Toshiba เปิดตัวพาวเวอร์มอสเฟตยานยนต์ N-Channel 40V ที่มาพร้อมแพ็กเกจใหม่ที่ให้การกระจายความร้อนสูง และช่วยลดขนาดอุปกรณ์ยานยนต์ลงได้

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น — (BUSINESS WIRE)–17 สิงหาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัวพาวเวอร์มอสเฟตยานยนต์ N-channel 40V อย่าง “XPJR6604PB” และ “XPJ1R004PB” ที่ใช้แพ็กเกจ S-TOGL™ (Small Transistor Outline Gull-wing Leads) จาก Toshiba พร้อมชิปประมวลผล U-MOS IX-H พร้อมจัดส่งจำนวนมากแล้ววันนี้

Toshiba: automotive 40V N-channel power MOSFETs with new package that contributes to high heat dissipation and size reduction of automotive equipment. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: พาวเวอร์มอสเฟตยานยนต์ N-channel 40V มาพร้อมแพ็กเกจใหม่ที่ให้การกระจายความร้อนสูงและช่วยลดขนาดอุปกรณ์ยานยนต์ลงได้ (ภาพประกอบ: Business Wire)

การใช้งานที่มีความเสี่ยงด้านความปลอดภัยสูงอย่างในระบบขับเคลื่อนอัตโนมัตินั้น จะใช้การออกแบบที่มีความซ้ำซ้อนเพื่อรับรองความเชื่อถือได้ของระบบ ซึ่งส่งผลให้ต้องใช้อุปกรณ์มากขึ้นและอาศัยพื้นที่ติดตั้งมากกว่าระบบมาตรฐาน ด้วยเหตุนี้ หากต้องการลดขนาดอุปกรณ์ยานยนต์ลง ก็ต้องอาศัยพาวเวอร์มอสเฟตที่สามารถติดตั้งในสภาวะที่มีความหนาแน่นของกระแสไฟฟ้าสูงได้

XPJR6604PB และ XPJ1R004PB ใช้แพ็กเกจ S-TOGL™ โฉมใหม่ (7.0 มม. X 8.44 มม.[1]) ที่มาพร้อมโครงสร้างที่ไม่ต้องพึ่งพาเสาในการยึดชิ้นส่วนเชื่อมต่อของซอร์สกับขั้วต่อภายนอกเข้าด้วยกัน โครงสร้างที่ประกอบด้วยหลายพินสำหรับขั้วต่อซอร์สช่วยลดแรงต้านทานของแพ็กเกจลงได้

การจับคู่กันของแพ็กเกจ S-TOGL™ และชิปประมวลผล U-MOS IX-H จาก Toshiba ช่วยให้ได้ค่าความต้านทานระหว่างทำงานลดลงอย่างยิ่งถึง 11% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์แพ็กเกจ TO-220SM (W)[2] จาก Toshiba ซึ่งมีลักษณะความต้านทานทางความร้อนเดียวกัน แพ็กเกจใหม่นี้ยังตัดทอนพื้นที่ติดตั้งที่ต้องใช้ออกไปได้ราว 55% เมื่อเทียบกับแพ็กเกจ TO-220SM(W) นอกจากนี้ อัตรากระแสเดรน 200A ของแพ็กเกจใหม่นี้ยังสูงกว่าแพ็กเกจ DPAK + จาก Toshiba ที่มีขนาดใกล้เคียงกัน (6.5 มม.×9.5 มม.[1]) อีกด้วย กระแสไฟจึงไหลได้คล่องตัวสูง ในภาพรวมแล้ว แพ็กเกจ S-TOGL™ นี้ให้ความหนาแน่นสูงแต่มีรูปลักษณ์กะทัดรัด ลดขนาดอุปกรณ์ยานยนต์ลง และช่วยกระจายความร้อนได้สูง

เนื่องจากอุปกรณ์ยานยนต์ใช้ในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสุดขั้ว ความแน่นอนของรอยบัดกรีสำหรับติดตั้งบนพื้นผิวจึงเป็นปัจจัยสำคัญที่ต้องพิจารณา แพ็กเกจ S-TOGL™ ใช้ขั้วต่อแบบปีกนกนางนวลที่จะช่วยลดแรงตึงในการติดตั้ง จึงเพิ่มความแน่นอนให้กับรอยบัดกรีได้ด้วย

Toshiba เล็งเห็นว่าในการใช้งานที่ต้องการการปฏิบัติงานกับกระแสไฟในระดับสูงอาจมีการเชื่อมต่ออุปกรณ์หลายชิ้นให้ทำงานไปพร้อม ๆ กัน บริษัทจึงให้บริการการจัดส่งเป็นกลุ่ม[3] สำหรับผลิตภัณฑ์ใหม่ ๆ ด้วย โดยจะพิจารณาแรงดันขีดเริ่มของเกตในการจัดกลุ่ม ซึ่งจะเอื้อประโยชน์ให้กับการออกแบบที่ใช้กลุ่มผลิตภัณฑ์ที่มีลักษณะไม่แตกต่างกันมากนัก

Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ไฟฟ้าต่อไป และสนับสนุนความเป็นกลางทางคาร์บอนด้วยอุปกรณ์ประสิทธิภาพสูงที่เป็นมิตรกับผู้ใช้มากยิ่งขึ้น

การใช้งาน

•         อุปกรณ์ยานยนต์: อินเวอร์เตอร์, รีเลย์เซมิคอนดักเตอร์, สวิตช์โหลด, มอเตอร์ไดร์ฟ เป็นต้น

คุณสมบัติ

•         แพ็กเกจ S-TOGL™ โฉมใหม่: 7.0 มม. × 8.44 มม. (ทั่วไป)

•         อัตรากระแสเดรนสูง

XPJR6604PB: ID=200A

XPJ1R004PB: ID=160A

•         ผ่านการทดสอบ AEC-Q101 แล้ว

•         IATF 16949/PPAP พร้อมให้บริการ[4]

•         ความต้านทานขณะทำงานต่ำ :

XPJR6604PB: RDS(ON)=0.53mΩ (ทั่วไป) (VGS=10V)

XPJ1R004PB: RDS(ON)=0.8mΩ (ทั่วไป) (VGS=10V)

หมายเหตุ:

[1] ขนาดแพ็กเกจทั่วไป รวมขั้วต่อด้วย

[2] TKR74F04PB บรรจุในแพ็กเกจ TO-220SM (W)

[3] Toshiba สามารถให้บริการการจัดส่งเป็นกลุ่ม โดยที่ช่วงแรงดันขีดเริ่มของเกตจะเป็น 0.4V ต่อแต่ละรีล อย่างไรก็ตาม เราอาจไม่สามารถระบุกลุ่มที่เฉพาะเจาะจงได้ ดังนั้นโปรดติดต่อตัวแทนจำหน่ายของ Toshiba เพื่อขอรายละเอียดเพิ่มเติม

[4] โปรดติดต่อตัวแทนจำหน่ายของ Toshiba เพื่อขอรายละเอียดเพิ่มเติม

ข้อกำหนดเฉพาะหลัก

ผลิตภัณฑ์ใหม่

ผลิตภัณฑ์ปัจจุบัน

หมายเลขชิ้นส่วน

XPJR6604PB

XPJ1R004PB

TKR74F04PB

TK1R4S04PB

ขั้ว

N-channel

ซีรีส์

U-MOS IX-H

แพ็กเกจ

ชื่อ

S-TOGL™

TO-220SM(W)

DPAK+

ขนาด (มม.)

ทั่วไป

7.0×8.44, t=2.3

10.0×13.0, t=3.5

6.5×9.5, t=2.3

อัตราสูงสุดสัมบูรณ์

แรงดันไฟฟ้าจากเดรน-ซอร์ส VDSS (V)

40

กระแสเดรน (DC) ID (A)

200

160

250

120

กระแสเดรน (เพิ่มกำลัง) IDP (A)

600

480

750

240

อุณหภูมิชาเนล Tch (°C)

175

ลักษณะทางไฟฟ้า

ความต้านทานขณะทำงานจากเดรน-ซอร์ส

RDS(ON) (mΩ)

VGS=10V

สูงสุด

0.66

1.0

0.74

1.35

ความต้านทานต่อการผ่านของความร้อนจากชาเนล-เคส

Zth(ch-c) (°C/W)

Tc=25°C

สูงสุด

0.4

0.67

0.4

0.83

ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่

XPJR6604PB
XPJ1R004PB

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับมอสเฟตยานยนต์ของ Toshiba

มอสเฟตยานยนต์

* S-TOGL™ เป็นเครื่องหมายการค้าของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัท ผลิตภัณฑ์ และบริการนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดเฉพาะ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลติดต่อ คือข้อมูล ณ วันที่ประกาศและอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่แจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำสำหรับโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และพื้นที่จัดเก็บ บริษัทมีประสบการณ์และสร้างสรรค์นวัตกรรมมาแล้วกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อส่งมอบผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ชนิดแยกชิ้น, LSI ของระบบ และ HDD ที่มีคุณภาพโดดเด่นให้แก่ลูกค้าและพาร์ทเนอร์ทางธุรกิจ

บริษัทมีพนักงาน 21,500 คนทั่วโลก ซึ่งต่างมุ่งมั่นเพิ่มพูนคุณค่าของผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด ขณะเดียวกันก็ส่งเสริมการทำงานอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในตลาดใหม่ ๆ เพื่อสร้างคุณค่าร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีที่ทะยานขึ้นแตะ 800,000 ล้านเยน (6.1 billion ดอลลาร์สหรัฐฯ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation จึงตั้งเป้าสร้างสรรค์และอุทิศตนเพื่ออนาคตที่ดีกว่าของทุกคนทั่วโลก
ดูข้อมูลเพิ่มเติมที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53525044/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ช่องทางติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ช่องทางติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation