

ในการกล่าวถึงผลิตภัณฑ์ Kioxia ทุกครั้ง: การระบุความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์จะระบุตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจำภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่จำนวนความจุหน่วยความจำที่มีสำหรับการจัดเก็บข้อมูลโดยผู้ใช้ ความจุที่ใช้งานได้ของผู้บริโภคจะลดลงเนื่องจากพื้นที่ของ overhead data การจัดรูปแบบฟอร์แมต บล็อกที่เสียหาย และข้อจำกัดอื่น ๆ และอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์โฮสต์และการใช้งาน สำหรับรายละเอียด โปรดอ้างอิงข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง

ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำที่อุทิศตนเพื่อการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2560 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นจุดเริ่มต้นของ Kioxia ได้แยกออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 2530 โดยบริษัทถือเป็นผู้บุกเบิกโซลูชันและบริการหน่วยความจำที่ล้ำสมัยซึ่งเพิ่มคุณภาพชีวิตของผู้คนและขยายขอบเขตทางสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D แบบใหม่ของ Kioxia หรือที่เรียกว่า BiCS FLASH ™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูงซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ศูนย์ยานยนต์และศูนย์ข้อมูล

*ข้อมูลในเอกสารนี้รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการและข้อมูลการติดต่อนั้นถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20220118006281/en/

ติดต่อ:

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับลูกค้า:
Kioxia Corporation
ฝ่ายขายและการตลาดผลิตภัณฑ์หน่วยความจำ
โทร: +81-3-6478-2423
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Featured, Technology

Kioxia มอบประสิทธิภาพ PCIe® 4.0 ให้กับผู้ใช้พีซีทุกวัน

Logo

KIOXIA BG5 Series รุ่นใหม่ให้ความคล่องตัวด้วยประสิทธิภาพสูง

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–16 พฤศจิกายน 2564

Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศในวันนี้ว่าบริษัทได้สนับสนุนกลุ่มผลิตภัณฑ์โซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) PCIe® 4.0 ด้วยการเพิ่ม KIOXIA BG5 Series โดยได้รับการออกแบบมาเพื่อให้เกิดความสมดุลที่เหมาะสมในประสิทธิภาพ ต้นทุน และกำลังที่เหมาะสมกับเกมเมอร์และผู้ใช้พีซีทุกวัน KIOXIA BG5 Series สร้างขึ้นด้วยอินเตอร์เฟซ PCIe® 64 GT/s (Gen4 x4 lanes) และเร่งความเร็วด้วยเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASH™ รุ่นที่ 5 ของ Kioxia

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีเนื้อหามัลติมีเดีย อ่านฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20211115006371/en/

PCIe® 4.0 Client SSD: KIOXIA BG5 Series (Photo: Business Wire)

PCIe® 4.0 ระบบไคลเอนท์ SSD: รุ่น KIOXIA BG5 Series (ภาพ: Business Wire)

ในขณะที่ระบบไคลเอนท์ SSD ที่เปิดใช้งานแบบ multi-LUN (VML) เสมือน KIOXIA BG5 Series จะปลดล็อกประสิทธิภาพระบบ back-end แฟลชในขณะที่ยังคงราคาที่จับต้องได้ ทำให้เป็นตัวเลือกที่น่าสนใจเป็นพิเศษสำหรับผู้บริโภคเชิงพาณิชย์และผู้บริโภคจำนวนมากที่ใช้โน้ตบุ๊กและเดสก์ท็อป KIOXIA BG5 SSD ยังรองรับเทคโนโลยี Host Memory Buffer (HMB) ที่พัฒนาเต็มที่ล่าสุด เพื่อให้ได้ SSD แบบ DRAM-less ที่ได้รับการปรับแต่งอย่างประณีต KIOXIA BG5 มาในขนาดกะทัดรัดในรูปแบบ M.2 2230 single-sided form factor ที่ปรับให้เหมาะสมทางความร้อน ทำให้เกิดความคล่องตัวและเหมาะกับไลฟ์สไตล์การทำงานจากที่บ้าน รูปแบบเวอรชัน M.2 2280 single-sided form factor ก็มีวางจำหน่ายเช่นกัน

KIOXIA BG5 Series มีจำหน่ายในขนาดความจุ 256, 512 และ 1024 กิกะไบต์ (GB)

คุณสมบัติที่สำคัญ:

  • การอ่านข้อมูลตามลำดับสูงสุด 3,500 MB/s และการเขียนข้อมูลตามลำดับสูงสุด 2,900 MB/s
  • อ่านข้อมูลแบบสุ่มสูงสุด 500,000 IOPS และการเขียนข้อมูลแบบสุ่มสูงสุด 450,000 IOPS
  • รองรับมาตรฐาน TCG Pyrite และ Opal ล่าสุด รวมถึงการปกป้องข้อมูลแบบ End-to-End ช่วยให้มั่นใจได้ว่าข้อมูลปลอดภัยไม่ว่าจะที่บ้านหรือในสำนักงาน[1]
  • การสนับสนุนช่วยเหลือในลักษณะมองไปข้างหน้าสำหรับชุดคุณสมบัติ NVMe 1.4 และคำสั่งการจัดการขั้นพื้นฐานบน System Management Bus (SMBus)
  • รองรับสัญญาณแจ้งเตือนการสูญเสียพลังงานเพื่อปกป้องข้อมูลจากการถูกบังคับให้ปิดเครื่อง

KIOXIA BG5 Series กำลังสุ่มตัวอย่างไปยังคู่ค้าและลูกค้าในอุตสาหกรรมที่สำคัญ

สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ KIOXIA BG5 Series SSD รุ่นใหม่ ติดตามที่ลิงก์ด้านล่าง
https://business.kioxia.com/en-jp/ssd/client-ssd.html#bg5

หมายเหตุ

[1] ความพร้อมใช้งานของตัวเลือกความปลอดภัย/การเข้ารหัสอาจแตกต่างกันไปตามภูมิภาค

*คำจำกัดความของความจุ: Kioxia กำหนดเมกะไบต์ (MB) เป็น 1,000,000 ไบต์ หนึ่งกิกะไบต์ (GB) เป็น 1,000,000,000 ไบต์และหนึ่งเทราไบต์ (TB) เป็น 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการของคอมพิวเตอร์รายงานความจุของพื้นที่จัดเก็บโดยใช้กำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 230 = 1,073,741,824 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุของพื้นที่จัดเก็บที่น้อยลง ความจุที่ใช้งานได้ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ เช่น ระบบปฏิบัติการ Microsoft และ/หรือแอพพลิเคชั่นซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป

*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*NVMe และ NVMe-oF เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ ทั้งหมดอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำที่อุทิศตนเพื่อการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2560 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นจุดเริ่มต้นของ Kioxia ได้แยกออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 2530 โดยบริษัทถือเป็นผู้บุกเบิกโซลูชันและบริการหน่วยความจำที่ล้ำสมัยซึ่งเพิ่มคุณภาพชีวิตของผู้คนและขยายขอบเขตทางสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D แบบใหม่ของ Kioxia หรือที่เรียกว่า BiCS FLASH ™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูงซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ศูนย์ยานยนต์และศูนย์ข้อมูล

*ข้อมูลในเอกสารนี้รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการและข้อมูลการติดต่อนั้นถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

อ่านเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20211115006371/en/

สำหรับลูกค้าสอบถามข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่:
Kioxia Corporation
Sales Promotion Division
Tel: +81-3-6478-2421
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

สำหรับสื่อสอบถามข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่:
Kioxia Corporation
Sales Strategic Planning Division
Koji Takahata
Tel: +81-3-6478-2404

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Featured, Technology

Kioxia เปิดตัวไดรฟ์โซลิดสเตต EDSFF ตัวแรกของอุตสาหกรรมที่ออกแบบด้วยเทคโนโลยี PCIe® 5.0

Logo

KIOXIA CD7 E3.S Series EDSFF E3.S Data Center SSD รุ่นใหม่ปรับให้เหมาะสมสำหรับความหนาแน่นและประสิทธิภาพ

โตเกียว–(บิสิเนสไวร์)–09 พ.ย. 2564

Kioxia Corporation ประกาศเปิดตัว SSD E3.S Enterprise และ Datacenter Standard Form Factor (EDSFF) E3.S รุ่นแรกของอุตสาหกรรมที่ออกแบบด้วยเทคโนโลยี PCIe® 5.0[1] – KIOXIA CD7 E3.S Series นำเสนอยุคใหม่ของหน่วยความจำแฟลชที่ใช้ในเซิร์ฟเวอร์และที่เก็บข้อมูล  โดยเป็นการปรับปรุงจาก Kioxia ของ E3.S ซึ่งได้รับรางวัล 'Best in Show' ในปีสุดท้ายของการประชุมสุดยอดหน่วยความจำแฟลช  CD7 ซีรี่ส์ E3.S เพิ่มความหนาแน่นของการจัดเก็บต่อไดรฟ์แฟลชสำหรับประสิทธิภาพการใช้พลังงานและชั้นการรวม[2]

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้ประกอบด้วยมัลติมีเดีย อ่านฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20211108006197/en/

Kioxia Corporation: Industry’s First EDSFF SSDs Designed with PCIe® 5.0 Technology: KIOXIA CD7 E3.S Series (Photo: Business Wire)

Kioxia Corporation: EDSFF SSD ตัวแรกของอุตสาหกรรมที่ออกแบบด้วยเทคโนโลยี PCIe® 5.0: KIOXIA CD7 E3.S Series (ภาพ: บิสิเนสไวร์)

ชุดรุ่น EDSFF E3 สามารถหลุดพ้นจากข้อจำกัดในการออกแบบของฟอร์มแฟคเตอร์ขนาด 2.5 นิ้ว โดยได้รับการปรับปรุงให้เหมาะสมสำหรับความต้องการของเซิร์ฟเวอร์และพื้นที่จัดเก็บข้อมูลประสิทธิภาพสูง  EDSFF ช่วยให้ SSD รุ่นใหม่สามารถจัดการกับสถาปัตยกรรมศูนย์ข้อมูลในอนาคต และรองรับอุปกรณ์และแอพพลิเคชั่นใหม่ๆ ที่หลากหลาย โดยมอบการไหลเวียนของอากาศและความร้อนที่ดีขึ้นและเพิ่มความสมบูรณ์ของสัญญาณ  การรองรับพลังงาน E3.S ที่สูงกว่า SSD ฟอร์มแฟคเตอร์ 2.5 นิ้วและความสมบูรณ์ของสัญญาณที่ดีขึ้นช่วยให้ EDSFF สามารถส่งมอบประสิทธิภาพตามเทคโนโลยี PCIe 5.0 และอื่นๆ

Kioxia เป็นผู้เล่นในอุตสาหกรรมที่มีความกระตือรือร้นและมีส่วนร่วมในการพัฒนาโซลูชัน EDSFF และกำลังร่วมมือกับนักพัฒนาเซิร์ฟเวอร์และระบบจัดเก็บข้อมูลชั้นนำเพื่อปลดล็อกพลังเต็มที่ของหน่วยความจำแฟลช NVMe™ และ PCIe

คุณสมบัติหลักของซีรี่ส์ CD7 E3.S

  • EDSFF E3.S ฟอร์มแฟคเตอร์ที่มีความจุสูงถึง 7.68TB
  • ออกแบบตามข้อกำหนด PCIe 5.0 ล่าสุดและปรับให้เหมาะสมสำหรับประสิทธิภาพของเลน x2 PCIe
  • การใช้เลน PCIe น้อยลงจะเพิ่มจำนวนอุปกรณ์ PCIe ที่สามารถรองรับได้
  • สร้างขึ้นบนหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D TLC ของ Kioxia
  • อัตราความเร็วในการอ่านสูงสุดที่ 6,450 MB/s และการอ่านแบบสุ่ม IOPS ที่ 1,050K
  • เวลาในการอ่าน 75μs และการเขียน 14μs ซึ่งมีความหน่วงเวลาต่ำกว่า PCIe 4.0 SSD รุ่นก่อนประมาณ 17% และ 60% ตามลำดับ
  • ไฟ LED ถูกฝังอยู่ในเคสของรุ่น E3.S และสถานะของ SSD สามารถมองเห็นได้ด้วยตาเปล่า ซึ่งหมายความว่าไม่จำเป็นต้องใช้ไฟ LED เพิ่มเติม ซึ่งปกติแล้วจะฝังอยู่ในถาดไดรฟ์ของแชสซีระบบ โดยการฝังไฟในเคสจะช่วยประหยัดค่าใช้จ่ายของระบบ

KIOXIA CD7 E3.S Series จัดจำหน่ายให้กับลูกค้า OEM บางราย

ศึกษาข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเทคโนโลยี EDSFF E3 ได้ในเอกสารทางเทคนิคต่อไปนี้จาก Dell, HPE และ Kioxia

https://business.kioxia.com/content/dam/kioxia/ncsa/en-us/business/asset/KIOXIA_EDSFF_Intro_White_Paper.pdf

หมายเหตุ

[1] ณ วันที่ 9 พฤศจิกายน พ.ศ. 2564 จากการสำรวจของ Kioxia

[2] เมื่อเปรียบเทียบกับ SSD ฟอร์มแฟคเตอร์ 2.5 นิ้ว “2.5 นิ้ว” หมายถึงฟอร์มแฟคเตอร์ของ SSD โดยไม่ได้ระบุขนาดจริงของไดรฟ์

* คำจำกัดความของความจุ: Kioxia กำหนดเมกะไบต์ (MB) เป็น 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ และเทราไบต์ ( TB) ที่ 1,000,000,000,000 ไบต์  อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการของคอมพิวเตอร์รายงานความจุของพื้นที่จัดเก็บโดยใช้กำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 230 = 1,073,741,824 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุที่น้อยลง  ความจุที่ใช้งานได้ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่างๆ) จะแตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ เช่น ระบบปฏิบัติการ Microsoft และ/หรือแอพพลิเคชั่นซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่ฟอร์แมตจริงอาจแตกต่างกันไป

* PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG

* NVMe เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ ทั้งหมดอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ที่ทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD)  ในเดือนเมษายน 2560 Toshiba Memory ได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 2530  Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกและมอบคุณค่าให้กับลูกค้าและสังคม  BiCS FLASH™ ซึ่งเป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia ที่กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง ซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

สอบถามข้อมูลลูกค้า:

Kioxia Corporation

Sales Promotion Division (ฝ่ายส่งเสริมการขาย)

Tel: +81-3-6478-2427

https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมทั้งราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการและข้อมูลการติดต่อถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

อ่านต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20211108006197/en/

ติดต่อสำหรับสื่อ:

Kioxia Corporation
Sales Strategic Planning Division (ฝ่ายกลยุทธ์และการวางแผนการขาย)
Koji Takahata
Tel: +81-3-6478-2404

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Featured, Technology

Kioxia เปิดตัวการจัดเก็บข้อมูล PCIe® 4.0 Storage Class Memory SSDs

Logo

KIOXIA FL6 Series รุ่นใหม่ใช้ประโยชน์จาก XL-FLASH ของ Kioxia เพื่อปิดช่องว่าง หรือ Bridge Gap ระหว่างชิปแบบ DRAM และ SSD ที่ใช้ TLC เร่งความเร็วแอปพลิเคชันที่ละเอียดอ่อน

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–14 กันยายน 2564

การจัดเก็บข้อมูล Storage Class Memory (SCM) ที่มีเวลาแฝงต่ำและความทนทานสูงกำลังจะมาในอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล KIOXIA NVMe™ SSD ซึ่ง Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ กำลังสุ่มตัวอย่าง KIOXIA FL6 Series enterprise NVMe SCM SSDs ในระดับองค์กร โดยนำเสนอโซลูชัน SCM ของ Kioxia, XL-FLASH, dual-port และ PCIe® 4.0-compliant KIOXIA FL6 Series SSDs เชื่อมช่องว่างระหว่างไดรฟ์ที่ใช้ชิปแบบ DRAM และ TLC ทำให้เหมาะสำหรับกรณีการใช้งานที่ไวต่อเวลาแฝง เช่น แคชเลเยอร์ การจัดลำดับชั้น และการบันทึกการเขียน

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้ประกอบด้วยมัลติมีเดีย รับชมฉบับเต็มได้ที่นี่:https://www.businesswire.com/news/home/20210913005922/en/

PCIe(R) 4.0-compliant Storage Class Memory (SCM) SSD: KIOXIA FL6 Series (Photo: Business Wire)ระบบจัดเก็บข้อมูล PCIe(R) 4.0-compliant Storage Class Memory (SCM) SSD: KIOXIA FL6 Series (ภาพ: Business Wire)

อิงจากเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASH™ ที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia พร้อม SLC ความจุ 1 บิตต่อเซลล์ ทำให้ XL-FLASH มีเวลาแฝงที่ต่ำและประสิทธิภาพสูงสำหรับศูนย์ข้อมูลและพื้นที่จัดเก็บข้อมูลระดับองค์กร แม้ว่าโซลูชันหน่วยความจำแบบระเหย เช่น ชิปแบบDRAM จะให้ความเร็วในการเข้าถึงที่จำเป็นสำหรับแอพพลิเคชั่นที่ต้องการ แต่ก็มีต้นทุนสูง SCM แก้ไขปัญหานี้ด้วยการจัดหาหน่วยความจำแฟลชแบบไม่ลบเลือนที่มีความหนาแน่นสูงและคุ้มค่า

KIOXIA FL6 Series ทำงานได้ดีกับปริมาณงานที่มีรอดำเนินการต่ำ แต่จุดแข็งที่แท้จริงนั้นถูกเปิดเผยเมื่อปริมาณงานมีความต้องการและผสมกันมากขึ้น ในสภาพแวดล้อมเหล่านี้ ไดรฟ์ KIOXIA FL6 มอบคุณภาพการบริการที่เชื่อถือได้ ซึ่งเป็นคุณลักษณะที่สำคัญสำหรับแอปพลิเคชันที่ไวต่อเวลาแฝงที่หลากหลาย

จุดเด่นของ KIOXIA FL6 Series

  • สอดคล้องกับข้อกำหนด PCIe 4.0 และ NVMe 1.4; พร้อมสำหรับการใช้งาน NVMe-oF™
  • Native dual-port เพื่อความพร้อมใช้งานและความยืดหยุ่นสูง
  • ความทนทานและความจุ 60 DWPD จาก 800 GB ถึง 3.2 TB
  • ความน่าเชื่อถือในระดับองค์กร MTBF 2.5 ล้านชั่วโมง
  • ตัวเลือกการรักษาความปลอดภัย SED และ FIPS 140-2[1]

KIOXIA FL6 Series กำลังสุ่มตัวอย่างไปยังคู่ค้าและลูกค้าในอุตสาหกรรมที่สำคัญ

หมายเหตุ

[1] ความพร้อมใช้งานของตัวเลือกความปลอดภัย/การเข้ารหัสอาจแตกต่างกันไปตามภูมิภาค

* คำจำกัดความของความจุ: Kioxia กำหนดเมกะไบต์ (MB) เป็น 1,000,000 ไบต์ หนึ่งกิกะไบต์ (GB) เป็น 1,000,000,000 ไบต์และหนึ่งเทราไบต์ (TB) เป็น 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการของคอมพิวเตอร์รายงานความจุของพื้นที่จัดเก็บโดยใช้กำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 230 = 1,073,741,824 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุของพื้นที่จัดเก็บที่น้อยลง ความจุที่ใช้งานได้ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ เช่น ระบบปฏิบัติการ Microsoft และ/หรือแอพพลิเคชั่นซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป

*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG

*NVMe และ NVMe-oF เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ ทั้งหมดอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำที่อุทิศตนเพื่อการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2560 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นจุดเริ่มต้นของ Kioxia ได้แยกออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 2530 โดยบริษัทถือเป็นผู้บุกเบิกโซลูชันและบริการหน่วยความจำที่ล้ำสมัยซึ่งเพิ่มคุณภาพชีวิตของผู้คนและขยายขอบเขตทางสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D แบบใหม่ของ Kioxia หรือที่เรียกว่า BiCS FLASH ™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูงซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ศูนย์ยานยนต์และศูนย์ข้อมูล

ลูกค้าสอบถามข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่:
Kioxia Corporation
ฝ่ายส่งเสริมการขาย
โทร: +81-3-6478-2427
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการและข้อมูลการติดต่อนั้นถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

รับชมเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210913005922/en/

สื่อสอบถามข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่::
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
Tel: +81-3-6478-2404

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Featured, Technology

Kioxia ขยายขีดจำกัดด้านประสิทธิภาพด้วยหน่วยความจำแฟลชแบบฝัง UFS เวอร์ชัน 3.1 ใหม่

Logo

พัฒนาต่อยอดจากหน่วยความจำแบบแฟลช BiCS FLASH™ 3D เจเนอเรชันที่ 5 บรรจุอยู่ในอุปกรณ์ที่บางกว่าเดิม มาพร้อมความเร็วในการอ่าน/เขียนข้อมูลที่เร็วขึ้นตามความต้องการในการใช้งานที่สูงขึ้น

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–11 สิงหาคม 2564

วันนี้ Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำได้เปิดตัวตัวอย่างอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝัง Universal Flash Storage (UFS) เวอร์ชัน 3.1 เจเนอเรชันใหม่ล่าสุดที่มาพร้อมความจุ 256GB และ 512GB ผลิตภัณฑ์ชิ้นใหม่ซึ่งบรรจุอยู่ในแพ็คเกจที่มีความสูง 0.8 มม. และ 1.0 มม. นี้ มาพร้อมประสิทธิภาพสำหรับการอ่านแบบสุ่มและการเขียนแบบสุ่ม[1 ซึ่งเพิ่มขึ้นราว 30% และ 40% ตามลำดับ และยังทำให้อุปกรณ์ดังกล่าวมีความบางมากขึ้น[2] และทำงานได้เร็วกว่ารุ่นก่อนหน้า อุปกรณ์ UFS รุ่นใหม่ของ Kioxia ใช้หน่วยความจำ BiCS FLASH™ 3D เจเนอเรชันที่ 5 ซึ่งเป็นหน่วยความจำประสิทธิภาพสูงของบริษัทเอง โดยตั้งเป้าให้มีการนำไปใช้กับอุปกรณ์เคลื่อนที่ชนิดต่าง ๆ รวมถึงสมาร์ทโฟนระดับชั้นนำ

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้มีเนื้อหามัลติมีเดีย ดูอย่างเต็มรูปแบบที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20210810006065/en/

Kioxia Corporation: UFS Ver. 3.1 embedded flash memory devices (Photo: Business Wire)

Kioxia Corporation: อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังรุ่น UFS Ver. 3.1 (รูปภาพ: Business Wire)

อุปกรณ์หลากหลายชนิดที่ใช้หน่วยความจำแฟลชแบบฝังซึ่งต้องคำนึงถึงความจำเป็นเรื่องพลังงานและพื้นที่ยังคงต้องการอุปกรณ์ที่มีประสิทธิภาพและความหนาแน่นสูงขึ้นไปอีก และ UFS ก็กลายมาเป็นทางออกที่ผู้คนเลือกใช้มากขึ้นอย่างต่อเนื่อง ในแง่ของความจุรวม โดยส่วนใหญ่แล้วอุปกรณ์ UFS เป็นที่ต้องการมากกว่าในปัจจุบันเมื่อเทียบกับอุปกรณ์แบบ e-MMC และข้อมูลจาก Forward Insights[3] ยังเผยว่าเมื่อรวมความต้องการพื้นที่ความจุของอุปกรณ์แบบ UFS และ e-MMC จากทั่วโลกแล้ว เกือบ 70% ของความต้องการในปีนี้เป็นของอุปกรณ์แบบ UFS และตัวเลขนี้จะยังโตขึ้นเรื่อย ๆ

อุปกรณ์ UFS ใหม่ที่มีความจุ 256GB และ 512GB มาพร้อมความก้าวล้ำต่าง ๆ ดังนี้:

●

ประสิทธิภาพสำหรับการอ่านแบบสุ่มและการเขียนแบบสุ่มที่เพิ่มขึ้นราว 30% และ 40% ตามลำดับ

●

Host Performance Booster (HPB) Ver. 2.0: เพิ่มประสิทธิภาพในการอ่านแบบสุ่มโดยใช้หน่วยความจำฝั่งโฮสต์สำหรับจัดเก็บตารางแปลงค่า logical เป็น physical นอกจากนี้อุปกรณ์ HPB Ver. 1.0 สามารถเข้าถึง chunk size ได้เพียงแค่ 4KB ขณะที่อุปกรณ์ HPB Ver. 2.0 สามารถเข้าถึงได้มากกว่าซึ่งสามารถเพิ่มประสิทธิภาพในการอ่านแบบสุ่มได้มากยิ่งขึ้น

●

ขนาดแพ็คเกจของรุ่น 256GB ที่บางลงโดยมีความสูงเพียงแค่ 0.8 มม.

หมายเหตุ
[1] เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้าของอุปกรณ์ UFS โดย Kioxia ที่มีความจุ 256 และ 512 กิกะไบต์
[2] เมื่อเทียบความหนาแน่นของรุ่น 256GB กับอุปกรณ์ UFS ขนาด 256GB เจเนอเรชันก่อนหน้าของ Kioxia
[3] อ้างอิง: Forward Insights “NAND Quarterly Insights” 2Q (2021)

ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันขึ้นอยู่กับอุปกรณ์โฮสต์ เงื่อนไขในการอ่านและเขียน และขนาดของไฟล์

ในการกล่าวถึงผลิตภัณฑ์ Kioxia ทุกครั้ง: การระบุความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์จะระบุตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจำภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่จำนวนความจุหน่วยความจำที่มีสำหรับการจัดเก็บข้อมูลโดยผู้ใช้ ความจุที่ใช้งานได้ของผู้บริโภคจะลดลงเนื่องจากพื้นที่ของ overhead data การจัดรูปแบบฟอร์แมต บล็อกที่เสียหาย และข้อจำกัดอื่น ๆ และอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์โฮสต์และการใช้งาน สำหรับรายละเอียด โปรดอ้างอิงข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง โดย 1KB = 2^10 ไบต์ = 1,024 ไบต์, 1Gb = 2^30 บิต = 1,073,741,824 บิต, 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1Tb = 2^40 บิต = 1,099,511,627,776 บิต

ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำที่อุทิศตนเพื่อการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2560 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นจุดเริ่มต้นของ Kioxia ได้แยกออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 2530 โดยบริษัทถือเป็นผู้บุกเบิกโซลูชันและบริการหน่วยความจำที่ล้ำสมัยซึ่งเพิ่มคุณภาพชีวิตของผู้คนและขยายขอบเขตทางสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D แบบใหม่ของ Kioxia หรือที่เรียกว่า BiCS FLASH ™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูงซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ศูนย์ยานยนต์และศูนย์ข้อมูล

ลูกค้าสอบถามข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่:
Kioxia Corporation
ฝ่ายขายและการตลาดหน่วยความจำ
โทร: +81-3-6478-2423
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการและข้อมูลการติดต่อนั้นถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210810006065/en/

สื่อสอบถามข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Featured, Technology

Kioxia เปิดตัว SSD สำหรับขายปลีกใหม่สำหรับพีซีรุ่นแห่งอนาคตและพีซีกระแสหลัก

Logo

Kioxia เปิดตัว SSD สำหรับขายปลีกใหม่สำหรับพีซีรุ่นแห่งอนาคตและพีซีกระแสหลัก

EXCERIA PRO Series นำเสนอเทคโนโลยี PCIe® 4.0 และ EXCERIA G2 Series ให้ประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นสำหรับ ผู้ที่ชอบการประกอบเอง หรือ  DIY ที่แสวงหาความคุ้มค่า

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–29 ก.ค. 2564

Kioxia Corporation, ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศเปิดตัวไดรฟ์โซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ซีรีส์ใหม่ 2 รุ่น ซึ่งมีกำหนดวางจำหน่ายในไตรมาสที่สี่ของปี 2564 โดย EXCERIA PRO และ EXCERIA G2 Series เป็นโซลูชันระดับผู้บริโภคล่าสุดของบริษัทสำหรับผู้ที่ชื่นชอบเป็นแฟนพันธุ์แท้ และผู้สร้างระบบ DIYกระแสหลักในปัจจุบัน  โดย SSD ใหม่ของ Kioxia ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์ที่อยู่ในระหว่างการพัฒนา จะจัดแสดงอ้างอิงที่งาน China Digital Entertainment Expo and Conference (ChinaJoy) ในเซี่ยงไฮ้ ตั้งแต่วันที่ 30 กรกฎาคม ถึง 2 สิงหาคม

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นแบบมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20210728006136/en/

Kioxia Corporation: EXCERIA PRO Series and EXCERIA G2 Series SSDs (Graphic: Business Wire)

Kioxia Corporation: EXCERIA PRO Series และ EXCERIA G2 Series SSD (กราฟิก: Business Wire)

ด้วยการใช้อินเทอร์เฟซ PCIe Gen4x4 รุ่นต่อไป EXCERIA PRO Series จึงถูกสร้างขึ้นสำหรับสภาพแวดล้อมพีซีที่มีความต้องการการใช้งานในระดับสูง โดยผลิตภัณฑ์ซีรีส์ใหม่ล่าสุดนี้จะมอบความเร็วในการอ่านต่อเนื่องสูงสุดมากกว่า 2 เท่า[1] ของ EXCERIA PLUS Series ที่ใช้ PCIe Gen3 ซึ่งมอบประสบการณ์การจัดเก็บข้อมูลประสิทธิภาพสูงสำหรับผู้สร้างเนื้อหา เกมเมอร์ และมืออาชีพอื่น ๆ

นอกจากนี้ Kioxia ยังเปิดตัว EXCERIA G2 Series กระแสหลักที่ได้รับการปรับปรุงพร้อมประสิทธิภาพและความจุที่อัพเกรด ซีรีย์ SSD ระดับกระแสหลักนี้จะให้ประสิทธิภาพต่อเนื่องมากกว่า 2,000MB/s[1] และความจุสูงสุด 2TB สำหรับผู้ใช้ที่กำลังมองหาราคาที่ไม่แพง

ด้วยหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D ของ Kioxia ทำให้ EXCERIA PRO และ EXCERIA G2 Series ใช้ฟอร์มแฟคเตอร์ด้านเดียวประเภท M.2 2280 ที่เหมาะสำหรับทั้งเดสก์ท็อปและโน้ตบุ๊ก แต่ละซีรีส์ยังสนับสนุนซอฟต์แวร์การจัดการยูทิลิตี้ SSD ของ Kioxia เพื่อช่วยตรวจสอบและบำรุงรักษา SSD ของคุณ

หมายเหตุ

[1] การประมาณการประสิทธิภาพเป็นข้อมูลเบื้องต้นและอาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบ

* PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ ทั้งหมดอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* คำจำกัดความของความจุ: Kioxia กำหนด 1 เมกะไบต์ (MB) เป็น 1,000,000 ไบต์ 1 กิกะไบต์ (GB) เป็น 1,000,000,000 ไบต์ และ 1 เทราไบต์ (TB) เป็น 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการของคอมพิวเตอร์รายงานความจุของพื้นที่จัดเก็บโดยใช้กำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 230 = 1,073,741,824 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุของพื้นที่จัดเก็บน้อยลง ความจุที่ใช้งานได้ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ เช่น ระบบปฏิบัติการ Microsoft และ/หรือแอพพลิเคชั่นซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป

*ผลิตภัณฑ์ส่วนบุคคลจะแตกต่างกันไปตามประเทศและภูมิภาค

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมทั้งราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลติดต่อ ถูกต้องแล้วในวันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2560  Toshiba Memory ได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation บริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 2530 ทั้งนี้ Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วยหน่วยความจำ ผ่านการนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและการสร้างคุณค่าสำหรับสังคมผ่านหน่วยความจำ โดย BiCS FLASH™ ซึ่งเป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

ดูเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210728006136/en/

ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:

Kioxia Corporation

ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย

Koji Takahata

Tel: +81-3-6478-2404

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย



Featured, Technology

NVMe™ SSD ล่าสุดจาก Kioxia พร้อมใช้งานบนเซิร์ฟเวอร์ Supermicro PCIe® 4.0 และแพลตฟอร์มจัดเก็บข้อมูล

Logo

KIOXIA CM6, CD6 Series PCIe® 4.0 NVMe™ SSD ผ่านการรับรองว่าสามารถเร่งประสิทธิภาพการทำงานของแอพพลิเคชันบน Supermicro Systems รุ่นใหม่ได้

โตเกียว–(บิสิเนสไวร์)–25 ก.พ. 2564

การเปลี่ยนไปใช้ PCIe® 4.0 ได้ดำเนินอย่างเต็มที่และ Kioxia Corporation ซึ่งเป็นผู้นำระดับโลกในด้านผลิตภัณฑ์หน่วยความจำ  ได้ประกาศว่ากลุ่มผลิตภัณฑ์ KIOXIA CM6 และ โซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) CD6 Series PCIe® 4.0 NVM Express™ (NVMe™) สำหรับองค์กรและศูนย์ข้อมูล ได้รับการรับรองว่าสามารถใช้งานร่วมกับแพลตฟอร์ม Super Micro Computer, Inc. (Supermicro) ที่ใช้ PCIe® 4.0 รวมถึงระบบแร็คเมาท์ที่พร้อมใช้งานสำหรับองค์กรซึ่งประกอบด้วย Ultra, WIO, BigTwin, FatTwin, SuperBlade, 1U/2U NVMe™ all flash arrays, ระบบเร่ง GPU และ SuperWorkstations

ข่าวประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยมัลติมีเดีย อ่านฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20210224006220/en/

KIOXIA CM6, CD6 Series PCIe® 4.0 NVMe™ SSDs (Photo: Business Wire)

KIOXIA CM6, CD6 Series PCIe® 4.0 NVMe ™ SSD (รูปภาพ: บิสิเนสไวร์)

ผู้ใช้กำลังเปลี่ยนไปใช้งาน NVMe™ SSD เพื่อตอบโจทย์ความต้องการของข้อกำหนดด้านประสิทธิภาพขององค์กร สถาปัตยกรรมศูนย์ข้อมูลบนคลาวด์ และแอพพลิเคชันที่เน้นประสิทธิภาพและการใช้งานแบบ latency-sensitive  ที่ศูนย์กลางของเทรนด์นี้คือความต้องการที่เพิ่มขึ้นสำหรับหน่วยเก็บข้อมูลที่ใช้ NVMe™โดยที่ PCIe® 4.0 เป็นการอัพเกรดประสิทธิภาพล่าสุดและ SSD CM6 และ CD6 Series ของ Kioxia กำลังมอบความสามารถที่เพิ่มขึ้นเหล่านี้

ในขณะที่ NVMe™ SSD กำลังเจาะแพลตฟอร์มเซิร์ฟเวอร์มากขึ้น ความสามารถในการทำงานร่วมกันเป็นสิ่งที่สำคัญ  ความมุ่งมั่นของ Kioxia ในการนำนวัตกรรมมาสู่ลูกค้ารวมถึงการสร้างความมั่นใจว่าการจัดเก็บข้อมูลของลูกค้าจะทำงานได้ตามที่คาดหวังและ Kioxia ได้ร่วมมือกับซัพพลายเออร์เช่น Supermicro เพื่อให้ได้มาซึ่งการทำงานที่เหมาะสมและเต็มประสิทธิภาพ

ลิงค์ที่เกี่ยวข้อง:

* KIOXIA CM6 Enterprise SSD: https://business.kioxia.com/en-jp/ssd/enterprise-ssd.html#cm6

* KIOXIA CD6 Data Center SSD: https://business.kioxia.com/en-jp/ssd/data-center-ssd.html#cd

* PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG

* NVMe และ NVM Express เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ

* Supermicro, BigTwin, FatTwin และ SuperBlade เป็นเครื่องหมายการค้าหรือเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ Super Micro Computer, Inc. หรือบริษัทในเครือในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ ที่กล่าวถึงในที่นี้อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษั นั้น ๆ

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านผลิตภัณฑ์หน่วยความจำ โดยทุ่มเทให้กับการพัฒนา ผลิต และจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD)  ในเดือนเมษายน 2560 Toshiba Memory ได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 2530  Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วยหน่วยความจำด้วยการนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและมีคุณค่าต่อสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D ที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia คือ BiCS FLASH™ โดยกำลังกำหนดอนาคตของอุตสาหกรรมการจัดเก็บข้อมูลในแอพพลิเคชั่นความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า:
Kioxia Corporation
Sales Promotion Division (ฝ่ายส่งเสริมการขาย)
โทร: + 81-3-6478-2427

https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและคุณสมบัติของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

อ่านต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210224006220/en/

สอบถามข้อมูลสำหรับสื่อมวลชน:

Kioxia Corporation
Sales Strategic Planning Division (ฝ่ายกลยุทธ์การขาย)
Koji Takahata
โทร: + 81-3-6478-2404

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย