Category Archives: Technology

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว Photorelay ขนาดเล็กพร้อมเวลาเปิดเครื่องความเร็วสูงที่ช่วยลดระยะเวลาการทดสอบสำหรับเครื่องทดสอบเซมิคอนดักเตอร์

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–25 พฤษภาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “TLP3476S” ซึ่งเป็นโฟโตรีเลย์ (photorelay) ในแพ็กเกจ S-VSON4T ที่ลดเวลาในการเปิดเครื่องลงเหลือครึ่งหนึ่งของผลิตภัณฑ์ปัจจุบันของ Toshiba อย่าง TLP3475S การจัดส่งเริ่มวันนี้

Toshiba: TLP3476S, a small photorelay that helps shorten test time for semiconductor testers. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: TLP3476S โฟโตรีเลย์ขนาดเล็กที่ช่วยลดระยะเวลาการทดสอบสำหรับผู้ทดสอบเซมิคอนดักเตอร์ (กราฟิก: Business Wire)

TLP3476S เร็วกว่าและกะทัดรัดกว่า TLP3475S รุ่นปัจจุบันของ Toshiba ซึ่งตระหนักถึงการ coupling ทางแสงที่มีประสิทธิภาพสูงโดยการปรับปรุงเอาต์พุตแสงของ LED อินฟราเรดและเพิ่มประสิทธิภาพการออกแบบอุปกรณ์ตรวจจับภาพถ่าย (โฟโตไดโอดอาร์เรย์) ให้เหมาะสม สิ่งนี้ช่วยปรับปรุงความเร็วในการทำงานและเพิ่มเวลาเปิดเครื่องสูงสุด 0.25ms ซึ่งเร็วขึ้น 50% นอกจากนี้ยังมีขนาดที่บางกว่า 20% เนื่องจากแพ็กเกจ S-VSON4T ที่มีโปรไฟล์ต่ำและเล็กกว่า สูงสุด 1.4 มม. ซึ่งช่วยลดขนาดอุปกรณ์ที่ต้องใช้บอร์ดหลายตัว

TLP3476S เหมาะสำหรับพินอิเล็กทรอนิกส์ของเครื่องทดสอบเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งใช้รีเลย์จำนวนมากที่ต้องการเวลาในการเปลี่ยนที่สั้นลง

การใช้งาน

  • เครื่องทดสอบเซมิคอนดักเตอร์ (เครื่องทดสอบหน่วยความจำความเร็วสูง เครื่องทดสอบลอจิกความเร็วสูง เป็นต้น)
  • โพรบการ์ด
  • อุปกรณ์วัด

คุณสมบัติ

  • แพ็กเกจ S-VSON4T ขนาดเล็ก: 1.45 มม. × 2.0 มม. (ทั่วไป), t=1.4 มม. (สูงสุด)
  • เวลาเปิดเครื่องความเร็วสูง: tON=0.25ms (สูงสุด)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

 (@Ta=25°C)

หมายเลขชิ้นส่วน

TLP3476S

แพ็กเกจ

ชื่อ

S-VSON4T

ขนาด (มม.)

1.45 × 2.0 (typ.), t=1.4 (สูงสุด)

อัตราสูงสุด

สัมบูรณ์

แรงดันขั้วเอาต์พุตสถานะปิด VOFF (V)

60

กระแสสถานะเปิด ION (A)

0.4

กระแสสถานะเปิด (พัลส์) IONP (A)

1.2

อุณหภูมิในการทำงาน Topr (°C)

-40 ถึง 110

ลักษณะไฟฟ้าคู่

กระแสจุดฉนวน LED IFT (mA)

สูงสุด

3.0

ความต้านทานสถานะเปิด RON (Ω)

typ.

1.1

สูงสุด

1.5

ลักษณะไฟฟ้า

ความจุเอาต์พุต COFF (pF)

สูงสุด

20

ลักษณะการสวิชชิง

เวลาเปิด tON (ms)

@RL=200Ω,

VDD=20V,

IF=5mA

สูงสุด

0.25

เวลาปิด tOFF (ms)

0.2

ลักษณะไอโซเลชัน

แรงดันไฟฟ้าไอโซเลชัน BVS (Vrms)

ต่ำสุด

500

การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน

ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TLP3476S

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ Isolators/Solid State Relays ของ Toshiba
Isolators/Solid State Relays

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
TLP3476S
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านเซมิคอนดักเตอร์และโซลูชันจัดเก็บขั้นสูง โดยนำประสบการณ์และนวัตกรรมที่สั่งสมมากว่าครึ่งศตวรรษมาใช้ เพื่อมอบเซมิคอนดักเตอร์, วงจร LSI ระบบ และผลิตภัณฑ์ HDD ที่มีความโดดเด่นให้แก่ลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัท 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นในการเพิ่มคุณประโยชน์ของผลิตภัณฑ์ให้ถึงขีดสุด และส่งเสริมการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อร่วมสร้างคุณประโยชน์และตลาดใหม่ ๆ ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและเข้ามามีบทบาทเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่
ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53406085/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์
โทร: +81-44-548-2218
ติดต่อเรา

ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Gradiant ระดมทุน 225 ล้านดอลลาร์เพื่อเร่งการขยายธุรกิจ

Logo

การระดมทุนครั้งสำคัญทำให้มูลค่าของ Gradiant อยู่ที่ 1 พันล้านดอลลาร์ ซึ่งตอกย้ำศักยภาพการเติบโตของบริษัทในตำแหน่งที่แตกต่างในตลาดน้ำทั่วโลก

บอสตัน–(BUSINESS WIRE)–25 พฤษภาคม 2566

Gradiant ผู้ให้บริการโซลูชันแบบครบวงจรระดับโลกสำหรับการบำบัดน้ำและน้ำเสียขั้นสูง ประกาศในวันนี้ว่า บริษัทสามารถระดมทุนได้ 225 ล้านดอลลาร์ในการปิดการจัดหาเงินทุน Series D ครั้งแรก ซึ่งรอบนี้นำโดย BoltRock Holdings และ Centaurus Capital ทำให้เงินทุนรวมของ Gradiant ปัจจุบันมีมูลค่ามากกว่า 400 ล้านดอลลาร์และตัวองค์กรเองมีมูลค่า 1 พันล้านดอลลาร์

Gradiant’s founders, Prakash Govindan (COO) and Anurag Bajpayee (CEO) (Photo: Business Wire)

Gradiant’s founders, Prakash Govindan (COO) and Anurag Bajpayee (CEO) (Photo: Business Wire)

Gradiant เป็นหนึ่งในบริษัทที่เติบโตเร็วที่สุดในอุตสาหกรรมน้ำ โดยมีการเติบโตสูงสุดกว่า 100% เมื่อเทียบกับช่วงเดียวกันของปีที่แล้ว (YOY) เป็นเวลาสี่ปีติดต่อกัน บริษัทจะใช้แหล่งเงินทุนใหม่เพื่อขยายธุรกิจสู่ตลาดเชิงกลยุทธ์อย่างต่อเนื่องเพื่อทำให้ Gradiant เป็นพันธมิตรด้านน้ำที่อุตสาหกรรมที่จำเป็นของโลกต้องการ เงินทุนดังกล่าวยังสนับสนุนการเติบโตไปสู่ภูมิภาคใหม่ ๆ เช่น ตะวันออกกลางและยุโรป ทั้งยังสนับสนุนโครงการ R&D ของ Gradiant อีกด้วย

John Arnold ผู้ก่อตั้ง Centaurus Capital กล่าวว่า “ในขณะที่การผลิตและห่วงโซ่อุปทานทั่วโลกยังคงก้าวหน้า พวกเขาต้องการทรัพยากรน้ำมากขึ้นเรื่อย ๆ ซึ่งเป็นสิ่งที่หายากและมีจำนวนจำกัดมากขึ้นเรื่อย ๆ” “เรารู้สึกตื่นเต้นที่ได้เป็นพันธมิตรกับบริษัทที่ได้รับการพิสูจน์แล้วว่าสามารถรองรับความต้องการเหล่านี้ได้อย่างแท้จริง”

Gradiant ออกแบบ สร้าง และดำเนินการโซลูชันการบำบัดน้ำแบบครบวงจรสำหรับอุตสาหกรรมที่สำคัญที่สุดในโลก รวมถึงเซมิคอนดักเตอร์ ยา อาหารและเครื่องดื่ม ลิเธียมและแร่ธาตุที่สำคัญ รวมถึงพลังงานหมุนเวียน เทคโนโลยีที่เป็นกรรมสิทธิ์ของบริษัทและโซลูชันดิจิทัลแบบครบวงจรช่วยลดการใช้น้ำ เรียกคืนทรัพยากรที่มีค่า และบำบัดน้ำเสียให้เป็นน้ำจืดสำหรับบริษัทที่ใหญ่ที่สุดในโลกหลายแห่ง เช่น Micron, TSMC, GSK, Pfizer, SLB, Rio Tinto, AB InBev และ Coca-Cola

“การลงทุนครั้งนี้เป็นข้อพิสูจน์ถึงผลงานของ Gradiant ในการคิดค้นและทำการค้าเทคโนโลยีน้ำเพื่อสร้างความแตกต่างอย่างแท้จริงในด้านเศรษฐกิจและสิ่งแวดล้อมของลูกค้าในภาคอุตสาหกรรมของเรา” กล่าวโดย Anurag Bajpayee ผู้ร่วมก่อตั้งและซีอีโอของ Gradiant “BoltRock และ Centaurus แบ่งปันวิสัยทัศน์ของเราและใช้เงินทุนระยะยาวอย่างชาญฉลาดซึ่งจะช่วยให้ Gradiant เติบโตเป็นบริษัทน้ำที่มีอิทธิพลมากที่สุดในโลก”

Craig Huff ผู้ก่อตั้งและสมาชิกผู้จัดการของ BoltRock Holdings กล่าวว่า “บริษัทนำทีมโดยผู้บริหารที่มีความเข้าใจอย่างลึกซึ้งเกี่ยวกับเทคโนโลยีน้ำและความต้องการด้านการดำเนินงานของลูกค้าใน Fortune 100” “เรารู้สึกตื่นเต้นที่ได้ร่วมงานกับ Gradiant เพื่อรับมือกับความท้าทายทางน้ำที่สำคัญในยุคของเรา”

Mr. Huff จาก BoltRock และ Mark Danchak จาก General Innovation Capital จะเข้าร่วมเป็นคณะกรรมการของบริษัท

เกี่ยวกับ Gradiant

บริษัทให้บริการบำบัดน้ำแบบครบวงจรและโซลูชันดิจิทัลในอุตสาหกรรมต่าง ๆ รวมถึงเซมิคอนดักเตอร์ ยา อาหารและเครื่องดื่ม ลิเธียมและแร่ธาตุสำคัญ และพลังงานหมุนเวียน โซลูชันที่เป็นนวัตกรรมของ Gradiant ช่วยลดการใช้น้ำ ลดการปล่อยน้ำเสีย เรียกคืนทรัพยากรที่มีค่า และบำบัดน้ำเสียให้เป็นน้ำจืด โดยมีสำนักงานใหญ่ในบอสตัน ก่อตั้งขึ้นที่ MIT และมีพนักงานมากกว่า 900 คนทั่วโลก ศึกษาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ gradiant.com

เกี่ยวกับ BoltRock Holdings

BoltRock Holdings เป็นสำนักงานครอบครัวที่ตั้งอยู่ใน New York City โดย BoltRock มุ่งเน้นไปที่การจัดหาเงินทุนระยะยาวให้แก่บริษัทระดับโลกในอุตสาหกรรมที่สำคัญ

เกี่ยวกับ Centaurus Capital

Centaurus Capital เป็นสำนักงานการลงทุนของครอบครัวสำหรับ John Arnold ที่ลงทุนในหลากหลายภาคส่วน ได้แก่ อุตสาหกรรม พลังงาน การเงินและพลังงานหมุนเวียน

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่:
https://www.businesswire.com/news/home/53401788/en

ติดต่อ

องค์กร:
Felix Wang
รองประธานฝ่ายการตลาดของ Gradiant
fwang@gradiant.com

แหล่งที่มา: Gradiant

Featured, Technology

Gradiant พัฒนาความยั่งยืนในการขุดผ่านความร่วมมือกับ SLB, Rio Tinto และบริษัทเหมืองระดับโลกของออสเตรเลีย

Logo

บอสตัน, แมสซาชูเซตส์–(BUSINESS WIRE)–25 พฤษภาคม 2566

Gradiant ผู้ให้บริการและผู้พัฒนาโซลูชันสำหรับการบำบัดน้ำและน้ำเสียขั้นสูงระดับโลกได้ประกาศความร่วมมือกับ SLB (เดิมคือ Schlumberger), Rio Tinto และบริษัทเหมืองแร่ระดับโลกของออสเตรเลีย เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพการผลิตและความยั่งยืนในอุตสาหกรรมเหมืองแร่โดยมุ่งเน้นที่การลดรอยเท้าคาร์บอนและน้ำ ซึ่งโครงการเหล่านี้อยู่ในสหรัฐอเมริกาและรัฐเวสเทิร์นออสเตรเลียสำหรับการกู้คืนทรัพยากรแร่ธาตุที่สำคัญและน้ำในกระบวนการอุตสาหกรรม

โดยความร่วมมือระหว่าง Gradiant กับ SLB และบริษัทเหมืองระดับโลกของออสเตรเลียมีเป้าหมายที่จะกู้คืนโลหะมีค่า เช่น ลิเธียม นิกเกิล และโคบอลต์ ซึ่งเป็นโลหะที่จำเป็นในการผลิตแบตเตอรี่สำหรับรถยนต์ไฟฟ้า สมาร์ทโฟน และคอมพิวเตอร์ การทำเหมืองวัสดุเหล่านี้มีความซับซ้อนสูงและใช้น้ำมาก ยิ่งไปกว่านั้นด้วยความต้องการของตลาดที่เพิ่มมากขึ้นและกฎระเบียบด้านสิ่งแวดล้อม ทำให้ธุรกิจต้องเลือกใช้เทคโนโลยีที่มีความคุ้มค่าและส่งเสริมความยั่งยืน ซึ่งเทคโนโลยีของ Gradiant ช่วยให้สามารถบริหารจัดการน้ำได้อย่างยั่งยืน มีประสิทธิภาพและประหยัดซึ่งเป็นโซลูชันที่ถูกปรับปรับแต่งโดย Gradiant ตั้งแต่ต้นจนจบ

งานของ Gradiant กับ SLB ผสานรวมเทคโนโลยีของ Gradiant เพื่อรวมสารละลายลิเธียมเข้ากับการสกัดลิเธียมโดยตรง (DLE) และกระบวนการผลิตของ SLB ซึ่งช่วยลดเวลาในการออกสู่ตลาดและลดผลกระทบต่อสิ่งแวดล้อมสำหรับการสกัดลิเธียม ซึ่งโซลูชันนี้มีผลต่อกระบวนการสกัดลิเธียมที่ยั่งยืนโดยทำให้ความเข้มข้นของลิเธียมอยู่ในระดับสูงในเวลาเพียงเศษเสี้ยวของเวลาที่ต้องใช้โดยวิธีทั่วไป ในขณะเดียวกันจะลดการปล่อยคาร์บอน ลดการใช้พลังงาน และลดต้นทุน เมื่อเทียบกับวิธีการที่ใช้ความร้อน

สำหรับ Rio Tinto นั้น Gradiant จะส่งมอบโรงงานแห่งใหม่ในรัฐเวสเทิร์นออสเตรเลียเพื่อแทนที่โรงงานเก่า โดยใช้เทคโนโลยีเมมเบรน RO Infinity ที่เป็นกรรมสิทธิ์ของบริษัทและ SmartOps Digital AI ในการดำเนินการขุด Gradiant ได้นำสองเทคโนโลยีปลอดสารเคมีมาใช้ในการดำเนินงานเพื่อลดการใช้สารเคมีและการปล่อยของเสียให้เหลือน้อยที่สุด

สุดท้ายนี้ เทคโนโลยี RO Infinity และ SmartOps ของ Gradiant จะรวมน้ำเสียที่ซับซ้อนจากการผลิตนิกเกิลและโคบอลต์ที่โรงงานแห่งใหม่ในรัฐเวสเทิร์นออสเตรเลียสำหรับบริษัทเหมืองแร่ระดับโลก ส่งผลให้ประหยัดต้นทุนได้มากถึง 75% พร้อมรอยเท้าคาร์บอนและน้ำที่ลดลงเมื่อเทียบกับเทคโนโลยีทั่วไป

Prakash Govindan COO ของ Gradiant กล่าวว่า “การทำเหมืองเป็นภาคอุตสาหกรรมที่ซับซ้อนซึ่งซึ่งมีความท้าทาย ต่อพื้นที่ห่างไกล, จำนวนขยะที่มาก, คุณภาพน้ำที่ผันผวน, และผลิตภัณฑ์ปลายทางที่มีมูลค่าสูงที่ต้องการประสิทธิภาพการออกแบบและการดำเนินงานอย่างไม่หยุดยั้ง” Prakash Govindan ได้กล่าวต่อว่า “โอกาสที่แท้จริงสำหรับเทคโนโลยีน้ำในอุตสาหกรรมเหมืองแร่คือการกู้คืนทรัพยากรในน้ำเสียควบคู่กับ AI เรารู้สึกตื่นเต้นที่ได้ร่วมงานกับผู้ประกอบการการขุดชั้นนำของโลกเพื่อเข้าสู่ยุคใหม่ของการฟื้นฟูทรัพยากรอย่างยั่งยืน สิ่งนี้เกิดขึ้นได้จากความเข้าใจอย่างลึกซึ้งของ Gradiant เกี่ยวกับเคมีที่ซับซ้อนที่แฝงอยู่ในกระบวนการผลิตซึ่งจะถูกดำเนินการโดยเทคโนโลยีดิจิทัลการเรียนรู้ได้ด้วยตัวเองของเครื่อง”

Gradiant ออกแบบ สร้าง และดำเนินการโซลูชันเกี่ยวกับน้ำและดิจิทัลแบบครบวงจร เป็นผู้บุกเบิกเทคโนโลยีขั้นสูงในอุตสาหกรรมที่สำคัญของโลกซึ่งเทคโนโลยีเหล่านี้จะลดการใช้น้ำจืด เรียกคืนทรัพยากรอันมีค่าและเปลี่ยนสภาพน้าให้เป็นน้ำจืด

เกี่ยวกับ Gradiant

Gradiant เป็นบริษัทจัดการเกี่ยวกับน้ำที่ปรับใช้ชุดเทคโนโลยีเต็มรูปแบบของโซลูชันที่สร้างสรรค์เพื่อช่วยให้อุตสาหกรรมชั้นนำของโลกสามารถดำเนินงานได้อย่างยั่งยืนผ่านการใช้น้ำอย่างมีความรับผิดชอบ บริษัทให้บริการออกแบบ สร้าง และดำเนินการโซลูชันเกี่ยวกับน้ำและดิจิทัลแบบ end-to-end ในอุตสาหกรรมต่าง ๆ รวมถึงไมโครอิเล็กทรอนิกส์ ยา อาหารและเครื่องดื่ม ลิเธียมและแร่ธาตุที่สำคัญ และพลังงานหมุนเวียน โซลูชันที่เป็นนวัตกรรมของ Gradiant ลดการใช้น้ำและน้ำเสียที่เกิดขึ้น เรียกคืนทรัพยากรที่มีค่าและเปลี่ยนน้ำเสียให้เป็นน้ำจืด บริษัทมีสำนักงานใหญ่อยู่ในบอสตัน ก่อตั้งขึ้นที่ MIT และมีพนักงานมากกว่า 900 คนทั่วโลก เพิ่มเติมที่ gradiant.com

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้นและควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษา                ต้นฉบับซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ติดต่อบริษัท:
Felix Wang
รองประธานฝ่ายการตลาดของ Gradiant
fwang@gradiant.com

ที่มา: Gradiant

Featured, Technology

Kioxia เปิดตัวไคลเอนต์ SSD Series BG6 ใหม่ นำประสิทธิภาพ PCIe® 4.0 และราคาย่อมเยามาสู่กระแสหลัก

Logo

ไดรฟ์ใหม่มีหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D รุ่นที่ 6; SSD 2,048GB รักษาฟอร์มแฟคเตอร์ M.2 2230

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–23 พฤษภาคม 2023

Kioxia Corporation วันนี้ประกาศการเพิ่ม KIOXIA BG6 Series ในกลุ่มผลิตภัณฑ์ไดรฟ์โซลิดสเทต PCIe® 4.0 (SSD) ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์แรกที่มีหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D เจนเนอเรชั่นที่ 6 ของบริษัท[1] และประสิทธิภาพเกือบ 1.7 เท่าของรุ่นก่อน[2] ซึ่งออกแบบมาเพื่อปลดปล่อยความเร็วที่เพิ่มขึ้นและความสามารถในการจ่ายของ PCIe® 4.0 สำหรับผู้ใช้พีซี KIOXIA BG6 Series ไคลเอนต์ SSD ที่ทรงพลังและกะทัดรัดนำเสนอฟอร์มแฟคเตอร์ M.2 2230 แบบแยกพร้อมความจุที่สูงขึ้นและประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่ดีขึ้น มีเวอร์ชันฟอร์มแฟกเตอร์ด้านเดียว M.2 2280 ให้ใช้งานด้วย KIOXIA BG6 Series จะเริ่มสุ่มตัวอย่างในช่วงครึ่งหลังของปี 2023 สำหรับการประเมินของลูกค้า OEM

KIOXIA BG6 Series Client SSDs Bring PCIe® 4.0 Performance and Affordability to the Mainstream (Photo: Business Wire)

SSD แบบไคลเอ็นท์ KIOXIA BG6 Series มอบประสิทธิภาพและความคุ้มค่าของ PCIe® 4.0 สู่ตลาดกระแสหลัก (ภาพ: Business Wire)

KIOXIA BG6 Series ปลดล็อกประสิทธิภาพของแฟลชแบบแบ็คเอนด์ในขณะที่ยังคงราคาย่อมเยาและเพิ่มความจุ ทำให้เป็นตัวเลือกที่น่าสนใจเป็นพิเศษสำหรับโน้ตบุ๊กและเดสก์ท็อปเชิงพาณิชย์และสำหรับผู้บริโภค ไดรฟ์ KIOXIA BG6 รองรับเทคโนโลยี Host Memory Buffer (HMB) ที่ครบกำหนด ซึ่งใช้ส่วนหนึ่งของหน่วยความจำโฮสต์ (DRAM) ราวกับว่ามันเป็นของตนเอง เพื่อให้ได้ SSD ประสิทธิภาพสูงที่ไม่มี DRAM

คุณลักษณะและคุณประโยชน์เพิ่มเติมประกอบด้วย:

  • ความจุ 256 กิกะไบต์ (GB), 512 GB, 1,024 GB และ 2,048 GB[3]
  • PCIe® อินเทอร์เฟซ 64 กิกะทรานเฟอร์ต่อวินาที (GT/s) (Gen4 x4 เลน)
  • การอ่านตามลำดับสูงสุด 6,000 เมกะไบต์ต่อวินาที (MB/s) และการเขียนตามลำดับ 5,300 MB/s
  • สูงถึง 850,000 IOPS[4] การอ่านแบบสุ่มและการเขียนแบบสุ่ม 900,000 IOPS
  • การสนับสนุนในอนาคตสำหรับชุดคุณลักษณะ NVMe™ 1.4c และคำสั่งการจัดการพื้นฐานผ่าน System Management Bus (SMBus) ทำให้สามารถจัดการระบายความร้อนได้แน่นขึ้น
  • รองรับมาตรฐาน TCG Pyrite และ Opal ล่าสุด[5] เช่นเดียวกับการปกป้องข้อมูลแบบครบวงจร ทำให้มั่นใจได้ว่าข้อมูลจะปลอดภัยไม่ว่าจะอยู่ที่บ้านหรือในสำนักงาน
  • รองรับสัญญาณแจ้งเตือนไฟฟ้าดับเพื่อป้องกันข้อมูลจากการบังคับปิดเครื่อง
  • สัญญาณแถบข้าง (PERST#, CLKREQ# และ PLN#) รองรับทั้ง 1.8V และ 3.3V
  • รองรับคุณสมบัติการกู้คืนเฟิร์มแวร์ของแพลตฟอร์ม

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
กลุ่มผลิตภัณฑ์ SSD ไคลเอนต์ของ Kioxia รวมถึงรายละเอียดของ KIOXIA BG6 Serieshttps://www.kioxia.com/en-jp/business/ssd/client-ssd.html

หมายเหตุ
[1] SSD 256 GB และ 512 GB ใช้หน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D รุ่นที่ 5
[2] เปรียบเทียบ KIOXIA BG5 Series กับ BG6 Series
[3] คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดเมกะไบต์ (MB) เป็น 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เป็น 1,000,000,000 ไบต์ และเทราไบต์ (TB) เป็น 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการของคอมพิวเตอร์รายงานความจุของพื้นที่เก็บข้อมูลโดยใช้ยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุที่น้อยกว่า ความจุที่มีอยู่ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่างๆ ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การฟอร์แมต การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่ฟอร์แมตแล้วตามจริงอาจแตกต่างกันไป
[4] IOPS: อินพุตเอาต์พุตต่อวินาที (หรือจำนวนการดำเนินการ I/O ต่อวินาที)
[5] ความพร้อมใช้งานของตัวเลือกความปลอดภัย/การเข้ารหัสอาจแตกต่างกันไปตามภูมิภาค

*NVMe เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งอุทิศให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดร์ฟ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยการนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและมูลค่าบนหน่วยความจำสำหรับสังคม BiCS FLASH™ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia กำลังกำหนดอนาคตของพื้นที่จัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง ซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

คำถามของลูกค้า:
Kioxia Corporation
สำนักงานขายทั่วโลก
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงข้อกำหนด เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อ ถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53405194/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

รายชื่อติดต่อ

ฝ่ายสอบถามสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัวตัวควบคุม LDO ไฟฟ้าแรงสูงและกระแสไฟต่ำที่ช่วยลดพลังงานสแตนด์บายของอุปกรณ์

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–23 พฤษภาคม 2023 

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัวตัวควบคุม LDO ซีรีส์ TCR1HF ที่ให้แรงดันไฟฟ้าสูง ช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุตกว้าง และการใช้กระแสสแตนด์บายต่ำที่สุดในอุตสาหกรรม[1] การจัดส่งผลิตภัณฑ์สามรายการแรกในซีรีส์ใหม่ “TCR1HF18B,” “TCR1HF33B” และ “TCR1HF50B” ซึ่งมีแรงดันเอาต์พุต 1.8V, 3.3V และ 5.0V ตามลำดับ เริ่มตั้งแต่วันนี้

Toshiba: TCR1HF series, high voltage, low current consumption LDO regulators that help to lower equipment stand-by power. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: ตัวควบคุม LDO ไฟฟ้าแรงสูงและกระแสไฟต่ำซีรีส์ TCR1HF ที่ช่วยลดพลังงานสแตนด์บายของอุปกรณ์ (กราฟิก: Business Wire)

เพื่อลดการใช้พลังงานของผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์ในโหมดสแตนด์บายเมื่อใช้วงจรแหล่งจ่ายไฟกับตัวควบคุม LDO จำเป็นต้องเชื่อมต่อแหล่งจ่ายไฟโดยตรงกับตัวควบคุม LDO และลดการใช้พลังงานโดยการปิดวงจรภายใน

ผลิตภัณฑ์ใหม่รองรับช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุตกว้างตั้งแต่ 4V ถึง 36V ซึ่งช่วยให้สามารถเชื่อมต่อกับแหล่งจ่ายไฟ 4V ถึง 20V ที่ใช้สำหรับ USB PD[2] และกับแหล่งจ่ายไฟ 24V

นอกจากนี้ยังมีการใช้กระแสสแตนด์บายที่ 1uA (typ.) ซึ่งต่ำที่สุดในอุตสาหกรรม[1] ช่วยให้อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สามารถทำงานสแตนด์บายได้โดยใช้พลังงานต่ำมาก การตอบสนองชั่วคราวของโหลดที่รวดเร็วที่ -60mV/+50mV (typ.) ช่วยให้มั่นใจได้ว่าแรงดันเอาต์พุตคงที่ในระหว่างที่กระแสไฟฟ้าเปลี่ยนแปลงกะทันหันเมื่อผลิตภัณฑ์เปลี่ยนจากสถานะสแตนด์บายเป็นสถานะการทำงาน

มีการออกแบบอ้างอิง “วงจรเพาเวอร์มัลติเพล็กเซอร์” โดยใช้ผลิตภัณฑ์ใหม่

Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ซีรีส์ TCR1HF โดยเพิ่มผลิตภัณฑ์ที่มีฟังก์ชันหรือค่าแรงดันเอาต์พุตที่แตกต่างกันสำหรับการใช้งานที่หลากหลาย

หมายเหตุ:

[1] การเปรียบเทียบกระแสสแตนด์บายกับตัวควบคุม LDO ที่มีพิกัดเดียวกัน ตามผลสำรวจของ Toshiba ในเดือนพฤษภาคม 2023

[2] USB PD(USB Power Delivery): มาตรฐานสำหรับการชาร์จเร็วที่ใช้ USB เพื่อให้กำลังไฟสูงสุดถึง 100W

การใช้งาน

  • อุปกรณ์สำหรับผู้บริโภค / ส่วนบุคคล (มือถือ, Note-PC, เครื่องใช้ภายในบ้าน ฯลฯ)
  • อุปกรณ์อุตสาหกรรม

คุณสมบัติ

  • แรงดันไฟฟ้าอินพุตช่วงกว้าง: VIN=4V ถึง 36V
  • การใช้กระแสต่ำ: IBON=1μA (typ.）
  • อัตรากระแสเอาต์พุตสูงสุด: IOUT=150mA
  • การตอบสนองชั่วคราวของโหลดอย่างรวดเร็ว: ⊿VOUT= -60mV/+50mV (typ.) (IOUT = 0 mA ⇔ 10 mA)
  • แพ็กเกจเอนกประสงค์ SOT-25 (SMV)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

หมายเลขชิ้นส่วน

TCR1HF18B

TCR1HF33B

TCR1HF50B

แพ็กเกจ

ชื่อ

SOT-25 (SMV)

ขนาดทั่วไป (มม.)

2.8 x 2.9, t=1.1

ช่วงการทำงาน

แรงดันไฟฟ้าอินพุต VIN (V)

4 ถึง 36

อุณหภูมิในการทำงาน Topr (°C)

-40 ถึง 125

คุณลักษณะ

ทางไฟฟ้า

(เว้นแต่จะระบุไว้,

Tj=25°C)

แรงดันไฟฟ้าเอาต์พุต VOUT typ. (V)

1.8

3.3

5.0

ความถูกต้องของแรงดันขาออก VOUT (%)

IOUT=10mA

±1

กระแสไฟนิ่ง IBON typ. (μA)

IOUT=0mA

1

กระแสไฟสแตนด์บาย IB(OFF1) typ. (μA)

VIN=4V

0.24

การตอบสนองชั่วคราวของโหลด

⊿VOUT

typ. (mV)

IOUT=0mA→10mA

-60

IOUT=10mA→0mA

50

เกณฑ์การปิดระบบระบายความร้อน TSDH (°C)

Tj rising

155

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TCR1HF18B
TCR1HF33B
TCR1HF50B

ตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับการออกแบบอ้างอิงโดยใช้ผลิตภัณฑ์ใหม่
วงจรเพาเวอร์มัลติเพล็กเซอร์

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
TCR1HF18B
ซื้อออนไลน์
TCR1HF33B
ซื้อออนไลน์
TCR1HF50B
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านเซมิคอนดักเตอร์และโซลูชันจัดเก็บขั้นสูง โดยนำประสบการณ์และนวัตกรรมที่สั่งสมมากว่าครึ่งศตวรรษมาใช้ เพื่อมอบเซมิคอนดักเตอร์, วงจร LSI ระบบ และผลิตภัณฑ์ HDD ที่มีความโดดเด่นให้แก่ลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัท 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นในการเพิ่มคุณประโยชน์ของผลิตภัณฑ์ให้ถึงขีดสุด และส่งเสริมการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อร่วมสร้างคุณประโยชน์และตลาดใหม่ ๆ ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและเข้ามามีบทบาทเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่

ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53404002/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์สัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-44-548-2215
ติดต่อเรา

ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation


Featured, Technology

Hytera เปิดตัวสมาร์ทโฟน Pushtalk ที่ทนทาน

Logo

เซินเจิ้น ประเทศจีน–(BUSINESS WIRE)–17 พฤษภาคม 2023

Hytera Communications (SZSE: 002583) ผู้ให้บริการเทคโนโลยีและโซลูชันการสื่อสารระดับมืออาชีพชั้นนำระดับโลก ได้เปิดตัว Push-to-talk over Cellular (PoC) วิทยุรุ่น PNC460 XRugged Smart Device ล่าสุด ด้วย API แบบเปิด ฮาร์ดแวร์ที่ทนทาน และ Push-to-talk (PTT) ที่ใช้งานง่าย ทำให้ PNC460 มีศักยภาพและความเป็นไปได้ที่ยอดเยี่ยมในการปลดปล่อยประสิทธิภาพของทีมในสถานการณ์ธุรกิจและอุตสาหกรรม

Hytera XRugged Smart Device PNC460 (Graphic: Business Wire)

อุปกรณ์อัจฉริยะ Hytera XRugged PNC460 (กราฟิก: Business Wire)

ในฐานะสมาร์ทโฟนสำหรับมืออาชีพ PNC460 ใช้งาน Android 12 ด้วย API แบบเปิด และเรียกใช้แอปเฉพาะของบุคคลที่สามที่พัฒนาขึ้นสำหรับวัตถุประสงค์หรืออุตสาหกรรมเฉพาะได้อย่างง่ายดาย เช่น แอปสำหรับการควบคุมการเข้าถึง การจัดส่งพัสดุภัณฑ์ การบำรุงรักษายูทิลิตี การรักษาความปลอดภัยทางกายภาพ เป็นต้น ชุดเครื่องมือวัดที่พัฒนาโดย Hytera มาพร้อมกับอุปกรณ์ตรวจจับเสียง ระดับ เครื่องวัดความสูง ลูกดิ่ง เครื่องนับก้าว และไม้โปรแทรกเตอร์ อุปกรณ์นี้นำเสนอแพลตฟอร์มระดับพรีเมียมสำหรับการแปลงการดำเนินธุรกิจให้เป็นดิจิทัล โดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับการเสริมศักยภาพและการจัดการบุคลากรที่ทำงานนอกสถานที่

PNC460 นำเสนอ push-to-talk (PTT) ที่ใช้งานง่ายและเชื่อถือได้ ซึ่งเปิดใช้งานทั้งบนฮาร์ดแวร์และซอฟต์แวร์ ทำให้ PNC460 แตกต่างอย่างชัดเจนจากคุณสมบัติ PTT บนแอปบนสมาร์ทโฟนของผู้บริโภค ปุ่ม PTT ทางกายภาพยังคงไว้ซึ่งความง่ายในการใช้งานของวิทยุสองทาง (วอคกี้ทอล์คกี้) และรับประกันการโทรแบบกลุ่มทันทีโดยเฉพาะอย่างยิ่งในสถานการณ์เร่งด่วน ด้วยการติดตั้งเสาอากาศภายนอก ทำให้ PNC460 มีความสามารถ RX ที่สูงขึ้นมากในการรับมือกับพื้นที่ครอบคลุมสัญญาณเซลลูลาร์ที่อ่อนแอ ดังนั้นจึงรับประกันคุณภาพของการโทร ลำโพงสูงสุด 3W ควบคู่ไปกับปัญญาประดิษฐ์ (AI) การตัดเสียงรบกวน (NC) และการลดเสียงสะท้อนและเสียงลม ทำให้ได้เสียงที่ชัดเจนและดังที่สุดเท่าที่จะเป็นไปได้ในสภาพแวดล้อมต่าง ๆ ที่มีเสียงดัง

ด้วยความเชี่ยวชาญและประสบการณ์หลายทศวรรษในการออกแบบและผลิตวิทยุสองทางที่ทนทานสำหรับภาคส่วนที่มีความสำคัญต่อภารกิจ Hytera ทำให้ PNC460 มีความได้เปรียบในการแข่งขันเหนืออุปกรณ์ที่ทนทานทั่วไปที่ตลาดนำเสนอ ด้วยระดับ IP68 สามารถกันน้ำได้ในน้ำจืดลึก 1.5 เมตรนานสูงสุด 30 นาที นอกจากนี้ยังกันฝุ่นได้โดยไม่ต้องมีเคสหรืออุปกรณ์ป้องกันเพิ่มเติม แชสซีที่ทนทานและส่วนประกอบที่ได้รับการเสริมความแข็งแรงนั้นผ่านการทดสอบที่เข้มงวด เช่น การตกกระแทกบนพื้นแข็ง 1.5 เมตร และอุณหภูมิสุดขั้ว (-20°C ถึง +60°C) มืออาชีพไม่จำเป็นต้องใช้ความพยายามในการดูแลการเชื่อมต่อและการสื่อสารกับทีมและระบบแม้ในสภาพแวดล้อมที่ย่ำแย่

เกี่ยวกับ Hytera

Hytera Communications Corporation Limited (SZSE: 002583) เป็นผู้ให้บริการเทคโนโลยีและโซลูชันการสื่อสารอย่างมืออาชีพชั้นนำระดับโลก ด้วยความสามารถด้านเสียง วิดีโอ และข้อมูล เรามอบการเชื่อมต่อที่รวดเร็ว ปลอดภัย และหลากหลายมากขึ้นสำหรับธุรกิจและผู้ใช้ที่มีความสำคัญต่อภารกิจ เราทำให้โลกมีประสิทธิภาพและปลอดภัยยิ่งขึ้น โดยทำให้ลูกค้าของเราประสบความสำเร็จมากขึ้นทั้งในด้านการปฏิบัติงานประจำวันและการตอบสนองต่อเหตุฉุกเฉิน

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: www.businesswire.com/news/home/53402029/en

ติดต่อ

lele.yao@hytera.com

แหล่งที่มา: Hytera Communications

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว MOSFET แบบ Common-Drain ขนาดเล็กและบางที่มีคุณสมบัติ On-Resistance ต่ำมาก เหมาะสำหรับอุปกรณ์ชาร์จเร็ว

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–18 พฤษภาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “SSM14N956L” ซึ่งเป็น MOSFET แบบ N-channel ระบายน้ำทั่วไป 12V ที่มีพิกัดกระแส 20A สำหรับใช้ในวงจรป้องกันแบตเตอรี่ในชุดแบตเตอรี่ลิเธียมไอออน (Li-ion) เช่น สำหรับอุปกรณ์พกพา ซึ่งเริ่มจัดส่งแล้ววันนี้

Toshiba: SSM14N956L, a small and thin common-drain MOSFET featuring very low On-resistance (Graphic: Business Wire)

Toshiba: SSM14N956L, MOSFET แบบ Common-Drain ขนาดเล็กและบางที่มีคุณสมบัติ On-Resistance ต่ำมาก (กราฟิก: Business Wire)

ชุดแบตเตอรี่ลิเธียมไอออน (Li-ion) อาศัยวงจรป้องกันที่ทนทานสูงเพื่อลดการเกิดความร้อนขณะชาร์จและคายประจุ และเพื่อเพิ่มความปลอดภัย วงจรเหล่านี้ต้องมีลักษณะการใช้พลังงานต่ำและบรรจุภัณฑ์ที่มีความหนาแน่นสูง โดยต้องใช้ MOSFET ที่มีขนาดเล็กและบางและมีความต้านทานต่อไฟฟ้าต่ำ

SSM14N956L ใช้ไมโครโปรเซสเซอร์ของ Toshiba เช่นเดียวกับ SSM10N954L ที่เปิดตัวแล้ว ซึ่งช่วยให้มั่นใจได้ถึงการสูญเสียพลังงานที่ต่ำ เนื่องจากคุณสมบัติด้านความต้านทานไฟฟ้าต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม[1] และพลังงานสแตนด์บายต่ำ ซึ่งรับรู้ได้จากคุณลักษณะกระแสไฟรั่วที่เกต-ซอร์สที่ต่ำซึ่งเป็นระดับชั้นนำในอุตสาหกรรม[1] คุณสมบัติเหล่านี้ช่วยยืดเวลาการทำงานของแบตเตอรี่ ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ยังใช้บรรจุภัณฑ์ใหม่ขนาดเล็กและบาง TCSPED-302701 (2.74 มม. x 3.0 มม., t = 0.085 มม. (ทั่วไป))

Toshiba จะยังคงพัฒนาผลิตภัณฑ์ MOSFET สำหรับวงจรป้องกันในอุปกรณ์ที่ใช้พลังงานจากชุดแบตเตอรี่ลิเธียมไอออน

การใช้งาน

  • อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภคและอุปกรณ์สำนักงานและส่วนบุคคลที่มีชุดแบตเตอรี่ลิเธียมไอออน รวมถึงสมาร์ทโฟน แท็บเล็ต พาวเวอร์แบงค์ อุปกรณ์สวมใส่ เกมคอนโซล แปรงสีฟันไฟฟ้า กล้องดิจิทัลคอมแพค กล้องดิจิตอล SLR เป็นต้น

คุณสมบัติ

  • ความต้านทานไฟฟ้าต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม[1]: RSS(ON)=1.1mΩ (typ.) @VGS=3.8V
  • กระแสไฟรั่วจากแหล่งเกตต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม[1]: IGSS=±1μA (max) @VGS=±8V
  • แพ็กเกจ TCSPED-302701 ขนาดเล็กและบาง: 2.74 มม. x 3.0 มม., t=0.085 มม. (ทั่วไป)
  • โครงสร้างท่อระบายน้ำทั่วไปที่สามารถใช้งานได้ง่ายในวงจรป้องกันแบตเตอรี่

หมายเหตุ:
[1]: ในบรรดาผลิตภัณฑ์ที่มีการจัดอันดับเดียวกัน จากผลสำรวจของ Toshiba ในเดือนพฤษภาคม 2023

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น, Ta=25°C)

หมายเลขชิ้นส่วน

SSM14N956L

SSM10N954L[2]

การกำหนดค่า

ท่อระบายน้ำทั่วไป N-channel

การประเมินค่า

สูงสุดสุทธิ

แหล่งจ่ายแรงดัน VSSS (V)

12

แรงดันแหล่งกำเนิดเกต VGSS (V)

±8

กระแสไฟแหล่งจ่าย (DC) IS (A)

20.0

13.5

คุณลักษณะ

ทางไฟฟ้า

กระแสรั่วไหลของเกต-ซอร์ส IGSS

max (μA)

@VGS＝ ±8V

±1

ความต้านทานไฟฟ้า

ของแหล่งจ่าย RSS(ON)

typ. (mΩ)

@VGS＝4.5V

1.00

2.1

@VGS＝3.8V

1.10

2.2

@VGS＝3.1V

1.25

2.4

@VGS＝2.5V

1.60

3.1

แพ็กเกจ

ชื่อ

TCSPED-302701

TCSPAC-153001

ขนาดทั่วไป (มม.)

2.74×3,

t=0.085

1.49×2.98,

t=0.11

การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

หมายเหตุ:
[2] จำหน่ายสินค้าแล้ว

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
SSM14N956L

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
SSM14N956L
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านเซมิคอนดักเตอร์และโซลูชันจัดเก็บขั้นสูง โดยนำประสบการณ์และนวัตกรรมที่สั่งสมมากว่าครึ่งศตวรรษมาใช้ เพื่อมอบเซมิคอนดักเตอร์, วงจร LSI ระบบ และผลิตภัณฑ์ HDD ที่มีความโดดเด่นให้แก่ลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัท 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นในการเพิ่มคุณประโยชน์ของผลิตภัณฑ์ให้ถึงขีดสุด และส่งเสริมการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อร่วมสร้างคุณประโยชน์และตลาดใหม่ ๆ ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและเข้ามามีบทบาทเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่

ดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53401946/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์สัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-44-548-2215
ติดต่อเรา

ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อมวลชน:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Kioxia เป็นรายแรกที่เปิดตัว EDSFF SSD บนระบบ Hewlett Packard Enterprise

Logo

KIOXIA CD7 Series EDSFF E3.S ไดรฟ์แบบฟอร์มแฟกเตอร์พร้อมส่งบนเซิร์ฟเวอร์และพื้นที่จัดเก็บ HPE ที่คัดสรรแล้ว

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–17 พฤษภาคม 2023

Kioxia Corporation ประกาศในวันนี้ว่ากลุ่มผลิตภัณฑ์ KIOXIA CD7 Series EDSFF (ฟอร์มแฟกเตอร์มาตรฐานขององค์กรและศูนย์ข้อมูล) E3.S NVMe™ SSD พร้อมใช้งานแล้วบนเซิร์ฟเวอร์และพื้นที่เก็บข้อมูลจาก Hewlett Packard Enterprise (HPE)

KIOXIA CD7 E3.S Series Data Center NVMe(TM) SSDs (Photo: Business Wire)

KIOXIA CD7 E3.S Series ศูนย์ข้อมูล NVMe(TM) SSDs (ภาพ: Business Wire)

ไดรฟ์ EDSFF[1] ตัวแรกของอุตสาหกรรมที่ออกแบบด้วยเทคโนโลยี PCIe® 5.0, KIOXIA CD7 Series E3.S SSD เพิ่มความหนาแน่นของพื้นที่จัดเก็บข้อมูลแบบแฟลชต่อไดรฟ์เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการใช้พลังงานและการรวมแร็ค[2] เซิร์ฟเวอร์ HPE ProLiant Gen11 ซึ่งเป็นเซิร์ฟเวอร์จัดเก็บข้อมูล HPE Alletra 4000 และ HPE Synergy 480 Gen11 Compute Module เปิดใช้งานด้วยอินเทอร์เฟซ PCIe® 5.0 ล่าสุด ทำให้มีประสิทธิภาพมากกว่า PCIe® 4.0 ถึงสองเท่า และมาพร้อมกับช่องใส่ไดรฟ์ EDSFF E3.S ที่เป็นอุปกรณ์เสริม

ด้วยวิวัฒนาการตามธรรมชาติของฟอร์มแฟกเตอร์ขนาด 2.5 นิ้ว[3] EDSFF E3.S ได้รับการออกแบบมาเพื่อตอบสนองความต้องการของที่จัดเก็บข้อมูลแบบแฟลชประสิทธิภาพสูง E3.S ช่วยให้การปรับใช้มีความหนาแน่นและมีประสิทธิภาพมากขึ้นในยูนิตแร็คเดียวกัน เมื่อเทียบกับไดรฟ์ขนาด 2.5 นิ้ว ในขณะที่ปรับปรุงคุณสมบัติการทำความเย็นและระบายความร้อน และเพิ่มความจุได้ถึง 1.5 ถึง 2 เท่า

ความจุตั้งแต่ 1,920 ถึง 7,680 กิกะไบต์ (GB) ทำให้ KIOXIA CD7 E3.S Series ระดับศูนย์ข้อมูล NVMe™ 1.4 SSD เป็นไปตามข้อกำหนด EDSFF E3.S และมีความทนทาน 1 DWPD[4] ที่เน้นการอ่าน

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง: หน้าผลิตภัณฑ์ของ KIOXIA CD7 E3.S Series
https://www.kioxia.com/en-jp/business/ssd/data-center-ssd/cd7-r-e3s.html

หมายเหตุ
[1] ณ วันที่ 9 พฤศจิกายน 2021 อ้างอิงจากการสำรวจข้อมูลอุตสาหกรรมที่เปิดเผยต่อสาธารณะ

[2] เปรียบเทียบกับ SSD ฟอร์มแฟกเตอร์ขนาด 2.5 นิ้ว

[3] 2.5 นิ้วหมายถึงฟอร์มแฟกเตอร์ของ SSD ไม่ใช่ขนาดจริง

[4] DWPD: เขียนไดรฟ์ต่อวัน การเขียนเต็มไดรฟ์หนึ่งครั้งต่อวันหมายความว่าสามารถเขียนและเขียนไดรฟ์ซ้ำได้เต็มความจุวันละครั้งทุกวันภายใต้เวิร์กโหลดที่ระบุตลอดอายุการใช้งานที่ระบุ ผลลัพธ์จริงอาจแตกต่างกันไปเนื่องจากการกำหนดค่าระบบ การใช้งาน และปัจจัยอื่น ๆ

*คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดเมกะไบต์ (MB) เป็น 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เป็น 1,000,000,000 ไบต์ และเทราไบต์ (TB) เป็น 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการของคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุในการจัดเก็บโดยใช้ยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงแสดงความจุในการจัดเก็บน้อยกว่า ความจุที่ใช้ได้ (รวมถึงตัวอย่างไฟล์มีเดียต่าง ๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ โดยความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป

*HEWLETT PACKARD ENTERPRISE, HEWLETT PACKARD, HPE เป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัท Hewlett Packard Enterprise และ/หรือบริษัทในเครือ

*NVMe เป็นเครื่องหมายจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่น ๆ

*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งอุทิศให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดร์ฟ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนหน้าได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าของหน่วยความจำต่อสังคม BiCS FLASH™ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia กำลังกำหนดอนาคตของพื้นที่จัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, PC, SSD, ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า:
Kioxia Corporation
สำนักงานขายทั่วโลก
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อนั้นถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53401913/en

ติดต่อ

ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อมวลชน:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404

แหล่งที่มา: Kioxia Corporation

Energy, Featured

การบูรณาการเผสมผสานหลากหลายเทคโนโลยีให้มีความต่อเนื่องและรวมเป็นหนึ่งเดียวในภูมิภาคเอเชียตะวันออกเฉียงใต้เพื่อบรรลุความเป็นกลางทางคาร์บอน: Black & Veatch

Logo

Black & Veatch ร่วมแบ่งปันกลยุทธ์ในการบูรณาการพลังงานทดแทน ก๊าซธรรมชาติเหลว (LNG) และไฮโดรเจน ทในงาน Future Energy Asia

กรุงเทพฯ, ประเทศไทย–(BUSINESS WIRE)–15 พฤษภาคม 2566

ในภูมิภาคเอเชียตะวันออกเฉียงใต้ต้องจัดลำดับและให้ความสำคัญในการบูรณาการด้านพลังงานหมุนเวียนและการเพิ่มขึ้นของโครงสร้างพื้นฐานก๊าซธรรมชาติใหม่อย่างต่อเนื่อง เพื่อให้บรรลุเป้าหมายในอนาคตด้านพลังงานที่ต้องมีราคาย่อมเยาว์ อีกทั้งต้องมีความยืดหยุ่นและยั่งยืน ตามข้อมูลของ Black & Veatch ซึ่งเป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชั่นโครงสร้างพื้นฐานที่สำคัญ

นอกจากนี้ การให้ความร่วมมือและสื่อสารกันระหว่างภาคอุตสาหกรรมและหน่วยงานรัฐบาลยังคงมีส่วนสำคัญยิ่งที่จะบรรลุเป้าหมายด้านพลังงานในระยะยาวได้ ไม่ว่าจะเป็นด้านพลังงานไฮโดรเจนและแอมโมเนีย การดักจับคาร์บอน การเก็บพลังงาน และโครงข่ายไฟฟ้าข้ามพรมแดนแบบสองทิศทางก็ตาม

“การเปลี่ยนแปลงด้านพลังงานที่ประสบความสำเร็จและเสมอภาคนั้นเกี่ยวข้องกับการวางแผนและการบูรณาการร่วมด้วยเทคโนโลยีต่าง ๆ เพื่อให้แน่ใจว่าทุกๆคนสามารถเข้าถึงแหล่งพลังงานที่มีความเสถียรภาพและราคาสมเหตุสมผลได้ เฉกเช่นเดียวกับการเปลี่ยนแปลงด้านพลังงานทดแทน  ซึ่งต้องการการผลิตที่มีความยืดหยุ่นสูงและสามารถจัดส่งได้ เช่น การผลิตไฟฟ้าด้วยกังหันก๊าซและการพัฒนาโครงการ LNG ขนาดเล็กและขนาดกลาง เป็นส่วนที่มีความสำคัญต่อการบรรลุเป้าหมายเหล่านี้”

Narsingh Chaudhary รองประธานบริหารและกรรมการผู้จัดการประจำภูมิภาคเอเชีย-แปซิฟิกของบริษัท Black & Veatch กล่าว

หน่วยผลิตไฟฟ้าด้วยกังหันก๊าซสามารถตอบสนองความต้องการการใช้ไฟฟ้าในขณะนั้น ด้วยการเพิ่มหรือลดปริมาณการผลิตไฟฟ้าได้อย่างรวดเร็ว  เครื่องกังหันก๊าซสามารถจ่ายพลังงานไฟฟ้าเข้าสู่ระบบได้มากถึง 400 MW ภายในเวลาเพียง 10 นาทีเท่านั้น อีกทั้งโรงไฟฟ้าที่ปฏิบัติการด้วยกังหันก๊าซนั้น ใช้เวลาแค่ 30นาทีถึง 1 ชั่วโมง ก็พร้อมที่จะป้อนไฟฟ้าเข้าสู่ระบบ

เทคโนโลยีกังหันก๊าซในรุ่นปัจจุบันสามารถผลิตพลังงานไฟฟ้าที่โหลดต่กว่า 25 เปอร์เซ็นต์ของกำลังการผลิตไฟฟ้าขั้นสูงสุดได้ นอกจากนี้สามารถเพิ่มกำลังการผลิตด้วยอัตราเร็ว 10 ถึง 15 เปอร์เซ็นต์ของกำลังการผลิตสูงสุดต่อนาที เทคโนโลยีสมัยใหม่ของกังหันก๊าซทสามารถใช้เชื้อเพลิงไฮโดรเจนเป็นแหล่งพลังงานที่ปราศจากการปล่อยมลพิษ และภายในปี 2030 ผู้ผลิตและนักพัฒนาคาดการณ์ว่านวัตกรรมกังหันก๊าซรุ่นใหม่จะสามารถใช้พลังงานไฮโดรเจนได้ 100 เปอร์เซ็นต์

นอกจากนี้ หน่วยผลิตก๊าซธรรมชาติเหลวแบบลอยตัว (FLNG) และโครงการสถานีเก็บรักษาและแปรสภาพก๊าซธรรมชาติจากของเหลวเป็นก๊า (FSRU) สามารถทำหน้าที่เป็นกลไกทางเลือกหนึ่งที่ถูกพิสูจน์แล้วว่าสามารถขับเคลื่อนห่วงโซ่ด้านพลังงาน LNG ได้อย่างดีเยี่ยมเทคโนโลยีการผลิตและขนส่ง LNG  ที่สามารถควบคุมจัดการได้นั้นมีส่วนช่วยในการประหยัดต้นทุนของ Black & Veatch น และช่วยเร่งการผลิต สร้างรายได้จากแหล่งก๊าซ อีกทั้งสามารถนำก๊าซที่ขนส่งโดยทางท่อออกสู่ตลาดได้เร็วขึ้น

คุณสมบัติเหล่านี้ของการผลิตแบบใช้ก๊าซเป็นเชื้อเพลิง ทำให้เหมาะสำหรับการผลิตกำลังไฟฟ้าที่มั่นคงและทำให้โครงข่ายไฟฟ้ามีเสถียรภาพควบคู่ไปกับการปรับใช้ระบบจัดเก็บพลังงานแบตเตอรี่ที่เพิ่มขึ้นตามที่วางแผนไว้

แบบสอบถามที่ดำเนินการโดย Black & Veatch ก่อนที่วิกฤตพลังงานจะเกิดขึ้น ได้บ่งชี้ว่าโรงไฟฟ้าพลังงานก๊าซมีอนาคตและน่าลงทุนในภูมิภาคเอเชีย โดยประมาณครึ่งหนึ่งของผู้ตอบแบบสอบถามเชื่อว่าในอีกห้าปีข้างหน้าจะมี “การลงทุนมากขึ้น” ในโรงงานผลิตก๊าซหรือ LNG เป็นพลังงานรวมกับการดักจับคาร์บอน

ในการประชุม นิทรรศการพลังงานอนาคตแห่งเอเชียและการประชุมประจำปี 2023 (Future Energy Asia Exhibition & Summit 2023) Chaudhary จะหารือว่าการขยายการผลิตที่ใช้ก๊าซเป็นเชื้อเพลิงสามารถช่วยรักษาสมดุลของโครงข่ายไฟฟ้าที่มีการผลิตพลังงานหมุนเวียนที่มีความแปรผันสูงได้อย่างไร

นอกเหนือจากการนำเสนอกลยุทธ์สำหรับการบูรณาการพลังงานทดแทน LNG และไฮโดรเจนแล้ว หัวข้ออื่น ๆ ที่ผู้เชี่ยวชาญเฉพาะด้านของ Black & Veatch จะหารือกันที่ Future Energy Asia ได้แก่

  • แนวทางปฏิบัติที่ดีที่สุดจากการปรับใช้พลังงานแสงอาทิตย์แบบผสมผสานในระดับภูมิภาค
  • ศักยภาพของการผลิตพลังงานความร้อนและพลังงานไฟฟ้าพร้อมกันจากแหล่งเชื้อเพลิงเดียวกันและพัฒนาประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่ดีขึ้น
  • หลากหลายวิธีการสู่ความยั่งยืนสของไฮโดรเจนสีเขียว
  • แผนการบรรลุความเสมอภาคของโครงข่ายไฟฟ้าของเชื้อเพลิงทางเลือก เช่น ไฮโดรเจนสีเขียวและแอมโมเนีย
  • โอกาสทางธุรกิจ LNG ในประเทศไทยและศักยภาพของเทคโนโลยี LNG ขนาดเล็ก

ติดต่อ Black & Veatch เพื่อขอข้อมูลเพิ่มเติม

หมายเหตุบรรณาธิการ:

  • โซลูชัน LNG แบบบูรณาการของ Black & Veatch ซถูกนำเสนอนั้นเกิดจากการพัฒนาเทคโนโลยี LNG มากว่า 50 ปี ด้วยความคิดด้านวิศวกรรม การจัดหา และการก่อสร้าง (EPC) นำเสนอการออกแบบ การจัดหา การประดิษฐ์ และการก่อสร้างสำหรับการผลิต LNG การจัดเก็บ การแยกก๊าซ รวมถึงการส่งออกสิ่งอำนวยความสะดวก เทคโนโลยีการทำให้เป็นของเหลวของ PRICO® ที่ได้รับการพิสูจน์แล้วและเรียบง่ายของเราทำให้ LNG ที่ปลอดภัยออกสู่ตลาดได้อย่างเร็วขึ้น และเหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานทั้งบนบก นอกชายฝั่ง และใกล้ชายฝั่ง
  • Black & Veatch มีส่วนร่วมในเรือเดินสมุทรแบบ FLNG ถึง 5 ลำจากทั้งหมด 9 ลำของโลก ในขั้นสูงของการก่อสร้างหรือได้รับรางวัล
  • ความเชี่ยวชาญและเทคโนโลยีของ Black & Veatch เป็นส่วนสำคัญของโครงการ FLNG รวมถึง Tango FLNG ของ Eni (เดิมคือ Exmar) และเรือ FLNG สามลำที่พัฒนาโดย Golar LNG โดยในโครงการเหล่านี้ Black & Veatch ให้บริการด้านวิศวกรรมและการจัดซื้อจัดจ้าง
  • Black & Veatchได้รับการมอบหมายจาก The Green Solutions (TGS) เพื่อศึกษาการผลิตและกักเก็บไฮโดรเจนที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อมในเวียดนาม โดยใช้พลังงานแสงอาทิตย์หรือพลังงานลมที่จ่ายผ่านโครงข่ายไฟฟ้า
  • Black & Veatch ได้รับเลือกจาก Mitsubishi Power Americas และ Magnum Development ซึ่งเป็นผู้พัฒนาร่วมของ โรงเก็บและผลิตไฮโดรเจนสีเขียวเชิงอุตสาหกรรมที่ใหญ่ที่สุดในโลก (world’s largest industrial green hydrogen production and storage facility) เพื่อให้บริการ EPC สำหรับโครงการ Advanced Clean Energy Storage ในรัฐยูทาห์ ประเทศสหรัฐอเมริกา

เกี่ยวกับ Black & Veatch

Black & Veatch เป็นบริษัทด้านวิศวกรรม การจัดซื้อ ที่ปรึกษา และการก่อสร้างระดับโลกที่มีพนักงานเป็นเจ้าของ 100 เปอร์เซ็นต์ โดยมีประวัติผลงานด้านนวัตกรรมเกี่ยวกับโครงสร้างพื้นฐานที่ยั่งยืนมากว่า 100 ปี นับตั้งแต่ปี 1915 เราได้ช่วยลูกค้าของเราปรับปรุงชีวิตของผู้คนทั่วโลกโดยการจัดการกับความยืดหยุ่นและความน่าเชื่อถือของสินทรัพย์ซึ่งเป็นโครงสร้างพื้นฐานที่สำคัญที่สุดของเรา รายได้ของเราในปี 2022 อยู่ที่ 4.3 พันล้านเหรียญสหรัฐ ติดตามเราได้ที่ www.bv.com และบนโซเชียลมีเดีย

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ข้อมูลติดต่อสื่อ:
EMILY CHIA | +65 6335 6623 P | +65 9875 8907 M | Chialp@bv.com
24-HOUR MEDIA EMAIL | Media@bv.com

แหล่งที่มา: Black & Veatch

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว Thermoflagger™ โซลูชันง่าย ๆ ที่ตรวจจับอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–16 พฤษภาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)ได้เปิดตัวสองผลิตภัณฑ์แรกในชุด IC ตรวจจับอุณหภูมิเกินของ Thermoflagger™ ได้แก่ “TCTH021BE” ซึ่งไม่มีฟังก์ชันล็อกสำหรับสัญญาณ FLAG เมื่อตรวจพบสถานะผิดปกติ และ “TCTH022BE” ซึ่งมีฟังก์ชันล็อก โดยจะตรวจจับอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นภายในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ในการกำหนดค่าวงจรอย่างง่ายด้วยเทอร์มิสเตอร์ที่มีสัมประสิทธิ์ความต้านทานต่ออุณหภูมิเป็นบวก (PTC) การจัดส่งเริ่มต้นวันนี้

Toshiba: Thermoflagger™, a simple solution that detects temperature rises in electronic equipment. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: Thermoflagger™ โซลูชันง่ายๆ ในการตรวจจับอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ (กราฟิก: Business Wire)

เพื่อให้อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทำงานตามที่กำหนด เซมิคอนดักเตอร์และชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ต้องทำงานภายในตัวแปรของการออกแบบ ซึ่งอุณหภูมิถือเป็นตัวแปรที่สำคัญอย่างหนึ่ง โดยเฉพาะอย่างยิ่งหากอุณหภูมิภายในสูงกว่าที่คาดไว้ในระหว่างขั้นตอนการออกแบบ นี่อาจเป็นปัญหาหลักในแง่ของความปลอดภัยและความน่าเชื่อถือ และต้องใช้โซลูชันการตรวจสังเกตความร้อนที่สูงเกินไปเพื่อตรวจจับการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิ

Thermoflagger™ ICs ใหม่ใช้ร่วมกับเทอร์มิสเตอร์ PTC ที่เปลี่ยนค่าความต้านทานได้ตามอุณหภูมิ โดยจะตรวจจับการเปลี่ยนแปลงของค่าความต้านทานของเทอร์มิสเตอร์ PTC ที่วางใกล้กับแหล่งความร้อน และส่งสัญญาณ FLAG ออกมาเพื่อบ่งชี้ว่าอุณหภูมิสูงเกิน การเชื่อมต่อเทอร์มิสเตอร์เทอร์มิสเตอร์ PTC แบบอนุกรมทำให้สามารถตรวจจับอุณหภูมิเกินได้ในหลายตำแหน่ง

ICs ใหม่นี้อยู่ในแพ็คเกจ SOT-553 มาตรฐานขนาดเล็ก (มีชื่อแพ็คเกจของ Toshiba ว่า ESV) และมีการใช้กระแสไฟต่ำเพียง 11.3μA (typ.)

การออกแบบอ้างอิง “Over Temperature Detection IC Thermoflagger™ Application Circuit” ซึ่งใช้ ICs ใหม่นั้นมีให้บริการแล้วในขณะนี้

Thermoflagger™ IC ช่วยให้ผู้ใช้สามารถกำหนดค่าการตรวจจับอุณหภูมิที่เกินขนาดสำหรับผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์ทั้งหมดได้อย่างง่ายดาย ทั้งยังช่วยลดขนาดและการใช้พลังงานอีกด้วย Toshiba จึงจะยังคงพัฒนา Thermoflagger™ ICs ด้วยฟังก์ชันต่าง ๆ ต่อไป

แอปพลิเคชัน

  • อุปกรณ์พกพา (เครื่องคอมพิวเตอร์แบบพกพา หรือPC และอื่น ๆ)
  • เครื่องใช้ภายในบ้าน
  • อุปกรณ์อุตสาหกรรม และอื่น ๆ

คุณสมบัติ

  • การกำหนดค่าอย่างง่ายเพื่อใช้ร่วมกับเทอร์มิสเตอร์ PTC
  • สามารถตรวจสังเกตอุณหภูมิเกินได้ในหลายจุดด้วยการเชื่อมต่อเทอร์มิสเตอร์ PTC ในชุด
  • ใช้พลังงานต่ำ IDD10U=11. 3μA (typ.)
  • แพ็กเกจขนาดเล็กและมาตรฐาน: SOT-553 (ESV)
  • กระแสเอาต์พุตของ PTCO ที่เลือกได้: IPTCO=10μA (typ.)
  • มีความแม่นยำของกระแสเอาต์พุตของ PTCO สูง: ±8% (VDD=3.3V, 25°C)
  • เอาต์พุตสัญญาณ FLAG (PTCGOOD)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(เว้นแต่จะกำหนดไว้เป็นอย่างอื่น, Tj=25°C)

หมายเลขชิ้นส่วน

TCTH021BE

TCTH022BE

แพ็กเกจ

ชื่อ

SOT-553 (ESV)

ขนาด typ. (mm)

1.6×1.6, t=0.55

ขอบเขตการดำเนินงาน

แรงดันไฟฟ้า VDD (V)

1.7 ถึง 5.5

อุณหภูมิในการทำงาน Topr (°C)

-40 ถึง 125

ลักษณะทางไฟฟ้า

กระแสเอาต์พุตของ PTCO IPTCO (μA)

typ.

10

ตรวจจับแรงดันไฟฟ้า VDET (V)

typ.

0.50

การใช้กระแสไฟฟ้า IDD10U (μA)

typ.

11.3

กระแส UVLO VUVLO (V)

typ.

1.5

เอาต์พุตสัญญาณ FLAG PTCGOOD

แบบเปิดระบาย

ฟังก์ชันล็อก สัญญาณ FLAG เมื่อตรวจพบสถานะผิดปกติ

ไม่มี

มี

Buy Online

Buy Online

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมที่เกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TCTH021BE
TCTH022BE

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ Toshiba Thermoflagger™
เนื้อหาที่น่าสนใจ
Thermoflagger™
วีดีโอ
Thermoflagger™
การออกแบบอ้างอิง
Thermoflagger™

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับข้อเสนอโซลูชันของ Toshiba โดยใช้ Thermoflagger™
SSDs
Servers
Tablets

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายผลิตภัณฑ์ใหม่โดยผู้จัดจำหน่ายทางออนไลน์ โปรดไปที่:
TCTH021BE
Buy Online
TCTH022BE
Buy Online

* Thermoflagger™ เป็นเครื่องหมายการค้าของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคา ข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นผู้จัดจำหน่ายชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และสตอเรจขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมที่สั่งสมไว้กว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัท 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้ได้สูงที่สุด พร้อมทั้งยังส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนในทุกพื้นที่

อ่านเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53400039/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ให้บริการข้อมูลลูกค้า
แผนกขายและการตลาดอุปกรณ์ส่งสัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-44-548-2215
Contact Us

Media Inquiries:
Chiaki Nagasawa
แผนกการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation