Tag Archives: toshiba

Toshiba เปิดตัวพาวเวอร์มอสเฟตยานยนต์ N-Channel 40V ที่มาพร้อมแพ็กเกจใหม่ที่ให้การกระจายความร้อนสูง และช่วยลดขนาดอุปกรณ์ยานยนต์ลงได้

August 18, 2023 Jasmine

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น — (BUSINESS WIRE)–17 สิงหาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัวพาวเวอร์มอสเฟตยานยนต์ N-channel 40V อย่าง “XPJR6604PB” และ “XPJ1R004PB” ที่ใช้แพ็กเกจ S-TOGL™ (Small Transistor Outline Gull-wing Leads) จาก Toshiba พร้อมชิปประมวลผล U-MOS IX-H พร้อมจัดส่งจำนวนมากแล้ววันนี้

Toshiba: automotive 40V N-channel power MOSFETs with new package that contributes to high heat dissipation and size reduction of automotive equipment. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: พาวเวอร์มอสเฟตยานยนต์ N-channel 40V มาพร้อมแพ็กเกจใหม่ที่ให้การกระจายความร้อนสูงและช่วยลดขนาดอุปกรณ์ยานยนต์ลงได้ (ภาพประกอบ: Business Wire)

การใช้งานที่มีความเสี่ยงด้านความปลอดภัยสูงอย่างในระบบขับเคลื่อนอัตโนมัตินั้น จะใช้การออกแบบที่มีความซ้ำซ้อนเพื่อรับรองความเชื่อถือได้ของระบบ ซึ่งส่งผลให้ต้องใช้อุปกรณ์มากขึ้นและอาศัยพื้นที่ติดตั้งมากกว่าระบบมาตรฐาน ด้วยเหตุนี้ หากต้องการลดขนาดอุปกรณ์ยานยนต์ลง ก็ต้องอาศัยพาวเวอร์มอสเฟตที่สามารถติดตั้งในสภาวะที่มีความหนาแน่นของกระแสไฟฟ้าสูงได้

XPJR6604PB และ XPJ1R004PB ใช้แพ็กเกจ S-TOGL™ โฉมใหม่ (7.0 มม. X 8.44 มม.^[1]) ที่มาพร้อมโครงสร้างที่ไม่ต้องพึ่งพาเสาในการยึดชิ้นส่วนเชื่อมต่อของซอร์สกับขั้วต่อภายนอกเข้าด้วยกัน โครงสร้างที่ประกอบด้วยหลายพินสำหรับขั้วต่อซอร์สช่วยลดแรงต้านทานของแพ็กเกจลงได้

การจับคู่กันของแพ็กเกจ S-TOGL™ และชิปประมวลผล U-MOS IX-H จาก Toshiba ช่วยให้ได้ค่าความต้านทานระหว่างทำงานลดลงอย่างยิ่งถึง 11% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์แพ็กเกจ TO-220SM (W)^[2] จาก Toshiba ซึ่งมีลักษณะความต้านทานทางความร้อนเดียวกัน แพ็กเกจใหม่นี้ยังตัดทอนพื้นที่ติดตั้งที่ต้องใช้ออกไปได้ราว 55% เมื่อเทียบกับแพ็กเกจ TO-220SM(W) นอกจากนี้ อัตรากระแสเดรน 200A ของแพ็กเกจใหม่นี้ยังสูงกว่าแพ็กเกจ DPAK + จาก Toshiba ที่มีขนาดใกล้เคียงกัน (6.5 มม.×9.5 มม.^[1]) อีกด้วย กระแสไฟจึงไหลได้คล่องตัวสูง ในภาพรวมแล้ว แพ็กเกจ S-TOGL™ นี้ให้ความหนาแน่นสูงแต่มีรูปลักษณ์กะทัดรัด ลดขนาดอุปกรณ์ยานยนต์ลง และช่วยกระจายความร้อนได้สูง

เนื่องจากอุปกรณ์ยานยนต์ใช้ในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสุดขั้ว ความแน่นอนของรอยบัดกรีสำหรับติดตั้งบนพื้นผิวจึงเป็นปัจจัยสำคัญที่ต้องพิจารณา แพ็กเกจ S-TOGL™ ใช้ขั้วต่อแบบปีกนกนางนวลที่จะช่วยลดแรงตึงในการติดตั้ง จึงเพิ่มความแน่นอนให้กับรอยบัดกรีได้ด้วย

Toshiba เล็งเห็นว่าในการใช้งานที่ต้องการการปฏิบัติงานกับกระแสไฟในระดับสูงอาจมีการเชื่อมต่ออุปกรณ์หลายชิ้นให้ทำงานไปพร้อม ๆ กัน บริษัทจึงให้บริการการจัดส่งเป็นกลุ่ม^[3] สำหรับผลิตภัณฑ์ใหม่ ๆ ด้วย โดยจะพิจารณาแรงดันขีดเริ่มของเกตในการจัดกลุ่ม ซึ่งจะเอื้อประโยชน์ให้กับการออกแบบที่ใช้กลุ่มผลิตภัณฑ์ที่มีลักษณะไม่แตกต่างกันมากนัก

Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ไฟฟ้าต่อไป และสนับสนุนความเป็นกลางทางคาร์บอนด้วยอุปกรณ์ประสิทธิภาพสูงที่เป็นมิตรกับผู้ใช้มากยิ่งขึ้น

การใช้งาน

• อุปกรณ์ยานยนต์: อินเวอร์เตอร์, รีเลย์เซมิคอนดักเตอร์, สวิตช์โหลด, มอเตอร์ไดร์ฟ เป็นต้น

คุณสมบัติ

• แพ็กเกจ S-TOGL™ โฉมใหม่: 7.0 มม. × 8.44 มม. (ทั่วไป)

• อัตรากระแสเดรนสูง

XPJR6604PB: I_D=200A

XPJ1R004PB: I_D=160A

• ผ่านการทดสอบ AEC-Q101 แล้ว

• IATF 16949/PPAP พร้อมให้บริการ^[4]

• ความต้านทานขณะทำงานต่ำ :

XPJR6604PB: R_DS(ON)=0.53mΩ (ทั่วไป) (V_GS=10V)

XPJ1R004PB: R_DS(ON)=0.8mΩ (ทั่วไป) (V_GS=10V)

หมายเหตุ:

[1] ขนาดแพ็กเกจทั่วไป รวมขั้วต่อด้วย

[2] TKR74F04PB บรรจุในแพ็กเกจ TO-220SM (W)

[3] Toshiba สามารถให้บริการการจัดส่งเป็นกลุ่ม โดยที่ช่วงแรงดันขีดเริ่มของเกตจะเป็น 0.4V ต่อแต่ละรีล อย่างไรก็ตาม เราอาจไม่สามารถระบุกลุ่มที่เฉพาะเจาะจงได้ ดังนั้นโปรดติดต่อตัวแทนจำหน่ายของ Toshiba เพื่อขอรายละเอียดเพิ่มเติม

[4] โปรดติดต่อตัวแทนจำหน่ายของ Toshiba เพื่อขอรายละเอียดเพิ่มเติม

ข้อกำหนดเฉพาะหลัก

				ผลิตภัณฑ์ใหม่		ผลิตภัณฑ์ปัจจุบัน
หมายเลขชิ้นส่วน				XPJR6604PB	XPJ1R004PB	TKR74F04PB	TK1R4S04PB
ขั้ว				N-channel
ซีรีส์				U-MOS IX-H
แพ็กเกจ	ชื่อ			S-TOGL™		TO-220SM(W)	DPAK+
	ขนาด (มม.)		ทั่วไป	7.0×8.44, t=2.3		10.0×13.0, t=3.5	6.5×9.5, t=2.3
อัตราสูงสุดสัมบูรณ์	แรงดันไฟฟ้าจากเดรน-ซอร์ส V_DSS (V)			40
	กระแสเดรน (DC) I_D (A)			200	160	250	120
	กระแสเดรน (เพิ่มกำลัง) I_DP (A)			600	480	750	240
	อุณหภูมิชาเนล T_ch (°C)			175
ลักษณะทางไฟฟ้า	ความต้านทานขณะทำงานจากเดรน-ซอร์ส R_DS(ON) (mΩ)	V_GS=10V	สูงสุด	0.66	1.0	0.74	1.35
	ความต้านทานต่อการผ่านของความร้อนจากชาเนล-เคส Z_th(ch-c) (°C/W)	T_c=25°C	สูงสุด	0.4	0.67	0.4	0.83

ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่

XPJR6604PB
XPJ1R004PB

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับมอสเฟตยานยนต์ของ Toshiba

มอสเฟตยานยนต์

* S-TOGL™ เป็นเครื่องหมายการค้าของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัท ผลิตภัณฑ์ และบริการนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดเฉพาะ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลติดต่อ คือข้อมูล ณ วันที่ประกาศและอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่แจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำสำหรับโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และพื้นที่จัดเก็บ บริษัทมีประสบการณ์และสร้างสรรค์นวัตกรรมมาแล้วกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อส่งมอบผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ชนิดแยกชิ้น, LSI ของระบบ และ HDD ที่มีคุณภาพโดดเด่นให้แก่ลูกค้าและพาร์ทเนอร์ทางธุรกิจ

บริษัทมีพนักงาน 21,500 คนทั่วโลก ซึ่งต่างมุ่งมั่นเพิ่มพูนคุณค่าของผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด ขณะเดียวกันก็ส่งเสริมการทำงานอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในตลาดใหม่ ๆ เพื่อสร้างคุณค่าร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีที่ทะยานขึ้นแตะ 800,000 ล้านเยน (6.1 billion ดอลลาร์สหรัฐฯ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation จึงตั้งเป้าสร้างสรรค์และอุทิศตนเพื่ออนาคตที่ดีกว่าของทุกคนทั่วโลก
ดูข้อมูลเพิ่มเติมที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53525044/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ช่องทางติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ช่องทางติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว SiC Schottky Barrier Diodes 650V รุ่น 3 ที่ช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีประสิทธิภาพมากขึ้น

July 14, 2023 Jasmine

Logo

KAWASAKI, Japan–(BUSINESS WIRE)–13 กรกฎาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “ซีรีส์ TRSxxx65H” ^[1] ซึ่งเป็นรุ่นที่ 3 และเป็นรุ่นล่าสุดของบริษัทของซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) Schottky barrier diodes (SBD) สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม เริ่มจัดส่งผลิตภัณฑ์ 12 รายการแรกตั้งแต่วันนี้ ซึ่งทั้งหมดเป็น 650V โดยมี 7 รายการอยู่ในแพ็กเกจ TO-220-2L และ 5 รายการในแพ็กเกจ DFN8×8

Toshiba: TRSxxx65H series, 3rd generation 650V SiC Schottky barrier diodes. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: ซีรีส์ TRSxxx65H, 650V SiC Schottky barrier diodes รุ่นที่ 3 (กราฟิก: Business Wire)

ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้โลหะชนิดใหม่ในชิป SiC SBD รุ่นที่ 3 ซึ่งปรับโครงสร้าง junction barrier Schottky (JBS)^[2] ของผลิตภัณฑ์รุ่นที่ 2 ให้เหมาะสมที่สุด โดยมีแรงดันไปข้างหน้าต่ำระดับแนวหน้าของอุตสาหกรรม^[3]ที่ 1.2V (Typ.) ต่ำกว่า 1.45V (Typ.) ของรุ่นก่อนหน้า 17% ทั้งยังปรับปรุงการแลกเปลี่ยนระหว่างแรงดันไปข้างหน้าและประจุไฟฟ้าทั้งหมด และระหว่างแรงดันไปข้างหน้าและกระแสย้อนกลับ ซึ่งช่วยลดการกระจายพลังงานและทำให้อุปกรณ์มีประสิทธิภาพสูง

หมายเหตุ:
[1] ณ เดือนกรกฎาคม 2023
[2] โครงสร้าง JBS ช่วยลดสนามไฟฟ้าที่อินเทอร์เฟซ Schottky และลดกระแสรั่วไหล
[3] ผลสำรวจของ Toshiba ในเดือนกรกฎาคม 2023

การใช้งาน

แหล่งจ่ายไฟแบบสลับ
สถานีชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า
อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์

คุณสมบัติ

แรงดันไปข้างหน้าต่ำระดับอุตสาหกรรม^[3]: V_F＝1.2V (Typ.) (I_F=I_F(DC))
กระแสย้อนกลับต่ำ:
TRS6E65H I_R＝1.1μA (Typ.) (V_R=650V)
ประจุตัวเก็บประจุรวมต่ำ
TRS6E65H Q_C＝17nC (Typ.) (V_R=400V, f=1MHz)

ข้อกำหนดหลัก

(เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น, T_a=25°C)
หมายเลขชิ้นส่วน	บรรจุภัณฑ์	พิกัดสูงสุด					คุณลักษณะทางไฟฟ้า				ตัวอย่าง การตรวจสอบและ ความพร้อมใช้งาน
		แรงดัน ย้อนกลับ สูงสุด แบบซ้ำ V_RRM (V)	กระแส ตรง ไปข้างหน้า I_F(DC) (A)		กระแสไฟ พุ่งสูง แบบไม่ซ้ำ I_FSM (A)		กระแส แบบซ้ำ (การวัด แบบพัลส์) V_F (V)	สูงสุด ไปข้างหน้า (การวัด แบบพัลส์) I_R (μA)	ความจุ รวม C_t (pF)	ความจุ ที่เก็บสะสม รวม Q_C (nC)
				สภาพอุณหภูมิ T_c (°C)	f=50Hz (คลื่น ครึ่งไซน์ t=10ms) T_c=25°C	สี่เหลี่ยม ครึ่งไซน์ t=10μs, T_c=25°C	I_F=I_F(DC)	V_R=650V	V_R=400V, f=1MHz
				สภาพอุณหภูมิ T_c (°C)	f=50Hz (คลื่น ครึ่งไซน์ t=10ms) T_c=25°C	สี่เหลี่ยม ครึ่งไซน์ t=10μs, T_c=25°C	ประเภท	ประเภท	ประเภท	ประเภท
TRS2E65H	TO-220-2L	650	2	164	19	120	1.2	0.2	10	6.5	ซื้อออนไลน์
TRS3E65H			3	161	28	170		0.4	14	9	ซื้อออนไลน์
TRS4E65H			4	158	36	230		0.6	17	12	ซื้อออนไลน์
TRS6E65H			6	153	41	310		1.1	24	17	ซื้อออนไลน์
TRS8E65H			8	149	56	410		1.5	31	22	ซื้อออนไลน์
TRS10E65H			10	148	62	510		2.0	38	27	ซื้อออนไลน์
TRS12E65H			12	148	74	640		2.4	46	33	ซื้อออนไลน์
TRS4V65H	DFN8×8		4	155	28	230		0.6	17	12	ซื้อออนไลน์
TRS6V65H			6	151	41	310		1.1	24	17	ซื้อออนไลน์
TRS8V65H			8	148	45	410		1.5	31	22	ซื้อออนไลน์
TRS10V65H			10	145	54	510		2.0	38	27	ซื้อออนไลน์
TRS12V65H			12	142	60	640		2.4	46	33	ซื้อออนไลน์

คลิกลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TRS2E65H
TRS3E65H
TRS4E65H
TRS6E65H
TRS8E65H
TRS10E65H
TRS12E65H
TRS4V65H
TRS6V65H
TRS8V65H
TRS10V65H
TRS12V65H

คลิกลิงก์ด้านล่างเพื่อเรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ Schottky Barrier Diode ที่ใช้วัสดุ SiC ของ Toshiba

Schottky Barrier Diodes ที่ใช้วัสดุ SiC

หากต้องการตรวจสอบว่าผลิตภัณฑ์ใหม่มีจำหน่ายที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์หรือไม่ โปรดไปที่:
TRS2E65H
ซื้อออนไลน์

TRS3E65H
ซื้อออนไลน์

TRS4E65H
ซื้อออนไลน์

TRS6E65H
ซื้อออนไลน์

TRS8E65H
ซื้อออนไลน์

TRS10E65H
ซื้อออนไลน์

TRS12E65H
ซื้อออนไลน์

TRS4V65H
ซื้อออนไลน์

TRS6V65H
ซื้อออนไลน์

TRS8V65H
ซื้อออนไลน์

TRS10V65H
ซื้อออนไลน์

TRS12V65H
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แยกระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัทกว่า 21,500 คนทั่วโลกต่างมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในการสร้างอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่
ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53451045/en

ติดต่อ

ฝ่ายลูกค้าสัมพันธ์:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ฝ่ายสื่อมวลชนสัมพันธ์:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

พันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว MOSFET พลังงาน N-channel 100V ที่รองรับการย่อขนาดของวงจรพาวเวอร์ซัพพลาย

June 30, 2023 Jasmine

Logo

– มี On-resistance ต่ำและมีพื้นที่ปฏิบัติการที่ปลอดภัยที่กว้างขึ้น โดยใช้กระบวนการรุ่นล่าสุด –

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–29 มิถุนายน 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “TPH3R10AQM” ซึ่งเป็น MOSFET พลังงาน N-channel 100V ที่ประดิษฐ์ขึ้นด้วยกระบวนการรุ่นล่าสุดของ Toshiba นั่นคือ U-MOS X-H ผลิตภัณฑ์มุ่งเป้าไปที่การใช้งาน เช่น วงจรสวิตชิ่งและวงจร Hot swap^[1] บนสายไฟของอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ใช้สำหรับศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร เริ่มจัดส่งแล้ววันนี้

Toshiba: MOSFET พลังงาน N-channel 100V “TPH3R10AQM” ประดิษฐ์ขึ้นด้วย U-MOS X-H ซึ่งเป็นกระบวนการรุ่นล่าสุดของ Toshiba (กราฟิก: Business Wire)

TPH3R10AQM เป็นผู้นำในอุตสาหกรรม^[2] 3.1mΩ ความต้านทานต่อแหล่งเดรนสูงสุด 16%^[2] ต่ำกว่าผลิตภัณฑ์ 100V ของ Toshiba “TPH3R70APL” ซึ่งใช้กระบวนการรุ่นก่อนหน้า จากการเปรียบเทียบแบบเดียวกัน TPH3R10AQM ได้ขยายพื้นที่การทำงานที่ปลอดภัยถึง 76%^[3] ทำให้เหมาะสำหรับการทำงานในโหมดเชิงเส้น การลด On-resistance และการขยายช่วงการทำงานเชิงเส้นในพื้นที่การทำงานที่ปลอดภัยจะลดจำนวนการเชื่อมต่อแบบขนาน นอกจากนี้ ช่วงแรงดันธรณีประตูที่ 2.5V ถึง 3.5V ทำให้มีโอกาสน้อยที่จะทำงานผิดพลาดเนื่องจากสัญญาณรบกวนของแรงดันเกต

ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้แพ็คเกจ SOP Advance(N) ที่เข้ากันได้สูง

Toshiba จะยังคงขยายไลน์อัพพาวเวอร์ MOSFET ที่สามารถเพิ่มประสิทธิภาพของพาวเวอร์ซัพพลายโดยการลดการสูญเสีย และช่วยลดการใช้พลังงานของอุปกรณ์

การใช้งาน

พาวเวอร์ซัพพลายสำหรับอุปกรณ์สื่อสาร เช่น สำหรับศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร
แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง (ตัวแปลง DC-DC ประสิทธิภาพสูง ฯลฯ)

คุณสมบัติ

นำเสนอค่าความต้านทาน On-resistance ต่ำที่ยอดเยี่ยมในอุตสาหกรรม^[2]: R_DS(ON)=3.1mΩ (สูงสุด) (V_GS=10V)
พื้นที่ปฏิบัติการที่ปลอดภัยกว้าง
ระดับอุณหภูมิช่องสูง: T_ch (สูงสุด)=175°C

หมายเหตุ:
[1] วงจรสำหรับเชื่อมต่อและถอดชิ้นส่วนต่าง ๆ ในระบบโดยไม่ต้องปิดระบบในขณะที่อุปกรณ์ทำงาน
[2] ผลสำรวจของ Toshiba ณ เดือนมิถุนายน 2023
[3] ความกว้างของพัลส์: t_w=10ms, V_DS=48V

ข้อมูลจำเพาะหลัก
(นอกจากที่ระบุไว้, T_a=25°C)
หมายเลขชิ้นส่วน			TPH3R10AQM
การจัดอันดับสูงสุดแบบสัมบูรณ์	แรงดันจากเดรน V_DSS (V)		100
	กระแสเดรน (DC) I_D (A)	T_c=25°C
	อุณหภูมิช่อง T_ch (°C)		175
คุณสมบัติทางไฟฟ้า	ความต้านทานต่อไฟฟ้าจากเดรน R_DS(ON) max (mΩ)	V_GS=10V	3.1
		V_GS=6V	6.0
	ค่าเกตทั้งหมด (gate-source plus gate-drain) Q_g typ. (nC)		83
	ค่าการสลับเกต Q_sw typ. (nC)		32
	ค่าเอาต์พุต Q_oss typ. (nC)		88
	ค่าตัวเก็บประจุระหว่างอินพุต C_iss typ. (pF)		5180
แพ็กเกจ	ชื่อ		SOP Advance(N)
	ขนาด typ. (มม.)		4.9×6.1
การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน			ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TPH3R10AQM

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFETs

To check availability of the new products at online distributors, visit:

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่
TPH3R10AQM
ซื้อออนไลน์

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และคลังข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัทจำนวน 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ปัจจุบัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ที่มียอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง

ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53435647/en

ติดต่อ

ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า

ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:

Chiaki Nagasawa

ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัวไมโครคอนโทรลเลอร์ ARM® Cortex®-M3 “TXZ+TM Family Advanced Class” พร้อมหน่วยความจำแบบแฟลชรหัส 1MB Code รองรับการอัพเดทเฟิร์มแวร์โดยไม่รบกวนการทำงานของไมโครคอนโทรลเลอร์

June 28, 2023 Jasmine

Logo

คาวาซากิ, ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–27 มิถุนายน 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เพิ่ม “M3H group (2)” ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์ใหม่ใน “M3H group” ของกลุ่มผลิตภัณฑ์ไมโครคอนโทรลเลอร์ 32 บิต “TXZ+^TM Family Advanced Class” ประกอบด้วย Cortex^®-M3 โดยใช้กระบวนการ 40nm

Toshiba: ARM(R) Cortex(R)-M3 Microcontrollers

Toshiba: ไมโครคอนโทรลเลอร์ ARM(R) Cortex(R)-M3 “คลาสขั้นสูงตระกูล TXZ+(TM) ” (รูปภาพ: Business Wire)

ในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมา ความต้องการความจุของโปรแกรมที่ใหญ่ขึ้นและการรองรับ FOTA (การอัพเดตเฟิร์มแวร์ผ่านทางอากาศ) มีเพิ่มมากขึ้น สิ่งนี้ได้รับแรงผลักดันจากการรุกของเทคโนโลยีดิจิทัล โดยเฉพาะอย่างยิ่งในพื้นที่ IoT (Internet of Things) และด้วยฟังก์ชันการทำงานขั้นสูงซึ่งมีความจำเป็นมากขึ้นในอุปกรณ์ต่างๆ กลุ่มผลิตภัณฑ์ M3H group (2) ใหม่ได้ขยายความจุของหน่วยความจำแฟลชรหัสจาก 512KB (บางส่วน 256KB หรือ 384KB) ของผลิตภัณฑ์กลุ่ม M3H(1) ที่มีอยู่ของ Toshiba เป็นขนาด 1MB^[1] และความจุของ RAM จาก 66KB^[2] ของผลิตภัณฑ์กลุ่ม M3H (1) ที่มีอยู่ของ Toshiba เป็นขนาด 130KB^[2] พร้อมคุณสมบัติอื่นๆ เช่น ARM^® Cortex^®-M3 core ที่ทำงานได้สูงสุดถึง 120MHz แฟลชรหัสในตัว และหน่วยความจำแฟลชข้อมูล 32KB รวมถึงการเขียนซ้ำได้ถึง 100K ครั้งต่อรอบที่ยังคงอยู่ ไมโครคอนโทรลเลอร์เหล่านี้ยังมีอินเตอร์เฟซและตัวเลือกการควบคุมมอเตอร์ที่หลากหลาย เช่น UART, อินเตอร์เฟซ I²C, วงจรอินพุตตัวเข้ารหัสขั้นสูง และวงจรควบคุมมอเตอร์ที่ตั้งโปรแกรมได้ขั้นสูง กลุ่มผลิตภัณฑ์ไมโครคอนโทรลเลอร์ของ Toshiba ในกลุ่ม M3H มีส่วนช่วยใน IoT และฟังก์ชันขั้นสูงในการใช้งานที่หลากหลาย รวมถึงมอเตอร์ เครื่องใช้ในบ้าน และอุปกรณ์อุตสาหกรรม

ในผลิตภัณฑ์ใหม่ แฟลชรหัสขนาด 1MB ^[1] จะถูกนำไปใช้กับพื้นที่ซึ่งแยกกัน 2 ส่วน แบ่งเป็นพื้นที่ละ 512KB โดยการดำเนินการนี้ทำให้สามารถอ่านคำสั่งจากพื้นที่หนึ่งได้ ในขณะเดียวกันโค้ดที่ถูกอัปเดตก็จะได้รับการตั้งโปรแกรมไปยังอีกพื้นที่หนึ่งไปด้วย สุดท้าย ฟังก์ชันการหมุนเวียนเฟิร์มแวร์ก็จะสามารถทำได้โดยฟังก์ชันการสลับพื้นที่^[3]

ผลิตภัณฑ์กลุ่ม M3H จะมีการติดตั้ง UART, TSPI, I²C interface, 2-unit DMAC และตัวควบคุมจอแสดงผล LCD ^[4] เพื่อให้ตอบสนองต่อความต้องการการใช้งานของผู้บริโภคหรืออุตสาหกรรมที่หลากหลาย เพื่อให้รองรับการตรวจจับประเภทต่างๆได้ ในผลิตภัณฑ์ใหม่นี้มี ตัวแปลงสัญญาณอนาล็อก/ดิจิตอล (ADC) ความเร็วสูง 12 บิตมากถึง 21 ช่อง ที่สามารถเลือกได้จากเวลาพักตัวอย่างสองครั้งสำหรับขาอินพุตแบบอะนาล็อกแต่ละขา นอกจากนี้ยังเหมาะสำหรับการควบคุมมอเตอร์ AC และมอเตอร์ DC แบบไร้แปรงถ่าน (BLDC) ร่วมกับวงจรควบคุมมอเตอร์ที่ตั้งโปรแกรมได้ขั้นสูงและวงจรอินพุตตัวเข้ารหัสขั้นสูงที่สามารถทำงานพร้อมกันกับตัวแปลงอนาล็อก/ดิจิตอล 12 บิตความเร็วสูงที่มีความแม่นยำสูง

ฟังก์ชันการวินิจฉัยตัวเองที่รวมอยู่ในอุปกรณ์สำหรับหน่วยความจำแฟลช, RAM, ADC และนาฬิกาช่วยให้ลูกค้าบรรลุผลตามมาตรฐานด้านความปลอดภัยในการทำงาน IEC 60730 คลาส B

มีเอกสารประกอบ ซอฟต์แวร์ตัวอย่างพร้อมตัวอย่างการใช้งานจริง และซอฟต์แวร์ไดรเวอร์ที่ควบคุมอินเทอร์เฟซสำหรับอุปกรณ์ต่อพ่วงแต่ละตัว บอร์ดประเมินผลและสภาพแวดล้อมการพัฒนาจัดทำโดยความร่วมมือกับพันธมิตรระบบนิเวศทั่วโลกของ ARM^®

การใช้งาน

สำหรับการควบคุมหลักของอุปกรณ์สำหรับผู้บริโภค (เครื่องใช้ในบ้าน ของเล่น อุปกรณ์ดูแลสุขภาพ ฯลฯ) และอุปกรณ์สำนักงาน (เครื่องพิมพ์มัลติฟังก์ชั่น ฯลฯ)
สำหรับการควบคุมมอเตอร์ของอุปกรณ์อุปโภคบริโภค และอุปกรณ์อุตสาหกรรม
สำหรับ IoT ของอุปกรณ์ผู้บริโภค อุปกรณ์อุตสาหกรรม ฯลฯ

คุณสมบัติ

ARM^® Cortex^®-M3 core ประสิทธิภาพสูง ความถี่สูงสุด 120MHz
เพิ่มความจุของหน่วยความจำภายใน
ความจุของหน่วยความจำแฟลชรหัส: 1MB^[1]
ความจุของ RAM : 130KB^[2]
ฟังก์ชันการหมุนเฟิร์มแวร์โดยวิธีสลับพื้นที่ (Area swap) เพื่อ รองรับการอัปเดตขณะที่ไมโครคอนโทรลเลอร์ยังคงทำงานต่อไป^[3]
ฟังก์ชันการวินิจฉัยตนเองสำหรับความปลอดภัยในการทำงาน IEC 60730 คลาส B
กลุ่มผลิตภัณฑ์แพ็คเกจที่กว้างขวาง

ข้อมูลจำเพาะหลัก

ชื่อกลุ่มผลิตภัณฑ์		M3H group (2)
CPU core		ARM^® Cortex^®-M3 ‒ หน่วยป้องกันหน่วยความจำ (MPU)
ความถี่ในการทำงานสูงสุด		120MHz
Oscillator ภายใน	ความถี่ของ Oscillation	10MHz (+/-1%)
หน่วยความจำภายใน	ความจำแฟลชรหัส	1024KB^[1] (รอบการโปรแกรมและลบซ้ำ: ได้มากสุดถึง 100,000 ครั้ง) ฟังก์ชันการหมุนเฟิร์มแวร์ของวิธีการสลับพื้นที่โดยมีพื้นที่แฟลชรหัสแยกกันสองพื้นที่ พื้นที่ละ 512 KB ^[3]
	ความจำแฟลชข้อมูล	32KB (รอบการโปรแกรมและลบซ้ำ: รอบการโปรแกรมและลบซ้ำ 100,000 ครั้ง)
	RAM	128KB และ RAM สำรอง 2KB โดยมีความเท่าเทียมกัน
พอร์ต I/O		56 ถึง 134
สัญญาณอินเตอร์รัพท์จากภายนอก		12 ถึง 23 ปัจจัย
ตัวควบคุม DMA (DMAC)		คำขอ DMA : 2 หน่วย, 54 ถึง 64 ปัจจัย, ทริกเกอร์ภายในและภายนอก
ฟังก์ชันจับเวลา	32-bit Timer Event Counter (T32A)	8 ช่อง (16 ช่องs if used as 16-bit timer)
ฟังก์ชันจับเวลา	โมดูลนาฬิกาแบบเรียลไทม์ (RTC)	1 ช่อง
ฟังก์ชันการสื่อสาร	UART	7 ถึง 8 ช่อง
	I²C interface (I²C)	2 ถึง 4 ช่อง
	TSPI	1 ถึง 5 ช่อง
ฟังก์ชันอนาล็อก	ตัวแปลง AD 12-บิต	12 ถึง 21 ช่องอินพุต
	ตัวแปลง DA 8-บิต	2 ช่อง
	ตัวเทียบ	1 ช่อง
วงจรควบคุมมอเตอร์	วงจรควบคุมมอเตอร์ที่ตั้งโปรแกรมได้ขั้นสูง (A-PMD)	1 ช่อง
วงจรควบคุมมอเตอร์	วงจรอินพุตตัวเข้ารหัสขั้นสูง (32-บิต) (A-ENC32)	1 ช่อง
วงจรต่อพ่วงอื่นๆ	พรีโปรเซสเซอร์สัญญาณรีโมทคอนโทรล (RMC)	1 ช่อง
	วงจรคำนวณ CRC (CRC)	1 ช่อง, CRC32, CRC16
	ตัวควบคุมจอแสดงผล LCD (DLCD)	Non-Bias Drive: 40 segments × 4 co มม.ons (max)^[4]
ฟังก์ชั่นระบบ	ตัวจับเวลา Watchdog (SIWDT)	1 ช่อง
	วงจรตรวจจับแรงดันไฟฟ้า (LVD)	1 ช่อง
	ตัวตรวจจับความถี่ Oscillation (OFD)	1 ช่อง
ฟังก์ชั่นการดีบักบนชิป		JTAG / SWD
แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน		2.7 ถึง 5.5V, แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าเดียว
แพ็คเกจ / พิน		LQFP144 (20 มม. x 20 มม., ระดับ 0.5 มม.) LQFP128 (14 มม. x 14 มม., ระดับ 0.4 มม.) LQFP128 (14 มม. x 20 มม., ระดับ 0.5 มม.) LQFP100 (14 มม. x 14 มม., ระดับ 0.5 มม.) QFP100 (14 มม. x 20 มม., ระดับ 0.65 มม.) LQFP80 (12 มม. x 12 มม., ระดับ 0.5 มม.) LQFP64 (10 มม. x 10 มม., ระดับ 0.5 มม.)

หมายเหตุ:
[1] รหัสความจุหน่วยความจำแฟลชของ TMPM3HNFDBFG คือหนึ่งพื้นที่ 512KB
[2] รวม RAM สำรอง 2KB
[3] ไม่รองรับ TMPM3HNFDBFG
[4] TMPM3HLF10BUG ไม่มีตัวควบคุมจอแสดงผล LCD

ดูที่ลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
M3H group (2)

ดูที่ลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับไมโครคอนโทรลเลอร์ของ Toshiba
Microcontrollers

* ARM และ Cortex เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ ARM Limited (หรือบริษัทสาขา) ในสหรัฐอเมริกาและ/หรือที่อื่นๆ
* TXZ+™ เป็นเครื่องหมายการค้าของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่นๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้นๆ
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และสตอเรจขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัท 21,500 คนจากทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้ได้สูงสุด ทั้งยังส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่

เรียนรู้เพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53429973/en

ติดต่อ

สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า:
MCU & Digital Device Sales & Marketing Dept.
Tel: +81-44-548-2233
ติดต่อเรา

สอบถามข้อมูลสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว Motor Driver IC ที่มีแพ็กเกจขนาดเล็กและจำนวนชิ้นส่วนภายนอกลดลงที่ช่วยประหยัดพื้นที่บนแผงวงจร

June 16, 2023 Jasmine

Logo

คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–15 มิถุนายน 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว Motor Driver IC สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมและผู้บริโภคที่ต้องการชิ้นส่วนภายนอกน้อยลง และอยู่ในแพ็กเกจขนาดเล็ก อเนกประสงค์สูง และประหยัดพื้นที่ การเปิดตัวนี้เป็นการขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ของ Toshiba ที่เพิ่มเข้ามาสี่ผลิตภัณฑ์ ได้แก่ “TB67S581FNG,” “TB67S580FNG,” “TB67H481FNG” และ “TB67H480FNG” เริ่มจัดส่งแล้ววันนี้

Toshiba: motor driver ICs that need fewer external parts and that are housed in a small, highly versatile, space saving package. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: Motor Driver IC ที่ต้องการชิ้นส่วนภายนอกน้อยลงและอยู่ในแพ็กเกจขนาดเล็ก อเนกประสงค์สูง และประหยัดพื้นที่ (กราฟิก Business Wire)

ผลิตภัณฑ์ใหม่ 2 รายการ ได้แก่ TB67S581FNG และ TB67S580FNG เป็น Motor Driver IC แบบสเต็ปปิ้งไบโพลาร์สองเฟส TB67S581FNG มีพิกัดแรงดันเอาต์พุตของมอเตอร์อยู่ที่ 50V และพิกัดกระแสเอาต์พุตของมอเตอร์อยู่ที่ 2.5A^[1] ในขณะที่ TB67S580FNG มีพิกัดอยู่ที่ 50V และ 1.6A^[1] ตามลำดับ

อีกสองผลิตภัณฑ์ ได้แก่ TB67H481FNG และ TB67H480FNG เป็น Motor Driver IC แบบสะพานคู่กระแสคงที่ โดยมีพิกัดแรงดันเอาต์พุตของมอเตอร์อยู่ที่ 50V และพิกัดกระแสเอาต์พุตของมอเตอร์อยู่ที่ 2.5A^[1] อินเทอร์เฟซอินพุตของ TB67H481FNG เป็นอินพุต IN ในขณะที่ TB67H480FNG ใช้อินพุต PHASE

ผลิตภัณฑ์เหล่านี้ใช้แพ็กเกจ HTSSOP28 ที่มีขนาดเล็กและมีความอเนกประสงค์สูง ซึ่งมีพื้นที่ติดตั้งน้อยกว่าแพ็กเกจ HTSSOP48 ที่ใช้ใน TB67S109AFNG ผลิตภัณฑ์ปัจจุบันของ Toshiba ถึงประมาณ 39% แพ็กเกจ HTSSOP มีขั้วต่อเรียงเป็นสองทิศทาง เพื่อให้เดินสายบนแผงวงจรได้ง่ายขึ้น ไม่เหมือนกับแพ็กเกจประเภท QFN ที่มีขั้วต่อเรียงกันสี่ทิศทาง IC ทั้งหมดมีตัวเก็บประจุสำหรับวงจรปั๊มประจุไฟฟ้า ซึ่งช่วยลดจำนวนชิ้นส่วนภายนอกและประหยัดพื้นที่บนแผงวงจร

Motor Driver IC รองรับแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟมอเตอร์ตั้งแต่ 8.2V ถึง 44V และมีอัตรากินไฟสูงสุด 20μA ในโหมดสลีป ทำให้ใช้งานได้หลากหลายสำหรับการใช้แหล่งจ่ายไฟ 12V/24V

Toshiba จะยังคงพัฒนาผลิตภัณฑ์สำหรับการใช้งานที่หลากหลายต่อไป และจัดหาโซลูชันทั้งหมดที่ช่วยให้ดีไซน์ไม่ซับซ้อน ลดพื้นที่บอร์ด และลดค่าใช้จ่ายทั้งหมด

หมายเหตุ:
[1] กระแสจริงที่ขับมอเตอร์อาจถูกจำกัดโดยอุณหภูมิแวดล้อม แรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟ และสภาวะการทำงานอื่น ๆ

การใช้งาน

เครื่องพิมพ์
เครื่องพิมพ์มัลติฟังก์ชัน
เครื่องกดเงินอัตโนมัติ (ATM)
เครื่องแลกเงิน
กล้องวงจรปิด
โปรเจ็คเตอร์ และอื่น ๆ

คุณสมบัติ

แพ็กเกจ HTSSOP28 ขนาดเล็ก: 6.4 มม. x 9.7 มม. (ประเภท)
ไม่ต้องการตัวเก็บประจุภายนอกสำหรับวงจรปั๊มประจุ
อัตรากินไฟต่ำ: I_M1=20μA (สูงสุด) (โหมดสลีป)

ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญ

(T_a=25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
หมายเลขชิ้นส่วน			TB67S581FNG	TB67S580FNG	TB67H481FNG	TB67H480FNG
ช่วงการทำงาน	แหล่งจ่ายไฟของมอเตอร์ V_M (V)	T_a= -40 ถึง 85°C	8.2 ถึง 44
พิกัดสูงสุดสัมบูรณ์	แรงดันเอาต์พุตของมอเตอร์ V_OUT (V)		50
	กระแสเอาต์พุตของมอเตอร์ I_OUT (A)		2.5	1.6	2.5
มอเตอร์ที่รองรับ			สเต็ปปิ้งมอเตอร์แบบไบโพลาร์		สเต็ปปิ้งมอเตอร์แบบไบโพลาร์ ดีซีมอเตอร์แบบมีแปรงถ่าน
อินเทอร์เฟซอินพุต			–		อินพุตประเภท IN	อินพุตประเภท PHASE
ค่าความต้านทานเปิดเอาต์พุตของมอเตอร์ (ด้านสูง + ด้านต่ำ) R_ON(D-S) ประเภท (Ω)		V_M=24V T_j=25°C I_OUT=2.0A	0.4
อัตรากินไฟ I_M1 สูงสุด (μA)		โหมด สลีป	20
ฟังก์ชันความปลอดภัย			การตรวจจับกระแสไฟฟ้าเกิน การตรวจจับการปิดด้วยความร้อน การตรวจจับแรงดันไฟต่ำ
แพ็กเกจ	ชื่อ		HTSSOP28 (P-HTSSOP28-0510-0.65-001)
	ประเภทขนาด (มม.)		6.4 x 9.7
การตรวจสอบตัวอย่างและการจัดจำหน่าย			ซื้อออนไลน์	ซื้อออนไลน์	ซื้อออนไลน์	ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TB67S581FNG
TB67S580FNG
TB67H481FNG
TB67H480FNG

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ Motor Driver IC ของ Toshiba
Motor Driver IC

หากต้องการตรวจสอบการจัดจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ร้านผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
TB67S581FNG
ซื้อออนไลน์

TB67S580FNG
ซื้อออนไลน์

TB67H481FNG
ซื้อออนไลน์

TB67H480FNG
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บขั้นสูง ที่ประยุกต์ใช้ประสบการณ์กว่าครึ่งศตวรรษและนวัตกรรมในการนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ชนิดแยกชิ้น ผลิตภัณฑ์ระบบ LSI และ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจ
พนักงานของบริษัท 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ร่วมกัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation คาดหวังที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีขึ้นเพื่อทุกคนทั่วโลก โดยมียอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ)
ดูข้อมูลเพิ่มเติมที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: www.businesswire.com/news/home/53419987/en

ติดต่อ

ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์แอนะล็อกและยานยนต์
โทร: +81-44-548-2219
ติดต่อเรา

ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว 600V Super Junction Structure N-Channel Power MOSFET ที่ช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของพาวเวอร์ซัพพลาย

June 14, 2023 Jasmine

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–13 มิถุนายน 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้ขยายไลน์อัพของ N-channel power MOSFET ที่ประดิษฐ์ขึ้นด้วยกระบวนการรุ่นล่าสุด^[1] โดยมีโครงสร้าง super junction 600V ที่เหมาะสำหรับศูนย์ข้อมูล สวิตชิ่งเพาเวอร์ซัพพลาย และเครื่องปรับสภาพกำลังไฟฟ้าสำหรับเครื่องกำเนิดไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ ผลิตภัณฑ์ใหม่ “TK055U60Z1” เป็นผลิตภัณฑ์ 600V ตัวแรกในซีรีส์ DTMOSVI ซึ่งเริ่มจัดส่งวันนี้

Toshiba: 600V N-channel power MOSFET TK055U60Z1 in the DTMOSVI Series. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: 600V N-channel power MOSFET TK055U60Z1 ในซีรีส์ DTMOSVI (กราฟิก: Business Wire)

ด้วยการเพิ่มประสิทธิภาพการออกแบบและกระบวนการของเกท ผลิตภัณฑ์ซีรีส์ 600V DTMOSVI ลดค่าความต้านทานเดรน-ซอร์สต่อหน่วยพื้นที่ลงประมาณ 13% และชาร์จ On-resistance × gate-drain จากเดรน-ซอร์ส ซึ่งเป็นตัวเลขที่คุ้มค่าสำหรับประสิทธิภาพของ MOSFET โดยประมาณ 52% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ซีรีส์ DTMOSIV-H รุ่นปัจจุบันของ Toshiba ที่มีพิกัดแรงดันเดรน-ซอร์สเท่ากัน ซึ่งทำให้มั่นใจได้ว่าซีรีส์นี้มีการสูญเสียการนำไฟฟ้าต่ำและการสูญเสียการสลับต่ำ และช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของแหล่งจ่ายไฟสลับ

ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้อยู่ในแพ็กเกจ TOLL ที่อนุญาตให้เชื่อมต่อเคลวินของเทอร์มินัลแหล่งสัญญาณสำหรับวงจรขับเกต อิทธิพลของความเหนี่ยวนำในสายต้นทางในแพ็กเกจสามารถลดลงได้เพื่อเน้นประสิทธิภาพการสลับความเร็วสูงของ MOSFET ซึ่งยับยั้งการสั่นระหว่างการสลับ

Toshiba จะยังคงขยายไลน์อัพซีรีส์ 600V DTMOSVI และผลิตภัณฑ์ซีรีย์ 650V DTMOSVI ที่เปิดตัวไปแล้ว และสนับสนุนการอนุรักษ์พลังงานโดยลดการสูญเสียพลังงานในสวิตชิ่งเพาเวอร์ซัพพลาย

หมายเหตุ:
[1] ณ เดือนมิถุนายน 2023

การใช้งาน

ศูนย์ข้อมูล (สวิตชิ่งเพาเวอร์ซัพพลายสำหรับเซิร์ฟเวอร์ ฯลฯ)
เครื่องปรับสภาพกำลังไฟฟ้าสำหรับเครื่องกำเนิดไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์
ระบบไฟฟ้าสำรอง

คุณสมบัติ

บรรลุการชาร์จ On-resistance × gate-drain จากเดรน-ซอร์ส และเปิดใช้งานสวิตชิ่งพาวเวอร์ซัพพลายที่มีประสิทธิภาพสูง

ข้อมูลจำเพาะหลัก
(T_a=25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
หมายเลขชิ้นส่วน				TK055U60Z1
การประเมินค่า สูงสุดสุทธิ	แรงดันเดรน-ซอร์ส V_DSS (V)			600
	กระแสไฟที่ไหลผ่าน (DC) I_D (A)			40
	อุณหภูมิช่อง T_ch (°C)			150
คุณลักษณะทางไฟฟ้า	ความต้านทานไฟฟ้า ของเดรน-ซอร์ส R_DS(ON) (mΩ)	V_GS=10V	สูงสุด	55
	ชาร์จเกตทั้งหมด Q_g (nC)		typ.	65
	ชาร์จเกต-เดรน Q_gd (nC)		typ.	15
	ความจุอินพุต C_iss (pF)		typ.	3680
แพ็กเกจ	ชื่อ			TOLL
	ขนาด (มม.)		typ.	9.9×11.68, t=2.3
การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน				ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TK055U60Z1

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFETs

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
TK055U60Z1
ซื้อออนไลน์

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านเซมิคอนดักเตอร์และโซลูชันจัดเก็บขั้นสูง โดยนำประสบการณ์และนวัตกรรมที่สั่งสมมากว่าครึ่งศตวรรษมาใช้ เพื่อมอบเซมิคอนดักเตอร์, วงจร LSI ระบบ และผลิตภัณฑ์ HDD ที่มีความโดดเด่นให้แก่ลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัท 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นในการเพิ่มคุณประโยชน์ของผลิตภัณฑ์ให้ถึงขีดสุด และส่งเสริมการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อร่วมสร้างคุณประโยชน์และตลาดใหม่ ๆ ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและเข้ามามีบทบาทเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่

ดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ติดต่อ

ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
Tel: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อมวลชน:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว Photorelay ขนาดเล็กพร้อมเวลาเปิดเครื่องความเร็วสูงที่ช่วยลดระยะเวลาการทดสอบสำหรับเครื่องทดสอบเซมิคอนดักเตอร์

May 25, 2023 Jasmine

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–25 พฤษภาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “TLP3476S” ซึ่งเป็นโฟโตรีเลย์ (photorelay) ในแพ็กเกจ S-VSON4T ที่ลดเวลาในการเปิดเครื่องลงเหลือครึ่งหนึ่งของผลิตภัณฑ์ปัจจุบันของ Toshiba อย่าง TLP3475S การจัดส่งเริ่มวันนี้

Toshiba: TLP3476S, a small photorelay that helps shorten test time for semiconductor testers. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: TLP3476S โฟโตรีเลย์ขนาดเล็กที่ช่วยลดระยะเวลาการทดสอบสำหรับผู้ทดสอบเซมิคอนดักเตอร์ (กราฟิก: Business Wire)

TLP3476S เร็วกว่าและกะทัดรัดกว่า TLP3475S รุ่นปัจจุบันของ Toshiba ซึ่งตระหนักถึงการ coupling ทางแสงที่มีประสิทธิภาพสูงโดยการปรับปรุงเอาต์พุตแสงของ LED อินฟราเรดและเพิ่มประสิทธิภาพการออกแบบอุปกรณ์ตรวจจับภาพถ่าย (โฟโตไดโอดอาร์เรย์) ให้เหมาะสม สิ่งนี้ช่วยปรับปรุงความเร็วในการทำงานและเพิ่มเวลาเปิดเครื่องสูงสุด 0.25ms ซึ่งเร็วขึ้น 50% นอกจากนี้ยังมีขนาดที่บางกว่า 20% เนื่องจากแพ็กเกจ S-VSON4T ที่มีโปรไฟล์ต่ำและเล็กกว่า สูงสุด 1.4 มม. ซึ่งช่วยลดขนาดอุปกรณ์ที่ต้องใช้บอร์ดหลายตัว

TLP3476S เหมาะสำหรับพินอิเล็กทรอนิกส์ของเครื่องทดสอบเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งใช้รีเลย์จำนวนมากที่ต้องการเวลาในการเปลี่ยนที่สั้นลง

การใช้งาน

เครื่องทดสอบเซมิคอนดักเตอร์ (เครื่องทดสอบหน่วยความจำความเร็วสูง เครื่องทดสอบลอจิกความเร็วสูง เป็นต้น)
โพรบการ์ด
อุปกรณ์วัด

คุณสมบัติ

แพ็กเกจ S-VSON4T ขนาดเล็ก: 1.45 มม. × 2.0 มม. (ทั่วไป), t=1.4 มม. (สูงสุด)
เวลาเปิดเครื่องความเร็วสูง: t_ON=0.25ms (สูงสุด)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

				(@T_a=25°C)
หมายเลขชิ้นส่วน				TLP3476S
แพ็กเกจ	ชื่อ			S-VSON4T
	ขนาด (มม.)			1.45 × 2.0 (typ.), t=1.4 (สูงสุด)
อัตราสูงสุด สัมบูรณ์	แรงดันขั้วเอาต์พุตสถานะปิด V_OFF (V)			60
	กระแสสถานะเปิด I_ON (A)			0.4
	กระแสสถานะเปิด (พัลส์) I_ONP (A)			1.2
	อุณหภูมิในการทำงาน T_opr (°C)			-40 ถึง 110
ลักษณะไฟฟ้าคู่	กระแสจุดฉนวน LED I_FT (mA)		สูงสุด	3.0
	ความต้านทานสถานะเปิด R_ON (Ω)		typ.	1.1
			สูงสุด	1.5
ลักษณะไฟฟ้า	ความจุเอาต์พุต C_OFF (pF)		สูงสุด	20
ลักษณะการสวิชชิง	เวลาเปิด t_ON (ms)	@R_L=200Ω, V_DD=20V, I_F=5mA	สูงสุด	0.25
	เวลาปิด t_OFF (ms)			0.2
ลักษณะไอโซเลชัน	แรงดันไฟฟ้าไอโซเลชัน BV_S (Vrms)		ต่ำสุด	500
การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน				ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TLP3476S

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ Isolators/Solid State Relays ของ Toshiba
Isolators/Solid State Relays

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
TLP3476S
ซื้อออนไลน์

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53406085/en

ติดต่อ

ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์
โทร: +81-44-548-2218
ติดต่อเรา

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัวตัวควบคุม LDO ไฟฟ้าแรงสูงและกระแสไฟต่ำที่ช่วยลดพลังงานสแตนด์บายของอุปกรณ์

May 24, 2023 Jasmine

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–23 พฤษภาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัวตัวควบคุม LDO ซีรีส์ TCR1HF ที่ให้แรงดันไฟฟ้าสูง ช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุตกว้าง และการใช้กระแสสแตนด์บายต่ำที่สุดในอุตสาหกรรม^[1] การจัดส่งผลิตภัณฑ์สามรายการแรกในซีรีส์ใหม่ “TCR1HF18B,” “TCR1HF33B” และ “TCR1HF50B” ซึ่งมีแรงดันเอาต์พุต 1.8V, 3.3V และ 5.0V ตามลำดับ เริ่มตั้งแต่วันนี้

Toshiba: TCR1HF series, high voltage, low current consumption LDO regulators that help to lower equipment stand-by power. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: ตัวควบคุม LDO ไฟฟ้าแรงสูงและกระแสไฟต่ำซีรีส์ TCR1HF ที่ช่วยลดพลังงานสแตนด์บายของอุปกรณ์ (กราฟิก: Business Wire)

เพื่อลดการใช้พลังงานของผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์ในโหมดสแตนด์บายเมื่อใช้วงจรแหล่งจ่ายไฟกับตัวควบคุม LDO จำเป็นต้องเชื่อมต่อแหล่งจ่ายไฟโดยตรงกับตัวควบคุม LDO และลดการใช้พลังงานโดยการปิดวงจรภายใน

ผลิตภัณฑ์ใหม่รองรับช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุตกว้างตั้งแต่ 4V ถึง 36V ซึ่งช่วยให้สามารถเชื่อมต่อกับแหล่งจ่ายไฟ 4V ถึง 20V ที่ใช้สำหรับ USB PD^[2] และกับแหล่งจ่ายไฟ 24V

นอกจากนี้ยังมีการใช้กระแสสแตนด์บายที่ 1uA (typ.) ซึ่งต่ำที่สุดในอุตสาหกรรม^[1] ช่วยให้อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สามารถทำงานสแตนด์บายได้โดยใช้พลังงานต่ำมาก การตอบสนองชั่วคราวของโหลดที่รวดเร็วที่ -60mV/+50mV (typ.) ช่วยให้มั่นใจได้ว่าแรงดันเอาต์พุตคงที่ในระหว่างที่กระแสไฟฟ้าเปลี่ยนแปลงกะทันหันเมื่อผลิตภัณฑ์เปลี่ยนจากสถานะสแตนด์บายเป็นสถานะการทำงาน

มีการออกแบบอ้างอิง “วงจรเพาเวอร์มัลติเพล็กเซอร์” โดยใช้ผลิตภัณฑ์ใหม่

Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ซีรีส์ TCR1HF โดยเพิ่มผลิตภัณฑ์ที่มีฟังก์ชันหรือค่าแรงดันเอาต์พุตที่แตกต่างกันสำหรับการใช้งานที่หลากหลาย

หมายเหตุ:

[1] การเปรียบเทียบกระแสสแตนด์บายกับตัวควบคุม LDO ที่มีพิกัดเดียวกัน ตามผลสำรวจของ Toshiba ในเดือนพฤษภาคม 2023

[2] USB PD(USB Power Delivery): มาตรฐานสำหรับการชาร์จเร็วที่ใช้ USB เพื่อให้กำลังไฟสูงสุดถึง 100W

การใช้งาน

อุปกรณ์สำหรับผู้บริโภค / ส่วนบุคคล (มือถือ, Note-PC, เครื่องใช้ภายในบ้าน ฯลฯ)
อุปกรณ์อุตสาหกรรม

คุณสมบัติ

แรงดันไฟฟ้าอินพุตช่วงกว้าง: V_IN=4V ถึง 36V
การใช้กระแสต่ำ: I_BON=1μA (typ.）
อัตรากระแสเอาต์พุตสูงสุด: I_OUT=150mA
การตอบสนองชั่วคราวของโหลดอย่างรวดเร็ว: ⊿V_OUT= -60mV/+50mV (typ.) (I_OUT = 0 mA ⇔ 10 mA)
แพ็กเกจเอนกประสงค์ SOT-25 (SMV)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

หมายเลขชิ้นส่วน			TCR1HF18B	TCR1HF33B	TCR1HF50B
แพ็กเกจ	ชื่อ		SOT-25 (SMV)
	ขนาดทั่วไป (มม.)		2.8 x 2.9, t=1.1
ช่วงการทำงาน	แรงดันไฟฟ้าอินพุต V_IN (V)		4 ถึง 36
	อุณหภูมิในการทำงาน T_opr (°C)		-40 ถึง 125
คุณลักษณะ ทางไฟฟ้า (เว้นแต่จะระบุไว้, T_j=25°C)	แรงดันไฟฟ้าเอาต์พุต V_OUT typ. (V)		1.8	3.3	5.0
	ความถูกต้องของแรงดันขาออก V_OUT (%)	I_OUT=10mA	±1
	กระแสไฟนิ่ง I_BON typ. (μA)	I_OUT=0mA	1
	กระแสไฟสแตนด์บาย I_B(OFF1) typ. (μA)	V_IN=4V	0.24
	การตอบสนองชั่วคราวของโหลด ⊿V_OUT typ. (mV)	I_OUT=0mA→10mA	-60
		I_OUT=10mA→0mA	50
	เกณฑ์การปิดระบบระบายความร้อน T_SDH (°C)	T_j rising	155
			ซื้อออนไลน์	ซื้อออนไลน์	ซื้อออนไลน์

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TCR1HF18B
TCR1HF33B
TCR1HF50B

ตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับการออกแบบอ้างอิงโดยใช้ผลิตภัณฑ์ใหม่
วงจรเพาเวอร์มัลติเพล็กเซอร์

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
TCR1HF18B
ซื้อออนไลน์
TCR1HF33B
ซื้อออนไลน์
TCR1HF50B
ซื้อออนไลน์

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

ดูรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53404002/en

ติดต่อ

ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์สัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-44-548-2215
ติดต่อเรา

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว MOSFET แบบ Common-Drain ขนาดเล็กและบางที่มีคุณสมบัติ On-Resistance ต่ำมาก เหมาะสำหรับอุปกรณ์ชาร์จเร็ว

May 19, 2023 Jasmine

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–18 พฤษภาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “SSM14N956L” ซึ่งเป็น MOSFET แบบ N-channel ระบายน้ำทั่วไป 12V ที่มีพิกัดกระแส 20A สำหรับใช้ในวงจรป้องกันแบตเตอรี่ในชุดแบตเตอรี่ลิเธียมไอออน (Li-ion) เช่น สำหรับอุปกรณ์พกพา ซึ่งเริ่มจัดส่งแล้ววันนี้

Toshiba: SSM14N956L, a small and thin common-drain MOSFET featuring very low On-resistance (Graphic: Business Wire)

Toshiba: SSM14N956L, MOSFET แบบ Common-Drain ขนาดเล็กและบางที่มีคุณสมบัติ On-Resistance ต่ำมาก (กราฟิก: Business Wire)

ชุดแบตเตอรี่ลิเธียมไอออน (Li-ion) อาศัยวงจรป้องกันที่ทนทานสูงเพื่อลดการเกิดความร้อนขณะชาร์จและคายประจุ และเพื่อเพิ่มความปลอดภัย วงจรเหล่านี้ต้องมีลักษณะการใช้พลังงานต่ำและบรรจุภัณฑ์ที่มีความหนาแน่นสูง โดยต้องใช้ MOSFET ที่มีขนาดเล็กและบางและมีความต้านทานต่อไฟฟ้าต่ำ

SSM14N956L ใช้ไมโครโปรเซสเซอร์ของ Toshiba เช่นเดียวกับ SSM10N954L ที่เปิดตัวแล้ว ซึ่งช่วยให้มั่นใจได้ถึงการสูญเสียพลังงานที่ต่ำ เนื่องจากคุณสมบัติด้านความต้านทานไฟฟ้าต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม^[1] และพลังงานสแตนด์บายต่ำ ซึ่งรับรู้ได้จากคุณลักษณะกระแสไฟรั่วที่เกต-ซอร์สที่ต่ำซึ่งเป็นระดับชั้นนำในอุตสาหกรรม^[1] คุณสมบัติเหล่านี้ช่วยยืดเวลาการทำงานของแบตเตอรี่ ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ยังใช้บรรจุภัณฑ์ใหม่ขนาดเล็กและบาง TCSPED-302701 (2.74 มม. x 3.0 มม., t = 0.085 มม. (ทั่วไป))

Toshiba จะยังคงพัฒนาผลิตภัณฑ์ MOSFET สำหรับวงจรป้องกันในอุปกรณ์ที่ใช้พลังงานจากชุดแบตเตอรี่ลิเธียมไอออน

การใช้งาน

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภคและอุปกรณ์สำนักงานและส่วนบุคคลที่มีชุดแบตเตอรี่ลิเธียมไอออน รวมถึงสมาร์ทโฟน แท็บเล็ต พาวเวอร์แบงค์ อุปกรณ์สวมใส่ เกมคอนโซล แปรงสีฟันไฟฟ้า กล้องดิจิทัลคอมแพค กล้องดิจิตอล SLR เป็นต้น

คุณสมบัติ

ความต้านทานไฟฟ้าต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม^[1]: R_SS(ON)=1.1mΩ (typ.) @V_GS=3.8V
กระแสไฟรั่วจากแหล่งเกตต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม^[1]: I_GSS=±1μA (max) @V_GS=±8V
แพ็กเกจ TCSPED-302701 ขนาดเล็กและบาง: 2.74 มม. x 3.0 มม., t=0.085 มม. (ทั่วไป)
โครงสร้างท่อระบายน้ำทั่วไปที่สามารถใช้งานได้ง่ายในวงจรป้องกันแบตเตอรี่

หมายเหตุ:
[1]: ในบรรดาผลิตภัณฑ์ที่มีการจัดอันดับเดียวกัน จากผลสำรวจของ Toshiba ในเดือนพฤษภาคม 2023

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น, T_a=25°C)
หมายเลขชิ้นส่วน			SSM14N956L	SSM10N954L^[2]
การกำหนดค่า			ท่อระบายน้ำทั่วไป N-channel
การประเมินค่า สูงสุดสุทธิ	แหล่งจ่ายแรงดัน V_SSS (V)		12
	แรงดันแหล่งกำเนิดเกต V_GSS (V)		±8
	กระแสไฟแหล่งจ่าย (DC) I_S (A)		20.0	13.5
คุณลักษณะ ทางไฟฟ้า	กระแสรั่วไหลของเกต-ซอร์ส I_GSS max (μA)	@V_GS＝ ±8V	±1
	ความต้านทานไฟฟ้า ของแหล่งจ่าย R_SS(ON) typ. (mΩ)	@V_GS＝4.5V	1.00	2.1
		@V_GS＝3.8V	1.10	2.2
		@V_GS＝3.1V	1.25	2.4
		@V_GS＝2.5V	1.60	3.1
แพ็กเกจ	ชื่อ		TCSPED-302701	TCSPAC-153001
	ขนาดทั่วไป (มม.)		2.74×3, t=0.085	1.49×2.98, t=0.11
การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน			ซื้อออนไลน์	ซื้อออนไลน์

หมายเหตุ:
[2] จำหน่ายสินค้าแล้ว

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
SSM14N956L

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
SSM14N956L
ซื้อออนไลน์

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

ดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53401946/en

ติดต่อ

ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์สัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-44-548-2215
ติดต่อเรา

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Featured, Technology

Toshiba เปิดตัว Thermoflagger™ โซลูชันง่าย ๆ ที่ตรวจจับอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์

May 17, 2023 Jasmine

Logo

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–16 พฤษภาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)ได้เปิดตัวสองผลิตภัณฑ์แรกในชุด IC ตรวจจับอุณหภูมิเกินของ Thermoflagger™ ได้แก่ “TCTH021BE” ซึ่งไม่มีฟังก์ชันล็อกสำหรับสัญญาณ FLAG เมื่อตรวจพบสถานะผิดปกติ และ “TCTH022BE” ซึ่งมีฟังก์ชันล็อก โดยจะตรวจจับอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นภายในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ในการกำหนดค่าวงจรอย่างง่ายด้วยเทอร์มิสเตอร์ที่มีสัมประสิทธิ์ความต้านทานต่ออุณหภูมิเป็นบวก (PTC) การจัดส่งเริ่มต้นวันนี้

Toshiba: Thermoflagger™, a simple solution that detects temperature rises in electronic equipment. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: Thermoflagger™ โซลูชันง่ายๆ ในการตรวจจับอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ (กราฟิก: Business Wire)

เพื่อให้อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทำงานตามที่กำหนด เซมิคอนดักเตอร์และชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ต้องทำงานภายในตัวแปรของการออกแบบ ซึ่งอุณหภูมิถือเป็นตัวแปรที่สำคัญอย่างหนึ่ง โดยเฉพาะอย่างยิ่งหากอุณหภูมิภายในสูงกว่าที่คาดไว้ในระหว่างขั้นตอนการออกแบบ นี่อาจเป็นปัญหาหลักในแง่ของความปลอดภัยและความน่าเชื่อถือ และต้องใช้โซลูชันการตรวจสังเกตความร้อนที่สูงเกินไปเพื่อตรวจจับการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิ

Thermoflagger™ ICs ใหม่ใช้ร่วมกับเทอร์มิสเตอร์ PTC ที่เปลี่ยนค่าความต้านทานได้ตามอุณหภูมิ โดยจะตรวจจับการเปลี่ยนแปลงของค่าความต้านทานของเทอร์มิสเตอร์ PTC ที่วางใกล้กับแหล่งความร้อน และส่งสัญญาณ FLAG ออกมาเพื่อบ่งชี้ว่าอุณหภูมิสูงเกิน การเชื่อมต่อเทอร์มิสเตอร์เทอร์มิสเตอร์ PTC แบบอนุกรมทำให้สามารถตรวจจับอุณหภูมิเกินได้ในหลายตำแหน่ง

ICs ใหม่นี้อยู่ในแพ็คเกจ SOT-553 มาตรฐานขนาดเล็ก (มีชื่อแพ็คเกจของ Toshiba ว่า ESV) และมีการใช้กระแสไฟต่ำเพียง 11.3μA (typ.)

การออกแบบอ้างอิง “Over Temperature Detection IC Thermoflagger™ Application Circuit” ซึ่งใช้ ICs ใหม่นั้นมีให้บริการแล้วในขณะนี้

Thermoflagger™ IC ช่วยให้ผู้ใช้สามารถกำหนดค่าการตรวจจับอุณหภูมิที่เกินขนาดสำหรับผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์ทั้งหมดได้อย่างง่ายดาย ทั้งยังช่วยลดขนาดและการใช้พลังงานอีกด้วย Toshiba จึงจะยังคงพัฒนา Thermoflagger™ ICs ด้วยฟังก์ชันต่าง ๆ ต่อไป

แอปพลิเคชัน

อุปกรณ์พกพา (เครื่องคอมพิวเตอร์แบบพกพา หรือPC และอื่น ๆ)
เครื่องใช้ภายในบ้าน
อุปกรณ์อุตสาหกรรม และอื่น ๆ

คุณสมบัติ

การกำหนดค่าอย่างง่ายเพื่อใช้ร่วมกับเทอร์มิสเตอร์ PTC
สามารถตรวจสังเกตอุณหภูมิเกินได้ในหลายจุดด้วยการเชื่อมต่อเทอร์มิสเตอร์ PTC ในชุด
ใช้พลังงานต่ำ IDD10U=11. 3μA (typ.)
แพ็กเกจขนาดเล็กและมาตรฐาน: SOT-553 (ESV)
กระแสเอาต์พุตของ PTCO ที่เลือกได้: I_PTCO=10μA (typ.)
มีความแม่นยำของกระแสเอาต์พุตของ PTCO สูง: ±8% (V_DD=3.3V, 25°C)
เอาต์พุตสัญญาณ FLAG (PTCGOOD)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(เว้นแต่จะกำหนดไว้เป็นอย่างอื่น, T_j=25°C)
หมายเลขชิ้นส่วน			TCTH021BE	TCTH022BE
แพ็กเกจ	ชื่อ		SOT-553 (ESV)
	ขนาด typ. (mm)		1.6×1.6, t=0.55
ขอบเขตการดำเนินงาน	แรงดันไฟฟ้า V_DD (V)		1.7 ถึง 5.5
	อุณหภูมิในการทำงาน T_opr (°C)		-40 ถึง 125
ลักษณะทางไฟฟ้า	กระแสเอาต์พุตของ PTCO I_PTCO (μA)	typ.	10
	ตรวจจับแรงดันไฟฟ้า V_DET (V)	typ.	0.50
	การใช้กระแสไฟฟ้า I_DD10U(μA)	typ.	11.3
	กระแส UVLO V_UVLO (V)	typ.	1.5
เอาต์พุตสัญญาณ FLAG PTCGOOD			แบบเปิดระบาย
ฟังก์ชันล็อก สัญญาณ FLAG เมื่อตรวจพบสถานะผิดปกติ			ไม่มี	มี
			Buy Online	Buy Online

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมที่เกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TCTH021BE
TCTH022BE

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ Toshiba Thermoflagger™
เนื้อหาที่น่าสนใจ
Thermoflagger™
วีดีโอ
Thermoflagger™
การออกแบบอ้างอิง
Thermoflagger™

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับข้อเสนอโซลูชันของ Toshiba โดยใช้ Thermoflagger™
SSDs
Servers
Tablets

หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายผลิตภัณฑ์ใหม่โดยผู้จัดจำหน่ายทางออนไลน์ โปรดไปที่:
TCTH021BE
Buy Online
TCTH022BE
Buy Online

* Thermoflagger™ เป็นเครื่องหมายการค้าของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคา ข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นผู้จัดจำหน่ายชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และสตอเรจขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมที่สั่งสมไว้กว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ

พนักงานของบริษัท 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้ได้สูงที่สุด พร้อมทั้งยังส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนในทุกพื้นที่

อ่านเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53400039/en

ติดต่อ

ให้บริการข้อมูลลูกค้า
แผนกขายและการตลาดอุปกรณ์ส่งสัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-44-548-2215
Contact Us

Media Inquiries:
Chiaki Nagasawa
แผนกการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Thai Herald

Tag Archives: toshiba

Toshiba เปิดตัว SiC Schottky Barrier Diodes 650V รุ่น 3 ที่ช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีประสิทธิภาพมากขึ้น

Toshiba เปิดตัว MOSFET พลังงาน N-channel 100V ที่รองรับการย่อขนาดของวงจรพาวเวอร์ซัพพลาย

Toshiba เปิดตัว Motor Driver IC ที่มีแพ็กเกจขนาดเล็กและจำนวนชิ้นส่วนภายนอกลดลงที่ช่วยประหยัดพื้นที่บนแผงวงจร

Toshiba เปิดตัว 600V Super Junction Structure N-Channel Power MOSFET ที่ช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของพาวเวอร์ซัพพลาย

Toshiba เปิดตัวตัวควบคุม LDO ไฟฟ้าแรงสูงและกระแสไฟต่ำที่ช่วยลดพลังงานสแตนด์บายของอุปกรณ์

Toshiba เปิดตัว MOSFET แบบ Common-Drain ขนาดเล็กและบางที่มีคุณสมบัติ On-Resistance ต่ำมาก เหมาะสำหรับอุปกรณ์ชาร์จเร็ว

Toshiba เปิดตัว Thermoflagger™ โซลูชันง่าย ๆ ที่ตรวจจับอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์

Thai Herald