Tag Archives: nvme

Featured, Technology

KIOXIA ประกาศเปิดตัว NVMe SSD ความจุ 245.76 TB รุ่นแรกในอุตสาหกรรม ซึ่งออกแบบมาเพื่อตอบสนองต่อความต้องการของสภาพแวดล้อมสำหรับ AI เชิงสร้างสรรค์

Logo

ซีรีส์ KIOXIA LC9 กลายเป็น SSD PCIe 5.0 Enterprise ที่มีความจุสูงสุด พร้อมคุณสมบัติหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH(TM) QLC 3D แบบสแต็ก 32 ไดย์

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–22 กรกฎาคม 2025

Kioxia Corporation ได้ขยายไลน์ผลิตภัณฑ์ SSD ระดับองค์กรซีรีส์ KIOXIA LC9 ความจุสูง ด้วยการเปิดตัวผลิตภัณฑ์ SSD รุ่นแรกในอุตสาหกรรม[1] 245.76 เทราไบต์ (TB)[2] NVMe™ SSD ขนาด 2.5 นิ้ว และฟอร์มแฟกเตอร์ EDSFF E3.L โดยตัวเลือกความจุและฟอร์มแฟกเตอร์ใหม่นี้มาเสริมรุ่น 122.88 TB (2.5 นิ้ว) ที่ประกาศไว้ก่อนหน้านี้ และได้รับการสร้างขึ้นมาโดยเฉพาะเพื่อตอบสนองต่อความต้องการด้านประสิทธิภาพและประสิทธิผลของสภาพแวดล้อม AI เชิงสร้างสรรค์

KIOXIA LC9 Series enterprise SSD (form factor: 2.5inch, E3.S, E3.L)

SSD ระดับองค์กร ซีรีส์ KIOXIA LC9 (ฟอร์มแฟกเตอร์: 2.5 นิ้ว, E3.S, E3.L)

Generative AI (AI เชิงสร้างสรรค์) มีความต้องการที่แตกต่างกันในด้านพื้นที่จัดเก็บข้อมูล รวมถึงความจำเป็นในการจัดเก็บชุดข้อมูลขนาดใหญ่สำหรับการเทรนโมเดลภาษาขนาดใหญ่ (LLM) และการสร้างเอ็มเบดดิ้งและฐานข้อมูลเวกเตอร์ที่รองรับการอนุมานผ่านการสร้างเสริมแบบดึงข้อมูล (RAG) โดยเวิร์กโหลดเหล่านี้ต้องการโซลูชันพื้นที่จัดเก็บข้อมูลที่มีความจุ ความเร็ว และประสิทธิภาพที่โดดเด่น

โดดเด่นด้วยสแต็ก 32 ไดย์ ขนาด 2 เทราบิต (Tb)[3] หน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ QLC 3D มาพร้อมเทคโนโลยี CBA (CMOS เชื่อมต่อกับอาร์เรย์โดยตรง) ที่เป็นนวัตกรรม SSD ซีรีส์ KIOXIA LC9 ที่มอบความเร็ว ขนาด และความหนาแน่นที่จำเป็นสำหรับการรองรับเวิร์กโหลดที่เน้นข้อมูลรุ่นใหม่ การผสมผสานระหว่างสถาปัตยกรรมหน่วยความจำขั้นสูง รวมถึงเทคโนโลยี CBA ที่ช่วยให้สามารถบรรจุข้อมูลได้ 8 TB[3] ต่อแพ็กเกจขนาดเล็ก 154 BGA ซึ่งนับเป็นครั้งแรกในอุตสาหกรรม[1] ความสำเร็จครั้งสำคัญนี้เกิดขึ้นได้ด้วยการประมวลผลเวเฟอร์ความแม่นยำสูง การออกแบบวัสดุ และเทคโนโลยีการเชื่อมลวดของ Kioxia

SSD ซีรีส์ KIOXIA LC9 เหมาะอย่างยิ่งสำหรับดาต้าเลค (Data Lake) ซึ่งการรวบรวมข้อมูลจำนวนมากและการประมวลผลที่รวดเร็วเป็นสิ่งที่มีความสำคัญเป็นอย่างมาก ต่างจากฮาร์ดดิสก์ไดรฟ์ (HDD) ที่มักมีปัญหาคอขวดและทำให้ GPU ราคาแพงถูกไม่สามารถใช้งานได้เต็มประสิทธิภาพ โดย SSD ซีรีส์ KIOXIA LC9 จะมอบพื้นที่จัดเก็บข้อมูลที่มีความหนาแน่นในขนาดกะทัดรัดพร้อมความจุต่อวัตต์ที่สูงกว่า ด้วยความจุสูงสุด 245.76 TB จึงสามารถใช้แทนฮาร์ดดิสก์ไดรฟ์ที่กินไฟมากหลายตัวได้ มอบประสิทธิภาพที่เหนือกว่า การใช้พลังงานโดยรวมที่ต่ำกว่า ใช้ช่องใส่ไดรฟ์น้อยลง และระบายความร้อนได้อย่างมีประสิทธิภาพมากขึ้น โดยคุณสมบัติเหล่านี้จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพต้นทุนการเป็นเจ้าของ (TCO) ทั้งในด้านพลังงาน ความหนาแน่น และการจัดการความร้อน

คุณสมบัติของ SSD ซีรีส์ KIOXIA LC9 ประกอบด้วย:

  • ฟอร์มแฟกเตอร์ E3.L และ SSD ขนาด 2.5 นิ้ว ความจุสูงสุด 245.76 TB
  • ความจุสูงสุด 122.88 TB ในฟอร์มแฟกเตอร์ E3.L
  •  ออกแบบให้รองรับ PCIe® ซึ่งเป็นไปตามข้อกำหนด 5.0 (อัตราการถ่ายโอนข้อมูลสูงสุด 128 GT/s Gen5 เดี่ยว x4, คู่ x2)
  • ข้อมูลจำเพาะ NVMe™ 2.0, NVMe-MI™ 1.2c
  • รองรับข้อกำหนด SSD NVMe™ Datacenter ของโครงการ Open Compute (OCP) v2.5 (ไม่ใช่ข้อกำหนดทั้งหมด)
  •  รองรับการจัดวางข้อมูลที่ยืดหยุ่น (FDP) เพื่อลดการขยายการเขียนและยืดอายุการใช้งาน SSD[4]
  • ตัวเลือกความปลอดภัย: SIE, SED, FIPS SED
  •  อัลกอริทึมการลงนาม CNSA 2.0[5] ได้รับการออกแบบโดยคำนึงถึงมาตรฐานความปลอดภัยควอนตัมในอนาคต

ขณะนี้ SSD ซีรีส์ KIOXIA LC9 กำลังมีการสุ่มตัวอย่างให้กับลูกค้ากลุ่มพิเศษ และจะนำไปจัดแสดงในงานประชุม “อนาคตของหน่วยความจำและการจัดเก็บข้อมูล 2025” (Future of Memory and Storage 2025) ที่จะจัดขึ้นในวันที่ 5-7 สิงหาคม ณ เมืองซานตาคลารา

หมายเหตุ:

1: ข้อมูล ณ วันที่ 22 กรกฎาคม 2025 จากการสำรวจของ Kioxia

2: คำจำกัดความของความจุ SSD: Kioxia Corporation กำหนดให้ 1 กิโลไบต์ (KB) เท่ากับ 1,000 ไบต์, 1 เมกะไบต์ (MB) เท่ากับ 1,000,000 ไบต์, 1 กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์, 1 เทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ และ 1 กิบิไบต์ (KiB) เท่ากับ 1,024 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุของพื้นที่จัดเก็บโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ และด้วยเหตุนี้จึงแสดงความจุในการจัดเก็บที่น้อยลง ความจุในการจัดเก็บที่พร้อมใช้งาน (รวมถึงตัวอย่างไฟล์สื่อต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ซึ่งความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป

3: ความจุหน่วยความจำแฟลชซึ่งคำนวณได้เป็น 1 เทราบิต (1 Tb) = 1,099,511,627,776 (2^40) บิต และ 1 เทราไบต์ (1 TB) = 1,099,511,627,776 (2^40) ไบต์

4: สำหรับวัตถุประสงค์ของ RocksDB Kioxia ยืนยันว่า Write Amplification Factor (WAF) อยู่ที่ประมาณ 1.1 เมื่อใช้ฟังก์ชัน FDP กับปลั๊กอิน (โปรแกรมส่วนขยายฟังก์ชันที่เผยแพร่บนบัญชี GitHub ของ Kioxia https://github.com/kioxia-jp/ufrop)

5: SSD ซีรีส์ KIOXIA LC9 รองรับอัลกอริทึม Leighton-Micali Signature (LMS) ซึ่งได้รับการรับรองโดย CNSA 2.0 (Commercial National Security Algorithm Suite 2.0) ในฐานะอัลกอริทึมลายเซ็นดิจิทัลเพื่อป้องกันการปลอมแปลงเฟิร์มแวร์ เพื่อเตรียมพร้อมรับมือกับภัยคุกคามต่ออัลกอริทึมการเข้ารหัสแบบเดิมที่เกิดจากคอมพิวเตอร์ควอนตัม มาตรฐานการเข้ารหัสขั้นสูง (AES-256) ที่มีความยาวคีย์ 256 บิต ซึ่งเป็นอัลกอริทึมการเข้ารหัสข้อมูลที่ใช้ใน SSD ซีรีส์ KIOXIA LC9 ก็ได้รับการรับรองโดย CNSA 2.0 เช่นกัน

2.5 นิ้วบ่งบอกถึงขนาดของ SSD ไม่ใช่ขนาดทางกายภาพ

ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับปัจจัยต่างๆ เช่น อุปกรณ์โฮสต์ ซอฟต์แวร์ (ไดรเวอร์ ระบบปฏิบัติการ ฯลฯ) และสภาวะการอ่าน/เขียน
ประสิทธิภาพเป็นเพียงข้อมูลเบื้องต้นและอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

มีโมเดลเสริมด้านความปลอดภัย SED ให้เลือกใช้งาน ได้แก่ Sanitize Instant Erase (SIE), Self-Encrypting Drive (SED) และ FIPS (Federal Information Processing Standards)

โมเดลเสริมด้านความปลอดภัยไม่มีจำหน่ายในบางประเทศเนื่องจากกฎระเบียบด้านการส่งออกและท้องถิ่น

NVMe และ NVMe-MI เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนและไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ

PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG

ชื่อบริษัทอื่นๆ ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อก่อนหน้าของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D เชิงนวัตกรรมของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

การสอบถามข้อมูลจากลูกค้า:

สำนักงานขายทั่วโลก
Kioxia Corporation
สำนักงานขายทั่วโลก
https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250721671536/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Contacts

การสอบถามข้อมูลจากสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายบริหารการส่งเสริมการขาย
Satoshi Shindo
โทร.: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

Kioxia ขยายพอร์ตโฟลิโอ SSD BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ด้วย SSD NVMe™ สำหรับศูนย์ข้อมูลประสิทธิภาพสูงเพื่อเพิ่มการใช้ GPU ให้สูงสุดในเวิร์กโหลด AI และ HPC (การประมวลผลประสิทธิภาพสูง)

Logo

SSD PCIe® 5.0 ซีรีส์ KIOXIA CD9P มาพร้อมสถาปัตยกรรม CBA ขั้นสูงและแฟลช TLC มอบประสิทธิภาพ ประสิทธิภาพ และความจุที่ก้าวล้ำ

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–20 มิถุนายน 2025

Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ วันนี้ประกาศเปิดตัวต้นแบบและสาธิต SSD PCIe® 5.0 NVMe™ ซีรีส์ CD9P ของ KIOXIA ไดรฟ์รุ่นใหม่เหล่านี้เป็น SSD ล่าสุดที่สร้างขึ้นด้วยหน่วยความจำแฟลช 3D แบบ TLC BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ของ Kioxia โดย BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 นี้มาพร้อมเทคโนโลยี CBA (CMOS directly Bonded to Array) ซึ่งเป็นสถาปัตยกรรมที่ก้าวล้ำที่จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการใช้พลังงาน ประสิทธิภาพการทำงาน และความหนาแน่นของพื้นที่จัดเก็บได้อย่างมาก[1] โดยมีการเพิ่มความจุที่ใช้ได้ต่อ SSD เป็นสองเท่าเมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า[2]

KIOXIA CD9P Series High-Performance Data Center NVMe SSDs to Maximize GPU Utilization in AI and HPC Workloads

SSD NVMe ซีรีส์ KIOXIA CD9P สำหรับศูนย์ข้อมูลประสิทธิภาพสูงเพื่อเพิ่มการใช้ GPU ให้สูงสุดในเวิร์กโหลด AI และ HPC

เนื่องจากเซิร์ฟเวอร์ AI ที่เร่งความเร็วด้วย GPU ทำให้ความต้องการโครงสร้างพื้นฐานด้านการจัดเก็บเพิ่มมากขึ้น การรักษาปริมาณงานสูง ความหน่วงเวลาต่ำ และประสิทธิภาพที่สม่ำเสมอจึงมีความสำคัญ รวมถึงการทำให้ GPU ที่มีค่าการถูกใช้งานเป็นอย่างสูง ซีรีส์ KIOXIA CD9P นี้ถูกสร้างขึ้นมาโดยเฉพาะสำหรับสภาพแวดล้อมถัดไปเหล่านี้ โดยมอบความเร็วและการตอบสนองที่จำเป็นสำหรับเวิร์กโหลด AI, แมชชีนเลิร์นนิ่ง และ HPC (การประมวลผลประสิทธิภาพสูง) เพื่อให้แน่ใจว่า GPU จะได้รับข้อมูลและทำงานอย่างมีประสิทธิภาพสูงสุด

ซีรีส์ CD9P ใช้ประโยชน์จากหน่วยความจำแฟลช 3D ขั้นสูงที่สุดของ Kioxia ในปัจจุบัน ซึ่งมีสถาปัตยกรรมที่ใช้ CBA ซึ่งช่วยลดการเกิดความร้อน เพิ่มประสิทธิภาพการจัดการความร้อน และมอบมูลค่ารวมที่สูงขึ้นผ่านประสิทธิภาพและมาตรวัดพลังงานที่ได้รับการปรับปรุง รวมถึงต้นทุนรวมในการเป็นเจ้าของ

ไดรฟ์ซีรีส์ KIOXIA CD9P มอบการปรับปรุงประสิทธิภาพ 4 ด้าน อาทิ การเขียนแบบสุ่มสูงถึงประมาณ 125%, การอ่านแบบสุ่มสูงถึง 30%, การอ่านแบบต่อเนื่องสูงถึง 20% และความเร็วในการเขียนแบบต่อเนื่องสูงถึง 25% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า[2]

นอกจากนี้ ประสิทธิภาพต่อวัตต์ของการใช้พลังงานได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้นประมาณ 60% ในการอ่านแบบต่อเนื่อง, 45% ในการเขียนแบบต่อเนื่อง, 55% ในการอ่านแบบสุ่ม และ 100% (2 เท่า) ในการเขียนแบบสุ่ม[2] (ใช้กับรุ่น 15.36 เทราไบต์ (TB))

ไฮไลท์ SSD ซีรีส์ KIOXIA CD9P ได้แก่ (เบื้องต้นและอาจมีการเปลี่ยนแปลง):

  •  รองรับ PCIe® 5.0, NVMe™ 2.0, NVMe-MI™ 1.2c
  • รองรับข้อมูลจำเพาะ SSD NVMe™ สำหรับศูนย์ข้อมูลโครงการ Open Compute เวอร์ชัน 2.5 (ไม่ใช่ข้อกำหนดทั้งหมด)
  • ฟอร์มแฟกเตอร์: ความหนา 2.5 นิ้ว 15 มม. EDSFF E3.S
  • ความทนทานต่อการอ่านที่เข้มข้น (1 DWPD) และการใช้งานแบบผสมผสาน (3 DWPD)
  • ประสิทธิภาพการทำงานแบบต่อเนื่อง (128 KiB/QD32) – อ่าน 14.8 GB/s และเขียน 7 GB/s
  • ประสิทธิภาพแบบสุ่ม (4KiB) – อ่าน 2,600 KIOPS (QD512) และเขียน 750 KIOPS (QD32)
  • ความจุ 2.5 นิ้ว สูงสุด 61.44 TB และความจุ E3.S สูงสุด 30.72 TB
  • รองรับอัลกอริทึม CNSA 2.0 [3]
     (เตรียมพร้อมรับมือกับภัยคุกคามจากคอมพิวเตอร์ควอนตัม)

ขณะนี้ SSD ซีรีส์ KIOXIA CD9P กำลังทำการสุ่มตัวอย่างให้กับลูกค้าที่เลือกไว้ และจะนำไปจัดแสดงในงาน HPE Discover 2025 ซึ่งจะมีขึ้นในวันที่ 23-26 มิถุนายนที่ลาสเวกัส

หมายเหตุ
[1] เมื่อเทียบกับ BiCS FLASH™ รุ่นที่ 6
[2] เมื่อเทียบกับซีรีส์ KIOXIA CD8P
[3] ซีรีส์ KIOXIA CD9P รองรับอัลกอริทึม Leighton-Micali Signature (LMS) ที่ได้รับการยอมรับโดย CNSA 2.0 [4] เป็นอัลกอริทึมลายเซ็นดิจิทัลเพื่อป้องกันการดัดแปลงเฟิร์มแวร์เพื่อเตรียมรับมือกับภัยคุกคามต่ออัลกอริทึมการเข้ารหัสแบบเดิมที่เกิดจากคอมพิวเตอร์ควอนตัม มาตรฐานการเข้ารหัสขั้นสูง (AES-256) ที่มีความยาวคีย์ 256 บิต ซึ่งเป็นอัลกอริทึมการเข้ารหัสข้อมูลที่ใช้ใน CD9P ได้รับการยอมรับจาก CNSA 2.0 เช่นกัน
[4] CNSA2.0: ชุดอัลกอริทึมความมั่นคงแห่งชาติเชิงพาณิชย์ 2.0

*2.5 นิ้วบ่งบอกถึงขนาดของ SSD ไม่ใช่ขนาดทางกายภาพ
*ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับปัจจัยหลายประการ เช่น อุปกรณ์โฮสต์ ซอฟต์แวร์ (ไดรเวอร์ ระบบปฏิบัติการ ฯลฯ) และสภาวะการอ่าน/การเขียน
*ประสิทธิภาพการทำงานยังเป็นเพียงเบื้องต้นและอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

*คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดให้กิโลไบต์ (KB) เท่ากับ 1,000 ไบต์ เมกะไบต์ (MB) เท่ากับ 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ เทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ และกิบิไบต์ (KiB) เท่ากับ 1,024 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุของหน่วยเก็บข้อมูลโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุของหน่วยเก็บข้อมูลที่น้อยกว่า ความจุในการจัดเก็บที่พร้อมใช้งาน (รวมถึงตัวอย่างไฟล์สื่อต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป
*1 กิบิไบต์ (KiB) หมายถึง 2^10 หรือ 1,024 ไบต์
*IOPS: อินพุตเอาต์พุตต่อวินาที (หรือจำนวนการดำเนินการ I/O ต่อวินาที)

*NVMe และ NVMe-MI เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนและไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*HPE เป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัท Hewlett Packard Enterprise และ/หรือบริษัทในเครือ
*ชื่อบริษัทอื่น ๆ ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อก่อนหน้าของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D เชิงนวัตกรรมของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

 การสอบถามจากลูกค้า:
 Kioxia Group
 สำนักงานขายทั่วโลก
 https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า 

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย  

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250619775105/en

Contacts

การสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายจัดการด้านการส่งเสริมการขาย
Koji Takahata
โทร.: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

Kioxia ประกาศเปิดตัว SSD NVMe™ ระดับองค์กรตัวแรกที่สร้างขึ้นด้วยเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ TLC-Based เจเนอเรชันที่ 8

Logo

KIOXIA CM9 Series PCIe® 5.0 NVMe™ SSD ยกระดับมาตรฐานด้วยสถาปัตยกรรมชิป CBA

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–16 พฤษภาคม 2025

Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศเปิดตัวและสาธิตต้นแบบ SSD KIOXIA CM9 Series PCIe® 5.0 NVMe™ ใหม่ในวันนี้ ไดรฟ์รุ่นถัดไปเหล่านี้เป็น SSD ระดับองค์กรรุ่นแรกที่สร้างขึ้นโดยใช้หน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASH™ TLC รุ่นที่ 8 ของ Kioxia 1 ซึ่งผสานรวมเทคโนโลยี CMOS แบบ Bonded to Array (CBA) โดยตรง ซึ่งเป็นนวัตกรรมทางสถาปัตยกรรมที่มอบความก้าวหน้าอย่างมากในด้านประสิทธิภาพการใช้พลังงาน ประสิทธิภาพการทำงาน ความหนาแน่น และความยั่งยืน พร้อมทั้งเพิ่มความจุที่มีอยู่เป็นสองเท่า 2 ต่ออุปกรณ์แฟลช

KIOXIA CM9 Series SSD

SSD ซีรีส์ CM9 ของ KIOXIA

เนื่องจากความต้องการในการประมวลผลสมัยใหม่เพิ่มมากขึ้น แอปพลิเคชันต่างๆ เช่น AI การเรียนรู้ของเครื่องจักร และการประมวลผลประสิทธิภาพสูงจึงต้องการโครงสร้างพื้นฐานการจัดเก็บข้อมูลโซลิดสเตตที่ซับซ้อน ซึ่งไม่เพียงแต่ต้องมีประสิทธิภาพระดับองค์กรเท่านั้น แต่ยังต้องมีประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่สูงขึ้นเพื่อให้แน่ใจว่ามีความสามารถในการปรับขนาดและต้นทุนการดำเนินงานที่จัดการได้ การตอบสนองความต้องการเหล่านี้ถือเป็นหัวใจสำคัญของการออกแบบซีรีส์ KIOXIA CM9 ที่สร้างขึ้นมาโดยเฉพาะเพื่อรองรับเวิร์กโหลดของศูนย์ข้อมูลรุ่นถัดไป

หัวใจสำคัญของซีรีส์ CM9 คือ BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ของ Kioxia ซึ่งเป็นหน่วยความจำแฟลช 3D ที่ล้ำหน้าที่สุดของบริษัทจนถึงปัจจุบัน เทคโนโลยีนี้ใช้สถาปัตยกรรมที่ใช้ CBA ซึ่งช่วยเพิ่มความเร็วของอินเทอร์เฟซ NAND ได้อย่างมาก เพิ่มความหนาแน่นและประสิทธิภาพการใช้พลังงาน และลดเวลาแฝง ซึ่งส่งผลดีต่อประสิทธิภาพของ SSD โดยตรง

SSD ซีรีส์ KIOXIA CM9 มอบการปรับปรุงประสิทธิภาพสูงสุดถึงประมาณ 65% ในการเขียนแบบสุ่ม 55% ในการอ่านแบบสุ่ม และ 95% ในการเขียนแบบต่อเนื่อง เมื่อเทียบกับซีรีส์ KIOXIA CM7 รุ่นก่อนหน้า นอกจากนี้ ประสิทธิภาพต่อวัตต์ที่เพิ่มขึ้นยังรวมถึงการอ่านแบบต่อเนื่องที่ดีขึ้นประมาณ 55% และประสิทธิภาพการเขียนแบบต่อเนื่องที่ดีขึ้น 75%

ไฮไลท์ของ SSD ซีรีส์ KIOXIA CM9 ได้แก่ (เบื้องต้นและอาจมีการเปลี่ยนแปลง):

  •  PCIe® 5.0, NVMe™ 2.0, NVMe-MI™ 1.2c และ OCP Datacenter NVMe™ SSD 2.5 ที่เป็นไปตามข้อกำหนด
  • รองรับพอร์ตคู่ในฟอร์มแฟกเตอร์ขนาด 2.5 นิ้วและ E3.S
  • ความทนทานในการอ่านข้อมูลแบบเข้มข้น (1 DWPD) และการใช้งานแบบผสมผสาน (3 DWPD)
  • ประสิทธิภาพการทำงานแบบต่อเนื่อง (128 กิบิไบต์ (KiB)/QD32) – อ่านได้ 14.8 GB/วินาที และเขียนได้ 11 GB/วินาที
  • ประสิทธิภาพการทำงานแบบสุ่ม (4KiB) – 3,400 KIOPS (QD512) และ 800 KIOPS (QD32)
  • 2.5 นิ้ว ความจุสูงสุด 61.44 เทราไบต์ (TB) และ E3.S ความจุสูงสุด 30.72 TB

ขณะนี้ SSD ซีรีส์ KIOXIA CM9 กำลังทำการสุ่มตัวอย่างให้กับลูกค้าที่เลือกไว้ และจะนำไปจัดแสดงที่งาน Dell Technologies World ซึ่งจัดขึ้นระหว่างวันที่ 19 – 22 พฤษภาคมที่ลาสเวกัส

หมายเหตุ
 1: ข้อมูล ณ วันที่ 15 พฤษภาคม 2025 ที่มา: Kioxia Corporation
 2: เปรียบเทียบกับรุ่นก่อนหน้า

  • 2.5 นิ้ว หมายถึงชื่อฟอร์มแฟกเตอร์ ไม่ใช่ขนาดทางกายภาพ
  • ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับปัจจัยต่างๆ เช่น อุปกรณ์โฮสต์ ซอฟต์แวร์ (ไดรเวอร์ ระบบปฏิบัติการ ฯลฯ) และเงื่อนไขการอ่าน/เขียน
  • ประสิทธิภาพเป็นเพียงข้อมูลเบื้องต้น และอาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
  • คำจำกัดความของความจุ: KIOXIA Corporation กำหนดให้กิโลไบต์ (KB) เท่ากับ 1,000 ไบต์ เมกะไบต์ (MB) เท่ากับ 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ และเทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์รายงานความจุของพื้นที่เก็บข้อมูลโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ และกิบิไบต์ (KiB) เท่ากับ 1,024 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุที่น้อยกว่า ความจุที่มีอยู่ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การฟอร์แมต การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่ฟอร์แมตแล้วตามจริงอาจแตกต่างกันไป
  •  IOPS: อินพุตเอาต์พุตต่อวินาที (หรือจำนวนการดำเนินการ I/O ต่อวินาที)
     
  • Dell Technologies และ Dell เป็นเครื่องหมายการค้าของ Dell Inc. หรือบริษัทในเครือ
  • NVMe และ NVMe-MI เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
  • PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
  • ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อก่อนหน้าของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D เชิงนวัตกรรมของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

การสอบถามจากลูกค้า:
Kioxia Group
สำนักงานขายทั่วโลก
https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250515911055/en

Contacts

การสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Satoshi Shindo
โทร: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

Kioxia ประกาศเปิดตัว SSD NVMe ซีรีส์ KIOXIA LC9 ความจุสูง 122.88 TB สำหรับแอปพลิเคชัน AI

Logo

SSD สำหรับองค์กรรุ่นใหม่ที่ใช้ไดย์ QLC ขนาด 2 Tb จะถูกนำมาจัดแสดงในงานสัมมนาต่างๆ ที่จะถึงนี้

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–14 มีนาคม 2025

Kioxia Corporation ซึ่งเป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศในวันนี้ถึงการพัฒนา SSD NVMe™ 122.88 เทราไบต์ (TB) ซีรีส์ KIOXIA LC9 รุ่นใหม่ในฟอร์มแฟกเตอร์ขนาด 2.5 นิ้ว ซึ่งเป็น SSD ตัวแรกที่สร้างขึ้นโดยใช้เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ขนาด 2 เทราบิต (Tb) QLC ของบริษัท โดยซีรีส์ KIOXIA LC9 ซึ่งอยู่ระหว่างการพัฒนา จะนำไปจัดแสดงในงานสัมมนาต่างๆ ที่จะจัดขึ้นในเดือนนี้

High-Capacity KIOXIA LC9 Series 122.88 TB NVMe SSD for AI Applications (Photo: Business Wire)

SSD NVMe ซีรีส์ KIOXIA LC9 ความจุสูง 122.88 TB สำหรับแอปพลิเคชัน AI

เนื่องจากระบบ AI มีความซับซ้อนมากขึ้นเรื่อยๆ และปริมาณข้อมูลยังคงเพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่อง องค์กรต่างๆ จึงต้องการโซลูชันการจัดเก็บข้อมูลที่สามารถรับมือกับความต้องการที่ซับซ้อนของเวิร์กโหลดสมัยใหม่ได้ ไดรฟ์ความจุสูงมีความสำคัญต่อบางขั้นตอนของกระบวนการ AI รวมถึงโมเดลภาษาขนาดใหญ่ (LLM) การฝึกอบรมและการจัดเก็บชุดข้อมูลจำนวนมาก ฐานข้อมูลเวกเตอร์ และการดึงข้อมูลอย่างรวดเร็วเพื่อการอนุมานและการปรับแต่ง ไดรฟ์ KIOXIA ระดับองค์กรรุ่นใหม่ได้รับการออกแบบมาสำหรับแอปพลิเคชัน AI เชิงสร้างสรรค์ โดยสร้างขึ้นให้มีความจุสูงและมีอินเทอร์เฟซ PCIe® 5.0 พร้อมความสามารถพอร์ตคู่สำหรับการทนทานต่อข้อผิดพลาดหรือการเชื่อมต่อกับระบบคอมพิวเตอร์หลายระบบ SSD ที่ใช้ QLC ความจุสูงเหล่านี้เหมาะสำหรับการใช้งานในระบบไฮบริดคลาวด์และระบบมัลติคลาวด์ SSD ความจุสูงส่งข้อมูลการฝึกอบรมและการอนุมานไปยังระบบเซิร์ฟเวอร์ AI ผ่านการกำหนดค่าคลาวด์เหล่านี้

SSD KIOXIA ใหม่นี้จะมาเสริมเทคโนโลยี KIOXIA AiSAQ™ ที่เพิ่งประกาศไปไม่นานนี้ ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพ RAG (Retrieval Augmented Generation) ที่ปรับขนาดได้ โดยจัดเก็บองค์ประกอบฐานข้อมูลเวกเตอร์บน SSD แทน DRAM ที่มีราคาแพงและจำกัด นอกจากนี้ ยังช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบและระดับแร็คด้วยความหนาแน่นของพื้นที่จัดเก็บที่สูงขึ้นและการใช้พลังงานต่อ TB ที่ต่ำลงเมื่อเทียบกับ SSD ที่มีความจุต่ำกว่า

จุดเด่นของ SSD ซีรีส์ KIOXIA LC9 ได้แก่:

  • ฟอร์มแฟกเตอร์ SSD พอร์ตคู่ขนาด 2.5 นิ้ว ความจุ 122.88 TB ความทนทาน 0.3 DWPD
  •  NVMe™ 2.0, NVMe-MI™ และ PCIe® ซึ่งเป็นไปตามข้อกำหนด 5.0 (อัตราการถ่ายโอนข้อมูลสูงสุด 128 กิกะบิตต่อวินาที Gen5 เดี่ยว x4, ประสิทธิภาพการทำงานแบบคู่ x2)
  • คุณสมบัติหน่วยความจำแฟลช 3D KIOXIA 2 Tb QLC BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 พร้อมเทคโนโลยี CBA (CMOS เชื่อมต่อกับอาร์เรย์โดยตรง) ช่วยให้ผลิตผลิตภัณฑ์มีความจุสูง ประสิทธิภาพสูง และประหยัดพลังงาน

หมายเหตุ
*2.5 นิ้วบ่งบอกถึงขนาดของ SSD ไม่ใช่ขนาดทางกายภาพ

*คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดให้ 1 กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ และ 1 เทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุของพื้นที่จัดเก็บโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ และด้วยเหตุนี้จึงแสดงความจุในการจัดเก็บที่น้อยลง ความจุในการจัดเก็บที่พร้อมใช้งาน (รวมถึงตัวอย่างไฟล์สื่อต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ซึ่งความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป

*DWPD: การเขียนไดรฟ์ต่อวัน การเขียนไดรฟ์เต็มหนึ่งครั้งต่อวันหมายความว่าสามารถเขียนและเขียนซ้ำไดรฟ์จนเต็มความจุได้หนึ่งครั้งต่อวันทุกวันเป็นเวลา 5 ปี ซึ่งเป็นระยะเวลาการรับประกันผลิตภัณฑ์ที่ระบุไว้ ผลลัพธ์ที่แท้จริงอาจแตกต่างกันไปเนื่องจากการกำหนดค่าระบบ การใช้งาน และปัจจัยอื่นๆ

*NVMe และ NVMe-MI เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนและไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*ชื่อบริษัทอื่นๆ ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อก่อนหน้าของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D เชิงนวัตกรรมของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

การสอบถามจากลูกค้า:
Kioxia Group
สำนักงานขายทั่วโลก
https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/54224091/en

Contacts

การสอบถามจากสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

โมดูลเข้ารหัส NVMe SSD ของ KIOXIA ผ่านการตรวจสอบ FIPS 140-3 ระดับ 2

Logo

โมดูลเข้ารหัสคอนโทรลเลอร์ SSD สำหรับองค์กรซีรีส์ KIOXIA CM7 ตรงตามข้อกำหนดด้านความปลอดภัยล่าสุดของโปรแกรมตรวจสอบโมดูลเข้ารหัสของ NIST

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–11 ธันวาคม 2024

Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศในวันนี้ว่าโมดูลเข้ารหัสที่ใช้ใน SSD สำหรับองค์กร PCIe® 5.0 NVMe™ ซีรีส์ KIOXIA CM7 ได้รับการรับรองว่าเป็นไปตามมาตรฐานการประมวลผลข้อมูลของรัฐบาลกลาง (FIPS) 140-3 ระดับ 2 สำหรับโมดูลเข้ารหัส

KIOXIA CM7 Series PCIe 5.0 NVMe Enterprise SSD (Photo: Business Wire)

KIOXIA CM7 Series PCIe 5.0 NVMe Enterprise SSD (รูปภาพ: Business Wire)

มาตรฐาน FIPS 140-3 กำหนดชุดข้อกำหนดด้านความปลอดภัยของโปรแกรมตรวจสอบโมดูลเข้ารหัสที่บริหารโดยสถาบันมาตรฐานและเทคโนโลยีแห่งชาติ (NIST) ซึ่งใช้เป็นมาตรวัดความปลอดภัยสำหรับหน่วยงานของรัฐบาลกลางในการจัดหาอุปกรณ์ไอทีที่ผ่านการตรวจสอบ บริษัทและหน่วยงานของรัฐบาลกลางอาจต้องการหรืออาจจำเป็นต้องปรับใช้มาตรฐานของรัฐบาลที่เข้มงวดยิ่งขึ้น ซึ่ง SSD ที่ได้รับการรับรองตามข้อกำหนด FIPS 140-3 จะต้องเป็นไปตามนั้น เมื่อเทียบกับข้อกำหนด FIPS 140-2 ก่อนหน้านี้ ข้อกำหนด 140-3 จะให้มาตรฐานที่สูงกว่าสำหรับ SSD รวมถึงวิธีการตรวจสอบที่เข้มงวดยิ่งขึ้นและแนวทางการใช้งานที่อัปเดต

Kioxia นำเทคโนโลยี PCIe 5.0 มาสู่แอปพลิเคชันเซิร์ฟเวอร์และที่เก็บข้อมูลด้วย SSD NVMe ซีรีส์ KIOXIA CM7 ซึ่งมุ่งเป้าไปที่แอปพลิเคชันและกรณีการใช้งานขององค์กร รวมถึงปัญญาประดิษฐ์ การประมวลผลประสิทธิภาพสูง ฐานข้อมูลการประมวลผลธุรกรรมออนไลน์ และคลังข้อมูล ไดรฟ์ซีรีส์ KIOXIA CM7 นำประสิทธิภาพ ความน่าเชื่อถือ และความปลอดภัยระดับองค์กรมาสู่เซิร์ฟเวอร์และที่เก็บข้อมูลของศูนย์ข้อมูล คุณสมบัติหลักของ SSD ซีรีส์ KIOXIA CM7 ประกอบด้วย:

• SSD NVMe ที่เข้ากันได้กับ PCIe 5.0 ในรูปแบบ 2.5 นิ้ว(1) และ E3.S

• รองรับพอร์ตคู่และพอร์ตเดี่ยว

• ความทนทานต่อการอ่านข้อมูลจำนวนมากและการใช้งานแบบผสมผสาน

• ความจุตั้งแต่ 1.6 เทราไบต์ (TB) ถึง 30.72 TB (15.36 TB ในรูปแบบ E3.S)

• ตัวเลือกด้านความปลอดภัย ได้แก่: การลบข้อมูลทันที (SIE) (2), ไดรฟ์เข้ารหัสด้วยตนเอง TCG Opal (SED) (3) และ SED ที่ใช้โมดูล FIPS 140-3 ระดับ 2

หมายเหตุ:

(1) “2.5 นิ้ว” หมายถึงรูปแบบของ SSD ไม่ได้ระบุถึงขนาดทางกายภาพของไดรฟ์

(2) รุ่นเสริม SIE ที่รองรับ Crypto Erase ซึ่งเป็นคุณสมบัติมาตรฐานที่กำหนดโดยคณะกรรมการเทคนิค (SCSI) ของ INCITS (คณะกรรมการมาตรฐานเทคโนโลยีสารสนเทศระหว่างประเทศ)

(3) โมเดลเสริม SED รองรับ TCG Opal และ Ruby SSC แต่ไม่รองรับฟีเจอร์บางอย่างของ TCG Opal SSC

* คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดให้เมกะไบต์ (MB) เท่ากับ 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ และเทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุของหน่วยเก็บข้อมูลโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุของหน่วยเก็บข้อมูลที่น้อยกว่า ความจุที่จัดเก็บได้ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์สื่อต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป

* รุ่นเสริมด้านความปลอดภัยไม่มีจำหน่ายในทุกประเทศเนื่องจากข้อบังคับด้านการส่งออกและท้องถิ่น

* PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG

* NVMe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนหรือไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ ทั้งหมดอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งมุ่งมั่นในการพัฒนา ผลิต และจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและไดรฟ์โซลิดสเตต (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นบริษัทก่อนหน้าที่ได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 โดย Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D ที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia ที่เรียกว่า BiCS FLASH™ ที่กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์และศูนย์ข้อมูลต่างๆ

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลที่ถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่สามารถเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/54164556/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

รายชื่อผู้ติดต่อ

การสอบถามข้อมูลลูกค้า:

Kioxia Group

สำนักงานขายทั่วโลก

https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

การสอบถามข้อมูลด้าน  สื่อ:

Kioxia Corporation

ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย

Satoshi Shindo

โทรศัพท์: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation